Vishay推出業(yè)內(nèi)最小-20V P溝道Gen III MOSFET

　　率先采用2.4mm x 2.0mm x 0.4mm MICRO FOOT?封裝尺寸，可用于移動計算，在4.5V下導(dǎo)通電阻低至8.0mΩ

　　賓夕法尼亞、MALVERN — 2013 年 12 月5 日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出業(yè)界首款采用2.4mm x 2.0mm x 0.4mm CSP MICRO FOOT?封裝尺寸的-20V器件---Si8851EDB，擴展其TrenchFET? P溝道Gen III功率MOSFET。Vishay Siliconix Si8851EDB是為在移動計算設(shè)備中提高效率和節(jié)省空間而設(shè)計的，在-4.5V和-2.5V柵極驅(qū)動下分別具有8.0mΩ和11.0mΩ的極低導(dǎo)通電阻。

　　Si8851EDB把P溝道Gen III技術(shù)與MICRO FOOT的無封裝CSP技術(shù)，以及30pin設(shè)計和引腳布局結(jié)合在一起，在給定的面積內(nèi)提供了盡可能低的導(dǎo)通電阻。與最接近的2mm x 2mm x 0.8mm器件相比，Si8851EDB的高度薄50%，在4.5V柵極驅(qū)動下的導(dǎo)通電阻幾乎只有一半，單位封裝尺寸的導(dǎo)通電阻低37%。Si8851EDB的導(dǎo)通電阻接近3.3mm x 3.3mm x 0.8mm的MOSFET，外形尺寸小56%，單位封裝尺寸的導(dǎo)通電阻低30%以上。

　　今天推出的器件高度只有0.4mm，適和在平板電腦、智能手機和筆記本電腦的電源管理應(yīng)用中用作負載和電池開關(guān)。Si8851EDB的低導(dǎo)通電阻使設(shè)計者可以在其電路里實現(xiàn)更低的壓降，從而更有效地使用電能并延長電池使用壽命，同時其小占位可節(jié)省寶貴的PCB空間。Si8851EDB的典型ESD保護達到6kV，有助于保護手持設(shè)備避免因靜電放電而損壞，同時保證在生產(chǎn)過程能對零組件進行安全的加工處理。MOSFET符合JEDEC JS709A的無鹵素規(guī)定，符合RoHS指令2011/65/EU。

　　Si8851EDB是Vishay的MICRO FOOT家族的最新成員，可以在http://www.vishay.com/mosfets/micro-foot-package/ 找到相關(guān)信息。有關(guān)該公司P溝道Gen III MOSFET的更多信息，請訪問http://www.vishay.com/mosfets/geniii-p/。

　　Si8851EDB現(xiàn)可提供樣品，并已實現(xiàn)量產(chǎn)，大宗訂貨的供貨周期為十二周到十六周。

　　VISHAY簡介

　　Vishay Intertechnology， Inc. 是在紐約證券交易所上市（VSH）的“財富1000 強企業(yè)”，是全球分立半導(dǎo)體（二極管、MOSFET和紅外光電器件）和無源電子元件（電阻器、電感器、電容器）的最大制造商之一。這些元器件可用于工業(yè)、計算、汽車、消費、電信、軍事、航空航天、電源及醫(yī)療市場中幾乎所有類型的電子設(shè)備和裝備。憑借產(chǎn)品創(chuàng)新、成功的收購戰(zhàn)略，以及“一站式”服務(wù)使Vishay成為了全球業(yè)界領(lǐng)先者。有關(guān)Vishay的詳細信息，敬請瀏覽網(wǎng)站 www.vishay.com。