全球有線和無(wú)線通信半導(dǎo)體創(chuàng)新解決方案的領(lǐng)導(dǎo)者博通（Broadcom）公司（Nasdaq：BRCM）宣布，推出一系列2x2 5G WiFi產(chǎn)品以擴(kuò)充其5G WiFi產(chǎn)品陣容。新品為PC、平板電腦、機(jī)頂盒、電視和家用路由器等數(shù)字家庭設(shè)備提供了所需的連接速度、覆蓋范圍和功率。
2013-06-05 11:33:22
1178 【ROHM半導(dǎo)體（上海）有限公司 9月22日上海訊】全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM利用多年來(lái)在消費(fèi)電子領(lǐng)域積累的技術(shù)優(yōu)勢(shì)，正在積極推進(jìn)面向工業(yè)設(shè)備領(lǐng)域的產(chǎn)品陣容擴(kuò)充。
2014-09-22 14:50:101531 
在本系列的前幾篇文章中[1-7]，我們介紹了基于安森美豐富的SiC功率模塊和其他功率器件開(kāi)發(fā)的25 kW EV快充系統(tǒng)。
2022-06-29 11:30:505045 在很寬的范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)對(duì)器件制造所需的p型和n型的控制。因此，SiC被認(rèn)為是有望超越硅極限的功率器件材料。SiC具有多種多型（晶體多晶型），并且每種多型顯示不同的物理特性。對(duì)于功率器件，4H-SiC被認(rèn)為是理想的，其單晶4英寸到6英寸之間的晶圓目前已量產(chǎn)。
2022-11-22 09:59:261373 為滿足快速發(fā)展的電動(dòng)汽車(chē)行業(yè)對(duì)高功率密度 SiC 功率模塊的需求，進(jìn)行了 1 200 V/500 A 高功率密度三相 全橋 SiC 功率模塊設(shè)計(jì)與開(kāi)發(fā)，提出了一種基于多疊層直接鍵合銅單元的功率模塊封裝方法來(lái)并聯(lián)更多的芯片。
2024-03-13 10:34:03377 
在不久前的一場(chǎng)羅姆SiC產(chǎn)品分享會(huì)上，筆者詳細(xì)了解了SiC產(chǎn)品在功率器件中的比較優(yōu)勢(shì)，以及該公司在SiC產(chǎn)品線、車(chē)規(guī)產(chǎn)品以及生產(chǎn)制造方面的情況。
2019-07-12 17:35:598422 ROHM的SiC MOSFET被UAES公司的OBC產(chǎn)品采用，與以往的OBC相比，新OBC所在單元的效率提高了1%（效率高達(dá)95.7%，功率損耗比以往降低約20%）。
2020-03-18 07:58:001590 ROHM致力于為廣泛的應(yīng)用提供有效的電源解決方案，不僅專(zhuān)注于行業(yè)先進(jìn)的SiC功率元器件，還積極推動(dòng)Si功率元器件和驅(qū)動(dòng)IC的技術(shù)及產(chǎn)品開(kāi)發(fā)。
2021-07-08 16:31:581605 
”和“BSM600D12P3G001”。ROHM于2012年3月份于全球首家開(kāi)始量產(chǎn)內(nèi)置功率半導(dǎo)體元件全部由碳化硅組成的全SiC功率模塊。其后，產(chǎn)品陣容不斷擴(kuò)大，并擁有達(dá)1200V、300A的產(chǎn)品，各產(chǎn)品在眾多領(lǐng)域中被廣為采用。隨著
2018-12-04 10:20:43
元器件則是可顯著減少功率轉(zhuǎn)換時(shí)損耗的關(guān)鍵器件。一直以來(lái)都在SiC功率器件領(lǐng)域處于業(yè)界領(lǐng)先地位的ROHM，展示的"全SiC"功率模塊是一款具有高速開(kāi)關(guān)、低開(kāi)關(guān)損耗、高速 恢復(fù)、消除寄生
2019-04-12 05:03:38
元器件則是可顯著減少功率轉(zhuǎn)換時(shí)損耗的關(guān)鍵器件。一直以來(lái)都在SiC功率器件領(lǐng)域處于業(yè)界領(lǐng)先地位的ROHM，展示的"全SiC"功率模塊是一款具有高速開(kāi)關(guān)、低開(kāi)關(guān)損耗、高速 恢復(fù)、消除寄生
2019-07-11 04:17:44
元器件則是可顯著減少功率轉(zhuǎn)換時(shí)損耗的關(guān)鍵器件。一直以來(lái)都在SiC功率器件領(lǐng)域處于業(yè)界領(lǐng)先地位的ROHM，展示的"全SiC"功率模塊是一款具有高速開(kāi)關(guān)、低開(kāi)關(guān)損耗、高速 恢復(fù)、消除寄生
2019-07-15 04:20:14
ROHM集團(tuán)是全球最知名的半導(dǎo)體廠商之一，其推出的串行EEPROM最適用于數(shù)據(jù)保存，產(chǎn)品陣容豐富，在全球市場(chǎng)上擁有較高的占有率，可提供不同容量、總線接口及封裝類(lèi)型的產(chǎn)品，包含通用型和車(chē)載應(yīng)用型，適合
2019-07-11 04:20:11
提出的新需求。”而作為ROHM公司在上海的一級(jí)代理商上?；嗜A信息科技有限公司的重要加入。根據(jù)規(guī)劃，ROHM今后將重點(diǎn)從以下三方面對(duì)電阻器展開(kāi)研發(fā)：一是電流檢測(cè)用電阻器，主要是為了擴(kuò)大小型大功率產(chǎn)品的陣容
2016-08-15 15:25:01
業(yè)界超小級(jí)別的“PSR330”和“PSR100”，還計(jì)劃推出0.2mΩ 的產(chǎn)品，以進(jìn)一步增強(qiáng)“PSR系列”的產(chǎn)品陣容。在工業(yè)設(shè)備的功率模塊中，早已出現(xiàn)了內(nèi)置分流電阻器的產(chǎn)品。近年來(lái)，在xEV的主驅(qū)
2023-03-14 16:13:38
）。 upfile 未來(lái)，ROHM計(jì)劃繼續(xù)擴(kuò)充小型和大功率模塊的產(chǎn)品陣容，以進(jìn)一步擴(kuò)大可應(yīng)用的范圍。 upfile 新產(chǎn)品特點(diǎn) 天線和電路板一體型模塊，可大大縮短開(kāi)發(fā)周期，并輕松實(shí)現(xiàn)無(wú)線供電功能 新產(chǎn)品是天線
2022-05-17 12:00:35
前言全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM利用多年來(lái)在消費(fèi)電子領(lǐng)域積累的技術(shù)優(yōu)勢(shì)，正在積極推進(jìn)面向工業(yè)設(shè)備領(lǐng)域的產(chǎn)品陣容擴(kuò)充。在支撐"節(jié)能、創(chuàng)能、蓄能"技術(shù)的半導(dǎo)體功率元器件領(lǐng)域，ROHM
2019-07-08 08:06:01
全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）的SiC MOSFET和SiC肖特基勢(shì)壘二極管（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“SiC SBD”）已被成功應(yīng)用于大功率模擬模塊制造商ApexMicrotechnology
2023-03-29 15:06:13
Solutions提供支持，我由衷地感到高興。ROHM是SiC功率元器件的領(lǐng)軍企業(yè)，在業(yè)內(nèi)率先提供先進(jìn)的元器件技術(shù)和驅(qū)動(dòng)IC等產(chǎn)品相結(jié)合的電源解決方案，并取得了驕人的業(yè)績(jī)。今后，ROHM將繼續(xù)與Murata
2023-03-02 14:24:46
的優(yōu)化等，要花費(fèi)巨大努力。ROHM的DC/DC轉(zhuǎn)換器家族是以“找到最佳”為首要目標(biāo)的家族。下圖表示現(xiàn)在的產(chǎn)品家族粗略構(gòu)成情況。以方式和控制方法分類(lèi)，根據(jù)特性選擇符合要求的方式，進(jìn)而從中找到與輸入輸出條件
2018-12-04 10:30:30
。BD4xxMx系列/BDxxC0A系列 －其1－來(lái)自工程師的聲音43種機(jī)型的豐富變化是有原因的ROHM擁有豐富的LDO線性穩(wěn)壓器IC產(chǎn)品陣容，最近推出的“BD4xxMx系列和BDxxC0A系列
2018-12-04 10:34:22
電解電容器，使用陶瓷 電容即可滿足要求，這非常有助于縮減貼裝面積并降低成本。3．支持所有用途的通用封裝群 通過(guò)改善電路結(jié)構(gòu)，減少模塊數(shù)量，同時(shí)重新安排芯片布局，使產(chǎn)品陣容具備從適合嚴(yán)苛用途的功率封裝
2019-04-08 08:27:05
SiC-DMOS的特性現(xiàn)狀是用橢圓圍起來(lái)的范圍。通過(guò)未來(lái)的發(fā)展，性能有望進(jìn)一步提升。從下一篇開(kāi)始，將單獨(dú)介紹與SiC-MOSFET的比較。關(guān)鍵要點(diǎn):?功率晶體管的特征因材料和結(jié)構(gòu)而異。?在特性方面各有優(yōu)缺點(diǎn)，但SiC-MOSFET在整體上具有優(yōu)異的特性。＜ 相關(guān)產(chǎn)品信息 ＞MOSFETSiC-DMOS
2018-11-30 11:35:30
。本篇到此結(jié)束。關(guān)于SiC-MOSFET，將會(huì)借其他機(jī)會(huì)再提供數(shù)據(jù)。（截至2016年10月）關(guān)鍵要點(diǎn):?ROHM針對(duì)SiC-SBD的可靠性，面向標(biāo)準(zhǔn)的半導(dǎo)體元器件，根據(jù)標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行試驗(yàn)與評(píng)估。＜ 相關(guān)產(chǎn)品信息 ＞SiC-SBDSiC-MOSFET
2018-11-30 11:50:49
）。2010年在日本國(guó)內(nèi)率先開(kāi)始SiC SBD的量產(chǎn)，目前正在擴(kuò)充第二代SIC-SBD產(chǎn)品陣容，并推動(dòng)在包括車(chē)載在內(nèi)的各種應(yīng)用中的采用。SiC-SBD具有以下特征。當(dāng)前的SiC-SBD?反向恢復(fù)
2019-03-27 06:20:11
在內(nèi)的各種應(yīng)用中的采用。當(dāng)前的SiC-SBD產(chǎn)品結(jié)構(gòu)分為耐壓為650V與1200V、額定電流為5A～40A的產(chǎn)品，具體因封裝而異。其概要如下表所示。另外，ROHM正在開(kāi)發(fā)650V產(chǎn)品可支持達(dá)100A
2018-12-04 10:09:17
，提前了解各產(chǎn)品的具體不同之處，有助于縮短設(shè)計(jì)時(shí)間。SiC-SBD的發(fā)展ROHM的SiC-SBD目前第2代是主流產(chǎn)品，已經(jīng)實(shí)現(xiàn)近50種機(jī)型的量產(chǎn)銷(xiāo)售。下圖是第1代到第3代的正向電壓與電流特性（VF
2018-11-30 11:51:17
從本文開(kāi)始將探討如何充分發(fā)揮全SiC功率模塊的優(yōu)異性能。此次作為柵極驅(qū)動(dòng)的“其1”介紹柵極驅(qū)動(dòng)的評(píng)估事項(xiàng)，在下次“其2”中介紹處理方法。柵極驅(qū)動(dòng)的評(píng)估事項(xiàng)：柵極誤導(dǎo)通首先需要了解的是：接下來(lái)要介紹
2018-11-30 11:31:17
1. SiC模塊的特征大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開(kāi)始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。由IGBT的尾
2019-03-25 06:20:09
工作等SiC的特征所帶來(lái)的優(yōu)勢(shì)。通過(guò)與Si的比較來(lái)進(jìn)行介紹?！钡妥柚怠笨梢詥渭兘忉尀闇p少損耗，但阻值相同的話就可以縮小元件（芯片）的面積。應(yīng)對(duì)大功率時(shí)，有時(shí)會(huì)使用將多個(gè)晶體管和二極管一體化的功率模塊
2018-11-29 14:35:23
二極管的恢復(fù)損耗非常小。主要應(yīng)用于工業(yè)機(jī)器電源、高效率功率調(diào)節(jié)器的逆變器或轉(zhuǎn)換器中。2. 標(biāo)準(zhǔn)化導(dǎo)通電阻SiC的絕緣擊穿場(chǎng)強(qiáng)是Si的10倍，所以能夠以低阻抗、薄厚度的漂移層實(shí)現(xiàn)高耐壓。因此，在相同的耐壓值
2019-05-07 06:21:55
1. SiC模塊的特征大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開(kāi)始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。由IGBT的尾
2019-05-06 09:15:52
，所以被認(rèn)為是一種超越Si極限的功率器件材料。SiC中存在各種多型體（結(jié)晶多系），它們的物性值也各不相同。用于功率器件制作，4H-SiC最為合適
2019-07-23 04:20:21
。我們就SCS3系列的特點(diǎn)、應(yīng)用范圍展望等，采訪了負(fù)責(zé)開(kāi)發(fā)的ROHM株式會(huì)社 功率元器件制造部 千賀 景先生。－今年春天ROHM宣布推出SiC-SBD的第三代產(chǎn)品。后面我會(huì)問(wèn)到第三代SiC-SBD的特點(diǎn)
2018-12-03 15:12:02
。目前，ROHM正在量產(chǎn)的全SiC功率模塊是二合一型模塊，包括半橋型和升壓斬波型兩種。另外產(chǎn)品陣容中還有搭載NTC熱敏電阻的產(chǎn)品類(lèi)型。以下整理了現(xiàn)有機(jī)型產(chǎn)品陣容和主要規(guī)格。1200 V耐壓80A～600A
2018-11-27 16:38:04
ROHM為參戰(zhàn)2017年12月2日開(kāi)幕的電動(dòng)汽車(chē)全球頂級(jí)賽事“FIAFormula E錦標(biāo)賽2017-2018（第4賽季）”的文圖瑞Formula E車(chē)隊(duì)提供全SiC功率模塊。ROHM在上個(gè)賽季（第
2018-12-04 10:24:29
全SiC功率模塊與現(xiàn)有的功率模塊相比具有SiC與生俱來(lái)的優(yōu)異性能。本文將對(duì)開(kāi)關(guān)損耗進(jìn)行介紹，開(kāi)關(guān)損耗也可以說(shuō)是傳統(tǒng)功率模塊所要解決的重大課題。全SiC功率模塊的開(kāi)關(guān)損耗全SiC功率模塊與現(xiàn)有
2018-11-27 16:37:30
和CN4的+18V、CN3和CN6的-3V為驅(qū)動(dòng)器的電源。電路中增加了CGS和米勒鉗位MOSFET，使包括柵極電阻在內(nèi)均可調(diào)整。將該柵極驅(qū)動(dòng)器與全SiC功率模塊的柵極和源極連接，來(lái)確認(rèn)柵極電壓的升高情況
2018-11-27 16:41:26
元件。?雖然是新半導(dǎo)體，但在要求高品質(zhì)和高可靠性的車(chē)載設(shè)備市場(chǎng)已擁有豐碩的實(shí)際應(yīng)用業(yè)績(jī)。＜ 相關(guān)產(chǎn)品信息 ＞SiC功率元器件SiC-SBDSiC-MOSFET「全SiC」功率模塊
2018-11-29 14:39:47
(7V～36V)，可生成5.0V等低電壓。振蕩頻率1MHz的高速產(chǎn)品，適用于小型電感。是電流模式控制DC/DC轉(zhuǎn)換器，具有高速瞬態(tài)響應(yīng)性能，可輕松設(shè)定相位補(bǔ)償。二、功率元器件05 全SiC功率模塊內(nèi)置
2018-10-17 16:16:17
項(xiàng)目名稱(chēng)：全SiC MMC實(shí)驗(yàn)平臺(tái)設(shè)計(jì)——功率子模塊驅(qū)動(dòng)選型試用計(jì)劃：申請(qǐng)理由本人在電力電子領(lǐng)域有三年多的學(xué)習(xí)和開(kāi)發(fā)經(jīng)驗(yàn)，曾設(shè)計(jì)過(guò)基于半橋級(jí)聯(lián)型拓?fù)涞膬?chǔ)能系統(tǒng)，通過(guò)電力電子裝置實(shí)現(xiàn)電池單元的間接
2020-04-21 16:02:34
。另一方面，全SiC功率模塊由SiC的MOSFET和SiC的SBD (Schottky Barrier Diode)組成，具有低損耗、高工作溫度等特點(diǎn)，如果將其用于APS中，有助于提高產(chǎn)品的效率，實(shí)現(xiàn)
2017-05-10 11:32:57
范圍的高性能硅方案，也處于實(shí)現(xiàn)寬禁帶的前沿，具備全面的寬禁帶陣容，產(chǎn)品涵蓋碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)分立器件、模塊乃至圍繞寬禁帶方案的獨(dú)一無(wú)二的生態(tài)系統(tǒng)，為設(shè)計(jì)人員提供針對(duì)不同應(yīng)用需求的更多的選擇。
2020-10-30 08:37:36
ROHM近期推出的“SCS3系列”是第三代SiC肖特基勢(shì)壘二極管（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“SiC-SBD”）產(chǎn)品。ROHM的每一代SiC-SBD產(chǎn)品的推出都是正向電壓降低、各特性得以改善的持續(xù)改進(jìn)過(guò)程。當(dāng)前正在
2018-12-04 10:15:20
望嘗試運(yùn)行SiC元器件的各位、希望提高開(kāi)發(fā)效率的各位使用我公司的評(píng)估板。請(qǐng)參考ROHM官網(wǎng)的“SiC支持頁(yè)面”。SCT2H12NZ:1700V高耐壓SiC-MOSFET 重點(diǎn)必看＜ 相關(guān)產(chǎn)品信息 ＞SiC-MOSFETAC/DC轉(zhuǎn)換器全SiC功率模塊
2018-12-04 10:11:25
ROHM努力推進(jìn)最適合處理高耐壓與大電流電路使用SiC（碳化硅）材料的SBD（肖特基勢(shì)壘二極管）。2010年在日本國(guó)內(nèi)率先開(kāi)始SiC SBD的量產(chǎn)，目前正在擴(kuò)充第二代SIC-SBD產(chǎn)品陣容，并推動(dòng)在
2018-12-04 10:26:52
設(shè)計(jì)方面，SiC功率模塊被認(rèn)為是關(guān)鍵使能技術(shù)?！ 榱颂岣?b class="flag-6" style="color: red">功率密度，通常的做法是設(shè)計(jì)更高開(kāi)關(guān)頻率的功率轉(zhuǎn)換器?！ C/DC 轉(zhuǎn)換器和應(yīng)用簡(jiǎn)介 在許多應(yīng)用中，較高的開(kāi)關(guān)頻率會(huì)導(dǎo)致濾波器更小，電感和電容值
2023-02-20 15:32:06
納斯達(dá)克上市代號(hào)：ONNN)擴(kuò)充高性能電荷耦合器件(CCD)圖像傳感器產(chǎn)品陣容，推出針對(duì)工業(yè)成像應(yīng)用的最新器件。安森美半導(dǎo)體先進(jìn)的CCD圖像傳感器系列新增860萬(wàn)像素先進(jìn)攝影系統(tǒng)H型(APS-H)光學(xué)制式KAI-08670圖像傳感器，提供最嚴(yán)格應(yīng)用所要求的關(guān)鍵成像性能。
2020-04-26 09:46:34
元件全部由碳化硅組成的全SiC功率模塊。其后，產(chǎn)品陣容不斷擴(kuò)大，并擁有達(dá)1200V、300A的產(chǎn)品，各產(chǎn)品在眾多領(lǐng)域中被廣為采用。隨著新封裝的開(kāi)發(fā)， ROHM繼續(xù)擴(kuò)充產(chǎn)品陣容，如今已經(jīng)擁有覆蓋IGBT
2018-12-04 10:19:59
范圍的高性能硅方案，也處于實(shí)現(xiàn)寬禁帶的前沿，具備全面的寬禁帶陣容，產(chǎn)品涵蓋碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)分立器件、模塊乃至圍繞寬禁帶方案的獨(dú)一無(wú)二的生態(tài)系統(tǒng)，為設(shè)計(jì)人員提供針對(duì)不同應(yīng)用需求的更多的選擇。
2019-07-31 08:33:30
作為應(yīng)用全SiC模塊的應(yīng)用要點(diǎn)，本文將在上一篇文章中提到的緩沖電容器基礎(chǔ)上，介紹使用專(zhuān)用柵極驅(qū)動(dòng)器對(duì)開(kāi)關(guān)特性的改善情況。全SiC模塊的驅(qū)動(dòng)模式與基本結(jié)構(gòu)這里會(huì)針對(duì)下述條件與電路結(jié)構(gòu)，使用緩沖電容器
2018-11-27 16:36:43
ROHM生產(chǎn)的SiC-MOSFET和SiC-SBD組成的“全SiC”功率模塊 重點(diǎn)必看采用第3代SiC-MOSFET，不斷擴(kuò)充產(chǎn)品陣容＜ 相關(guān)產(chǎn)品信息 ＞全SiC功率模塊SiC-MOSFETSiC-SBDIGBTFRD
2018-12-04 10:14:32
1. SiC模塊的特征大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開(kāi)始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。由IGBT的尾
2019-03-12 03:43:18
AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)對(duì)汽車(chē)級(jí)離散器件的影響之后，它介紹了ROHM半導(dǎo)體公司的兩款符合AEC標(biāo)準(zhǔn)的SiC功率器件，并強(qiáng)調(diào)了成功設(shè)計(jì)必須考慮的關(guān)鍵特性。為電動(dòng)汽車(chē)和混合動(dòng)力汽車(chē)提供動(dòng)力
2019-08-11 15:46:45
-MOSFET。關(guān)鍵要點(diǎn):?ROHM已實(shí)現(xiàn)采用獨(dú)有雙溝槽結(jié)構(gòu)的SiC-MOSFET的量產(chǎn)。?溝槽結(jié)構(gòu)的SiC-MOSFET與DMOS結(jié)構(gòu)的產(chǎn)品相比，導(dǎo)通電阻降低約50%，輸入電容降低約35%。
2018-12-05 10:04:41
SiC-MOSFET 是碳化硅電力電子器件研究中最受關(guān)注的器件。成果比較突出的就是美國(guó)的Cree公司和日本的ROHM公司。在國(guó)內(nèi)雖有幾家在持續(xù)投入，但還處于開(kāi)發(fā)階段, 且技術(shù)尚不完全成熟。從國(guó)內(nèi)
2019-09-17 09:05:05
設(shè)計(jì)得低，開(kāi)啟電壓也可以做得低一些，但是這也將導(dǎo)致反向偏壓時(shí)的漏電流增大。ROHM的第二代SBD通過(guò)改進(jìn)制造工藝，成功地使漏電流和恢復(fù)性能保持與舊產(chǎn)品相等，而開(kāi)啟電壓降低了約0.15V。SiC
2019-05-07 06:21:51
%。這非常有望進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)應(yīng)用的高效化和小型化。全SiC功率模塊的產(chǎn)品陣容擴(kuò)充下表為全SiC功率模塊的產(chǎn)品陣容現(xiàn)狀。除BSM180D12P3C007外，采用第2代SiC-MOSFET的產(chǎn)品陣容中也增添了
2018-12-04 10:11:50
安森美推出帶集成肖特基二極管的30V 擴(kuò)充N溝道功率MOSFET
安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)擴(kuò)充N溝道功率MOSFET器件陣容，新推出帶集成肖特基二極管的30V產(chǎn)品。
NTMFS4897
2010-04-12 10:23:161107 ST推出家電控制產(chǎn)品陣容的智能功率模塊
意法半導(dǎo)體ST推出其家用電器和低功率電機(jī)驅(qū)動(dòng)設(shè)備半
2010-04-14 16:49:251010 應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor，美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào)：ONNN)擴(kuò)充恒流穩(wěn)流器(CCR)陣容，推出NSI50350A。這簡(jiǎn)單而極強(qiáng)固的器件特為用于發(fā)光
2011-09-26 08:45:391372 Bridgelux 公司長(zhǎng)期致力于創(chuàng)新照明以及提供各種高功率、省電型、及經(jīng)濟(jì)型LED解決方案，宣布擴(kuò)充旗下極為成功的Decor系列超高演色指數(shù)（CRI）LED陣列的產(chǎn)品陣容。為因應(yīng)商店與零售
2012-05-04 11:32:23728 三菱電機(jī)株式會(huì)社定于7月31日開(kāi)始，依次提供5個(gè)品種的SiC功率半導(dǎo)體模塊，以滿足家電產(chǎn)品與工業(yè)設(shè)備對(duì)應(yīng)用SiC材料的新一代SBD和MOSFET等功率半導(dǎo)體的需要。在這5種產(chǎn)品中，3種適用于
2012-07-25 15:59:27718 ROHM為滿足汽車(chē)市場(chǎng)對(duì)低阻值產(chǎn)品的多樣化需求，打造了豐富的低阻值系列產(chǎn)品陣容。##貼片低阻值產(chǎn)品，根據(jù)其材料與結(jié)構(gòu)大致分為兩類(lèi)。一類(lèi)是基于稱(chēng)為厚膜低阻值的通用厚膜貼片電阻器技術(shù)的產(chǎn)品，另一類(lèi)是采用金屬材料的金屬低阻值產(chǎn)品。##采用金屬電阻體材料的低阻值產(chǎn)品。
2014-04-17 16:26:372107 
全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM進(jìn)一步擴(kuò)充了非常適合可穿戴設(shè)備等小型移動(dòng)設(shè)備的小型薄型芯片LED PICOLED TM“SML-P1系列”產(chǎn)品陣容，同一尺寸具備多達(dá)15種顏色的產(chǎn)品。
2015-04-28 14:48:31911 株式會(huì)社村田制作所擴(kuò)充了支持高溫用途的汽車(chē)用引線型多層陶瓷電容器RHS系列的產(chǎn)品陣容。
2018-01-13 09:36:204982 種背景下，客戶對(duì)擁有多年豐碩業(yè)績(jī)的ROHM的要求也日益提高，因此，此次在具有大功率、超低阻值特色的PSR系列中又新增了小型產(chǎn)品陣容。
2018-02-19 01:42:004290 目前世界正掀起前所未有的節(jié)能浪潮，業(yè)界對(duì)于可有效提升能源效率的SiC功率器件充滿期待。為了滿足日益增加的市場(chǎng)需求，ROHM決定在Apollo筑后工廠增建新廠房，以提高生產(chǎn)能力。
2018-04-22 10:56:00680 羅姆在全球率先實(shí)現(xiàn)了搭載羅姆生產(chǎn)的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC功率模塊”量產(chǎn)。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開(kāi)關(guān)并可大幅降低損耗。
2018-05-17 09:33:1313514 本視頻介紹了SiC SBD、SiC-MOSFETs、“全SiC”功率模塊。ROHM的"全SiC"功率模塊具有高速開(kāi)關(guān)、低開(kāi)關(guān)損耗、高速恢復(fù)、消除寄生二極管通電導(dǎo)致的原件劣化問(wèn)題等特點(diǎn)，可用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)、太陽(yáng)能發(fā)電、轉(zhuǎn)換器等多元化領(lǐng)域。
2018-06-26 17:53:007927 東京--東芝存儲(chǔ)器株式會(huì)社宣布新增2.5英寸新產(chǎn)品，擴(kuò)充其適用于超大型云應(yīng)用的XD5系列數(shù)據(jù)中心NVMe? SSD的產(chǎn)品陣容。樣品發(fā)貨將于2019年第二季度啟動(dòng)。
2019-03-20 17:16:423536 在這種背景下，ROHM于2010年在全球率先開(kāi)始了SiC MOSFET的量產(chǎn)。ROHM很早就開(kāi)始加強(qiáng)符合汽車(chē)電子產(chǎn)品可靠性標(biāo)準(zhǔn)AEC-Q101的產(chǎn)品陣容，并在車(chē)載充電器（On Board
2020-06-19 14:21:074199 
全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM利用多年來(lái)在消費(fèi)電子領(lǐng)域積累的技術(shù)優(yōu)勢(shì)，正在積極推進(jìn)面向工業(yè)設(shè)備領(lǐng)域的產(chǎn)品陣容擴(kuò)充。在支撐“節(jié)能、創(chuàng)能、蓄能”技術(shù)的半導(dǎo)體功率元器件領(lǐng)域，ROHM實(shí)現(xiàn)了具有硅半導(dǎo)體無(wú)法
2020-09-24 10:45:00
0 ROHM于2015年世界上第一家成功地實(shí)現(xiàn)了溝槽結(jié)構(gòu)SiC MOSFET的量產(chǎn)，并一直致力于提高SiC功率元器件的性能。
2021-01-07 11:48:121754 一、SiC模塊的特征 電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開(kāi)始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。 由IGBT
2023-01-12 16:35:47489 1. SiC模塊的特征 大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開(kāi)始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。 由IGBT
2023-02-07 16:48:23646 
本文就SiC-MOSFET的可靠性進(jìn)行說(shuō)明。這里使用的僅僅是ROHM的SiC-MOSFET產(chǎn)品相關(guān)的信息和數(shù)據(jù)。另外，包括MOSFET在內(nèi)的SiC功率元器件的開(kāi)發(fā)與發(fā)展日新月異，如果有不明之處或希望確認(rèn)現(xiàn)在的產(chǎn)品情況，請(qǐng)點(diǎn)擊這里聯(lián)系我們。
2023-02-08 13:43:21860 
繼SiC概要、SiC-SBD（肖特基勢(shì)壘二極管 ）、SiC-MOSFET之后，來(lái)介紹一下完全由SiC功率元器件組成的“全SiC功率模塊”。本文作為第一篇，想讓大家了解全SiC功率模塊具體是什么樣的產(chǎn)品，都有哪些機(jī)型。
2023-02-08 13:43:21685 
全SiC功率模塊與現(xiàn)有的IGBT模塊相比，具有1）可大大降低開(kāi)關(guān)損耗、2）開(kāi)關(guān)頻率越高總體損耗降低程度越顯著 這兩大優(yōu)勢(shì)。
2023-02-08 13:43:22673 
ROHM面向xEV車(chē)載充電器和DC/DC轉(zhuǎn)換器，又推出10款SCT3xxxxxHR系列的SiC MOSFET，該系列產(chǎn)品“支持汽車(chē)電子產(chǎn)品可靠性標(biāo)準(zhǔn)AEC-Q101”，而且共有13款型號(hào)，擁有業(yè)界豐富的產(chǎn)品陣容。
2023-02-09 10:19:24564 
ROHM為參戰(zhàn)2017年12月2日開(kāi)幕的電動(dòng)汽車(chē)全球頂級(jí)賽事“FIAFormula E錦標(biāo)賽2017-2018（第4賽季）”的文圖瑞Formula E車(chē)隊(duì)提供全SiC功率模塊。
2023-02-10 09:41:02320 
ROHM面向工業(yè)設(shè)備用電源、太陽(yáng)能發(fā)電功率調(diào)節(jié)器及UPS等的逆變器、轉(zhuǎn)換器，開(kāi)發(fā)出1200V耐壓的400A/600A的全SiC功率模塊“BSM400D12P3G002”和“BSM600D12P3G001”。
2023-02-10 09:41:05595 
ROHM在全球率先實(shí)現(xiàn)了搭載ROHM生產(chǎn)的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模塊量產(chǎn)。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開(kāi)關(guān)并可大幅降低損耗。
2023-02-10 09:41:081333 
ROHM在全球率先實(shí)現(xiàn)了搭載ROHM生產(chǎn)的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模塊量產(chǎn)。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開(kāi)關(guān)并可大幅降低損耗。
2023-02-13 09:30:04331 
ROHM一直專(zhuān)注于功率元器件的開(kāi)發(fā)。最近推出并已投入量產(chǎn)的“SCT2H12NZ”，是實(shí)現(xiàn)1700V高耐壓的SiC-MOSFET。是在現(xiàn)有650V與1200V的產(chǎn)品陣容中新增的更高耐壓版本。
2023-02-13 09:30:05434 
ROHM努力推進(jìn)最適合處理高耐壓與大電流電路使用SiC（碳化硅）材料的SBD（肖特基勢(shì)壘二極管）。2010年在日本國(guó)內(nèi)率先開(kāi)始SiC SBD的量產(chǎn)，目前正在擴(kuò)充第二代SIC-SBD產(chǎn)品陣容，并推動(dòng)在包括車(chē)載在內(nèi)的各種應(yīng)用中的采用。
2023-02-13 09:30:07401 
在SiC-MOSFET不斷發(fā)展的進(jìn)程中，ROHM于世界首家實(shí)現(xiàn)了溝槽柵極結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET的量產(chǎn)。這就是ROHM的第三代SiC-MOSFET。
2023-02-24 11:48:18426 
繼SiC概要、SiC-SBD（肖特基勢(shì)壘二極管 ）、SiC-MOSFET之后，來(lái)介紹一下完全由SiC功率元器件組成的“全SiC功率模塊”。本文想讓大家了解全SiC功率模塊具體是什么樣的產(chǎn)品，都有哪些機(jī)型。之后計(jì)劃依次介紹其特點(diǎn)、性能、應(yīng)用案例和使用方法。
2023-02-24 11:51:08430 
全SiC功率模塊與現(xiàn)有的功率模塊相比具有SiC與生俱來(lái)的優(yōu)異性能。本文將對(duì)開(kāi)關(guān)損耗進(jìn)行介紹，開(kāi)關(guān)損耗也可以說(shuō)是傳統(tǒng)功率模塊所要解決的重大課題。
2023-02-24 11:51:28496 
ROHM的1,200VSiC MOSFET“S4101”和650V SiC SBD“S6203”是以裸芯片的形式提供的，采用ROHM的這些產(chǎn)品將有助于應(yīng)用的小型化并提高模塊的性能和可靠性。
2023-04-10 09:34:29483 日本電產(chǎn)（尼得科/Nidec）擴(kuò)充了面向數(shù)據(jù)中心的水冷模塊產(chǎn)品陣容。
2022-09-13 14:40:00517 
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全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM的SiC MOSFET和SiC肖特基勢(shì)壘二極管(以下簡(jiǎn)稱(chēng)“SiC SBD”)已被成功應(yīng)用于大功率模擬模塊制造商Apex?Microtechnology的功率模塊
2023-09-14 19:15:14353 在商業(yè)應(yīng)用中利用寬帶隙碳化硅（SiC）的獨(dú)特電氣優(yōu)勢(shì)需要解決由材料機(jī)械性能引起的可靠性挑戰(zhàn)。憑借其先進(jìn)的芯片粘接技術(shù)，Vincotech 處于領(lǐng)先地位。 十多年前首次推出的SiC功率模塊可能會(huì)
2023-10-23 16:49:36372 
1、SiC MOSFET對(duì)器件封裝的技術(shù)需求
2、車(chē)規(guī)級(jí)功率模塊封裝的現(xiàn)狀
3、英飛凌最新SiC HPD G2和SSC封裝
4、未來(lái)模塊封裝發(fā)展趨勢(shì)及看法
2023-10-27 11:00:52419 
本文將通過(guò)圖文及視頻的形式為各位介紹太陽(yáng)誘電功率電感器產(chǎn)品陣容、特點(diǎn)&優(yōu)勢(shì)、基礎(chǔ)信息等。
2024-01-05 12:20:28142 
太陽(yáng)誘電使用具有高直流飽和特性的金屬磁性材料，擴(kuò)充了具有小型化、薄型化優(yōu)勢(shì)的多層型金屬功率電感器 MCOIL?LSCN 系列的產(chǎn)品陣容。
2024-01-06 15:13:52544 
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