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瞄準(zhǔn)超低功耗IoT GF擁抱FD-SOI制程

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上硅)技術(shù)發(fā)展規(guī)劃。半導(dǎo)體器件和 FD-SOI技術(shù)創(chuàng)新對(duì)法國(guó)和歐盟以及全球客戶(hù)具有戰(zhàn)略?xún)r(jià)值。FD-SOI 能夠?yàn)樵O(shè)計(jì)人員和客戶(hù)系統(tǒng)帶來(lái)巨大的好處,包括更低的功耗以及更容易集成更多功能,例如,通信連接和安全保護(hù)。對(duì)于汽車(chē)、物聯(lián)網(wǎng)和移動(dòng)應(yīng)用而言,這些優(yōu)勢(shì)是FD-SOI技術(shù)的一個(gè)重要特質(zhì)。 ? CEA主席
2022-04-21 17:18:483472

意法半導(dǎo)體28nm FD-SOI技術(shù)平臺(tái)又獲階段性成功

意法半導(dǎo)體宣布,其28納米FD-SOI技術(shù)平臺(tái)在測(cè)試中取得又一項(xiàng)重大階段性成功:其應(yīng)用處理器引擎芯片工作頻率達(dá)到3GHz,在指定的工作頻率下新產(chǎn)品能效高于其它現(xiàn)有技術(shù)。
2013-03-13 09:40:241298

嵌入式存儲(chǔ)器 意法半導(dǎo)體FD-SOI性能大升

意法半導(dǎo)體獨(dú)有的FD-SOI技術(shù)配備嵌入式存儲(chǔ)器,有望突破更高性能,以實(shí)現(xiàn)更低工作功耗和更低待機(jī)功耗。
2013-11-09 08:54:091257

半導(dǎo)體廠(chǎng)商產(chǎn)能布局 FinFET與FD-SOI工藝大PK

在我們大多數(shù)人“非黑即白”、“非此即彼”的觀(guān)念里,半導(dǎo)體廠(chǎng)商應(yīng)該不是選擇FinFET就是FD-SOI工藝技術(shù)。
2015-07-07 09:52:223744

半導(dǎo)體廠(chǎng)商的豪門(mén)恩怨:GF與AMD為何分手?

近日Global Foundries(以下簡(jiǎn)稱(chēng)GF)宣布其14nm FinFET和22nm FD-SOI工藝都取得了突破,成功量產(chǎn),這似乎為半導(dǎo)體代工廠(chǎng)GF近數(shù)年的頹勢(shì)帶來(lái)一股希望,不過(guò)在筆者看來(lái),GF未必能就此扭轉(zhuǎn)命運(yùn),不過(guò)是GF與那些半導(dǎo)體廠(chǎng)商豪門(mén)恩怨的延續(xù)。
2015-07-25 22:16:206622

FD-SOI會(huì)是顛覆性技術(shù)嗎?

耗盡型絕緣上覆矽(FD-SOI制程技術(shù)正從原本的“遲到”(too-late)位置搖身一變,成為可望在物聯(lián)網(wǎng)(IoT)與汽車(chē)市場(chǎng)取代鰭式場(chǎng)效電晶體(FinFET)的理想替代方案了。對(duì)于許多人來(lái)說(shuō),業(yè)界主導(dǎo)廠(chǎng)商代表出席一場(chǎng)相關(guān)領(lǐng)域的業(yè)界活動(dòng),象征著為這項(xiàng)技術(shù)背書(shū)。
2016-04-18 10:16:033179

Globalfoundries下一代FD-SOI制程正在研發(fā)

Globalfoundries技術(shù)長(zhǎng)Gary Patton透露,其22FDX全空乏絕緣上覆矽(FD-SOI制程技術(shù)可望今年稍晚上市,而目前該公司正在開(kāi)發(fā)后續(xù)制程。
2016-05-27 11:17:321132

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Samsung Foundry行銷(xiāo)暨業(yè)務(wù)開(kāi)發(fā)負(fù)責(zé)人Kelvin Low在接受EE Times歐洲版訪(fǎng)問(wèn)時(shí)表示,該公司的技術(shù)藍(lán)圖顯示,28納米FD-SOI嵌入式非揮發(fā)性記憶體將分兩階段發(fā)展,首先是
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2016-09-14 11:39:021835

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物聯(lián)網(wǎng)(IoT)應(yīng)用將帶動(dòng)全耗盡型(Fully Detleted)制程技術(shù)加速成長(zhǎng)。為滿(mǎn)足低功耗、低成本、高效能之設(shè)計(jì)需求,格羅方德(GlobalFoundries)除持續(xù)發(fā)展14納米及7納米
2016-11-17 14:23:22845

格芯CEO:FD-SOI是中國(guó)需要的技術(shù)

5G時(shí)代將對(duì)半導(dǎo)體的移動(dòng)性與對(duì)物聯(lián)網(wǎng)時(shí)代的適應(yīng)性有著越來(lái)越高的要求。此時(shí),FD-SOI與RF-SOI技術(shù)的優(yōu)勢(shì)日漸凸顯,人們對(duì)SOI技術(shù)的關(guān)注也與日俱增。
2017-09-29 11:22:5712372

FD-SOI工藝日趨成熟,圖像處理應(yīng)用成其落地關(guān)鍵

格芯Fab1廠(chǎng)總經(jīng)理兼高級(jí)副總裁Thomas Morgenstern表示,FD-SOI(全耗盡平面晶體管)工藝將是格芯當(dāng)前戰(zhàn)略中心與創(chuàng)新的源泉。
2018-09-20 09:30:199631

今日看點(diǎn)丨英飛凌CEO呼吁不應(yīng)過(guò)多限制對(duì)華半導(dǎo)體出口;百度集團(tuán)副總裁吳甜:文心大模型 3.5 能力已經(jīng)超出

絕緣體上硅(FD-SOI)技術(shù)開(kāi)發(fā)10納米低功耗工藝技術(shù)模塊,該技術(shù)未來(lái)將進(jìn)一步向7納米拓展,這也是浸沒(méi)式DUV光刻技術(shù)的極限。該機(jī)構(gòu)透露,FD-SOI新一代工藝將與18、22和28nm的現(xiàn)有設(shè)計(jì)兼容,并且還將包括嵌入式非易失性存儲(chǔ)器(eNVM)工藝。該項(xiàng)目由法國(guó)政府獨(dú)立于《歐盟芯片法案》提供資金。
2023-07-20 10:54:19428

8位微控制器的多種低功耗模式

獨(dú)有的超低泄漏電流優(yōu)化的130nm制程,下設(shè)三個(gè)產(chǎn)品線(xiàn)均基于意法半導(dǎo)體的超低功耗技術(shù)平臺(tái),共計(jì)26款產(chǎn)品,涵蓋多種高性能和多功能應(yīng)用。圖1,STM8L152結(jié)構(gòu)框圖
2019-07-24 08:03:04

FD-SOI(全耗盡型絕緣層上硅)

個(gè)掩模,而某些基板CMOS則需要多達(dá)50個(gè)掩模。FD-SOI縮減制造工序15%,縮短交貨期10%,這兩大優(yōu)點(diǎn)可大幅降低成本。此外,采用FD-SOI工藝制造的芯片在功耗上可以大幅降低,還可以縮小面積節(jié)約
2016-04-15 19:59:26

超低功耗FPGA解決方案助力機(jī)器學(xué)習(xí)

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2018-05-23 15:31:04

超低功耗MCU在物聯(lián)網(wǎng)方案中的應(yīng)用

IoT應(yīng)用 超低功耗MCU也可以應(yīng)用于面向農(nóng)業(yè)的IoT應(yīng)用中,例如用于測(cè)量土地濕度、土壤營(yíng)養(yǎng)及作物生長(zhǎng)情況的設(shè)備。超低功耗MCU技術(shù)可以為這些設(shè)備提高可靠性和穩(wěn)定性,保證設(shè)備長(zhǎng)期高頻反饋且不
2023-06-13 18:18:17

超低功耗MCU的設(shè)計(jì)思路

運(yùn)轉(zhuǎn)功耗現(xiàn)代 [超低功耗MCU](https://www.runjetic.com/) 已整合相當(dāng)多的的模仿外圍,不能單純考慮數(shù)字電路的動(dòng)態(tài)功耗。MCU芯片 運(yùn)轉(zhuǎn)時(shí)的總功耗由模仿外圍功耗和數(shù)字外圍
2023-02-17 18:04:39

超低功耗MCU選型與設(shè)計(jì)

  循序漸進(jìn)式的功耗優(yōu)化已經(jīng)不再是超低功耗mcu的游戲規(guī)則,而是“突飛猛進(jìn)”模式,與功耗相關(guān)的很多指標(biāo)都不斷刷新記錄。我們?cè)谶x擇合適的超低功耗mcu時(shí)要掌握必要的技巧,在應(yīng)用時(shí)還需要一些設(shè)計(jì)方向與思路才能夠更好的應(yīng)用。
2019-07-29 07:27:12

超低功耗Wi-Fi技術(shù)

行業(yè)、媒體行業(yè)等領(lǐng)域。超低功耗Wi-Fi芯片的特點(diǎn)和背后的黑科技DA16200 SoC是專(zhuān)為電池供電的IoT應(yīng)用而設(shè)計(jì)的超低功耗Wi-Fi芯片,在很多應(yīng)用中,即使是始終保持聯(lián)網(wǎng)的設(shè)備也能實(shí)現(xiàn)長(zhǎng)達(dá)5年
2020-05-24 07:37:24

超低功耗嵌入式的隱患怎么消除?

目前,工程師的任務(wù)之一是開(kāi)發(fā)基于低成本微控制器 (MCU) 的超低功耗嵌入式應(yīng)用,此類(lèi)應(yīng)用通常要求用一顆電池維持?jǐn)?shù)年的工作。在從家用自動(dòng)調(diào)溫器到個(gè)人醫(yī)療設(shè)備等此類(lèi)超低功耗應(yīng)用中,設(shè)計(jì)人員必須仔細(xì)考慮
2020-03-09 08:32:38

超低功耗微控制器單元(MCU)主要有哪些應(yīng)用?

超低功耗微控制器單元(MCU)采用了哪些關(guān)鍵技術(shù)?超低功耗微控制器單元(MCU)具備哪些功能?超低功耗微控制器單元(MCU)主要有哪些應(yīng)用?
2021-06-17 10:11:18

超低功耗電子溫度計(jì)的優(yōu)點(diǎn)是什么?

本文設(shè)計(jì)的超低功耗電子溫度計(jì)能夠通過(guò)溫度傳感器測(cè)量和顯示被測(cè)量點(diǎn)的溫度,并可進(jìn)行擴(kuò)展控制。該溫度計(jì)帶電子時(shí)鐘,其檢測(cè)范圍為l0℃~30℃,檢測(cè)分辨率為1℃,采用LCD液晶顯示,整機(jī)靜態(tài)功耗為0.5μA。其系統(tǒng)設(shè)計(jì)思想對(duì)其它類(lèi)型的超低功耗微型便攜式智能化檢測(cè)儀表的研究和開(kāi)發(fā),也具有一定的參考價(jià)值。
2019-08-13 07:50:30

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2012-01-18 14:59:05105

意法半導(dǎo)體(ST)與Soitec攜手CMP提供28納米FD-SOI CMOS制程

意法半導(dǎo)體(ST)、Soitec與CMP(Circuits Multi Projets)攜手宣佈,大專(zhuān)院校、研究實(shí)驗(yàn)室和設(shè)計(jì)公司將可透過(guò)CMP的硅中介服務(wù)採(cǎi)用意法半導(dǎo)體的CMOS 28奈米FD-SOI (Fully Depleted Silicon-on-Insulator,
2012-10-25 09:42:501201

Microsemi超低功耗RF收發(fā)器瞄準(zhǔn)無(wú)線(xiàn)感測(cè)器應(yīng)用

美高森美公司針對(duì)注重功耗的短距無(wú)線(xiàn)應(yīng)用推出新型超低功耗(ULP)射頻(RF)收發(fā)器產(chǎn)品 ZL70250 ,該元件為低功耗定立全新的基準(zhǔn),傳送和接收資料所需僅2mA電流。
2012-11-22 10:29:41945

看好28奈米FD-SOI技術(shù) 意法借力成該技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者

日前,意法半導(dǎo)體(ST)宣布位于法國(guó)Crolles的12寸(300mm)晶圓廠(chǎng)即將擁有28奈米 FD-SOI技術(shù),這證明了意法半導(dǎo)體以28奈米技術(shù)節(jié)點(diǎn)提供平面完全空乏型(planar fully-depleted)技術(shù)的能力。
2012-12-14 08:45:27793

聰明的超低功耗設(shè)計(jì)

你熟悉的基本方法的低功耗設(shè)計(jì)?,F(xiàn)在,你怎么把它帶到一個(gè)新水平?極端的低功耗嵌入式設(shè)計(jì)需要仔細(xì)選取工具緩存,電路設(shè)計(jì)和智能利用單片機(jī)超低功耗的特點(diǎn)。
2017-08-04 14:09:0713

基于超低功耗設(shè)計(jì)技巧與實(shí)現(xiàn)

基于超低功耗設(shè)計(jì)技巧與實(shí)現(xiàn)
2017-10-15 10:44:5012

意法半導(dǎo)體公司選擇格芯22FDX?提升其FD-SOI平臺(tái)和技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)力

據(jù)報(bào)道,意法半導(dǎo)體公司決定選擇格芯22FDX?用來(lái)提升其FD-SOI平臺(tái)和技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)力,格芯FDX技術(shù)將賦能ST為新一代消費(fèi)者和工業(yè)應(yīng)用提供高性能、低功耗的產(chǎn)品。
2018-01-10 16:04:425975

格羅方德宣布新一代處理器解決方案

集微網(wǎng)消息,格羅方德(GlobalFoundries)于 10 日宣布,全球半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體(ST)選擇采用格羅方德 22 納米 FD-SOI(22FDX)制程技術(shù)平臺(tái),以支持用于工業(yè)及消費(fèi)
2018-01-10 20:44:02707

GlobalFoundries拋棄三星和意法半導(dǎo)體在第二代FD-SOI技術(shù)上達(dá)成合作

GlobalFoundries的FD-SOI技術(shù)已經(jīng)略有成效,近日傳來(lái)消息,又迎來(lái)意法半導(dǎo)體(ST)的大單進(jìn)補(bǔ),在第二代FD-SOI技術(shù)解決方案領(lǐng)域吧徹底取代三星。
2018-01-15 14:16:031411

FD SOI生態(tài)系統(tǒng)逐步完善 與FinFET勢(shì)均力敵

在工藝節(jié)點(diǎn)進(jìn)展方面,三星電子晶圓代工業(yè)務(wù)執(zhí)行副總裁兼總經(jīng)理 ES Jung表示,三星晶圓代工業(yè)務(wù)發(fā)展路線(xiàn)將包括FinFET和FD-SOI兩個(gè)方向,FD-SOI平臺(tái)路線(xiàn)如下圖。目前FD-SOI工藝主要
2018-04-10 17:30:001703

SOIIOT有何優(yōu)勢(shì)_能否大賺IoT商機(jī)

ST表示,與傳統(tǒng)的塊狀硅技術(shù)相較,FD-SOI能提供更好的晶體管靜電特性,而埋入氧化層能降低源極(source)與汲極(drain)之間的寄生電容;此外該技術(shù)能有效限制源極與汲極之間的電子流
2018-03-10 01:25:00705

FD-SOI技術(shù)有何優(yōu)勢(shì)?還是物聯(lián)網(wǎng)的理想解決方案?

物聯(lián)網(wǎng)FD-SOI制程 若要說(shuō)2018以及未來(lái)五年最受矚目的半導(dǎo)體制程技術(shù),除了即將量產(chǎn)的7奈米FinFET尖端制程,以及預(yù)計(jì)將全面導(dǎo)入極紫外光(EUV)微影技術(shù)的5奈米制程節(jié)點(diǎn),各家晶圓代工
2018-03-15 10:54:002368

西方冷、東方熱,FD-SOI準(zhǔn)備大賺IoT商機(jī)

若要說(shuō)2018以及未來(lái)五年最受矚目的半導(dǎo)體制程技術(shù),除了即將量產(chǎn)的7奈米FinFET尖端制程,以及預(yù)計(jì)將全面導(dǎo)入極紫外光(EUV)微影技術(shù)的5奈米制程節(jié)點(diǎn),各家晶圓代工業(yè)者著眼于應(yīng)用廣泛、無(wú)所不包的物聯(lián)網(wǎng)(IoT)市場(chǎng)對(duì)低功耗、低成本組件需求而推出的各種中低階制程技術(shù)選項(xiàng),也是產(chǎn)業(yè)界的關(guān)注焦點(diǎn)。
2018-03-01 14:05:013813

三星預(yù)計(jì)今年將采用其28nm FD-SOI制程出樣20余款芯片

晶圓代工廠(chǎng)格芯日前宣布其22納米全耗盡型絕緣上覆硅(FD-SOI)制程技術(shù)取得了36項(xiàng)設(shè)計(jì)訂單,其中有超過(guò)十幾項(xiàng)設(shè)計(jì)將會(huì)在今年出樣(tape-out)。另一方面,其競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手三星則預(yù)計(jì)今年將采用其28nm FD-SOI制程出樣20余款芯片。
2018-05-02 16:16:134565

格羅方德半導(dǎo)體今日發(fā)布了全新的12nm FD-SOI半導(dǎo)體工藝平臺(tái)12FDXTM

格羅方德半導(dǎo)體今日發(fā)布了全新的12nm FD-SOI半導(dǎo)體工藝平臺(tái)12FDXTM,實(shí)現(xiàn)了業(yè)內(nèi)首個(gè)多節(jié)點(diǎn)FD-SOI路線(xiàn)圖,從而延續(xù)了其領(lǐng)先地位。新一代12FDXTM平臺(tái)建立在其22FDXTM平臺(tái)的成功基礎(chǔ)之上,專(zhuān)為未來(lái)的移動(dòng)計(jì)算、5G連接、人工智能、無(wú)人駕駛汽車(chē)等各類(lèi)應(yīng)用智能系統(tǒng)而設(shè)計(jì)。
2018-05-14 15:54:002394

格芯宣布,其22nm FD-SOI (22FDX?)技術(shù)平臺(tái)已通過(guò)AEC-Q100(2級(jí))認(rèn)證,準(zhǔn)備投入量產(chǎn)

加利福尼亞州圣克拉拉,2018年5月23日——格芯宣布,其22nm FD-SOI (22FDX?)技術(shù)平臺(tái)已通過(guò)AEC-Q100(2級(jí))認(rèn)證,準(zhǔn)備投入量產(chǎn)。作為業(yè)內(nèi)符合汽車(chē)標(biāo)準(zhǔn)的先進(jìn)FD-SOI
2018-05-25 11:20:001424

三星宣布他們有17種FD-SOI產(chǎn)品進(jìn)入大批量產(chǎn)階段

生產(chǎn)FD-SOI工藝的公司有ST Micro(其正在將此工藝用作28納米IDM的生產(chǎn)),三星代工廠(chǎng)(28納米工藝投產(chǎn)中,18納米工藝計(jì)劃投產(chǎn)),以及格芯代工廠(chǎng)(22納米工藝投產(chǎn)中,12納米計(jì)劃投產(chǎn))。
2018-08-02 11:35:244402

盤(pán)點(diǎn)FD-SOI工藝現(xiàn)狀和路線(xiàn)圖

FD-SOI正獲得越來(lái)越多的市場(chǎng)關(guān)注。在5月份的晶圓代工論壇上,三星宣布他們有17種FD-SOI產(chǎn)品進(jìn)入大批量產(chǎn)階段。
2018-08-02 14:27:2811603

格芯退出7納米制程或?qū)е翴BM訂單轉(zhuǎn)交臺(tái)積電

晶圓代工大廠(chǎng)格芯在28日宣布,無(wú)限期停止7納米制程的投資與研發(fā),轉(zhuǎn)而專(zhuān)注現(xiàn)有14/12納米FinFET制程,及22/12納米FD-SOI制程。
2018-08-30 15:33:002110

GF退出7nm代工,誰(shuí)受影響最大?

今天,Globalfoundries(簡(jiǎn)稱(chēng)GF)宣布無(wú)限期停止7nm工藝的投資研發(fā),轉(zhuǎn)而專(zhuān)注現(xiàn)有14/12nm FinFET工藝及22/12nm FD-SOI工藝。
2018-08-31 15:03:012841

Imagination與GLOBALFOUNDRIES攜手為物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用提供超低功耗連接解決方案

雙方攜手采用Imagination的Ensigma連接方案半導(dǎo)體知識(shí)產(chǎn)權(quán)(connectivity IP),在GF的22nm FD-SOI(22FDX?)工藝平臺(tái)上,為業(yè)界提供用于低功耗藍(lán)牙
2018-09-26 11:14:504395

格芯表示退出7納米制程不一定是壞事 12納米以下制程規(guī)模依然穩(wěn)固

先進(jìn)制程的研發(fā)令人有些惋惜,不過(guò)格芯倒是顯得穩(wěn)重、平和。日前舉行的GTC大會(huì),格芯還是強(qiáng)調(diào)先進(jìn)制程不是市場(chǎng)唯一方向,當(dāng)前旗下22納米FD-SOI制程,以及14/12納米FinFET制程依然大有市場(chǎng)。
2018-09-27 16:14:004321

Soitec與三星晶圓代工廠(chǎng)擴(kuò)大合作 保障FD-SOI晶圓供應(yīng)

Soitec與三星晶圓代工廠(chǎng)擴(kuò)大合作 保障FD-SOI晶圓供應(yīng),滿(mǎn)足當(dāng)下及未來(lái)消費(fèi)品、物聯(lián)網(wǎng)和汽車(chē)應(yīng)用等領(lǐng)域的需求,確保FD-SOI技術(shù)大量供應(yīng)。
2019-01-22 09:07:00495

Soitec 2019上半年財(cái)報(bào)強(qiáng)勁增長(zhǎng) FD-SOI技術(shù)迎來(lái)發(fā)展的春天

隨著FD-SOI技術(shù)在系統(tǒng)芯片(SoC)設(shè)備的設(shè)計(jì)中越發(fā)受到關(guān)注,Soitec的業(yè)務(wù)也迎來(lái)了蒸蒸日上的發(fā)展,從其最新的財(cái)務(wù)報(bào)表即可見(jiàn)一斑。
2018-12-23 16:45:122777

FD-SOI與深度耗盡溝道DDC MOS器件的詳細(xì)資料介紹

當(dāng)MOS器件的特征尺寸不斷縮小至22nm及以下時(shí),提高溝道的摻雜濃度和降低源漏結(jié)深已仍不能很好的改善短溝道效應(yīng)。在SOI絕緣層上的平面硅技術(shù)基礎(chǔ)上提出FD-SOI晶體管。研究發(fā)現(xiàn)要使FD-SOI有效
2019-04-10 08:00:0012

PSoC 6高性能超低功耗IoT應(yīng)用方案

cypress公司的PSoC? 6 MCU系列產(chǎn)品是用于物聯(lián)網(wǎng)(IoT)的高性能超低功耗和安全MCU平臺(tái),組合了雙核微控制器和低功耗閃存技術(shù),數(shù)字可編邏輯,高性能模數(shù)轉(zhuǎn)換,標(biāo)準(zhǔn)通信和定時(shí)外設(shè),并提供BLE 5.0兼容的無(wú)線(xiàn)連接.
2019-05-11 10:01:003956

各企業(yè)積極投入FD-SOI元件開(kāi)發(fā) 看好后續(xù)市場(chǎng)發(fā)展

為求低功耗、高能效及高性?xún)r(jià)比之元件,市場(chǎng)逐漸開(kāi)發(fā)出FD-SOI(完全空乏型硅絕緣層金氧半晶體管)結(jié)構(gòu);而FD-SOI構(gòu)造主要以SOI晶圓為核心,透過(guò)傳統(tǒng)Si芯片制程方式,進(jìn)而以水平式晶體管架構(gòu),取代線(xiàn)寬較大(16~12nm)之FinFET元件。
2019-05-22 17:22:204245

云天勵(lì)飛、Blink現(xiàn)身說(shuō)法談FD-SOI優(yōu)勢(shì)

事實(shí)勝于雄辯,與以往FD-SOI論壇上只以PPT展示FD-SOI優(yōu)勢(shì)相比,本次論壇多家公司以已經(jīng)采用FD-SOI工藝的產(chǎn)品說(shuō)明其優(yōu)勢(shì),其震撼效果難以言傳!
2019-08-06 16:22:453340

高級(jí)工藝未來(lái)分化,FD-SOI受益

長(zhǎng)期跟蹤研究半導(dǎo)體工藝和技術(shù)趨勢(shì)的IBS CEO Handel Jones發(fā)表演講,并對(duì)FD-SOI未來(lái)走勢(shì)做出預(yù)測(cè)。
2019-08-06 16:25:003554

FD-SOI爆發(fā)的唯一短板是IP?

FD-SOI工藝遷移中也發(fā)現(xiàn)一些問(wèn)題,就是可用的IP短缺,例如流行的高速串口IP等缺失。
2019-08-06 16:13:444273

格芯宣布推出22FDX FD-SOI平臺(tái)的嵌入式磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器

格芯(GLOBALFOUNDRIES)今日宣布推出基于公司22納米 FD-SOI (22FDX)平臺(tái)的可微縮嵌入式磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器(eMRAM)技術(shù)。作為業(yè)界最先進(jìn)的嵌入式內(nèi)存解決方案,格芯22FDXeMRAM,為消費(fèi)領(lǐng)域、工業(yè)控制器、數(shù)據(jù)中心、物聯(lián)網(wǎng)及汽車(chē)等廣泛應(yīng)用提供優(yōu)越的性能和卓越可靠性。
2019-10-21 11:40:16658

萊迪思即將發(fā)布首款SOI的FPGA產(chǎn)品

AI芯片設(shè)計(jì)大廠(chǎng)萊迪思半導(dǎo)體(Lattice Semiconductor),基于本身Nexus技術(shù)平臺(tái),發(fā)布全球首顆以FD-SOI組件制作的FPGA(現(xiàn)場(chǎng)可程序化邏輯門(mén)數(shù)組)產(chǎn)品。
2020-02-12 22:57:17842

新一代Certus-NX 低功耗FPGA 萊迪思強(qiáng)勢(shì)出擊

近日低功耗可編程器件的領(lǐng)先供應(yīng)商萊迪思推出了Certus-NX 系列低功耗通用FPGA,采用28nm FD-SOI 工藝平臺(tái)打造。該芯片與市場(chǎng)上同類(lèi)產(chǎn)品相比最大的特點(diǎn)是其擁有領(lǐng)先的I/O密度,據(jù)了解
2020-07-03 08:57:36770

重定義FPGA 超低功耗 超小尺寸

萊迪思的研發(fā)工程師幾年前就開(kāi)始著手FPGA開(kāi)發(fā)工藝的創(chuàng)新,旨在為客戶(hù)提供具備上述特性的硬件平臺(tái)。最終萊迪思成為業(yè)界首個(gè)支持28 nm全耗盡型絕緣體上硅(FD-SOI)工藝的低功耗FPGA供應(yīng)商
2020-07-03 14:05:432395

FD-SOI應(yīng)用 從5G、物聯(lián)網(wǎng)到汽車(chē)

FD-SOI使用的范圍非常廣,包括智能手機(jī)、汽車(chē)、物聯(lián)網(wǎng)等。在過(guò)去的一年,我們看到FD-SOI的使用量開(kāi)始騰飛。我們預(yù)計(jì)在2020年和2021年會(huì)出現(xiàn)FD-SOI使用量的騰飛拐點(diǎn)”,Soitec
2020-07-07 16:04:043335

新思科技攜手GF,以Fusion Compiler釋放GF平臺(tái)最佳PPA潛能

縮放技術(shù)和StarRC簽核參數(shù)提取功能,可為用于FD-SOI平臺(tái)的自適應(yīng)襯底偏置 (ABB) 提供優(yōu)化解決方案 新思科技(Synopsys)近日宣布與GLOBALFOUNDRIES(GF )展開(kāi)最新合作,為采用Synop
2020-10-23 16:17:092050

Lattice基于三星28nm FD-SOI平臺(tái)推出FPGA產(chǎn)品加強(qiáng)邊緣AI能力

Lattice基于三星28nm FD-SOI平臺(tái)推出了一系列FPGA產(chǎn)品,包括在嵌入式視頻方面應(yīng)用比較多的CrossLink-NX,重新定義的Certus-NX,去年Q4問(wèn)世的基于安全的FPGA Mach-NX,以及最新推出的CertusPro-NX,另外明年還會(huì)推出基于FD-SOI平臺(tái)的兩款新品。
2021-08-14 10:07:445719

IOT超低功耗設(shè)計(jì)應(yīng)用筆記

IOT低功耗設(shè)備設(shè)計(jì)大致為3個(gè)方面的設(shè)計(jì):器件選型、電路設(shè)計(jì)、軟件設(shè)計(jì)、續(xù)航壽命估算——器件選型典型的器件包括:?jiǎn)纹瑱C(jī)MCU、電源芯片、通訊模組等。單片機(jī)——1.選擇具備多種低功耗工作模式...
2021-12-07 16:21:088

超低功耗工控主板是如何降低功耗

工業(yè)用電總量一直占據(jù)我國(guó)用電的大部分,所以就有工控主板定制廠(chǎng)家推出了超低功耗工控主板,超低功耗工控主板的推出將能大大減少工業(yè)用電,為我國(guó)節(jié)省工業(yè)用電量。那么超低功耗工控主板究竟是怎樣降低功耗
2022-05-23 15:24:511668

智能家庭與超低功耗

智能家庭與超低功耗
2022-11-02 08:16:041

超低功耗設(shè)計(jì)概述

介紹Cortex-M0、Cortex-M0+超低功耗
2023-06-02 09:36:01409340

第八屆上海FD-SOI論壇成功舉行 芯原FD-SOI IP迅速成長(zhǎng)賦能產(chǎn)業(yè)

(電子發(fā)燒友網(wǎng)原創(chuàng)報(bào)道)2023年10月23日 第八屆上海FD-SOI論壇隆重舉行,論壇由芯原股份和新傲科技主辦,SEMI中國(guó)和SOI產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟支持。該活動(dòng)自2013年開(kāi)始每年舉行一次,上次第七屆論壇
2023-11-01 16:39:041069

谷歌 Pixel 6 拆解,FD-SOI首次被用于5G毫米波

谷歌 Pixel 6 拆解,FD-SOI首次被用于5G毫米波
2023-12-07 16:15:46195

FD-SOI與PD-SOI他們的區(qū)別在哪?

本文簡(jiǎn)單介紹了兩種常用的SOI晶圓——FD-SOI與PD-SOI
2024-03-17 10:10:36193

意法半導(dǎo)體攜手三星推出18nm FD-SOI工藝,支持嵌入式相變存儲(chǔ)器

據(jù)悉,FD-SOI 是一種先進(jìn)的平面半導(dǎo)體技術(shù),能夠通過(guò)簡(jiǎn)化制作流程進(jìn)行精準(zhǔn)的漏電流控制,相較于現(xiàn)有的 40nm EPM 技術(shù),新工藝大幅度提高了性能指標(biāo):能效提升 50%,數(shù)字密度增加三倍有余,并能夠承載更大的片上存儲(chǔ)和更低的噪音系數(shù)。
2024-03-21 14:00:2369

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