臺積電7納米SRAM早打贏三星，預(yù)告5納米制程要來了！

　　臺積電與英特爾、三星的先進(jìn)製程競賽依舊打得火熱，10 奈米以下製程成為半導(dǎo)體三雄間的競逐場，三星雖于 11 月中搶先發(fā)表 10 奈米 FinFET 製程生產(chǎn)的 SRAM（靜態(tài)隨機(jī)存取記憶體），看似搶先臺積電與三星，不過，臺積電 3 日透露，早已成功以 7 奈米製程產(chǎn)出 SRAM，而且預(yù)告 5 奈米也要來了！

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　　臺積電于 3 日舉辦第十五屆供應(yīng)鏈管理論壇，臺積電總經(jīng)理暨共同執(zhí)行長劉德音表示，庫存調(diào)整已近尾聲，2016 有望恢復(fù)成長，臺積明年將比今年更好，與先前自家董事長張忠謀的說法一致，劉德音對臺積電先進(jìn)製程進(jìn)度也透露更多的訊息。

　　在 16 奈米製程，臺積電先前推出比 FinFET Plus 更低功耗的 FFC 製程，主打低階智慧手機(jī)與物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域，劉德音昨 3 日指出，目前已設(shè)計定案（tape-out）的有 27 個，估計 2016 年達(dá)到 100 個，16 奈米從原本高階市場主力，進(jìn)一步拓展到中低階市場，劉德音預(yù)估 16 奈米市佔的擴(kuò)展，將成為明年營收優(yōu)于去年的重要動能。

　　對于三星于 11 月中宣布已運(yùn)用 10 奈米 FinFET 生產(chǎn)出 SRAM（靜態(tài)隨機(jī)存取記憶體），劉德音透露，臺積電已經(jīng)成功以 7 奈米製程產(chǎn)出 SRAM，10 奈米將在 2016 年初試產(chǎn)、7 奈米則有望于 2017 年第一季試產(chǎn)，與今年 9 月臺積電技術(shù)長孫元成，參與美國圣塔克拉拉舉行的創(chuàng)新平臺論壇所言進(jìn)度相同。

　　據(jù)孫元成當(dāng)時說法，10 奈米在 2016 年底或 2017 年初將進(jìn)入量產(chǎn)階段，若依此轉(zhuǎn)進(jìn)進(jìn)度，10 奈米階段臺積將有望超車英特爾，英特爾執(zhí)行長 Brian Krzanich 在今年第二季法說會上坦承，下世代（10 奈米）製程，大約到 2017 年下半才會推出。三星則在今年 6 月正式將 10 奈米 FinFET 製程納入開發(fā)路圖（Roadmap），估計 10 奈米在 2016 年底、2017 年初全面投產(chǎn)，與臺積電時間差不多。

　　值得關(guān)注的是，劉德音在昨 3 日的論壇向供應(yīng)鏈伙伴預(yù)告，該開始準(zhǔn)備 5 奈米了！雖未對相關(guān)時程多做說明，但也令外界相當(dāng)期待，然而在 10 奈米以下製程微縮已經(jīng)來到光學(xué)微影解析的極限，臺積電年初透露在 10 奈米製程有部分光罩將採用極紫外光（Extreme Ultraviolet，EUV ）微影技術(shù)進(jìn)行曝光，大摩 3 月份發(fā)表的報告也指出， EUV 將是臺積電能否在 10 奈米以下製程超車的關(guān)鍵。