高性能靈敏型雷達(dá)系統(tǒng)奠定了基礎(chǔ)，此系統(tǒng)可快速構(gòu)建、靈活定制和擴(kuò)展，支持在各種應(yīng)用中部署，成本比傳統(tǒng)縫隙陣列架構(gòu)低5倍。MPAR等相控陣技術(shù)的持續(xù)創(chuàng)新有助于充分實(shí)現(xiàn)5G技術(shù)的前景，助力基站OEM簡化
2018-12-06 10:48:53
半導(dǎo)體制冷片是利用半導(dǎo)體材料的Peltier效應(yīng)而制作的電子元件，當(dāng)直流電通過兩種不同半導(dǎo)體材料串聯(lián)成的電偶時，在電偶的兩端即可分別吸收熱量和放出熱量，可以實(shí)現(xiàn)制冷的目的。它是一種產(chǎn)生負(fù)熱阻的制冷技術(shù)，其特點(diǎn)是無運(yùn)動部件，可靠性也比較高。半導(dǎo)體制冷片的工作原理是什么？半導(dǎo)體制冷片有哪些優(yōu)缺點(diǎn)？
2021-02-24 09:24:02
的積體電路所組成，我們的晶圓要通過氧化層成長、微影技術(shù)、蝕刻、清洗、雜質(zhì)擴(kuò)散、離子植入及薄膜沉積等技術(shù)，所須制程多達(dá)二百至三百個步驟。半導(dǎo)體制程的繁雜性是為了確保每一個元器件的電性參數(shù)和性能，那么他的原理又是
2018-11-08 11:10:34
在制造半導(dǎo)體器件時，為什么先將導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體和絕緣體之間的硅或鍺制成本征半導(dǎo)體，使之導(dǎo)電性極差，然后再用擴(kuò)散工藝在本征半導(dǎo)體中摻入雜質(zhì)形成N型半導(dǎo)體或P型半導(dǎo)體改善其導(dǎo)電性？
2012-07-11 20:23:15
半導(dǎo)體材料半導(dǎo)體的功能分類集成電路的四大類
2021-02-24 07:52:52
請教下以前的[半導(dǎo)體技術(shù)天地]哪里去了
2020-08-04 17:03:41
多個數(shù)據(jù)流，并以超低的成本，延長工作壽命。有些應(yīng)用需要抵消輸入阻塞信號的作用，降低攔截概率。正在席卷整個行業(yè)的相控天線設(shè)計(jì)為這些挑戰(zhàn)提供了解決辦法。人們開始采用先進(jìn)的半導(dǎo)體技術(shù)解決相控陣天線過去存在的缺點(diǎn)，以最終
2021-01-20 07:11:05
多個數(shù)據(jù)流，并以超低的成本，延長工作壽命。有些應(yīng)用需要抵消輸入阻塞信號的作用，降低攔截概率。正在席卷整個行業(yè)的相控天線設(shè)計(jì)為這些挑戰(zhàn)提供了解決辦法。人們開始采用先進(jìn)的半導(dǎo)體技術(shù)解決相控陣天線過去存在的缺點(diǎn)，以
2021-01-05 07:12:20
半導(dǎo)體材料從發(fā)現(xiàn)到發(fā)展，從使用到創(chuàng)新，擁有這一段長久的歷史。宰二十世紀(jì)初，就曾出現(xiàn)過點(diǎn)接觸礦石檢波器。1930年，氧化亞銅整流器制造成功并得到廣泛應(yīng)用，是半導(dǎo)體材料開始受到重視。1947年鍺點(diǎn)接觸三極管制成，成為半導(dǎo)體的研究成果的重大突破。
2020-04-08 09:00:15
敏感，據(jù)此可以制造各種敏感元件，用于信息轉(zhuǎn)換。 半導(dǎo)體材料的特性參數(shù)有禁帶寬度、電阻率、載流子遷移率、非平衡載流子壽命和位錯密度。禁帶寬度由半導(dǎo)體的電子態(tài)、原子組態(tài)決定，反映組成這種材料的原子中價
2013-01-28 14:58:38
隔著一條禁帶，當(dāng)電子吸收了光的能量從價帶跳躍到導(dǎo)帶中去時就把光的能量變成了電，而帶有電能的電子從導(dǎo)帶跳回價帶，又可以把電的能量變成光，這時材料禁帶的寬度就決定了光電器件的工作波長?！ ⌒」β?b class="flag-6" style="color: red">半導(dǎo)體
2016-01-14 15:34:44
半導(dǎo)體具有獨(dú)特的導(dǎo)電性能。當(dāng)環(huán)境溫度升髙或有光照時，它們的導(dǎo)電能力 會顯著增加，所以利用這些特性可以做成各種溫敏元件（如熱敏電阻）和各種光 敏元件（如光敏電阻、光敏二極管、光敏三極管等）。更重
2017-07-28 10:17:42
半導(dǎo)體具有獨(dú)特的導(dǎo)電性能。當(dāng)環(huán)境溫度升髙或有光照時，它們的導(dǎo)電能力 會顯著增加，所以利用這些特性可以做成各種溫敏元件（如熱敏電阻）和各種光 敏元件（如光敏電阻、光敏二極管、光敏三極管等）。更重
2018-02-11 09:49:21
國際半導(dǎo)體芯片巨頭壟斷加劇半導(dǎo)體芯片產(chǎn)業(yè)呈現(xiàn)三大趨勢
2021-02-04 07:26:49
半導(dǎo)體是什么？芯片又是什么？半導(dǎo)體芯片是什么？半導(dǎo)體芯片內(nèi)部結(jié)構(gòu)是由哪些部分組成的？
2021-07-29 09:18:55
` 誰來闡述一下半導(dǎo)體集成電路是什么？`
2020-03-24 17:12:08
半導(dǎo)體材料取自于元素周期表中金屬與非金屬的交界處。常溫下半導(dǎo)體導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體與絕緣體之間。 本征半導(dǎo)體純凈的具有晶體結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體稱為本征半導(dǎo)體。(由于不含雜質(zhì)且為晶體結(jié)構(gòu)，所以導(dǎo)電性比普通半導(dǎo)體差
2020-06-27 08:54:06
寬禁帶半導(dǎo)體的介紹
2016-04-18 16:06:50
，從而支持每次充電能續(xù)航更遠(yuǎn)的里程。車載充電器(OBC)和牽引逆變器現(xiàn)在正使用寬禁帶(WBG)產(chǎn)品來實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)。碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)是寬禁帶材料，提供下一代功率器件的基礎(chǔ)。與硅相比
2018-10-30 08:57:22
市場趨勢和更嚴(yán)格的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)推動電子產(chǎn)品向更高能效和更緊湊的方向發(fā)展。寬禁帶產(chǎn)品有出色的性能優(yōu)勢，有助于高頻應(yīng)用實(shí)現(xiàn)高能效、高功率密度。安森美半導(dǎo)體作為頂尖的功率器件半導(dǎo)體供應(yīng)商，除了提供適合全功率
2019-07-31 08:33:30
`相控陣雷達(dá)接收技術(shù)`
2012-05-28 12:50:36
相控陣雷達(dá)數(shù)據(jù)處理及其仿真技術(shù)
2012-10-17 15:35:03
多個數(shù)據(jù)流，并以超低的成本，延長工作壽命。有些應(yīng)用需要抵消輸入阻塞信號的作用，降低攔截概率。正在席卷整個行業(yè)的相控天線設(shè)計(jì)為這些挑戰(zhàn)提供了解決辦法。人們開始采用先進(jìn)的半導(dǎo)體技術(shù)解決相控陣天線過去存在的缺點(diǎn)，以最終
2019-08-07 06:24:58
寬禁帶半導(dǎo)體材料氮化鎵（GaN）以其良好的物理化學(xué)和電學(xué)性能成為繼第一代元素半導(dǎo)體硅（Si）和第二代化合物半導(dǎo)體砷化鎵（GaAs）、磷化鎵（GaP）、磷化銦（InP）等之后迅速發(fā)展起來的第三代半導(dǎo)體
2019-06-25 07:41:00
MOS 管的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)MOS 管的工作機(jī)制
2020-12-30 07:57:04
擊穿場強(qiáng)、高飽和電子漂移速率、化學(xué)性能穩(wěn)定以及抗輻射等優(yōu)點(diǎn)， 特別適合制造高溫、高頻、高功率和抗輻射的功率器件。用寬禁帶半導(dǎo)體制成的高溫、高頻和大功率微波器件可以明顯改善雷達(dá)、電子對抗系統(tǒng)以及通信系統(tǒng)等
2019-08-12 06:59:10
之間移動的電子稱為帶隙能量。絕緣體、導(dǎo)體和半導(dǎo)體的導(dǎo)電性能可以從它們帶隙的不同來理解。圖 1 和圖 2 說明了摻雜劑如何影響半導(dǎo)體的電阻率/電導(dǎo)率。在圖 1 中，摻雜劑產(chǎn)生了一個空穴，因?yàn)樗鄙倥c四價
2021-07-01 09:38:40
申請理由：作為相控陣雷達(dá)系統(tǒng)的主控芯片 項(xiàng)目描述：實(shí)驗(yàn)室項(xiàng)目正在做24Ghz 高頻相控陣天線設(shè)計(jì)和實(shí)現(xiàn)，本開發(fā)板可以作為主控芯片
2015-07-06 12:50:38
申請理由：該項(xiàng)目要設(shè)計(jì)一款車載防撞相控陣雷達(dá)系統(tǒng)。目前，陣列天線的設(shè)計(jì)已初步完成?，F(xiàn)申請RSP1多普勒雷達(dá)傳感器開發(fā)套件。該款套件具有的可靠元器件和先進(jìn)的信號處理算法可以使該項(xiàng)目的研發(fā)時間和成本大大
2016-01-11 14:54:36
及新能源汽車要求在600V-1200V，而軌道交通要求最高，范圍在3300V-6500V之間。圖表4 功率半導(dǎo)體器件的應(yīng)用及工作頻率（來源：Applied Materials）注：IPM即智能功率模塊，常見類型有IGBT類本文來源：來源：寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新聯(lián)盟
2019-02-26 17:04:37
?！ 。?）本征半導(dǎo)體：不含雜質(zhì)且無晶格缺陷的半導(dǎo)體稱為本征半導(dǎo)體。在極低溫度下，半導(dǎo)體的價帶是滿帶，遭到熱激起后，價帶中的局部電子會越過禁帶進(jìn)入能量較高的空帶，空帶中存在電子后成為導(dǎo)帶，價帶中短少一個
2020-03-26 15:40:25
多個數(shù)據(jù)流，并以超低的成本，延長工作壽命。有些應(yīng)用需要抵消輸入阻塞信號的作用，降低攔截概率。正在席卷整個行業(yè)的相控天線設(shè)計(jì)為這些挑戰(zhàn)提供了解決辦法。人們開始采用先進(jìn)的半導(dǎo)體技術(shù)解決相控陣天線過去存在的缺點(diǎn)，以
2019-10-01 08:30:00
市場趨勢和更嚴(yán)格的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)推動電子產(chǎn)品向更高能效和更緊湊的方向發(fā)展。寬禁帶產(chǎn)品有出色的性能優(yōu)勢，有助于高頻應(yīng)用實(shí)現(xiàn)高能效、高功率密度。安森美半導(dǎo)體作為頂尖的功率器件半導(dǎo)體供應(yīng)商，除了提供適合全功率
2020-10-30 08:37:36
，從而支持每次充電能續(xù)航更遠(yuǎn)的里程。車載充電器(OBC)和牽引逆變器現(xiàn)在正使用寬禁帶(WBG)產(chǎn)品來實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)。碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)是寬禁帶材料，提供下一代功率器件的基礎(chǔ)。與硅相比
2020-10-27 09:33:16
計(jì)算中的瓶頸。此外當(dāng)PBG結(jié)構(gòu)為圓環(huán)形時，一般的階梯近似不足以滿足計(jì)算精度。針對以上兩個問題，本文采用本課題組帶有共形網(wǎng)格建模的MPI并行FDTD程序?qū)A環(huán)形PBG結(jié)構(gòu)進(jìn)行了分析。討論了單元數(shù)目，單元間距，圓孔內(nèi)徑和導(dǎo)帶寬度對S參數(shù)的影響，最后設(shè)計(jì)了一種寬禁帶圓環(huán)形PBG結(jié)構(gòu)。
2019-06-27 07:01:22
三極管具有什么特性？什么是寬禁帶半導(dǎo)體？
2021-06-08 07:09:36
1、GaAs半導(dǎo)體材料可以分為元素半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體兩大類，元素半導(dǎo)體指硅、鍺單一元素形成的半導(dǎo)體，化合物指砷化鎵、磷化銦等化合物形成的半導(dǎo)體。砷化鎵的電子遷移速率比硅高5.7 倍，非常適合
2019-07-29 07:16:49
基于霍耳效應(yīng)的半導(dǎo)體磁電轉(zhuǎn)換傳感器。在磁場測量以及利用磁場作為媒介對位移、速度、加速度、壓力、角度、角速度、流量、電流、電功率等許多非電量測量中，半導(dǎo)體磁敏元件是一種重要的器件。磁敏元件分霍耳元件
2019-09-10 10:42:32
，從而支持每次充電能續(xù)航更遠(yuǎn)的里程。車載充電器(OBC)和牽引逆變器現(xiàn)在正使用寬禁帶(WBG)產(chǎn)品來實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)。那么具體什么是寬禁帶技術(shù)呢？
2019-07-31 07:42:54
半導(dǎo)體性能以及在輸入電感和濾波器尺寸減小方面可獲得的優(yōu)勢來進(jìn)行評估。盡管這是正確的方法，但考慮轉(zhuǎn)換器工作模式和工作頻率之間的所有可能變化既乏味又具有挑戰(zhàn)性。這是因?yàn)樗枰槍Σ煌@組和磁芯結(jié)構(gòu)的精確磁性元件損耗和熱模型。
2023-02-21 16:01:16
氮化鎵，由鎵（原子序數(shù) 31）和氮（原子序數(shù) 7）結(jié)合而來的化合物。它是擁有穩(wěn)定六邊形晶體結(jié)構(gòu)的寬禁帶半導(dǎo)體材料。禁帶，是指電子從原子核軌道上脫離所需要的能量，氮化鎵的禁帶寬度為 3.4eV，是硅
2023-06-15 15:41:16
先楫半導(dǎo)體使用上怎么樣？
2023-08-08 14:56:29
變速驅(qū)動的需求是什么兼顧性能、成本的高壓功率半導(dǎo)體驅(qū)動IC應(yīng)用
2021-04-21 07:06:40
。今天安泰測試就給大家分享一下吉時利源表在寬禁帶材料測試的應(yīng)用方案。一·寬禁帶材料介紹寬禁帶材料是指禁帶寬度大于2.3eV的半導(dǎo)體材料，以Ⅲ-Ⅴ族材料，SiC等最為常見。隨著電子電力的發(fā)展，功率器件
2022-01-23 14:15:50
同步控制的大功率機(jī)載相控陣雷達(dá)電源設(shè)計(jì)相控陣技術(shù)以其獨(dú)特功能，廣泛應(yīng)用于地面防御和海上防御各種雷達(dá)之中，發(fā)揮了重要作用，成為備受關(guān)注的雷達(dá)體制，如應(yīng)用于機(jī)載雷達(dá)，也一定能使飛機(jī)的作戰(zhàn)性能得到更好
2009-12-10 16:39:51
本文基于Agilent ADS仿真軟件設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)一款高效GaN寬禁帶功率放大器，詳細(xì)說明設(shè)計(jì)步驟并對放大器進(jìn)行了測試，結(jié)果表明放大器可以在2．3～2．4 GHz內(nèi)實(shí)現(xiàn)功率15W以上，附加效率超過67％的輸出。
2021-04-06 06:56:41
本文將重點(diǎn)介紹安森美半導(dǎo)體具出色微光性能的圖像傳感器。
2021-05-17 06:51:47
下一代電源半導(dǎo)體的方案陣容，包括針對汽車功能電子化的寬禁帶WBG（碳化硅SiC和氮化鎵GaN）、全系列電子保險(xiǎn)絲eFuse以減少線束、和免電池的智能無源傳感器以在汽車感測/車身應(yīng)用中增添功能。
2018-10-25 08:53:48
在昨天的博客《安森美半導(dǎo)體在PCIM展示寬禁帶技術(shù)的最新創(chuàng)新》中，我們談到了圍繞安森美半導(dǎo)體將于本周在歐洲PCIM展示的WBG的所有令人興奮的發(fā)展。除了WBG，該公司還將在9號廳342號展臺展示其
2018-10-30 09:06:50
常用的功率半導(dǎo)體器件有哪些？
2021-11-02 07:13:30
做氧化鋅納米棒涂在PET上用來做TFT，想知道怎么引出電極測它的半導(dǎo)體性能.
2019-06-11 17:48:30
`由電氣觀察主辦的“寬禁帶半導(dǎo)體(SiC、GaN)電力電子技術(shù)應(yīng)用交流會”將于7月16日在浙江大學(xué)玉泉校區(qū)舉辦。寬禁帶半導(dǎo)體電力電子技術(shù)的應(yīng)用、寬禁帶半導(dǎo)體電力電子器件的封裝、寬禁帶電力電子技術(shù)
2017-07-11 14:06:55
本帖最后由 nogenius 于 2012-4-22 09:25 編輯
RT，求能輸出極微小電流但輸出電壓能達(dá)到150v以上的恒流源設(shè)計(jì)電路，主要用作寬禁帶半導(dǎo)體測試儀的一部分{:soso_e196:}
2012-04-22 08:43:00
掃描方式不同相控陣天線的發(fā)展以相控陣雷達(dá)為基礎(chǔ)，相控陣雷達(dá)是20世紀(jì)60年代發(fā)展起來的一種電掃描式雷達(dá)，改進(jìn)了之前的機(jī)械掃描式雷達(dá)。1. 機(jī)械掃描式雷達(dá)是通過轉(zhuǎn)動雷達(dá)天線實(shí)現(xiàn)波束掃描。2. 電掃描式雷達(dá)
2019-06-12 07:53:01
之一和全球第二大功率分立器件和模塊半導(dǎo)體供應(yīng)商，提供廣泛的高能效和高可靠性的系統(tǒng)方案，并采用新型的寬禁帶材料如碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等進(jìn)行新產(chǎn)品開發(fā)，用于汽車功能電子化和HEV/EV應(yīng)用。
2019-07-23 07:30:07
電力半導(dǎo)體器件的分類
2019-09-19 09:01:01
由于碳化硅具有不可比擬的優(yōu)良性能，碳化硅是寬禁帶半導(dǎo)體材料的一種，主要特點(diǎn)是高熱導(dǎo)率、高飽和以及電子漂移速率和高擊場強(qiáng)等，因此被應(yīng)用于各種半導(dǎo)體材料當(dāng)中，碳化硅器件主要包括功率二極管和功率開關(guān)管
2020-06-28 17:30:27
泛的寬禁帶半導(dǎo)體材料之一，憑借碳化硅（SiC）陶瓷材料自身優(yōu)異的半導(dǎo)體性能，在各個現(xiàn)代工業(yè)領(lǐng)域發(fā)揮重要革新作用。是高溫、高頻、抗輻射、大功率應(yīng)用場合下極為理想的半導(dǎo)體材料。由于碳化硅功率器件可顯著降低
2021-01-12 11:48:45
(SiC)、氮鎵(GaN)為代表的寬禁帶功率管過渡。SiC、GaN材料，由于具有寬帶隙、高飽和漂移速度、高臨界擊穿電場等突出優(yōu)點(diǎn)，與剛石等半導(dǎo)體材料一起，被譽(yù)為是繼第一代Ge、Si半導(dǎo)體材料、第二代GaAs
2017-06-16 10:37:22
是寬禁帶半導(dǎo)體材料的一種，主要特點(diǎn)是高熱導(dǎo)率、高飽和以及電子漂移速率和高擊場強(qiáng)等，因此被應(yīng)用于各種半導(dǎo)體材料當(dāng)中，碳化硅器件主要包括功率二極管和功率開關(guān)管。功率二極管包括結(jié)勢壘肖特基（JBS）二極管
2023-02-20 15:15:50
請問怎么優(yōu)化寬禁帶材料器件的半橋和門驅(qū)動器設(shè)計(jì)？
2021-06-17 06:45:48
半導(dǎo)體材料是一類具有半導(dǎo)體性能（導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體與絕緣體之間，電阻率約在1mΩ·cm～1GΩ·cm范圍內(nèi)）、可用來制作半導(dǎo)體器件和集成電路的電子材料。按種類可以分為元素半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體兩大類
2019-06-27 06:18:41
基于相控陣天線波束控制的基本原理和波控系統(tǒng)的任務(wù)，討論了相控陣雷達(dá)波控系統(tǒng)的相關(guān)問題。通過MATLAB 仿真可知,依據(jù)相控陣天線雷達(dá)的
2009-09-14 09:48:02
17 相控陣雷達(dá)具有靈活的波束指向、駐留時間、可控的空間功率及時間資源分配等特點(diǎn)，使相控陣雷達(dá)具有支持跟蹤加搜索(TAS)的能力，即能同時完成搜索和對多個目標(biāo)的精密跟蹤。該
2009-11-18 14:35:2912 在集群環(huán)境下，研究了相控陣雷達(dá)相干視頻并行仿真方法。該方法根據(jù)相控陣雷達(dá)一個調(diào)度間隔多個雷達(dá)任務(wù)不相關(guān)的特點(diǎn)，提出了一種粗粒度MPI 并行劃分，使雷達(dá)任務(wù)在
2009-12-16 13:57:2232 本文研究了一種相控陣脈沖多普勒雷達(dá)信號處理板的設(shè)計(jì)及實(shí)現(xiàn)。設(shè)計(jì)基于ADSP21161N組成多處理器系統(tǒng)，具有針對相控陣的多通道處理能力，可實(shí)時實(shí)現(xiàn)脈沖多普勒雷達(dá)信號處理中視
2010-01-12 21:39:4448 這里主要分析了MIMO雷達(dá)基于似然比的檢測性能。另外，這里也將MIMO雷達(dá)跟相控陣雷達(dá)的檢測性能做了對比，仿真結(jié)果表明MIMO雷達(dá)相比傳統(tǒng)雷達(dá)具有的優(yōu)異的檢測性能。
2012-01-11 15:42:1258 相控陣雷達(dá)導(dǎo)引頭是未來導(dǎo)引頭發(fā)展的一個重要領(lǐng)域，為了消除彈體擾動對導(dǎo)引頭測量誤差的影響，實(shí)現(xiàn)相控陣雷達(dá)導(dǎo)引頭的捷聯(lián)去耦，設(shè)計(jì)了一種相控陣雷達(dá)導(dǎo)引頭捷聯(lián)去耦數(shù)字平臺
2012-07-30 10:39:2936 機(jī)載脈沖多普勒相控陣預(yù)警雷達(dá)探測距離性能評估
2016-12-24 23:23:4623 有源相控陣雷達(dá)
2016-12-29 11:29:514 有源相控陣雷達(dá)
2016-12-29 11:33:092 相控陣雷達(dá)導(dǎo)引頭是未來導(dǎo)引頭發(fā)展的一個重要領(lǐng)域，為了消除彈體擾動對導(dǎo)引頭測量誤差的影響，實(shí)現(xiàn)相控陣雷達(dá)導(dǎo)引頭的捷聯(lián)去耦，設(shè)計(jì)了一種相控陣雷達(dá)導(dǎo)引頭捷聯(lián)去耦數(shù)字平臺，采用基于四元數(shù)法求取彈體的姿態(tài)
2017-11-16 17:56:0310 相控陣雷達(dá)又稱作相位陣列雷達(dá)，是一種以改變雷達(dá)波相位來改變波束方向的雷達(dá)，因?yàn)槭且噪娮臃绞娇刂撇ㄊ莻鹘y(tǒng)的機(jī)械轉(zhuǎn)動天線面方式，故又稱電子掃描雷達(dá)。
2017-12-01 16:45:59
68921 總之,相控陣雷達(dá)憑借其相對于傳統(tǒng)機(jī)械掃描雷達(dá)的優(yōu)勢得到了各國的青睞并快速發(fā)展,在有的國家已經(jīng)達(dá)到了實(shí)際應(yīng)用的水平;而光控相控陣雷達(dá)的出現(xiàn)更加適應(yīng)了現(xiàn)代國際形勢發(fā)展的需要,解決了一些傳統(tǒng)相控陣雷達(dá)所不能解決的問題,可以預(yù)見不久的將來將會有大量的光控相控陣雷達(dá)正式登上國際軍備競爭的舞臺。
2017-12-06 08:02:0511053 
分析陣面安裝誤差對相控陣雷達(dá)測角精度的影響，對研究和設(shè)計(jì)高精度相控陣雷達(dá)非常重要。建立了相控陣雷達(dá)陣面安裝誤差測角精度誤差模型，分別仿真分析了陣面傾角安裝誤差、陣面方位法向誤差和陣面不水平度對相控陣
2018-02-27 10:24:170 基于相控陣天線波束控制的基本原理和波控系統(tǒng)的任務(wù)，討論了相控陣雷達(dá)波控系統(tǒng)的相關(guān)問題。通過MATLAB仿真可知，依據(jù)相控陣天線雷達(dá)的方向圖的可分離性，實(shí)現(xiàn)了對雷達(dá)波束的控制，本文采用分布式查表和程序運(yùn)算相結(jié)合的方法，提高了波控運(yùn)算速度。
2019-02-18 14:41:4112 從電子商務(wù)、金融到醫(yī)療、法務(wù)，所有產(chǎn)業(yè)正面臨著大規(guī)模的劇變?？萍嫉睦顺碧峁└憷纳鐣瑸槿祟惿顜砹藷o限的可能；支撐這一切發(fā)展的基石，就是「半導(dǎo)體」。
2019-05-17 16:21:394790 在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中，材料和設(shè)備是基石，是推動集成電路技術(shù)創(chuàng)新的引擎。半導(dǎo)體材料在產(chǎn)業(yè)鏈中處于上游環(huán)節(jié)，和半導(dǎo)體設(shè)備一樣，也是芯片制造的支撐性行業(yè)，所有的制造和封測工藝都會用到不同的半導(dǎo)體材料。
2020-04-19 22:17:516260 什么是相控陣天氣雷達(dá)？江艷軍向經(jīng)濟(jì)日報(bào)記者介紹，大興機(jī)場的相控陣天氣雷達(dá)，是C波段全數(shù)字有源相控陣天氣雷達(dá)，也是世界上首部在民用領(lǐng)域業(yè)務(wù)化的C波段相控陣雷達(dá)，具有高時空分辨力，空間分辨率達(dá)到150米，實(shí)現(xiàn)了對氣象目標(biāo)的精細(xì)化、快速化觀測。
2020-09-22 10:55:447374 近日，2021第九屆世界雷達(dá)博覽會在南京國際展覽中心盛大啟幕。英飛睿新品S5000相控陣雷達(dá)現(xiàn)場首發(fā)，引起廣泛關(guān)注。 英飛睿S5000相控陣雷達(dá)采用Ku波段的脈沖多譜勒體制，具備大區(qū)域持久、高密度
2021-04-25 11:06:452962 相控陣雷達(dá)技術(shù)叢書之相控陣雷達(dá)數(shù)據(jù)處理
2021-10-18 10:25:290 雷達(dá)技術(shù)叢書之后相控陣雷達(dá)技術(shù)
2021-10-18 10:59:040 相控陣雷達(dá)不但不動，而且天線陣列也是平面的，那奇怪了，它到底是如何調(diào)整掃描方向的？顧名思義，“相控陣”就是控制每個陣元產(chǎn)生電磁波的相位與幅度，以此強(qiáng)化電磁波在指定方向上的強(qiáng)度，并壓抑其他方向的強(qiáng)度，從而實(shí)現(xiàn)讓電磁波束的方向發(fā)生改變。
2022-05-18 10:24:2510391
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