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英飛凌推出全新TO-220 FullPAK Wide Creepage封裝

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2014-03-11 15:17:460

英飛凌推出高功率模塊平臺,為業(yè)界提供免授權費封裝設計許可

2014年12月17日,德國慕尼黑訊——英飛凌科技股份有限公司 (FSE: IFX / OTCQX: IFNNY) 今日宣布推出兩款全新功率模塊平臺,用以提升 1200V 至 6.5 kV 電壓級別的高壓 IGBT的性能。
2014-12-18 09:51:511150

英飛凌推出全新可控逆導型IGBT芯片

英飛凌推出全新可控逆導型IGBT芯片,可提高牽引和工業(yè)傳動等高性能設備的可靠性
2015-06-24 18:33:292516

在為半導體器件進行封裝時需要考慮哪5個關鍵因素?

因此,英飛凌推出了一種叫做Trenchstop高級隔離的封裝技術(圖3)。這家德國芯片廠家稱,Trenchstop封裝技術可以取代全隔離封裝FullPAK)以及標準隔離箔。英飛凌將這種新封裝定位于面向空調的功率因數(shù)校正(PFC)、不間斷電源(UPS)和電源轉換器等應用。
2018-08-10 15:31:172921

三極管to220和to220f的性能比較并其區(qū)別分析

在我們電子元器件采購的很多時候,由于度 TO-220 .TO-220F 的不了解,性能無從的得知,其之間的區(qū)別也無法分清楚,很多時候就因為這樣發(fā)生一些小麻煩。下面我們就來講講TO-220 與 TO-220F,從而讓的大家了解并便于選購。
2018-10-16 10:41:4316387

to封裝的管腳排位

TO(TransistorOut-line)的中文意思是“晶體管外形”。這是早期的封裝規(guī)格,例如TO-92,TO-92L,TO-220,TO-252等等都是插入式封裝設計。近年來表面貼裝市場需求量增大,TO封裝也進展到表面貼裝式封裝。
2019-07-01 16:21:2233134

英飛凌OptiMOS? TOLx系列推出全新封裝

TOLG封裝結合了TOLL與D 2PAK 7針腳封裝的最佳功能,與TOLL共用相同的10 x 11 mm 2基底面與電氣性能,并增加了與D 2PAK 7針腳相容的彈性。
2021-06-17 11:17:286229

英飛凌推出全新的OptiMOS?源極底置功率MOSFET

英飛凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)推出了新一代OptiMOS? 源極底置(Source-Down,簡稱SD)功率MOSFET,為解決終端應用中的設計挑戰(zhàn)提供切實可行的解決方案。
2022-02-15 13:51:382073

英飛凌推出采用PQFN 2x2封裝的OptiMOSTM 5 25V和30V功率MOSFET,樹立技術新標準

英飛凌科技近日推出全新的采用PQFN 2 x 2 mm2 封裝的OptiMOSTM 5 25 V和30 V功率MOSFET產品系列,旨在為分立功率MOSFET技術樹立全新的行業(yè)標準。
2022-03-14 17:39:161651

Vishay推出新型FRED Pt第五代 600V Hyperfast 恢復整流器

Vishay 推出四款采用 TO-220 FullPAK 2L 全隔離封裝的新型 FRED Pt 第五代 600V Hyperfast 恢復整流器。
2022-10-14 16:11:241100

TO-220 封裝的N溝道 80V,3.5 mΩ 標準電平 MOSFET-PSMN3R5-80PS

TO-220 封裝的 N 溝道 80 V、3.5 mΩ 標準電平 MOSFET-PSMN3R5-80PS
2023-02-22 19:00:220

TO-220 封裝的N溝道 80V,3.3 mΩ 標準電平 MOSFET-PSMN3R3-80PS

TO-220 封裝的 N 溝道 80 V、3.3 mΩ 標準電平 MOSFET-PSMN3R3-80PS
2023-02-22 19:00:520

TO-220中的N溝道 30V,1.3 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN1R1-30PL

TO-220 中的 N 溝道 30 V、1.3 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN1R1-30PL
2023-02-23 18:43:380

TO-220中的N溝道 80 V 8.7mOhm 標準電平 MOSFET-PSMN8R7-80PS

TO-220 中的 N 溝道 80 V 8.7 mOhm 標準電平 MOSFET-PSMN8R7-80PS
2023-03-02 22:24:430

TO-220中的N溝道 30 V 2.7mOhm 邏輯電平 MOSFET-PSMN2R7-30PL

TO-220 中的 N 溝道 30 V 2.7 mOhm 邏輯電平 MOSFET-PSMN2R7-30PL
2023-03-02 22:25:440

TO-220中的N溝道 30V,1.8mOhm 邏輯電平 MOSFET-PSMN1R8-30PL

TO-220 中的 N 溝道 30 V、1.8 mOhm 邏輯電平 MOSFET-PSMN1R8-30PL
2023-03-02 22:26:020

英飛凌推出采用小型封裝且超低功耗的全新PDM麥克風

英飛凌的MEMS麥克風開發(fā)戰(zhàn)略涵蓋了主要的構建模塊MEMS、ASIC和該傳感器系列的封裝。因此,英飛凌完全掌握著其產品的性能、質量和技術創(chuàng)新。如今,英飛凌在自主技術的基礎上推出了最新XENSIV? MEMS麥克風產品,一款超低功耗的數(shù)字麥克風IM69D128S。
2023-03-07 13:47:04870

英飛凌StrongIRFET 2:提供高效可靠的功率開關解決方案

TO-220TO-220 FullPack 封裝的StrongIRFET 2是新一代功率MOSFET技術,它解決了廣泛的應用,如適配器,電視、電機驅動、電動滑板車、電池管理、輕型電動汽車、機器人、電源和園藝工具。
2023-07-19 10:44:25426

英飛凌推出全新62mm封裝CoolSiC產品組合,助力實現(xiàn)更高效率和功率密度

英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX/OTCQX代碼:IFNNY)近日宣布其CoolSiC1200V和2000VMOSFET模塊系列新添全新工業(yè)標準封裝產品。其采用新推出的增強型M1H碳化硅
2023-12-02 08:14:01311

英飛凌推出首款采用OptiMOS 7技術的15 V溝槽功率MOSFET

英飛凌推出業(yè)內首款采用全新 OptiMOS 7 技術的 15 V 溝槽功率 MOSFET。這項技術經過系統(tǒng)和應用優(yōu)化,主要應用于服務器和計算應用中的低輸出電壓 DC-DC 轉換。英飛凌是首家推出15
2023-12-29 12:30:49363

英飛凌推出全新CoolSiC MOSFET 2000V產品

英飛凌科技股份公司,作為全球領先的半導體公司,近日推出全新的CoolSiC? 2000V SiC MOSFET系列,這一創(chuàng)新產品采用TO-247PLUS-4-HCC封裝,為設計人員提供了滿足更高功率密度需求的解決方案。
2024-03-20 10:27:29130

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