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電子發(fā)燒友網(wǎng)>制造/封裝>半導(dǎo)體技術(shù)>半導(dǎo)體新聞>東芝與西數(shù)投巨資擴(kuò)產(chǎn)3D Nand Flash產(chǎn)能 雷軍意外現(xiàn)身開幕式

東芝與西數(shù)投巨資擴(kuò)產(chǎn)3D Nand Flash產(chǎn)能 雷軍意外現(xiàn)身開幕式

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為量產(chǎn)3D NAND鋪路 東芝啟動(dòng)Fab5第二期工程

面對(duì)儲(chǔ)存型閃存(NAND Flash)供貨緊縮,以及二維(2D)NAND Flash將于10納米制程面臨微縮瓶頸,東芝(Toshiba)已于近期宣布將于2013年8月底展開五號(hào)半導(dǎo)體制造工廠(Fab
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布局3D NAND技術(shù) SanDisk與東芝合力擴(kuò)建Fab 5

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紫光/武漢新芯布局NAND Flash 中國(guó)存儲(chǔ)器產(chǎn)能閃耀

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2016-04-26 09:32:001358

東芝NAND Flash新技術(shù)有望將成本降1成

全球第2大NAND型快閃存儲(chǔ)器(Flash Memory)廠商東芝(Toshiba)將在 2017 年度采用被稱為“納米壓?。∟ano-imprint Lithography,NIL)”的新技術(shù)
2016-06-04 09:39:01687

電子芯聞早報(bào):東芝3D Flash試產(chǎn) 紅米Pro沒說(shuō)的細(xì)節(jié)

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2016-07-28 09:44:26873

干貨!一文看懂3D NAND Flash

目前3D NAND僅由三星電子獨(dú)家量產(chǎn)。而進(jìn)入了最近兩個(gè)月,先有東芝(Toshiba)殺入敵營(yíng),如今美光(Micron)也宣布研發(fā)出3D NAND 芯片,而且已經(jīng)送樣,三星一家獨(dú)大的情況將畫下
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大陸三星東芝紛紛增產(chǎn) 3D NAND競(jìng)爭(zhēng)白熱化

傳三星電子平澤廠(Pyeongtaek)將提前投產(chǎn),SK海力士(SK Hynix)、東芝(Toshiba)、美光(Micron)產(chǎn)能也將于明年下半全面開出,屆時(shí)3D NAND可能會(huì)從供不應(yīng)求、呈現(xiàn)供給過(guò)剩的狀況。
2016-10-10 14:08:471838

3D NAND Flash,中國(guó)自主存儲(chǔ)器突破點(diǎn)

3D NAND Flash。中國(guó)已吹響進(jìn)軍3D NAND Flash沖鋒號(hào),若能整合好跨領(lǐng)域人才和技術(shù),中國(guó)3D NAND Flash有望彎道超車。
2017-02-07 17:34:128497

3D NAND良率是NAND Flash市場(chǎng)最大變數(shù)

據(jù)海外媒體報(bào)道,去年下半年以來(lái)NAND Flash市場(chǎng)供不應(yīng)求,主要關(guān)鍵在于上游原廠全力調(diào)撥2D NAND Flash產(chǎn)能轉(zhuǎn)進(jìn)3D NAND,但3D NAND生產(chǎn)良率不如預(yù)期,2D NAND供給量又因產(chǎn)能排擠縮小,NAND Flash市場(chǎng)出現(xiàn)貨源不足問(wèn)題,價(jià)格也因此明顯上漲。
2017-02-27 09:21:371380

臺(tái)積電敲門東芝3D NAND代工 擊破三星補(bǔ)貼政策

據(jù)臺(tái)灣媒體報(bào)道,東芝(Toshiba)出售NAND Flash事業(yè)群的競(jìng)標(biāo)案炒得熱鬧,近期臺(tái)灣經(jīng)濟(jì)部工業(yè)局也找臺(tái)灣多家存儲(chǔ)器相關(guān)業(yè)者密談應(yīng)對(duì)之策,將再找晶圓代工業(yè)者作第二輪商議,業(yè)界透露,臺(tái)積電有意
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史上最缺貨的一季殺到,NAND Flash你還好嗎?

根據(jù)外資的報(bào)告指出,NAND Flash產(chǎn)能問(wèn)題,2017 年三星、美光、東芝/西數(shù)、SK Hynix 都會(huì)在下半年量產(chǎn) 64 層,以及 72 層堆棧的 3D NAND Flash 的情況下,原本預(yù)計(jì)產(chǎn)能會(huì)有大幅度提升。
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東芝PK三星 正式推出96層3D NAND旗艦產(chǎn)品XG6

六大NAND Flash顆粒制造商之一的東芝也宣布了自家96層3D NAND產(chǎn)品的新消息:他們正式推出了旗下首款使用96層3D NAND閃存的固態(tài)硬盤產(chǎn)品XG6。在性能方面,XG6也算是追上了目前
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東芝無(wú)懼芯片價(jià)格下跌,將量產(chǎn)96層3D NAND Flash

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2013-04-21 13:18:41

請(qǐng)問(wèn)F2812內(nèi)部的flash是nor flash還是NAND flash?

請(qǐng)問(wèn)F2812內(nèi)部的flash是nor flash還是NAND flash?NOR Flash的數(shù)據(jù)寫入的速度是多少,寫1M數(shù)據(jù)要多少時(shí)間?再就是如果外擴(kuò)flash的話,選擇nor flash 還是nand flash好一些呢?
2018-11-14 10:55:47

請(qǐng)問(wèn)在3D模式下能隱藏元件的3D嗎?

3D模式下能不能隱藏元件的3D,就是3D模式下只能看見PCB板
2019-04-18 05:51:13

3D NAND的不同架構(gòu)淺析 #存儲(chǔ)技術(shù)

NANDIC設(shè)計(jì)存儲(chǔ)技術(shù)3d nand
EE_Voky發(fā)布于 2022-06-28 17:29:27

3D NAND電學(xué)特性 #存儲(chǔ)技術(shù)

NANDIC設(shè)計(jì)存儲(chǔ)技術(shù)3d nand行業(yè)芯事經(jīng)驗(yàn)分享
EE_Voky發(fā)布于 2022-06-28 17:29:51

3D NAND與2D NAND性能對(duì)比

NANDIC設(shè)計(jì)存儲(chǔ)技術(shù)3d nand行業(yè)芯事經(jīng)驗(yàn)分享
EE_Voky發(fā)布于 2022-06-28 17:30:15

NAND Flash SLC MLC技術(shù)分析

NAND Flash SLC MLC技術(shù)分析什么是SLC? SLC英文全稱(Single Level Cell——SLC)即單層式儲(chǔ)存 。主要由三星、海力士、美光、東芝等使用。 S
2008-07-17 10:07:271430

東芝將投入89.4億美元擴(kuò)大NAND閃存產(chǎn)能

東芝將投入89.4億美元擴(kuò)大NAND閃存產(chǎn)能   消息人士周三透露,東芝未來(lái)三年內(nèi)將投入8000億日元(約合89.4億)美元,在日本三重縣(Mie Prefecture)修建一座閃存芯片
2010-02-11 09:06:321434

廣州亞運(yùn)會(huì)舞臺(tái)開幕式LED亮點(diǎn)揭秘

  開幕式LED情愫揭秘   廣州亞運(yùn)會(huì)開幕式在海心沙島舉行,從亞組委了獲悉,為體現(xiàn)“鸀色”亞運(yùn)理念,亞運(yùn)會(huì)開幕式將采用LED燈來(lái)裝扮燈影效果,數(shù)量預(yù)計(jì)將達(dá)到10萬(wàn)
2010-12-07 14:49:11975

3D NAND路線圖#硬聲創(chuàng)作季

3D
電子學(xué)習(xí)發(fā)布于 2022-11-20 21:02:09

3D NAND的微觀構(gòu)造#硬聲創(chuàng)作季

3D
電子學(xué)習(xí)發(fā)布于 2022-11-20 21:23:10

東芝在閃存峰會(huì)上展示最新NAND和存儲(chǔ)產(chǎn)品

東京—東芝公司 (TOKYO:6502)今天宣布,該公司在閃存峰會(huì)(Flash Memory Summit)上展示其最新的NAND閃存和存儲(chǔ)產(chǎn)品。
2014-09-03 11:40:13849

擬投資800億!東芝新建3D Flash專用廠房

東芝(Toshiba)8日發(fā)布新聞稿宣布,為了增產(chǎn)3D Flash Memory,將在四日市工廠內(nèi)興建新廠房“第6廠房(Fab 6)”。東芝指出,該座新廠房將作為3D Flash專用廠房,將分2期工程興建,其中第1期工程將在2017年2月動(dòng)工、并預(yù)計(jì)于2018年夏天完工。
2016-11-09 19:24:26456

高階制程、3D NAND Flash推升12寸晶圓代工產(chǎn)能需求

全球包括高階制程、3D NAND Flash及大陸半導(dǎo)體業(yè)者對(duì)于12寸晶圓代工產(chǎn)能需求大增,導(dǎo)致硅晶圓供應(yīng)缺口持續(xù)擴(kuò)大,近期全球三大硅晶圓廠信越(Shin-Etsu)、Sumco、德國(guó)
2016-12-21 09:30:561105

2017年NAND產(chǎn)能成長(zhǎng)有限、價(jià)格走揚(yáng)

017年NAND Flash整體投片產(chǎn)能僅年增6%,隨著業(yè)者加速轉(zhuǎn)進(jìn)3D-NAND,2017年2D-NAND缺貨情況將持續(xù)一整年。
2016-12-23 09:38:18653

SK海力士砸27億美元擴(kuò)產(chǎn)NAND Flash 產(chǎn)能

需求回溫、產(chǎn)能擴(kuò)增有限,供需失衡下,DRAM價(jià)格在2016年下半逆勢(shì)翻轉(zhuǎn),而原本看俏的NAND Flash在廠商間轉(zhuǎn)進(jìn)3D NAND良率還未提升下,同樣面臨缺貨。先前調(diào)研機(jī)構(gòu)集邦科技、IHS都預(yù)估
2016-12-23 16:22:381010

西數(shù)若加入東芝半導(dǎo)體股權(quán)收購(gòu),可擴(kuò)大NAND Flash市占

足夠資金,彌補(bǔ)美國(guó)核能事業(yè)的資產(chǎn)虧損。近來(lái)也傳出西部數(shù)據(jù)(WD)、美光(Micron)、SK海力士(SK Hynix)、富士康(Foxconn)及Bain Capital有意競(jìng)購(gòu),對(duì)此外界分析認(rèn)為,西部數(shù)據(jù)或可借由收購(gòu)東芝半導(dǎo)體事業(yè)部分股權(quán),擴(kuò)大在全球NAND Flash市場(chǎng)的影響力與競(jìng)爭(zhēng)力,并
2017-02-15 01:06:41114

西數(shù)力挺QLC:首發(fā)96層3D NAND閃存!SSD行業(yè)要變天

現(xiàn)在,西數(shù)全球首發(fā)了96層堆棧的3D NAND閃存,其使用的是新一代BiCS 4技術(shù)(下半年出樣,2018年開始量產(chǎn)),除了TLC類型外,其還會(huì)支持QLC,這個(gè)意義是重大的。
2017-06-28 11:22:40709

東芝首款64層3D NAND SSD——TR200上市

近日,東芝首款64層3D NAND SSDTR200 SATA固態(tài)硬盤系列正式上市。TR200系列可提供給個(gè)人電腦和筆記本電腦更強(qiáng)的性能表現(xiàn),并且滿足用戶對(duì)大容量SSD的使用要求。其具備高效能
2017-10-31 16:01:19888

3D NAND產(chǎn)能增長(zhǎng)迅速,SSD價(jià)格跌至歷史谷底

2018年是3D NAND產(chǎn)能快速增長(zhǎng)的一年,主要是因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">Flash原廠三星、東芝、SK海力士、美光等快速提高64層3D NAND生產(chǎn)比重,而且相較于2D NAND技術(shù),64層256Gb和512Gb在市場(chǎng)上的廣泛應(yīng)用,使得高容量的NAND Flash相關(guān)產(chǎn)品價(jià)格持續(xù)下滑
2018-07-16 09:48:00667

東芝、西數(shù)庭外和解,不再干涉東芝交易

東芝西數(shù)之間的糾紛有望得到緩和,據(jù)悉,二者有意進(jìn)行庭外和解,西數(shù)不再干涉東芝把芯片業(yè)務(wù)出售給貝恩資本。雙方爭(zhēng)取在下周達(dá)成最終協(xié)議。
2017-12-08 14:36:12666

SSD價(jià)格開始走跌 2019年后NAND Flash供大于求過(guò)

根據(jù)2017年的存儲(chǔ)器行業(yè)需求顯露出的價(jià)格上漲,供不應(yīng)求局面,韓系存儲(chǔ)器廠紛紛計(jì)劃擴(kuò)產(chǎn)。但由于存儲(chǔ)器大廠3D NAND良率升,NAND Flash將在2019年后產(chǎn)能過(guò)剩。
2018-01-06 10:32:382146

NAND Flash報(bào)價(jià)暫時(shí)回跌,SSD控制器將進(jìn)入產(chǎn)業(yè)整合期

連續(xù)多季走強(qiáng)的NAND Flash報(bào)價(jià),在2018年第一季可望暫時(shí)回跌,然由于3D NAND Flash制程工序繁復(fù),會(huì)使晶圓廠的實(shí)際產(chǎn)能下滑,故NAND Flash顆粒的供應(yīng)量在2018年仍難看到明顯成長(zhǎng),下半年NAND Flash報(bào)價(jià)可能會(huì)再度因供需緊張而走強(qiáng)。
2018-07-09 09:07:00481

哪些芯片廠商全面看好NAND閃存,正大刀闊斧地加碼3D NAND閃存產(chǎn)能?

美光、三星釋放信號(hào)僅是個(gè)開端,SK海力士、Intel、東芝西數(shù)/閃迪等都表態(tài)在幾年內(nèi)將持續(xù)擴(kuò)充閃存產(chǎn)能,為跨入96層、甚至更高層數(shù)而加大投入力度。可見,3D NAND閃存已經(jīng)成為國(guó)際存儲(chǔ)器廠商間的“主戰(zhàn)場(chǎng)”。
2018-07-17 10:34:084865

東芝在Q4擴(kuò)大96層3D NAND產(chǎn)品出貨量,各家原廠在96層和QLC技術(shù)上的競(jìng)爭(zhēng)愈發(fā)激烈

隨著原廠3D技術(shù)的快速發(fā)展,2018下半年各家原廠在96層和QLC技術(shù)上競(jìng)爭(zhēng)激烈,其中,三星已在7月份宣布量產(chǎn)96層3D NAND。據(jù)DIGITIMES報(bào)道稱,東芝存儲(chǔ)器(TMC)96層3D NAND將在Q4擴(kuò)大出貨,代表著NAND Flash市場(chǎng)霸主之爭(zhēng)正式拉開序幕。
2018-08-05 11:50:161227

半導(dǎo)體行業(yè)3D NAND Flash

3D NAND Flash 作為新一代的存儲(chǔ)產(chǎn)品,受到了業(yè)內(nèi)的高度關(guān)注!但目前3D NAND僅由三星電子獨(dú)家量產(chǎn)。而進(jìn)入了最近兩個(gè)月,先有東芝(Toshiba)殺入敵營(yíng),如今美光(Micron
2018-10-08 15:52:39395

3D NAND技術(shù)的轉(zhuǎn)換促進(jìn)產(chǎn)業(yè)洗牌戰(zhàn) 三星/英特爾/東芝各有應(yīng)對(duì)招數(shù)

NAND Flash產(chǎn)業(yè)在傳統(tǒng)的Floating Gate架構(gòu)面臨瓶頸后,正式轉(zhuǎn)進(jìn)3D NAND Flash時(shí)代,目前三星電子(Samsung Electronics)、東芝(Toshiba)的3D
2018-12-03 09:04:571684

64層/72層3D NAND開始出貨 SSD市場(chǎng)將迎來(lái)新的局面

推出64層/72層3D NAND,預(yù)計(jì)從下半年開始將陸續(xù)進(jìn)入量產(chǎn)階段,屆時(shí)3D NAND產(chǎn)能將大幅增加。
2018-12-10 10:00:571115

分拆內(nèi)存業(yè)務(wù) 助力提高東芝/威騰陣營(yíng)的NAND Flash產(chǎn)能及產(chǎn)品開發(fā)

最新調(diào)查顯示,日本大廠東芝(Toshiba)為提升半導(dǎo)體業(yè)務(wù)競(jìng)爭(zhēng)力,已正式宣布將在今年3月31日前完成分拆內(nèi)存業(yè)務(wù),預(yù)期分拆后的新公司將有更多經(jīng)營(yíng)彈性及更佳的籌資能力,長(zhǎng)期而言對(duì)東芝/威騰(WD)電子陣營(yíng)在NAND Flash產(chǎn)能提升、產(chǎn)品開發(fā)均有所幫助。
2018-12-10 10:11:251090

3D NAND flash大戰(zhàn)開打 三星獨(dú)霸局面打破

記憶體的3D NAND flash大戰(zhàn)即將開打!目前3D NAND由三星電子獨(dú)家量產(chǎn),但是先有東芝(Toshiba)殺入敵營(yíng),如今美光(Micron)也宣布研發(fā)出3D NAND,而且已經(jīng)送樣,三星一家獨(dú)大的情況將劃下句點(diǎn)。
2018-12-13 15:07:47991

LiteOn推出采用東芝64層3D NAND最新SSD

近日,LiteOn推出一款最新MU3系列SSD,采用東芝64層BiCS 3D TLC NAND,7毫米/2.5英寸外形,SATA 6Gbps接口,提供120GB,240GB和480GB三種容量選擇。
2019-02-18 15:33:373673

東芝工廠停電事件損失出爐,對(duì)NAND Flash市場(chǎng)有何影響?

6月15日,東芝存儲(chǔ)器公司NAND Flash工廠于當(dāng)?shù)貢r(shí)間下午6點(diǎn)25分發(fā)生斷電事故,大概花了13分鐘之后就恢復(fù)供電了,然而工廠在恢復(fù)供電后一直處于停產(chǎn)狀態(tài)。
2019-07-01 11:08:553257

東芝帶動(dòng)NAND Flash漲價(jià) 下半年行情有文章可做

東芝存儲(chǔ)器公司于四日市廠區(qū)于6月15日遭遇長(zhǎng)約13分鐘的跳電狀況。研調(diào)機(jī)構(gòu)集邦TrendForce存儲(chǔ)器儲(chǔ)存研究(DRAMeXchange)評(píng)估,此事件將使得Wafer短期報(bào)價(jià)面臨漲價(jià)壓力,第三季2D NAND Flash產(chǎn)品價(jià)格可能上漲,3D NAND Flash產(chǎn)品價(jià)格跌幅則可能微幅收斂。
2019-07-11 11:07:042855

東芝存儲(chǔ)XL-Flash技術(shù)2020年將量產(chǎn)

近日,據(jù)外媒報(bào)道,東芝存儲(chǔ)器美國(guó)子公司宣布推出一種新的存儲(chǔ)器(Storage Class Memory)解決方案:XL-Flash,該技術(shù)是基于創(chuàng)新的Bics Flash 3D NAND技術(shù)和SLC
2019-08-07 10:56:32665

Memblaze基于東芝FLASH的NVMe SSD方案

超低延時(shí)閃存是當(dāng)前非常熱門的技術(shù)趨勢(shì),東芝推出的XL-FLASH是超低延時(shí)存儲(chǔ)介質(zhì)的代表,讀延時(shí)可以達(dá)到普通3D TLC NAND的十分之一。Memblaze聯(lián)手東芝對(duì)XL-FLASH的低延時(shí)潛力
2019-08-18 09:03:00776

東芝存儲(chǔ)器最新發(fā)布XL-Flash技術(shù)

據(jù)外媒報(bào)道,東芝存儲(chǔ)器美國(guó)子公司宣布推出一種新的存儲(chǔ)器(Storage Class Memory)解決方案:XL-Flash,該技術(shù)是基于創(chuàng)新的Bics Flash 3D NAND技術(shù)和SLC。
2019-09-04 16:41:321234

西數(shù)發(fā)布BiCS5閃存技術(shù) 目前最先進(jìn)、密度最高的3D NAND閃存

西數(shù)公司今天正式宣布了新一代閃存技術(shù)BiCS5,這是西數(shù)與鎧俠(原來(lái)的東芝存儲(chǔ))聯(lián)合開發(fā)的,在原有96層堆棧BiCS4基礎(chǔ)上做到了112層堆棧。
2020-02-06 15:13:362209

SPI Nand Flash簡(jiǎn)介

1.SPI Nand Flash簡(jiǎn)介SPI Nand Flash顧名思義就是串行接口的Nand Flash,它和普通并行的Nand Flash相似,比如:SLC Nand Flash。2.SPI
2021-12-02 10:51:1733

nand_flash的初始化,如何從nand_flash中讀取數(shù)據(jù)

本文章主要講解了nand_flash初始化的方法,如何讀取nand_flash上的數(shù)據(jù)
2021-12-22 19:04:4615

受鎧俠、西數(shù)原料污染影響 NAND Flash以5%幅度逐步漲價(jià)

 從1月份開始,鎧俠因調(diào)查原材料污染及設(shè)計(jì)問(wèn)題關(guān)閉3D NAND閃存生產(chǎn)線。
2022-04-01 15:27:312246

NAND Flash 原理深度解析(下)

在上一篇文章中為大家介紹了NAND Flash的工作原理和自身的特性(點(diǎn)擊查看 ),本次文章將繼續(xù)為大家?guī)?lái)關(guān)于NAND Flash的內(nèi)容。 一、NAND Flash 的容量結(jié)構(gòu) 從訪問(wèn)NAND
2023-09-22 18:10:02752

NAND Flash和NOR Flash的區(qū)別

NAND Flash和NOR Flash是兩種常見的閃存類型。
2023-11-30 13:53:20735

什么是NANDFlash 存儲(chǔ)器?

的局面。緊接著,1989年,東芝公司發(fā)表了 NAND Flash 結(jié)構(gòu),后者的單元電路尺寸幾乎只是 NOR 器件的一半,可以在給定的芯片尺寸內(nèi)提供更高的容量,也就相應(yīng)地降低了價(jià)格。 1.NAND
2024-03-01 17:08:45160

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