dsPIC33C數(shù)字信號控制器（DSC），能夠滿足不斷變化的應(yīng)用需求，在存儲器、工作溫度和功能性安全方面提供更多選擇。
2019-03-14 13:36:25
5409 51 系列單片機的數(shù)據(jù)存儲器分片內(nèi) RAM 和片外 RAM 兩部分。通常片內(nèi)數(shù)據(jù)存儲器有 128B，對應(yīng)的地址范圍是 00H～7FH；增強型片內(nèi)數(shù)據(jù)存儲器有 256B，對應(yīng)的地址范圍是 00H
2021-12-02 07:35:11
51 系列單片機的內(nèi)部存儲器與一般微型機存儲器的配置不同。一般微型機的程序存儲器和數(shù)據(jù)存儲器被安排在同一地址空間的不同范圍，通常稱為普林斯頓結(jié)構(gòu)（統(tǒng)一編址）。而 51 系列單片機的存儲器空間被設(shè)計成
2021-12-01 08:32:35
設(shè)計允許用戶保持密碼默認(rèn)的設(shè)備，并且作為用戶，最好不要在路由器和安全攝像頭等設(shè)備上保留默認(rèn)密碼。Microchip目前提供安全IoT傳感器節(jié)點，該節(jié)點與板載CrytoAthentication芯片一起
2018-10-30 14:18:38
靜態(tài)隨機存取存儲器（SRAM）的完整性，以確保代碼能夠正常運行，從而減少故障。為了支持開發(fā)人員的部署，PIC32CM JH配備了功能安全相關(guān)資源，如安全手冊、故障模式影響和診斷分析（FMEDA）以及針對
2022-11-10 13:52:40
支持開發(fā)出下一代安全的物聯(lián)網(wǎng) （IoT） 設(shè)備?！ ね晟频幕A(chǔ) IP 組合支持有效保證存儲器和外設(shè)的安全?！ た膳渲玫目偩€互連與 TrustZone 控制器幫助設(shè)計師在最優(yōu)的 ARMv8-M 系統(tǒng)上
2016-11-12 15:50:06
是易失性存儲介質(zhì)，在系統(tǒng)停電或故障的情況下，它們無法維護(hù)存儲的數(shù)據(jù)。
在為嵌入式應(yīng)用程序選擇存儲設(shè)備時，不僅要考慮存儲介質(zhì)的類型，還要考慮存儲容量、速度、耐用性（壽命）和成本。每種存儲技術(shù)都有其獨特
2023-05-18 14:13:37
這幾種存儲器的共同特點其實是掉電后，所存儲的數(shù)據(jù)不會消失，所以可以歸類為非易失性存儲器(即Non-Volatile Memory)。SRAM、DRAM的共同特點是掉電后數(shù)據(jù)會丟失，所以也可稱為易失性
2012-01-06 22:58:43
1. 存儲器理解存儲器是計算機結(jié)構(gòu)的重要組成部分，存儲器是用來存儲程序代碼和數(shù)據(jù)的部件，有了存儲器計算機才具有記憶功能。按照存儲介質(zhì)的特性，可以分“易失性存儲器”和“非易失性存儲器”兩類，易失和非易
2021-07-16 07:55:26
-----ROM Read Only Memory，顧名思義，它是一種只能讀出事先所存的數(shù)據(jù)的固態(tài)半導(dǎo)體存儲器。ROM中所存數(shù)據(jù)穩(wěn)定，一旦存儲數(shù)據(jù)就再也無法將之改變或者刪除，斷電后所存數(shù)據(jù)也不會消失
2021-12-10 06:34:11
存儲器的分類存儲器是計算機系統(tǒng)中的記憶設(shè)備，用來存放程序和數(shù)據(jù)，從不同的角度對存儲器可以做不同的分類。1、按存儲介質(zhì)分半導(dǎo)體存儲器（又稱易失性存儲器）：體積小，功耗低，存取時間短，電源消失的時候，所存的信息也隨之消失。磁表面存儲器（...
2021-07-26 08:30:22
存儲器：用來存放計算機中的所有信息：包括程序、原始數(shù)據(jù)、運算的中間結(jié)果及最終結(jié)果等?！ ≈蛔x存儲器（ROM）：只讀存儲器在使用時，只能讀出而不能寫入，斷電后ROM中的信息不會丟失。因此一般用來存放
2017-10-24 14:31:49
`存儲器：用來存放計算機中的所有信息：包括程序、原始數(shù)據(jù)、運算的中間結(jié)果及最終結(jié)果等。 只讀存儲器（ROM）：只讀存儲器在使用時，只能讀出而不能寫入，斷電后ROM中的信息不會丟失。因此一般用來存放
2017-12-21 17:10:53
所謂的寄存器、內(nèi)存等用于存儲信息的復(fù)雜結(jié)構(gòu)。存儲器的分類存儲器分為易失性存儲器和非易失性存儲器；所謂易失性存儲器是指設(shè)備掉電，存儲的信息自動清除，而非易失性存儲器具有存儲時間長的功能。易失性存儲器主要指
2021-12-10 06:54:11
概述：DS3655采用16焊球CS BGA 封裝（4mm x 4mm x 1mm）。它是一款防篡改存儲器，特別用于需要數(shù)據(jù)保護(hù)和要求高安全性的設(shè)備。器件包括64字節(jié)專有的無痕跡存儲器，該存儲器可在100ns時間內(nèi)快速...
2021-04-12 07:29:05
現(xiàn)在我們對系統(tǒng)功能安全的要求顯著增長。從核電站到醫(yī)療設(shè)備，無故障系統(tǒng)已成為部分應(yīng)用的理想選擇，也是其他應(yīng)用的必備條件。例如，在傳感領(lǐng)域，獲取的數(shù)據(jù)如果不正確或遭到損壞，結(jié)果可能具有破壞性，甚至可能致命，具體取決于系統(tǒng)和所涉及的風(fēng)險級別。那么現(xiàn)在數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)的功能安全性怎么保障？
2021-03-05 07:30:37
AVR系列單片機有哪幾種存儲器？AVR系列單片機在程序中如何訪問FLASH程序存儲器？EEPROM數(shù)據(jù)存儲器操作方式有哪幾種？
2021-09-23 08:13:11
問題一：位圖都存儲在哪了？都在程序存儲器里嗎問題二：能不能將位圖存儲到外部內(nèi)存中？問題三：F429的程序存儲器和數(shù)據(jù)存儲器有多大？
2020-05-20 04:37:13
CorePac 的內(nèi)部存儲器架構(gòu)與此前 C6000™ DSP 系列產(chǎn)品相比，主要在四個方面實現(xiàn)了增強，而這突出體現(xiàn)在性能指標(biāo)和實用性方面。這些改進(jìn)旨在實現(xiàn)如下優(yōu)勢：1) 無論多個內(nèi)核和數(shù)據(jù)
2011-08-13 15:45:42
眾所周知，像硅雙極晶體管等一些晶體管能夠在其中一些半導(dǎo)體單元因短路或負(fù)載失配等原因損壞時繼續(xù)工作。因此，將一個器件定義為“耐用晶體管”可能沒有清晰的界限。對硅LDMOS晶體管的耐用性測試通常是指器件
2019-06-26 07:11:37
當(dāng)系統(tǒng)運行了一個嵌入式實時操作系統(tǒng)時（RTOS），操作系統(tǒng)通常都是使用非易失的
存儲器來運行軟件以及采集
數(shù)據(jù)。
存儲器的選擇面很廣闊，其中包括電池供電的SRAM（靜態(tài)隨機訪問儲存
器），各種各樣的閃存以及串口EEPROM（電可擦的，可編程的只讀
存儲器）?！ ?/div>
2019-06-28 08:29:29
，無寫入延遲，且數(shù)據(jù)能夠立即寫入存儲器陣列。無需進(jìn)行數(shù)據(jù)輪詢即可開始下一個總線周期。相比串行閃存和串行EEPROM，F(xiàn)M25V10的耐用性高出8個數(shù)量級以上，所消耗的有效功率卻不到其十分之一
2008-10-08 09:23:16
STM32 存儲器一 存儲器組織1. FLASH2. SRAM3. 啟動一 存儲器組織程序存儲器、數(shù)據(jù)存儲器、寄存器和輸入輸出端口被組織在同一個4GB的線性地址空間內(nèi)。數(shù)據(jù)字節(jié)以小端格式存放在存儲器
2021-08-02 06:06:32
題目是一個停車場計時系統(tǒng)，用74系列之類的芯片。我們用6116存儲器來存地址信號，通過刷卡產(chǎn)生脈沖，經(jīng)過延時出現(xiàn)兩個相鄰的脈沖分別代表讀和寫信號，用來讀取存儲器中對應(yīng)車的狀態(tài)（在不在車庫內(nèi)），再將
2016-07-23 00:01:59
：Flash、SRAM等。只有加入了這些東西，才能成為一個擁有實際意義的、可以工作的處理芯片——STM32。STM32的存儲器地址空間被劃分為大小相等的8塊區(qū)域，每塊區(qū)域大小為512MB。對STM32存儲器知識
2018-08-14 09:22:26
為什么單片機定義的數(shù)組是存放在數(shù)據(jù)存儲器中，而不是存放在程序存儲器中，這樣斷電，那數(shù)組里面的數(shù)據(jù)不就丟失了嗎，實在不解，請大神指教。
2016-08-14 16:41:53
目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時候都更堅實耐用。針對特高耐用性設(shè)計的器件可以承受嚴(yán)重的失配，即使在滿輸出電平時也是如此?，F(xiàn)在多家制造商可提供大功率硅橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)晶體管
2019-08-22 08:14:59
外存儲器 外儲存器是指除計算機內(nèi)存及CPU緩存以外的儲存器，此類儲存器一般斷電后仍然能保存數(shù)據(jù)?！ ⊥?b class="flag-6" style="color: red">存儲器有哪些 外存儲器有哪些 1、軟盤存儲器 讀寫數(shù)據(jù)的最小單位是扇區(qū)，存取速度慢
2019-06-05 23:54:02
強制性的特殊措施，以滿足安全要求。微控制器中集成的附加硬件可以滿足這些要求。即將推出的XC2300系列新型器件可提供下述硬件特性。存儲器保護(hù)單元存儲器保護(hù)單元（MPU）區(qū)分不同的軟件任務(wù)，為每項
2018-12-07 10:09:17
性存儲器：指當(dāng)電源被關(guān)斷之后，數(shù)據(jù)隨即消失的存儲器（如.RAM隨機存儲器 ） 。這種存儲器的特點是一般采用CMOS技術(shù)，以降低功耗。并且采用并行方式傳輸數(shù)據(jù)，因而具有高速存取數(shù)據(jù)的能力。這種存儲器
2020-12-25 14:50:34
單片機中的數(shù)據(jù)存儲器ram
2020-12-29 07:15:44
可燃?xì)怏w傳感器有效保障家庭燃?xì)馐褂?b class="flag-6" style="color: red">安全
2020-11-23 06:54:47
的并行數(shù)據(jù)處理 數(shù)據(jù)讀可在bank之間切換或交叉存取，而無需大量延遲或總線換向時間。因此，只要處理硬件能夠支持，多個視頻流可通過視頻處理器同時處理。當(dāng)處理好的數(shù)據(jù)寫回DDR3存儲器時，多個寫操作也可以通過
2019-05-27 05:00:02
EEPROM或閃存提供穩(wěn)健統(tǒng)一的存儲器架構(gòu)，從而可簡化安全系統(tǒng)設(shè)計。FRAM的優(yōu)勢與基于閃存的傳統(tǒng)系統(tǒng)相比，F(xiàn)RAM可提供優(yōu)異的保留性與耐用性。采用閃存，數(shù)據(jù)按晶體管充電狀態(tài)存儲（如開或關(guān)）。寫入閃存
2014-09-01 17:44:09
外部數(shù)據(jù)存儲器的擴(kuò)展一、實驗?zāi)康亩?、實驗?nèi)容三、實驗步驟四、C代碼如下五、實驗結(jié)果六、實驗體會一、實驗?zāi)康恼莆諉纹瑱C系統(tǒng)外部存儲器電路的擴(kuò)展方法掌握單片機外部存儲器中變量定義和讀/寫編程熟悉在仿真
2021-12-07 11:24:17
的要求，做到安全功能和MCU二合一，在保障安全的同時大大降低客戶的研發(fā)成本。集成安全NV SRAM，一旦檢測到篡改事件，即刻擦除存儲內(nèi)容專有的代碼、數(shù)據(jù)實時加密技術(shù)，為外部存儲器提供完備保護(hù)。加密芯片
2018-09-07 10:36:55
1) 允許一個物理內(nèi)存（即 XRAM) 可同時作為程序存儲器和數(shù)據(jù)存儲器進(jìn)行訪問
如何使用 SCR XRAM 作為程序存儲器和數(shù)據(jù)存儲器。
1) 用于存儲 scr 程序的程序存儲器
2) 用于在 tricore 和 scr 之間交換數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)存儲器。
2024-01-30 08:18:12
目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時候都更堅實耐用。針對特高耐用性設(shè)計的器件可以承受嚴(yán)重的失配，即使在滿輸出電平時也是如此。現(xiàn)在多家制造商可提供大功率硅橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)晶體管
2019-08-22 06:13:27
因此，隨著程序的發(fā)展，鏈接器將我的變量重新定位到不同的內(nèi)存位置。這會導(dǎo)致數(shù)據(jù)損壞。將EDATA移動到可在數(shù)據(jù)存儲器中任何位置的探地雷達(dá)的正確方法是什么？Movff？還是使用銀行卡？謝謝 以上
2019-05-31 08:28:13
隨著集成電路制造工藝水平的提高，半導(dǎo)體芯片上可以集成更多的功能，為了讓產(chǎn)品有別于競爭對手的產(chǎn)品特性，在ASIC上集成存儲器可以降低成本和功耗、改善性能、增加系統(tǒng)級芯片的可靠性。隨著對嵌入式存儲器需求的持續(xù)增長，其復(fù)雜性、密度和速度也日益增加，從而需要提出一種專用存儲器設(shè)計方法。
2019-11-01 07:01:17
Cache 或者片上存儲器?！ τ谇度胧皆O(shè)備上的數(shù)據(jù)密集的應(yīng)用，數(shù)據(jù)Cache 與片上存儲器相比存在以下缺陷：(1) 片上存儲器是固定的單周期訪問，可在設(shè)計時而不是運行時研究數(shù)據(jù)訪問模式；而Cache還要
2019-07-02 07:44:45
1）更加堅固耐用的品質(zhì) 我們都知道，工業(yè)生產(chǎn)中的環(huán)境非常的惡劣，其惡劣的環(huán)境對工業(yè)數(shù)據(jù)采集器產(chǎn)品的耐用性是一種嚴(yán)峻的考驗，而國內(nèi)供應(yīng)高效專業(yè)的工業(yè)數(shù)據(jù)采集器商家對工廠環(huán)境進(jìn)行深度了解，提供了
2020-12-07 16:15:36
，即便在斷電后也能保留數(shù)據(jù)。 盡管從名稱上說，F(xiàn)RAM 是鐵電存儲器，但它不受磁場的影響，因為芯片中不含鐵基材料（鐵）。 鐵電材料可在電場中切換極性，但是它們不受磁場的影響。 2. FRAM
2018-08-20 09:11:18
常用存儲器存儲器的種類RAM存儲器非易失性存儲器存儲器的種類易失性存儲器： 掉電數(shù)據(jù)會丟失讀寫速度較快內(nèi)存非易失性存儲器：掉電數(shù)據(jù)不會丟失讀寫速度較慢機械硬盤RAM存儲器RAM是“Random
2021-12-10 07:09:20
數(shù)據(jù)存儲器 FLASH程序存儲器 FLASH數(shù)據(jù)存儲器 片內(nèi)RAM數(shù)據(jù)存儲器16M字節(jié)外部數(shù)據(jù)存儲器各有什么區(qū)別？特點？小弟看到這段 很暈。ADuC812的用戶數(shù)據(jù)存儲器包含三部分，片內(nèi)640字節(jié)的FLASH數(shù)據(jù)存儲器、256字節(jié)的RAM以及片外可擴(kuò)展到16M字節(jié)的數(shù)據(jù)存儲器。求助高手。解釋一下不同。
2011-11-29 09:50:46
求助：數(shù)據(jù)存儲器6116和程序存儲器2817怎么搜，在altium designer。貌似不太會用搜索功能。我總是搜不出來不知道為什么，求解答。單片機存儲電路里的數(shù)據(jù)存儲器6116和程序存儲器
2014-07-22 23:10:03
切換期間存儲信息。非易失性存儲器用于存儲可執(zhí)行代碼或常量數(shù)據(jù)、校準(zhǔn)數(shù)據(jù)、安全性能和防護(hù)安全相關(guān)信息等重要數(shù)據(jù)，以作將來檢索用途。目前市場上主要包含這幾種不同類型的非易失性存儲器，如NOR 閃存
2019-07-23 06:15:10
192Kbytes的FLASH程序存儲器、192Kbytes的高性能EEPROM(擦/寫快、耐用性高)以及24Kbytes的RAM。包括一個5端口全速USB2.0接口、一個可以在嵌入式系統(tǒng)環(huán)境中進(jìn)行通信或與
2021-04-16 06:05:50
設(shè)計需求相變存儲器技術(shù)直接解決了當(dāng)今電子系統(tǒng)的需求:密度隨著消費者，電腦和通訊電子系統(tǒng)的融合，所有電子系統(tǒng)中代碼均出現(xiàn)指數(shù)性增長，數(shù)據(jù)的增長速度甚至更快.為了滿足這種增長的需要，存儲器密度范圍不僅要
2018-05-17 09:45:35
單片機中數(shù)據(jù)存儲器片內(nèi)的地址是00--7FH，程序存儲器的片內(nèi)地址是0000H--0FFFH，請問這兩部分是不是有重疊？請具體詳解！~{:1:}
2013-01-15 09:01:22
具有記憶功能。按照存儲介質(zhì)的特性，可以分“易失性存儲器”和“非易失性存儲器”兩類。易失性存儲器斷電后，里面存儲
2022-02-11 07:51:30
，只能臨時保存信息（經(jīng)cup處理后的數(shù)據(jù)），斷電后信息就會消失，這就需要另一種存儲器——外存儲器。外存儲器:外存容量大，存取速度比內(nèi)存慢，能永久保存信息，斷電后信息不會消失。它好比是數(shù)據(jù)的外部倉庫一樣，相當(dāng)于有了記憶功能，外存主要是磁盤。光盤:是用激光打上去的數(shù)據(jù)，區(qū)別于磁盤。磁盤:
2021-07-22 09:48:45
項目剛開始用的28062系列做的，用在掃圖上面，由于傳輸?shù)?b class="flag-6" style="color: red">數(shù)據(jù)太多，所以想把數(shù)據(jù)先儲存起來，再慢慢讀到上位機，但是看資料2806x系列好像沒有外擴(kuò)存儲器的接口了？求教大神，怎么辦
2017-12-10 21:20:01
繼《談?wù)勂囆酒?b class="flag-6" style="color: red">安全-上篇》之后，本文針對芯片安全存儲、FOTA、安全診斷、安全運行環(huán)境做了進(jìn)一步闡述。1.安全存儲1.1 OTP存儲器一次性可編程存儲器(On Chip One Time
2022-02-14 06:21:17
層協(xié)議。TLS常用于保護(hù)互聯(lián)網(wǎng)流量并提供端到端安全性。盡管TLS使用TCP，而很多物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備利用UDP進(jìn)行通信，但DTLS（數(shù)據(jù)報傳輸層安全性）可在UDP上工作。雖然物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備的功耗和存儲器受限，但只需
2018-10-22 16:52:49
在之前的博文中，我介紹了建筑自動化無線傳感器網(wǎng)絡(luò)數(shù)個趨勢中的第一個趨勢：能源效率。我們回顧一下，建筑自動化系統(tǒng)中實現(xiàn)更多傳感器的4個關(guān)鍵趨勢包括：能源效率。安全與保障。用戶的舒適度。預(yù)防性維護(hù)。本系列
2022-11-15 06:23:05
（Ferroelectric Random Access Memory）是一種融合了在斷電的情況下也能保留數(shù)據(jù)的非易失性、隨機存取兩個特長的鐵電隨機存儲器（內(nèi)存）。FRAM的數(shù)據(jù)保持，不僅不需要備用
2020-05-07 15:56:37
而言，鐵電存儲器具有一些獨一無二的特性。傳統(tǒng)的主流半導(dǎo)體存儲器可以分為兩類--易失性和非易失性。易失性的存儲器包括靜態(tài)存儲器SRAM和動態(tài)存儲器DRAM。SRAM和DRAM在掉電的時候均會失去保存的數(shù)據(jù)
2011-11-19 11:53:09
而言，鐵電存儲器具有一些獨一無二的特性。傳統(tǒng)的主流半導(dǎo)體存儲器可以分為兩類--易失性和非易失性。易失性的存儲器包括靜態(tài)存儲器SRAM和動態(tài)存儲器DRAM。SRAM和DRAM在掉電的時候均會失去保存的數(shù)據(jù)
2011-11-21 10:49:57
的寫入次數(shù)、并為開發(fā)人員提供了一個全新的靈活度（允許其通過軟件變更來完成數(shù)據(jù)內(nèi)存與程序內(nèi)存的分區(qū))。鐵電存儲器相比SRAM、FLASH和EEPROM優(yōu)點多多:非易失性，寫入速度快，無限次寫入,最關(guān)鍵是
2021-11-10 08:28:08
靜態(tài)隨機存儲器SRAM存儲數(shù)據(jù)原理
2021-02-26 06:36:26
，非易失性存儲器還需確保足夠的讀寫次數(shù)來記錄至少 20 年數(shù)據(jù)。此外，為了達(dá)到汽車級認(rèn)證和資格，所有子系統(tǒng)應(yīng)采用符合 AEC-Q100 標(biāo)準(zhǔn)的存儲器組件。同時，功能性安全性能符合ISO 26262標(biāo)準(zhǔn)是另外一
2018-05-21 15:53:37
可用于斷電（NMI）中斷或其他目的的通用比較器。該器件的工作電壓為2.7V至3.6V。FM33256B-G提供256Kb的非易失性FRAM存儲器容量?？焖俚膶懭胨俣群蜔o限的耐用性使該存儲器可以用作額外
2023-04-07 16:23:11
Microchip推出全新32位PIC32 MCU系列
Microchip Technology Inc.（美國微芯科技公司）今天宣布，在80 MHz 32位 PIC32單片機（MCU）產(chǎn)品組合的成功基礎(chǔ)上推出3個全新系列單片機，提供
2009-11-19 09:53:39689 相變存儲器：能實現(xiàn)全新存儲器使用模型的新型存儲器
從下面的幾個重要特性看，相變存儲器（PCM）技術(shù)均符合當(dāng)前電子系統(tǒng)對存儲器子系統(tǒng)的需求：
容量
2009-12-31 10:09:301115 Numonyx推出全新相變存儲器系列
該系列產(chǎn)品采用被稱為相變存儲(PCM)的新一代存儲技術(shù)，具有更高的寫入性能、耐寫次數(shù)和設(shè)計簡易性，適用于固線
2010-04-29 11:30:371141 DS3655是一款防篡改存儲器，特別用于需要數(shù)據(jù)保護(hù)和要求高安全性的設(shè)備。器件包括64字節(jié)專有的無痕跡存儲器，該存儲器可在100ns時間內(nèi)快速擦除
2011-04-26 10:04:24699 Microchip Technology Inc.（美國微芯科技公司）宣布，推出全新獨立實時時鐘/日歷（RTCC）器件系列。MCP795WXX/BXX RTCC器件具備10 MHz SPI接口、非易失性存儲器和比競爭器件性價比更高的有效功能組合。
2011-11-16 10:13:02979 Microchip Technology 推出采用64/16 KB、256/64 KB和512/128 KB快閃記憶體RAM配置的全新系列 PIC32MX3 /4微控制器（MCU）。這些新型MCU配備了Microchip針對圖形、連線、數(shù)位音訊和通用嵌入式控制設(shè)計提供全面的軟體和工具。
2013-07-09 10:11:421013 目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時候都更堅實耐用。針對特高耐用性設(shè)計的器件可以承受嚴(yán)重的失配，即使在滿輸出電平時也是如此?，F(xiàn)在多家制造商可提供大功率硅橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)晶體管
2017-11-23 18:58:37377 現(xiàn)代快閃存儲器控制器中的磨損平衡技術(shù)已經(jīng)有顯著進(jìn)步，能夠克服快閃存儲器儲存介質(zhì)固有的弱點，并幫助發(fā)揮出快閃存儲器的優(yōu)勢。對于現(xiàn)代快閃存儲器儲存器系統(tǒng)而言，控制器的選擇比快閃存儲器儲存器本身更加重要，借由選擇合適的快閃存儲器控制器進(jìn)行應(yīng)用，可以提升系統(tǒng)的耐用性和可靠性。
2018-03-07 09:45:021255 存儲器是信息系統(tǒng)的核心芯片，對于保障國家安全和信息安全具有重要意義。當(dāng)前以云計算、大數(shù)據(jù)、人工智能為代表的新一代信息技術(shù)革命迅猛發(fā)展，引發(fā)了海量數(shù)據(jù)的增長，對存儲器的需求也在不斷增加。2017年，我國僅存儲器進(jìn)口規(guī)模就達(dá)到870億美元。
2018-11-04 10:23:371695 有一種解決方法是選擇使用外部串行 EEPROM。不過這對于那些成本敏感或受引腳限制的應(yīng)用來說可能也并不適用。該應(yīng)用筆記介紹用于解決上述問題的第三種選擇。這種算法的特點是采用一個類似于內(nèi)部數(shù)據(jù) EEPROM 的接口，最高可將現(xiàn)有程序存儲器的耐用性提升為原來的 500 倍。
2018-06-20 09:26:00
8 一加6已經(jīng)在海外正式發(fā)布，國行版發(fā)布會正在進(jìn)行中，現(xiàn)在YouTube頻道JerryRigEverything已經(jīng)發(fā)布了該機的耐用性測試，它能幸存下來嗎？
2019-04-04 10:15:291974 Microchip 今日宣布推出全新系列的串行外設(shè)接口（SPI）EERAM存儲器產(chǎn)品，與當(dāng)前的串行NVRAM產(chǎn)品相比，新產(chǎn)品可為系統(tǒng)設(shè)計人員節(jié)省高達(dá)25%的成本。
2019-12-03 18:05:28822 按照每比特存儲單價計算，目前用于這些數(shù)據(jù)記錄的低密度（64 Kb至1Mb）非易失性串行RAM（NVRAM）解決方案通常是成本最高的終端產(chǎn)品。Microchip Technology Inc.（美國微芯科技公司）今日宣布推出全新系列的串行外設(shè)接口（SPI）EERAM存儲器產(chǎn)品。
2019-12-05 08:53:473283 接口協(xié)議，例如DDR4。SMC1000 8 x 25G是Microchip產(chǎn)品系列中第一款支持介質(zhì)獨立的OMI接口的存儲器基礎(chǔ)設(shè)施產(chǎn)品。
2019-12-12 14:46:313056 全新閃迪專業(yè)級高耐用存儲卡，適用于行車記錄儀和家用監(jiān)控系統(tǒng)存儲，容量高達(dá)256GB，支持長達(dá)120,000小時連續(xù)視頻錄制，讓您存儲無憂 西部數(shù)據(jù)公司旗下閃迪品牌推出新品——適用于行車記錄儀和家用
2020-03-18 08:45:151081 富士通FRAM是一種融合了在斷電的情況下也能保留數(shù)據(jù)的非易失性、隨機存取兩個特長的鐵電隨機存儲器（內(nèi)存）。FRAM的數(shù)據(jù)保持，不僅不需要備用電池，而且與EEPROM、FLASH等傳統(tǒng)的非易失性存儲器
2021-04-08 15:42:02824 
CYPRESS提供全面的鐵電RAM非易失性存儲器產(chǎn)品組合，可在斷電時立即捕獲和保存關(guān)鍵數(shù)據(jù)。在關(guān)鍵任務(wù)數(shù)據(jù)記錄應(yīng)用中，例如需要高可靠性控制和吞吐量的工廠車間的高性能可編程邏輯控制器 （PLC），或以
2021-06-30 15:42:461607 、攝像師和內(nèi)容創(chuàng)作者而設(shè)計的
全新存儲卡
系列，PRO Plus
系列 和 EVO Plus
系列 microSD 和 SD 卡。 三星電子品牌
存儲產(chǎn)品事業(yè)部副總裁KyuYoung Lee 表示：“各類專業(yè)人士和消費者都希望
存儲卡能夠輕松保存和檢索
數(shù)據(jù)，同時知道他們寶貴的圖像和視頻文件受到保護(hù)?！叭?/div>
2021-09-08 14:33:012585 
Microchip微芯全新的Adaptec PCIe Gen 4 NVMe、24G SAS三模式RAID和HBA存儲適配器擁有新一代的基本NVMe和SAS-4連接與管理能力，既可提供市場領(lǐng)先的性能，同時又能滿足數(shù)據(jù)中心基礎(chǔ)設(shè)施最嚴(yán)苛的全新安全要求。
2022-02-07 12:01:201785 FRAM存儲器提供即時寫入功能，無限的耐用性和接近零的軟錯誤率，以支持對功能安全標(biāo)準(zhǔn)的遵守。引起人們對用于汽車EDR的FRAM非易失性存儲技術(shù)的興趣，因為其使用解決了這些缺點。
2022-11-25 14:19:41327 
新技術(shù)星期二：耐用性、可靠性 Power Entertainment@Amphenol Connectors
2022-12-29 10:02:501015 
功率 MOSFET 單次和重復(fù)雪崩耐用性等級-AN10273
2023-02-09 19:23:422 TBW（Total Bytes Written）是衡量閃存存儲器壽命和耐用性的重要指標(biāo)。但由于寫入放大的影響，實際TBW值可能會偏離理論值。本文將介紹TBW的概念以及寫入放大系數(shù)，并探討如何降低寫入放大對存儲器的影響。
2023-07-25 14:19:39253 DRAM（Dynamic Random Access Memory）存儲器是一種易失性存儲器，意味著當(dāng)斷電時，存儲在其中的信息會丟失。這是因為DRAM使用電容來存儲數(shù)據(jù)，電容需要持續(xù)地充電來保持數(shù)據(jù)的有效性。一旦斷電，電容會迅速失去電荷，導(dǎo)致存儲的數(shù)據(jù)丟失。
2023-07-28 15:02:032207 為DRAM（Dynamic Random Access Memory，動態(tài)隨機訪問存儲器）。根據(jù)題目提到的“斷電后會丟失”，我們可以確定RAM屬于易失性存儲器，即斷
2024-01-12 17:27:15522 鐵電存儲器(FRAM)的核心技術(shù)是鐵電晶體材料，這種特殊材料使鐵電存儲器同時擁有隨機存取記憶體(RAM)和非易失性存儲器的特性，芯片能在常溫、沒有電場的情況下，數(shù)據(jù)保持此狀態(tài)達(dá)100年以上，鐵電
2023-06-08 09:52:17
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