據(jù)IEEE報(bào)道，來自IMEC的Hans Mertens研究小組，使用8納米寬的密集型納米線堆棧在傳統(tǒng)硅表面上成功制作了環(huán)柵式晶體管，未來經(jīng)過技術(shù)改進(jìn)有可能投入量產(chǎn)。該團(tuán)隊(duì)使用硅鍺混合材料在硅表面增設(shè)
2016-11-23 10:54:34
3883 8050晶體管是一種小型設(shè)備，用于引導(dǎo)便攜式無線電中的電流。數(shù)字“8050”基本上表示尺寸和特定輸出額定值。工程師和電子專家通常會(huì)給晶體管起數(shù)字名稱，以便更容易識(shí)別和區(qū)分它們。具有8050
2023-02-16 18:22:30
關(guān)于晶體管ON時(shí)的逆向電流在NPN晶體管中，基極 (B) 被偏置為正，集電極 (C) 被偏置為負(fù)，由發(fā)射極 (E) 流向C的是逆電流。1. 不用擔(dān)心劣化和損壞，在使用上是沒有問題的2. NPN-Tr
2019-04-09 21:27:24
晶體管并聯(lián)時(shí)，當(dāng)需要非常大的電流時(shí)，可以將幾個(gè)晶體管并聯(lián)使用。因?yàn)榇嬖赩BE擴(kuò)散現(xiàn)象，有必要在每一個(gè)晶體管的發(fā)射極上串聯(lián)一個(gè)小電阻。電阻R用以保證流過每個(gè)晶體管的電流近似相同。電阻值R的選擇依據(jù)
2024-01-26 23:07:21
晶體管之間的差異性：就三極
管，mos
管和可控硅之間的差別和相同點(diǎn)的相關(guān)概念有點(diǎn)模糊，請(qǐng)各位大俠指點(diǎn)！?。?/div>
2016-06-07 23:27:44
晶體管交直流參數(shù)對(duì)電路設(shè)計(jì)的影響是什么？
2021-04-23 06:25:38
晶體管分類 按半導(dǎo)體材料和極性分類 按晶體管使用的半導(dǎo)體材料可分為硅材料晶體管和鍺材料晶體管。按晶體管的極性可分為鍺NPN型晶體管、鍺PNP晶體管、硅NPN型晶體管和硅PNP型晶體管?！ “唇Y(jié)構(gòu)
2010-08-12 13:59:33
晶體管參數(shù)
2012-04-19 06:47:38
本帖最后由 gongddz 于 2017-3-29 09:06 編輯
晶體管作為電流單方向通過的電子開關(guān)使用晶體管也可以作為電子開關(guān)使用。但這個(gè)開關(guān)的電流方向只能是單向的，pnp型管和npn型
2017-03-28 15:54:24
晶體管圖示儀器是用來測(cè)量晶體管輸入、輸出特性曲線的儀器。在實(shí)驗(yàn)、教學(xué)和工程中通過使用圖示儀，可以獲得晶體管的實(shí)際特性，能更好的發(fā)揮晶體管的作用。
2021-05-07 07:43:17
晶體管開關(guān)電路是低電平有效，LY62L5128的控制引腳也是低電平有效，所以按下相應(yīng)開關(guān)即可“使能”相應(yīng)控制引腳。2N3906和2N3904共同使用達(dá)到上拉功能。 四，LY62L5128 讀寫 簡(jiǎn)單起見
2016-08-30 04:32:10
1．反向擊穿電流的檢測(cè) 普通晶體管的反向擊穿電流（也稱反向漏電流或穿透電流），可通過測(cè)量晶體管發(fā)射極E與集電極C之間的電阻值來估測(cè)。測(cè)量時(shí)，將萬用表置于R×1k檔， NPN型管的集電極C接黑表筆
2012-04-26 17:06:32
晶體管技術(shù)方案面臨了哪些瓶頸？
2021-05-26 06:57:13
在PROTUES中如何改變晶體管的放大倍數(shù)？有的器件有放大倍數(shù)改變的參數(shù)。另外，不同的仿真模型參數(shù)不同如何改變？
2014-02-28 08:42:03
供應(yīng)晶圓芯片，型號(hào)有： 可控硅， 中、大功率晶體管，13000系列晶體管，達(dá)林頓晶體管，高頻小信號(hào)晶體管，開關(guān)二極管，肖特基二極管，穩(wěn)壓二極管等。有意都請(qǐng)聯(lián)系：沈女士***
2020-02-17 16:24:13
晶體管測(cè)量模塊的基本特性有哪些？晶體管測(cè)量模塊的基本功能有哪些？
2021-09-24 07:37:23
從事電子設(shè)計(jì)7年了，發(fā)覺這兩本書挺好的，發(fā)上來給大家分享一下附件晶體管電路設(shè)計(jì)（上）放大電路技術(shù)的實(shí)驗(yàn)解析.pdf42.5 MB晶體管電路設(shè)計(jì)（下）FET_功率MOS_開關(guān)電路的實(shí)驗(yàn)解析.rar.zip47.2 MB
2018-12-13 09:04:31
`非常不錯(cuò)的晶體管電路設(shè)計(jì)書籍！`
2016-11-08 14:12:33
(1) 電流放大系數(shù)β和hFEβ是晶體管的交流放大系數(shù)，表示晶體管對(duì)交流（變化）信號(hào)的電流放大能力。β等于集電極電流IC的變化量△IC與基極電流IB的變化量△IB兩者之比，即β=△IC/△IBhFE
2018-06-13 09:12:21
晶體管的主要參數(shù)有哪些？晶體管的開關(guān)電路是怎樣的？
2021-06-07 06:25:09
晶體管的代表形狀晶體管分類圖：按照該分類，掌握其種類1. 按結(jié)構(gòu)分類根據(jù)工作原理不同分類，分為雙極晶體管和單極晶體管。雙極晶體管雙是指Bi（2個(gè)）、極是指Polar（極性）。雙極晶體管，即流經(jīng)構(gòu)成
2019-04-10 06:20:24
。與MOSFET同樣能通過柵極電壓控制進(jìn)行高速工作，還同時(shí)具備雙極晶體管的高耐壓、低導(dǎo)通電阻特征。工作上與MOSFET相同，通過給柵極施加電壓形成通道來流過電流。結(jié)構(gòu)上MOSFET（以Nch為例）是相同N型的源極
2018-11-28 14:29:28
的復(fù)合結(jié)構(gòu)。是為了利用MOSFET和雙極晶體管的優(yōu)點(diǎn)而開發(fā)的晶體管。與MOSFET同樣能通過柵極電壓控制進(jìn)行高速工作，還同時(shí)具備雙極晶體管的高耐壓、低導(dǎo)通電阻特征。 工作上與MOSFET相同，通過
2020-06-09 07:34:33
晶體管概述的1. 1948年、在貝爾電話研究所誕生。1948年，晶體管的發(fā)明給當(dāng)時(shí)的電子工業(yè)界來帶來了前所未有的沖擊。而且，正是這個(gè)時(shí)候成為了今日電子時(shí)代的開端。之后以計(jì)算機(jī)為首，電子技術(shù)取得急速
2019-07-23 00:07:18
控制大功率現(xiàn)在的功率晶體管能控制數(shù)百千瓦的功率，使用功率晶體管作為開關(guān)有很多優(yōu)點(diǎn)，主要是；(1)容易關(guān)斷，所需要的輔助元器件少，(2)開關(guān)迅速，能在很高的頻率下工作，(3)可得到的器件耐壓范圍從
2018-10-25 16:01:51
晶體管概述的1. 1948年、在貝爾電話研究所誕生。1948年，晶體管的發(fā)明給當(dāng)時(shí)的電子工業(yè)界來帶來了前所未有的沖擊。而且，正是這個(gè)時(shí)候成為了今日電子時(shí)代的開端。之后以計(jì)算機(jī)為首，電子技術(shù)取得急速
2019-05-05 00:52:40
晶體管的 電流放大原理 該怎么解釋？
2017-03-12 20:30:29
1．晶體管的結(jié)構(gòu)晶體管內(nèi)部由兩PN結(jié)構(gòu)成，其三個(gè)電極分別為集電極（用字母C或c表示），基極（用字母B或b表示）和發(fā)射極（用字母E或e表示）。如圖5-4所示，晶體管的兩個(gè)PN結(jié)分別稱為集電結(jié)（C、B極
2013-08-17 14:24:32
晶體管的品種繁多，不同的電子設(shè)備與不同的電子電路，對(duì)晶體管各項(xiàng)性能指標(biāo)的要求是不同的。所以，應(yīng)根據(jù)應(yīng)用電路的具體要求來選擇不同用途，不同類型的晶體管。 1．一般高頻晶體管的選用一般小信號(hào)處理（例如
2012-01-28 11:27:38
關(guān)于晶體管ON時(shí)的逆向電流在NPN晶體管中，基極 (B) 被偏置為正，集電極 (C) 被偏置為負(fù)，由發(fā)射極 (E) 流向C的是逆電流。1. 不用擔(dān)心劣化和損壞，在使用上是沒有問題的2. NPN-Tr
2019-05-09 23:12:18
晶體管 &
2010-08-12 13:57:39
晶體管配對(duì)
2017-08-24 18:48:13
?！ ?、柔性壓電納米發(fā)電機(jī) 柔性壓電納米發(fā)電機(jī)（PENG）的原理是在外力作用下，晶體結(jié)構(gòu)的中心對(duì)稱性被破壞，形成壓電勢(shì)。例如，將ZnO納米線兩端連接電極，封裝在柔性基板上?；鍙澢鷷r(shí)引起的ZnO內(nèi)部
2020-08-25 10:59:35
，此發(fā)現(xiàn)顯示了未來納米線太陽能電池發(fā)展的巨大潛力。 近年來，科研人員一直在研究如何改善提高納米線晶體質(zhì)量。納米線晶體呈柱狀構(gòu)造，直徑為人頭發(fā)的萬分之一。研究結(jié)果表明，納米線能夠在非常小的區(qū)域內(nèi)收集15
2013-12-03 12:38:29
，此發(fā)現(xiàn)顯示了未來納米線太陽能電池發(fā)展的巨大潛力。近年來，科研人員一直在研究如何改善提高納米線晶體質(zhì)量。納米線晶體呈柱狀構(gòu)造，直徑為人頭發(fā)的萬分之一。研究結(jié)果表明，納米線能夠在非常小的區(qū)域內(nèi)收集15倍
2013-03-29 17:20:22
如今隨著芯片制程的不斷提升，芯片中可以有100多億個(gè)晶體管，如此之多的晶體管，究竟是如何安上去的呢？ 這是一個(gè)Top-down View 的SEM照片，可以非常清晰的看見CPU內(nèi)部的層狀結(jié)構(gòu)
2020-07-07 11:36:10
向各位大神求助，我想仿真“用石墨烯代替硅制作的場(chǎng)效應(yīng)晶體管的特性測(cè)量”。電路和普通的測(cè)量場(chǎng)效應(yīng)晶體管特性的電路基本一樣，只是需要能夠調(diào)整晶體管的遷移率等特性，想問下LABVIEW能實(shí)現(xiàn)這種仿真嗎？我在庫里沒找到晶體管，能幫忙指出在哪可以找到嗎？謝謝！實(shí)在是太菜鳥了，請(qǐng)見諒。能建立下圖這種電路就行。
2014-04-11 12:06:22
求大神相助，Multisim里面雪崩晶體管的過壓擊穿怎么放著那，當(dāng)我設(shè)的電壓已經(jīng)大于了Vcbo滯后還是不見晶體管導(dǎo)通。
2014-08-08 10:42:58
NPN晶體管排列和符號(hào)在解釋原理之前，我們先來了解一下NPN晶體管的基本結(jié)構(gòu)和符號(hào)。要識(shí)別NPN晶體管引腳，它將是集電極（c），基極（b）和發(fā)射極（e）。圖1.NPN 晶體管結(jié)構(gòu)和符號(hào)NPN晶體管由
2023-02-08 15:19:23
一、引言PNP 晶體管是雙極結(jié)型晶體管（BJT）。PNP晶體管具有與NPN晶體管完全不同的結(jié)構(gòu)。在PNP晶體管結(jié)構(gòu)中，兩個(gè)PN結(jié)二極管相對(duì)于NPN晶體管反轉(zhuǎn)，使得兩個(gè)P型摻雜半導(dǎo)體材料被一層薄薄的N
2023-02-03 09:44:48
）= + 25°CSGN19H181M1H砷化鎵晶體管SGN19H240M1H砷化鎵晶體管SGN21H180M1H砷化鎵晶體管SGN21H121M1H砷化鎵晶體管SGN21H181M1H砷化鎵晶體管
2021-03-30 11:32:19
晶體管（transistor）是一種固體半導(dǎo)體器件，可以用于檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制和許多其它功能
2010-08-13 11:36:51
multisim仿真中高頻晶體管BFG35能用哪個(gè)晶體管來代替，MFR151管子能用哪個(gè)來代替？或是誰有這兩個(gè)高頻管子的原件庫？求大神指教
2016-10-26 11:51:18
的特殊橫向限制，已顯示出成為光學(xué)、光電和電子器件的巨大潛力。具有亞波長(zhǎng)結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體納米線表現(xiàn)出強(qiáng)大的光學(xué)米氏共振，使其成為實(shí)現(xiàn)新型光學(xué)器件（如極端太陽能吸收器和寬帶光捕獲器件）的理想平臺(tái)。這種特殊的一維
2021-07-09 10:20:13
NAND產(chǎn)品已實(shí)現(xiàn)商用并出貨?！坝⑻貭栕裱柖桑掷m(xù)向前推進(jìn)制程工藝，每一代都會(huì)帶來更強(qiáng)的功能和性能、更高的能效、更低的晶體管成本，”英特爾公司執(zhí)行副總裁兼制造、運(yùn)營與銷售集團(tuán)總裁Stacy
2017-09-22 11:08:53
`內(nèi)容簡(jiǎn)介：《晶體管電路設(shè)計(jì)》(上)是“實(shí)用電子電路設(shè)計(jì)叢書”之一，共分上下二冊(cè)。《晶體管電路設(shè)計(jì)》(上)作為上冊(cè)主要內(nèi)容有晶體管工作原理，放大電路的性能、設(shè)計(jì)與應(yīng)用，射極跟隨器的性能與應(yīng)用電
2017-07-25 15:29:55
輸出;還可以把基極電流lb放大β倍，然后在集電極以Ic形式輸出。（2）場(chǎng)效應(yīng)晶體管含義：原件要比晶體管小得多晶體管就是一個(gè)小硅片 但是場(chǎng)效應(yīng)晶體管的結(jié)構(gòu)要比晶體管的要復(fù)雜場(chǎng)效應(yīng)管的溝道一般是幾個(gè)納米
2019-04-09 11:37:36
眾所周知，電子系統(tǒng)芯片中的晶體管會(huì)隨著時(shí)間而逐漸老化。它們會(huì)慢慢變舊，反應(yīng)變得遲緩，毛病越來越多，甚至突然崩潰死機(jī)。不過凡事都有兩面性，雖然晶體管老化對(duì)電子產(chǎn)品不是好事，但其功耗卻隨著時(shí)間的推移而降
2017-06-15 11:41:33
互補(bǔ)晶體管的匹配
2019-10-30 09:02:03
晶體管是通常用于放大器或電控開關(guān)的半導(dǎo)體器件。晶體管是調(diào)節(jié)計(jì)算機(jī)、移動(dòng)電話和所有其他現(xiàn)代電子電路運(yùn)行的基本構(gòu)件。由于其高響應(yīng)和高精度，晶體管可用于各種數(shù)字和模擬功能，包括放大器、開關(guān)、穩(wěn)壓器、信號(hào)
2023-02-03 09:36:05
顯示器和透明太陽能電池板產(chǎn)品的出現(xiàn)?！ ≡谠S多透明電子系統(tǒng)中，晶體管都是至關(guān)重要的部件。如今，這種器件通常是薄膜晶體管形式，由In2O3、ZnO2、SnO2等透明導(dǎo)電氧化物材料制成。 不過，薄膜晶體管
2020-11-27 16:30:52
達(dá)林頓晶體管是一對(duì)雙極晶體管，連接在一起，從低基極電流提供非常高的電流增益。輸入晶體管的發(fā)射極始終連接到輸出晶體管的基極;他們的收藏家被綁在一起。結(jié)果，輸入晶體管放大的電流被輸出晶體管進(jìn)一步放大
2023-02-16 18:19:11
?！ 槭裁词褂闽捠綀?chǎng)效應(yīng)晶體管器件代替MOSFET？ 選擇鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管器件而不是傳統(tǒng)的MOSFET有多種原因。提高計(jì)算能力意味著增加計(jì)算密度。需要更多的晶體管來實(shí)現(xiàn)這一點(diǎn)，這導(dǎo)致了更大的芯片。但是
2023-02-24 15:25:29
以色列Tel Aviv大學(xué)的研究人員日前宣布，開發(fā)出一種稱為縮氨酸分子的氨基酸鏈，能自行組裝成微小的立方體，這些立方體可用銀填充制成納米級(jí)線。這些研究人員稱這是首次合成分離均勻的納米線，可最終促成
2018-11-20 15:53:47
PNP晶體管在哪里使用？放大電路采用PNP晶體管。達(dá)林頓對(duì)電路采用PNP晶體管。機(jī)器人應(yīng)用利用了PNP晶體管。PNP 晶體管用于控制大功率應(yīng)用中的電流。如何控制PNP晶體管？首先，為了接通PNP
2023-02-03 09:45:56
對(duì)芯片作底層支撐的場(chǎng)效應(yīng)晶體管，一款能起良好穩(wěn)壓作用的芯片非常重要。因此在進(jìn)行開關(guān)電源設(shè)計(jì)時(shí)，工程師會(huì)更多地考慮使用更優(yōu)質(zhì)的場(chǎng)效應(yīng)晶體管來支持電源芯片，這需要考慮場(chǎng)效應(yīng)晶體管的什么性能呢？應(yīng)從
2019-04-01 11:54:28
請(qǐng)教：?jiǎn)谓Y(jié)晶體管在什么位置，有人說是UJT，但好象用不了呀？
2013-09-26 16:55:49
各位高手，小弟正在學(xué)習(xí)單結(jié)晶體管，按照網(wǎng)上的電路圖做的關(guān)于單結(jié)晶體管的仿真，大多數(shù)都不成功，請(qǐng)問誰有成功的單結(jié)晶體管的仿真仿真啊，可以分享下嗎。
2016-03-04 09:15:06
NPN型雙極性晶體管可以視為共用陽極的兩個(gè)二極管接合在一起。在雙極性晶體管的正常工作狀態(tài)下，基極-發(fā)射極結(jié)（稱這個(gè)PN結(jié)為“發(fā)射結(jié)”）處于正向偏置狀態(tài)，而基極-集電極（稱這個(gè)PN結(jié)為“集電結(jié)”）則處于反向偏置狀態(tài)。
2019-09-26 09:00:23
基于硅納米線的生物氣味傳感器是什么？硅納米線表面連接修飾OBP蛋白分子的方法有哪些？基于硅納米線的氣味識(shí)別生物傳感器的結(jié)構(gòu)是如何構(gòu)成的？
2021-07-11 07:43:02
晶體管開關(guān)對(duì)電子產(chǎn)品至關(guān)重要。了解晶體管開關(guān)，從其工作區(qū)域到更高級(jí)的特性和配置。 晶體管開關(guān)對(duì)于低直流開/關(guān)開關(guān)的電子設(shè)備至關(guān)重要，其中晶體管在其截止或飽和狀態(tài)下工作。一些電子設(shè)備（如 LED
2023-02-20 16:35:09
IGBT是由哪些部分組成的？絕緣柵雙極型晶體管IGBT有哪些特點(diǎn)？如何去使用絕緣柵雙極型晶體管IGBT呢？
2021-11-02 06:01:06
如何去判別晶體管材料與極性？如何去檢測(cè)晶體管的性能？怎樣去檢測(cè)特殊晶體管？
2021-05-13 07:23:57
什么是微波功率晶體管？如何提高微波功率晶體管可靠性？
2021-04-06 09:46:57
為了改善晶體管的開關(guān)特性，減小晶體管的損耗，在晶體管基極驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)上會(huì)采取一些加速措施。如下： 加速電路一 在加速電路一中，并聯(lián)在RB兩端的電容CB稱為加速電容，數(shù)值一般在1nf
2020-11-26 17:28:49
來至網(wǎng)友的提問：如何選擇分立晶體管？
2023-11-24 08:16:54
晶體管依照用途大致分為高頻與低頻，它們?cè)谛吞?hào)上的大致區(qū)別是什么？例如《晶體管電路設(shè)計(jì)》中列舉的：高頻（2SA****，2SC*****）、低頻（2SB****，2SD****）?，F(xiàn)在產(chǎn)品設(shè)計(jì)中最常用的型號(hào)是哪些？
2017-10-11 23:53:40
什么是電信號(hào)？常見的晶體管的電路符號(hào)有哪幾種？
2021-10-29 07:04:27
bandgap中晶體管的熱噪聲比較大，通過什么手段能解決？
2021-06-24 07:29:25
選定方法①使TR達(dá)到飽和的IC/IB的比率是IC/IB=20/1②輸入電阻：R1是±30% E-B間的電阻：R2/R1=±20%③VBE是0.55~0.75V數(shù)字晶體管具有下面的關(guān)系式?！鰯?shù)字晶體管
2019-04-22 05:39:52
選定方法數(shù)字晶體管的型號(hào)說明IO和IC的區(qū)別GI和hFE的區(qū)別VI(on)和VI(off)的區(qū)別關(guān)于數(shù)字晶體管的溫度特性關(guān)于輸出電壓 - 輸出電流特性的低電流領(lǐng)域（數(shù)字晶體管的情況）關(guān)于數(shù)字晶體管
2019-04-09 21:49:36
晶體管可以讓工程師開發(fā)出速度更快、集成度和效率更高的集成電路，進(jìn)而設(shè)計(jì)出更輕薄的筆記本電腦，散發(fā)的熱量遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于現(xiàn)在的水平。這些晶體管包含很多由砷化銦鎵做成的納米管，并沒有采用傳統(tǒng)的材料硅。生產(chǎn)工藝采用
2011-12-08 00:01:44
突破現(xiàn)有的邏輯門電路設(shè)計(jì)，讓電子能持續(xù)在各個(gè)邏輯門之間穿梭。此前，英特爾等芯片巨頭表示它們將尋找能替代硅的新原料來制作7nm晶體管，現(xiàn)在勞倫斯伯克利國家實(shí)驗(yàn)室走在了前面，它們的1nm晶體管由納米碳管
2016-10-08 09:25:15
有沒有關(guān)于晶體管開關(guān)的電路分享?
2021-03-11 06:23:27
晶體管的代表形狀晶體管分類圖：按照該分類，掌握其種類1. 按結(jié)構(gòu)分類根據(jù)工作原理不同分類，分為雙極晶體管和單極晶體管。雙極晶體管雙是指Bi（2個(gè)）、極是指Polar（極性）。雙極晶體管，即流經(jīng)構(gòu)成
2019-05-05 01:31:57
輸出LLC轉(zhuǎn)換器，以進(jìn)行效率和功率密度比較。初級(jí)晶體管選擇LLC具有多種優(yōu)勢(shì)，因?yàn)樗哂型耆C振行為，允許在整個(gè)范圍內(nèi)進(jìn)行軟開關(guān)導(dǎo)通，這本質(zhì)上有助于最大限度地減少功率晶體管和磁性元件的損耗。在圖2中
2023-02-27 09:37:29
Ib放大β倍，然后在集電極以Ic形式輸出。二、場(chǎng)效應(yīng)晶體管：原件要比晶體管小得多.晶體管就是一個(gè)小硅片.但是場(chǎng)效應(yīng)晶體管的結(jié)構(gòu)要比晶體管的要復(fù)雜.場(chǎng)效應(yīng)管的溝道一般是幾個(gè)納米,也就是說場(chǎng)效應(yīng)晶體管
2019-03-27 11:36:30
【摘要】：<正>美國加州大學(xué)伯克利分校和北京大學(xué)的研究人員聯(lián)合研制出世界最小的半導(dǎo)體激光器。研究人員研制了一款高增益硫化鎘納米線,然后將納米線與銀金屬相隔5 nm,激光
2010-04-24 10:11:02
回波，從而對(duì)遙遠(yuǎn)目標(biāo)進(jìn)行探測(cè)成像。在這種要求苛刻的應(yīng)用中，這些脈沖系統(tǒng)電源采用的晶體管必須具備很高的能效，并能在各種工作條件下驅(qū)動(dòng)穩(wěn)定的信號(hào)。高能效帶來低熱量輸出，而高可靠性使得可以在700瓦輸出功率下
2018-11-29 11:38:26
請(qǐng)問能幫忙分析這個(gè)電路晶體管如何be如何負(fù)偏置嗎？貌似VCC會(huì)對(duì)Vin造成直流干擾吧？在Vin和Lb間要加一個(gè)隔直電容吧？
2019-04-15 06:36:28
來至網(wǎng)友的提問：如何選擇分立晶體管？
2018-12-12 09:07:55
本帖最后由 一只耳朵怪 于 2018-6-1 09:25 編輯
請(qǐng)問各大大有無 Multisim 14 基本晶體管模型數(shù)據(jù)庫以外,更多更多晶體管模型數(shù)據(jù)庫 ,(例如日本型號(hào) 2SAxxx 2SCxxx 晶體管模型數(shù)據(jù)庫) 下載.如能幫忙非常感謝
2018-05-31 18:21:56
這個(gè)達(dá)林頓晶體管廠家是哪家
2022-05-30 16:36:56
以色列TelAviv大學(xué)的研究人員日前宣布，開發(fā)出一種稱為縮氨酸分子的氨基酸鏈，能自行組裝成微小的立方體，這些立方體可用銀填充制成納米級(jí)線。這些研究人員稱這是首次合成分離均勻的納米線，可最終促成銀
2018-12-03 10:47:43
斯坦福大學(xué)發(fā)布了首款由碳納米晶體管組成的電腦芯片。硅晶體管早晚會(huì)走到道路的盡頭。晶體管越做越小，以至于它不能夠容納下足夠的硅原子來展示硅的特性。
2013-02-28 09:34:491953 IBM宣布在晶體管的制造上獲得了巨大的突破，運(yùn)用最新工藝研制出了300億個(gè)5納米晶體管。和10nm芯片對(duì)比同等效率下，5納米芯片可以節(jié)省74%電能。
2017-12-27 12:39:19995 該技術(shù)首次實(shí)現(xiàn)了“無漏電流”GaN橋接納米線，研制出的GaN納米線氣體傳感器將推動(dòng)傳感芯片的發(fā)展。
2019-06-03 14:35:553806 過時(shí)。IBM?在 2021?年就證明了這一點(diǎn)，其突破性的 2?納米芯片技術(shù)顛覆了市場(chǎng)。這個(gè)新的制造時(shí)代得益于減少芯片納米的競(jìng)賽。? 今天，晶體管的標(biāo)準(zhǔn)長(zhǎng)度是10納米，而且隨著最新研究，頂級(jí)公司已經(jīng)生產(chǎn)了5納米或7納米的芯片。從歷史
2022-01-07 10:12:35436 5納米是指芯片的特征尺寸，特征尺寸越小，制造出來mos管就更小，成本也就更低。5納米芯片意味著芯片更小，在單位面積內(nèi)晶體管更為密切，功耗也更低。
2022-06-29 16:59:1441808 在芯片設(shè)計(jì)和制造中，納米表示的是芯片中晶體管與晶體管之間的距離，在體積相同大小的情況下，7納米工藝的芯片容納的晶體管的數(shù)量，幾乎是14納米工藝芯片的2倍。
2022-07-06 16:35:55123297 納米線是一種很長(zhǎng)很細(xì)的納米材料。在技術(shù)術(shù)語中，這意味著它們具有高縱橫比。考慮到這是一個(gè)與傳統(tǒng)電線相似的幾何形狀，它們?cè)陔娮雍?b class="flag-6" style="color: red">納米電子設(shè)備中具有很大的潛力。
2022-12-19 10:56:443454 碳化硅納米線，SiC納米線（SiC nanowires），SiC短纖維（SiC fiber），SiC晶須（SiC whiskers）的主要應(yīng)用方向，檢測(cè)XRD圖譜SiC納米線是一種徑向上尺寸低于
2023-02-20 15:52:54
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