看臺積電、三星7納米截然不同的觀點(diǎn)

在近日于美國舉行的年度國際固態(tài)電路會議（ISSCC）上，三星（Samsung）與臺積電（TSMC）針對7奈米制程技術(shù)，分別提供了截然不同的觀點(diǎn)；兩家公司都是介紹SRAM技術(shù)進(jìn)展，而該技術(shù)通常都是新一代節(jié)點(diǎn)的關(guān)鍵推手。

臺積電的論文描述了一款測試晶片，能做為商用元件而且號稱擁有“健康的”良率；三星的論文則是敘述利用極紫外光（EUV）微影修復(fù)顯然是研發(fā)元件的經(jīng)驗(yàn)，并透露7奈米制程可能還需要等待幾年的時(shí)間。兩家公司都想要成為提供先進(jìn)制程晶圓代工服務(wù)的領(lǐng)導(dǎo)廠商，不過他們對于7奈米制程的策略卻大不相同。

臺積電顯然是拿到了大部分的蘋果（Apple） iPhone處理器SoC生意，這需要每年在制程技術(shù)上有一些進(jìn)展；因此臺積電已經(jīng)開始為iPhone 7量產(chǎn)10奈米晶片，并得在明年為iPhone 8量產(chǎn)7奈米晶片。而沒了蘋果生意的三星，則可以在某種程度上的“名詞游戲”中喘口氣；因此該公司會稍微延后7奈米的量產(chǎn)時(shí)程，但以某種形式展現(xiàn)領(lǐng)導(dǎo)地位──就是EUV。

與英特爾（Intel）在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域各顯身手、激烈競爭的兩家公司都有了一些令人贊賞的進(jìn)展，不過相關(guān)技術(shù)細(xì)節(jié)非常稀少；臺積電在ISSCC敘述了一款256Mbit的7奈米制程SRAM測試晶片，儲存單元區(qū)域達(dá)到0.027mm見方，如該公司記憶體部門總監(jiān)Jonathan Chang在簡報(bào)中所言：“是今年試產(chǎn)出的最小SRAM?！?/p>

臺積電的商用SRAM將于今年進(jìn)行試產(chǎn)

（來源：ISSCC）

而產(chǎn)生的SRAM宏單元（macro）會是臺積電的16奈米制程版本之0.34倍，采用了7層金屬層，整體裸晶尺寸則是42mm見方；Chang的簡報(bào)中，關(guān)鍵內(nèi)容是這顆SRAM幾乎已經(jīng)“全熟”，他表示：“我們現(xiàn)在已經(jīng)能以非常非常健康的良率生產(chǎn)…與我們的設(shè)計(jì)目標(biāo)相符?！?/p>

三星的EUV進(jìn)展

三星的進(jìn)展則更偏向研究，開發(fā)的部分比較少；該公司打造了8 Mbit測試SRAM，只能看到未來商用7奈米制程的一小部分。

三星提供了其7奈米SRAM （上）會比10奈米SRAM （下）小30%的概念影像

（來源：ISSCC）

該晶片就其本身而言并不是以EUV微影制作，三星開發(fā)了一種創(chuàng)新的維修（repair）制程，在現(xiàn)有的步進(jìn)機(jī)以及EUV設(shè)備上都測試過，而并不令人驚訝的，EUV的效果比較好；一般來說維修并不是制程，因此這項(xiàng)成果對于三星正在進(jìn)行的7奈米制程EUV微影技術(shù)開發(fā)情況，能透露的不多。

產(chǎn)業(yè)專家們大多認(rèn)為，EUV將能在2020年左右準(zhǔn)備好應(yīng)用于某些關(guān)鍵層的制造；三星在去年底表示，將在7奈米制程采用EUV微影，但并沒有透露其應(yīng)用的局限程度。

三星是否會在所謂的7奈米制程落后臺積電一年、兩年甚至三年？結(jié)果仍有待觀察。

三星可以在任何時(shí)候決定并根據(jù)現(xiàn)實(shí)情況定義其EUV使用策略，而或許該公司屆時(shí)也會在行銷語言上說他們家的7奈米制程更先進(jìn)，因?yàn)橛昧薊UV。

編譯：Judith Cheng

（參考原文： TSMC， Samsung Diverge at 7nm，by Rick Merritt）

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