瑞薩電子宣布開發(fā)出了導(dǎo)通電阻僅為150mΩ（柵源間電壓為10V時的標(biāo)稱值）的600V耐壓超結(jié)（SJ：Super Junction）型功率MOSFET“RJL60S5系列”，將從2012年9月開始樣品供貨。超結(jié)是可在不犧牲耐壓
2012-06-26 11:01:02
1252 國際整流器公司(International Rectifier，簡稱IR)推出600V絕緣柵雙極晶體管(IGBT)系列，適合在10kHz以下工作的電機(jī)驅(qū)動應(yīng)用，包括冰箱和空調(diào)的壓縮機(jī)。
2012-09-05 11:09:19999 Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，其E系列600V功率MOSFET新增采用8種封裝的17款新器件
2012-10-22 13:45:241159 前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出新款通過AEC-Q101認(rèn)證并具有ESD保護(hù)的600V標(biāo)準(zhǔn)整流器---SE20AFJ和SE30AFJ。對于空間有限的應(yīng)用，新器件可提供2A和3A的正向電流和高
2012-11-22 09:11:461052 Vishay具有業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻的新款12V和20V 的N溝道和P溝道TrenchFET?功率MOSFET。采用業(yè)內(nèi)最小0.8mm x 0.8mm x 0.4mm MICRO FOOT?封裝的CSP規(guī)格尺寸
2012-11-29 16:37:311694 Vishay推出新款通過AEC-Q101認(rèn)證的40V N溝道TrenchFET功率MOSFET---SQM200N04-1m1L。
2012-12-07 14:08:381449 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出采用小尺寸PowerPAK? 8x8封裝的600V E系列功率
2015-10-12 13:58:282340 近日，德州儀器 （TI） 推出了業(yè)內(nèi)速度最快的半橋柵極驅(qū)動器。這款用于分立式功率MOSFET和絕緣柵雙極晶體管 （IGBT） 的柵極驅(qū)動器的工作電壓可達(dá)到600V。
2015-10-16 16:32:111115 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出新系列600V和650V n溝道功率MOSFET---E系列器件。新產(chǎn)品在10V下具有64mΩ～190mΩ的超低最大導(dǎo)通電阻，以及22A～47A的額定電流范圍
2011-10-13 09:09:311170 Vishay提供豐富的MOSFET技術(shù)支持各級功率轉(zhuǎn)換，涵蓋高壓輸入到低壓輸出的各種最新高科技系統(tǒng)。
2020-12-24 15:08:34802 Vishay 宣布，推出最新第四代600 V E系列功率MOSFET器件---SiHK045N60E。Vishay Siliconix n 溝道SiHK045N60E導(dǎo)通電阻比前一代600
2022-02-21 11:18:05934 
Limited?（AOS,?納斯達(dá)克代碼:AOSL)推出 600V aMOS7? 超結(jié)高壓MOSFET。 aMOS7? 是 AOS最新一代高壓 MOSFET平臺，旨在滿足服務(wù)器、工作站、通信電源整流器
2023-05-11 13:52:15666 
中國上海， 2023 年 6 月 13 日 ——東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出采用最新一代工藝制造[1]的TK055U60Z1，進(jìn)一步擴(kuò)充了N溝道功率MOSFET系列
2023-06-13 16:38:50712 
SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明，
高性能適配器等。
2023-09-15 06:19:23
各位大師 請教個問題本人有臺開關(guān)電源600V/3A。整流后經(jīng)四個大容，四個場效應(yīng)管組成的對管，后經(jīng)變壓器，再經(jīng)整流。開電沒問題。只要工作就燒開關(guān)管，大功率場效應(yīng)管，兩個對管。問問是怎么回事，會是哪里造成的。
2013-10-11 00:34:27
最近在做一個項目，直流輸出有600V，輸出與控制板完全隔離，現(xiàn)在我想通過電阻分壓的方式對其進(jìn)行采樣。分別對輸出+和輸出-作分壓采樣。但是因為輸出地相對板子地是懸浮的，所以分壓電路設(shè)計上難把握。請問板上大聲有沒有有經(jīng)驗的或有想法的不吝賜教。另外問一下有沒有用過隔離式直流電壓采樣器件的嗎
2015-09-29 16:25:27
極快反向恢復(fù)速度的600V-1200V碳化硅肖特基二極管芯片及成品器件 。海飛樂技術(shù)600V碳化硅二極管現(xiàn)貨選型相比于Si半導(dǎo)體材料，SiC半導(dǎo)體材料具有禁帶寬度較大、臨界電場較大、熱導(dǎo)率較高的特點，SiC
2019-10-24 14:25:15
`Vishay SMBJxxD系列TVS采用小巧的封裝并具有±3.5％容差，且可以單向使用。 SMBJxxD具有600W峰值脈沖功率能力，波形為10 /1000μs，重復(fù)率（占空比）：0.01
2019-09-07 11:48:12
`Vishay SQ2361MOSFET 符合 AEC-Q101 標(biāo)準(zhǔn)并經(jīng) 100% Rg 和 UIS 測試。SQ2361 汽車用 P 溝道 60V 功率 MOSFET 的 ESD 保護(hù)典型值達(dá)
2019-07-09 17:30:39
部分的快速電壓瞬變干擾。Vishay推出的 VO3120是光隔離IGBT/MOSFET驅(qū)動器，驅(qū)動能力達(dá)1200V /50A，傳播延遲小于400ns，1500V電壓下抗共摸干擾 (CMTI)為25kV
2010-09-08 15:49:48
ARK推出新一代250V MOS器件 近日，成都方舟微電子有限公司(ARK Microelectronics, Co., Ltd.，簡稱ARK)推出新一代250V MOSFET系列產(chǎn)品，包括N型
2011-04-19 15:01:29
員所需要的。飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor簡稱FAI)推出的FDMC8010 30V Power 33 MOSFET（尺寸3.3mm x 3.3mm 外形PQFN）此款
2012-04-28 10:21:32
`IR推出一系列新型HEXFET?功率MOSFET,其中包括能夠提供業(yè)界最低導(dǎo)通電阻(RDS(on))的IRFH6200TRPbF。<br/>【關(guān)鍵詞】：功率損耗,導(dǎo)通電
2010-05-06 08:55:20
獨立高側(cè)和低側(cè)參考輸出通道。該輸出驅(qū)動器有一個高脈沖電流緩沖級，適用于最小的驅(qū)動器跨導(dǎo)，同時浮動通道可以用來驅(qū)動工作在高達(dá)600V高側(cè)配置的N溝道功率MOSFET或 IGBT。這些器件可為兩種通道提供
2008-11-13 20:40:15
。高邊連接的MOSFET或IGBT的工作電壓可高達(dá)+600V，IRS26302D廣泛用于通用逆變器和空調(diào)器逆變器以及馬達(dá)控制。它為44腳PLCC封裝工藝。一、IRS26302DJBPF外觀圖
2021-05-18 07:25:34
IRS26302D：保護(hù)式600V三相柵極驅(qū)動器
2016-06-21 18:26:25
RF 功率 MOSFET的最大應(yīng)用是無線通訊中的RF功率放大器。直到上世紀(jì)90年代中期，RF功率MOSFET還都是使用硅雙極型晶體管或GaAs MOSFET。到90年代后期，的出現(xiàn)改變了這一
2019-07-08 08:28:02
具有高脈沖電流緩沖級的設(shè)計最小驅(qū)動器交叉?zhèn)鲗?dǎo)。漂浮的通道可用于驅(qū)動N通道電源高壓側(cè)配置的MOSFET或IGBT工作電壓高達(dá)600V。特性：欠壓鎖定，電壓高達(dá)600V耐負(fù)瞬態(tài)電壓，dV/dt柵極驅(qū)動電源
2021-05-11 19:40:19
，SiC-MOSFET能夠在IGBT不能工作的高頻條件下驅(qū)動，從而也可以實現(xiàn)無源器件的小型化。與600V~900V的Si-MOSFET相比，SiC-MOSFET的優(yōu)勢在于芯片面積?。蓪崿F(xiàn)小型封裝），而且體
2019-05-07 06:21:55
NXP(恩智浦半導(dǎo)體)推出的UBA2025功率IC，適用于5～25w的節(jié)能緊湊型熒光燈(CFL)電子鎮(zhèn)流器。UBA2025芯片集成了電流控制振蕩器(CCO)、控制電路和半橋驅(qū)動器及兩個600V、≤3
2021-04-27 06:06:01
各位大大，最近在做雙向逆變，想問一下用2變比的高頻變壓器，高壓側(cè)600V降壓到300v，升壓的時候可以從300V升壓超過600V嗎，有人說高頻變壓器可以升壓超過原來高壓側(cè)輸入的電壓，請問有懂這個的能說一下能實現(xiàn)升壓超過2變比的嗎
2018-03-17 15:26:54
＜概要＞全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都）推出600V耐壓超級結(jié) MOSFET“PrestoMOS”系列產(chǎn)品，在保持極快反向恢復(fù)時間（trr※1））的同時，提高設(shè)計靈活度，非常適用于
2020-03-12 10:08:31
＜概要＞全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都）推出600V耐壓超級結(jié) MOSFET“PrestoMOS”系列產(chǎn)品，在保持極快反向恢復(fù)時間（trr※1））的同時，提高設(shè)計靈活度，非常適用于
2020-03-12 10:08:47
)=4A; ITSM = 25A ; 耐壓:VDRM =600V;BT136 600E 如果電流只有4A，這遠(yuǎn)比 BTA08-600C 的電流8A小多了，豈不是不能代換？感謝各位老師的指點！
2015-05-20 07:27:22
損耗。最新的模塊中采用第3代SiC-MOSFET，損耗更低。采用第3代SiC-MOSFET，損耗更低組成全SiC功率模塊的SiC-MOSFET在不斷更新?lián)Q代，現(xiàn)已推出新一代產(chǎn)品的定位–采用溝槽結(jié)構(gòu)的第3代產(chǎn)品
2018-12-04 10:11:50
國際整流器公司推出一系列新一代500V及600V高壓集成電路（HVIC）。這19款新型HVIC采用半橋設(shè)計，配有高端和低端驅(qū)動器，可廣泛適用于包括馬達(dá)控制、照明、開關(guān)電源、音頻和平板顯示器等
2018-08-31 11:23:15
問下雙向可控硅的最大功率怎么看？ 比如BT134-600 的最大電壓是600V 電流是4A，那最大功率是600*4=2400W咯？
2019-07-05 16:28:57
加深理解，最好還是參閱技術(shù)規(guī)格的標(biāo)準(zhǔn)值和特性圖表?！緲?biāo)準(zhǔn)SJ MOSFET：AN系列】R50xxANx（500V）R52xxANx系列（520V）R60xxANx系列（600V）R80xxANx系列
2018-12-03 14:27:05
Vishay Intertechnology 控股的Siliconix 公司日前宣布推出采用反向?qū)б齌O-252 DPAK 封裝的新型TrenchFET 功率MOSFET 系列產(chǎn)品。憑借反向成型的接腳，采取「SUR」封裝的TrenchFET 能使該產(chǎn)品反向
2010-09-05 10:26:59
64 Vishay推出第三代TrenchFET功率MOSFET，采用TurboFET技術(shù)
日前，Vishay Intertechnology推出兩款 20V 和兩款 30V n 通道器件，從而擴(kuò)展其第三代 TrenchFET 功率MOSFET 系列。這些器件首次采用 T
2008-12-08 11:55:09635 
日前，Vishay Intertechnology宣布推出業(yè)界首款采用 MICRO FOOT 芯片級封裝的 TrenchFET 功率 MOSFET --- Si8422DB，該器件具有背面絕緣的特點。
Si8422DB 針對手機(jī)、PDA、數(shù)碼相機(jī)、MP3 播放器
2009-01-26 23:24:221152 英飛凌欲借新一代超結(jié)MOSFET樹立硬開關(guān)應(yīng)用基準(zhǔn)
英飛凌日前在深圳宣布推出下一代600V MOSFET產(chǎn)品―― CoolMOS C6系列。600V C6系列融合了C3和CP兩個產(chǎn)品系列的優(yōu)勢，可降低設(shè)
2009-06-23 21:17:44594 Qspeed推出超高效率600V H系列整流器
益登科技（EDOM Technology）代理的Qspeed半導(dǎo)體今日宣布推出H系列組件，協(xié)助電源廠商以更低成本克服高性能系統(tǒng)的各種挑戰(zhàn)，同時也提
2009-11-11 10:49:22774 Vishay Siliconix推出業(yè)界性能最先進(jìn)的P溝道功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出新款20V P溝道功率MOSFET --- SiA433EDJ。器件采用緊湊的2mm x 2mm占位面積的熱增強(qiáng)Pow
2009-11-23 17:10:23651 Vishay Siliconix推出業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻功率MOSFET
Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出新款20V P溝道功率MOSFET --- SiA433EDJ。器件采用緊湊的2mm x 2mm占位
2009-11-25 09:51:011089 Vishay推出的P溝道功率MOSFET SiA433EDJ
日前，VishayIntertechnology,Inc.宣布，推出新款20VP溝道功率MOSFET——SiA433EDJ。器件采用緊湊的2mm×2mm占位面積的熱增強(qiáng)PowerPAKSC-70封裝，具
2009-11-25 17:56:52712 小信號應(yīng)用60V功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出采用SOT-923封裝的60V N溝道功率MOSFET --- SiM400。該器件為業(yè)界最小的60V功率MOSFET，比SC-70和SC-90等封裝能節(jié)約更多
2009-12-31 09:59:441421 超高效率600V H系列整流器擴(kuò)展硅二極管性能
為協(xié)助電源廠商以更低成本克服高性能系統(tǒng)的各種挑戰(zhàn)， Qspeed半導(dǎo)體公司推出H系列組件Qspeed新款600V功率因數(shù)校正器（PFC
2009-12-31 10:03:11953 600V MOSFET繼續(xù)擴(kuò)展Super Junction FET技術(shù)
日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出4款新的600V MOSFET
2010-01-26 16:26:181090 Vishay推出4款MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出4款新的600V FET">MOSFET --- SiHP22N60S
2010-01-27 09:31:291279 500V和600V的高壓MOSFET
安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)擴(kuò)充公司市場領(lǐng)先的功率開關(guān)產(chǎn)品陣容，推出包括500伏特(V)和600 V器件的高壓功率金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFE
2010-02-23 16:15:341664 IR推出一系列新型HEXFET功率MOSFET
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出一系列新型HEXFET® 功率MOSFET，其中包括能夠提供業(yè)界最低導(dǎo)通電阻 (RDS(on)) 的IRFH620
2010-03-12 10:28:391444 IR推出汽車驅(qū)動應(yīng)用的AUIRS2301S 600V IC
國際整流器公司(IR)推出 AUIRS2301S 600V IC，適用于汽車電機(jī)驅(qū)動、微型逆變器驅(qū)動和通用三相逆變器應(yīng)用。AUIRS2301S
2010-03-25 11:36:411350 
Toshiba推出高性能功率MOSFET TK系列
Toshiba推出新系列的功率MOSFET，這些功率MOSFET改善效率和具有快速開關(guān)速度，應(yīng)用工作電壓高達(dá)650V, 電流20A。新的TK系列器件適合用于各
2010-03-30 10:37:181447 Vishay推出500V N溝道功率MOSFET：SiHF8N50L-E3
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款500V N溝道功率MOSFET——SiHF8N50L-E3。與前一代器件相比，該器件的
2010-04-07 10:52:52777 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款600V、47A N溝道功率MOSFET --- SiHG47N60S，該MOSFET在10V柵極驅(qū)動下具有0.07Ω的
2010-11-09 08:59:571559 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出首款采用PowerPAIR 6mmx3.7mm封裝和TrenchFET Gen III技術(shù)的非對稱雙通道TrenchFET功率MOSFET ---
2010-11-25 08:43:23923 日前，Vishay 推出新的PHP系列精密高功率薄膜貼片電阻。這些器件具有低至±25ppm/℃的絕對TCR，低至±0.1%的容差
2011-02-14 09:12:021158 8S2TH06I-M是Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）推出的600V FRED PtTM Hyperfast串級整流器。
2011-04-01 09:36:43783 Vishay Intertechnology宣布，發(fā)布34款采用6種功率封裝的新型600 V FRED Pt? Hyperfast和Ultrafast整流器
2011-07-01 09:07:121028 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出18款采用TO-252AA (D-PAK)功率塑料SMD封裝、正向電流為4A～15A的200V和600V的FRED Pt Hyperfast和Ultrafast整流器
2011-09-09 09:13:333410 羅姆開發(fā)了采用SiC功率元件的功率模塊，額定電壓和電流分別為600V和1000A。該產(chǎn)品是與美國Arkansas Power Electronics International公司共同開發(fā)的。之所以能承受1000A的大電流，是因為采用了溝
2011-10-12 09:48:461281 全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 近日新推出600V車用IGBT系列，專門針對電動汽車和混合動力汽車中的變速電機(jī)控制和電源應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化
2011-10-13 09:03:46847 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出業(yè)內(nèi)采用最小的0.8mm x 0.8mm芯片級封裝的N溝道和P溝道功率
2011-10-21 08:53:05873 賓夕法尼亞、MALVERN — 2012 年 5 月3 日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出其下一代D系列高壓功率MOSFET的首款器件。新的400V、500V和600V n溝道器件具有低導(dǎo)通
2012-05-03 17:29:421434 美國Transphorm公司發(fā)布了耐壓為600V的GaN類功率元件。該公司是以美國加州大學(xué)圣塔巴巴拉分校（UCSB）的GaN元器件研究人員為核心創(chuàng)建的風(fēng)險企業(yè)，因美國谷歌向其出資而備受功率半導(dǎo)體
2012-05-18 11:43:441931 瑞薩電子宣布開發(fā)出了導(dǎo)通電阻僅為150m（柵源間電壓為10V時的標(biāo)稱值）的600V耐壓超結(jié)（SJ：Super Junction）型功率MOSFETRJL60S5系列，將從2012年9月開始樣品供貨。超結(jié)是可在不犧牲耐壓的情
2012-06-26 11:03:40794 Vishay 推出新款8V和20V N溝道和P溝道TrenchFET?功率MOSFET---Si8424CDB、Si8425DB。
2013-01-15 09:05:541383 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出采用PowerPAK? 1212-8封裝的-40V---SiS443DN和PowerPAK
2013-07-15 11:32:40783 日前，Vishay宣布，推出具有業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻的新款P溝道MOSFET---Si7157DP，擴(kuò)充其TrenchFET? P溝道Gen III功率MOSFET。Vishay Siliconix
2014-01-22 10:33:221381 全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商——國際整流器公司 （International Rectifier，簡稱IR） 宣布擴(kuò)充節(jié)能的600V絕緣柵雙極晶體管 （IGBT） 系列，并提供多種封裝選擇。
2014-05-14 13:58:421271 全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國際整流器公司 （International Rectifier，簡稱IR） 推出高性能600V超高速溝道場截止絕緣柵雙極晶體管 （IGBT） IR66xx系列。堅固可靠的新系列器件提供極低的導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗，旨在為焊接應(yīng)用做出優(yōu)化。
2014-08-19 16:31:532356 里首款MOSFET--- SiHx25N50E，該器件具有與該公司600V和650V E系列器件相同的低導(dǎo)通電阻和低開關(guān)損耗優(yōu)點。
2014-10-09 12:59:191468 
Diodes公司 （Diodes Incorporated） 新推出的DGD21xx系列包括六款半橋柵極驅(qū)動器及六款高/低側(cè)600V柵極驅(qū)動器，可在半橋或全橋配置下輕易開關(guān)功率MOSFET與IGBT。
2016-03-14 18:13:231403 描述bp6901a / bp6908a是一種高電壓，高速半橋預(yù)潛水員對功率MOSFET和IGBT。它具有高側(cè)和低側(cè)的輸入，以及具有內(nèi)部死區(qū)時間的兩個輸出通道，以避免交叉?zhèn)鲗?dǎo)。輸入邏輯水平與3.3v/5v/15v信號兼容。浮高側(cè)通道可驅(qū)動N溝道功率MOSFET或IGBT 600V。
2017-11-23 14:13:3756 近日，Vishay Intertechnology， Inc.宣布，新推出電流達(dá)1A的集成式功率光敏可控硅---VO2223B，可直接驅(qū)動中功率的交流負(fù)載。Vishay Semiconductors VO2223B的dv／dt性能達(dá)到600V／μs，具有很高的穩(wěn)定性和噪聲隔離功能，可用于家用電器和工業(yè)設(shè)備。
2018-05-03 17:19:001101 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，新推出電流達(dá)1A的集成式功率光敏可控硅---VO2223B，可直接驅(qū)動中功率的交流負(fù)載。Vishay Semiconductors
2018-02-14 22:15:003348 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出最新第四代600 V EF系列快速體二極管MOSFET 器件---SiHH070N60EF。
2020-12-23 14:24:541692 新型 30 V n 溝道 TrenchFET?第五代功率 MOSFET，提升隔離和非隔離拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)功率密度和能效。 Vishay Siliconix?SiSS52DN?采用熱增強(qiáng)型 3.3 mm
2021-05-28 17:25:572153 Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出兩款n溝道TrenchFET? MOSFET---60 V SiJH600E和80 V SiJH800E，以提高通信和工業(yè)應(yīng)用功率密度、能效和板級可靠性。
2022-02-07 15:37:08916 
Vishay 推出最新第四代 600 V E 系列功率 MOSFET 器件。Vishay Siliconix n 溝道 SiHK045N60E 導(dǎo)通電阻比前一代 600 V E 系列 MOSFET
2022-02-26 13:25:351341 Vishay Intertechnology， Inc.（紐約證券交易所代碼：VSH）??推出了其第四代 600 VE 系列功率 MOSFET 中的最新器件。
2022-03-28 11:54:142011 Vishay 推出 Vishay BCcomponents193 PUR-SI Solar新系列卡扣式功率鋁電容器，額定電壓和類別電壓分別提升至 570V 和 475V。 器件面向太陽能
2022-08-19 09:32:27720 Vishay 推出四款新型 TO-244 封裝第 5 代 FRED Pt 600V Ultrafast 整流器。 Vishay Semiconductors 整流器新款 240A、300A、480A 和 600A 具有出色導(dǎo)通和開關(guān)損耗特性，能有效提高中頻功率轉(zhuǎn)換器以及軟硬開關(guān)或諧振電路的效率。
2022-08-25 17:33:11944 Vishay 推出 15 款采用 SOT-227 小型封裝的新型 FRED Pt 第五代 600V 和 1200V Hyperfast 和 Ultrafast 恢復(fù)整流器。
2022-09-16 10:52:20734 （NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出采用薄型PowerPAK? 10 x 12封裝的新型第四代600 V EF系列快速體二極管MOSFET---SiHK045N60EF。Vishay
2022-10-12 15:44:14375 
Vishay 推出四款采用 TO-220 FullPAK 2L 全隔離封裝的新型 FRED Pt 第五代 600V Hyperfast 恢復(fù)整流器。
2022-10-14 16:11:241100 Vishay Siliconix n 溝道 SiHK045N60EF 導(dǎo)通電阻比前代器件降低 29 %，為通信、工業(yè)和計算應(yīng)用提供高效、高功率密度解決方案，同時柵極電荷下降 60 %，從而使器件導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積，即功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中 600V MOSFET 的重要優(yōu)值系數(shù)（FOM）創(chuàng)業(yè)界新低。
2022-10-14 16:16:12817 600V SPM? 2 系列熱性能（通過安裝扭矩）
2022-11-15 20:04:030 關(guān)鍵詞 兼具業(yè)內(nèi)優(yōu)異的降噪和低損耗特性 600V耐壓IGBT IPM/li> 各種變頻器的功率轉(zhuǎn)換用 BM6337x系列 無需自舉二極管和限流電阻 當(dāng)保護(hù)電路被激活時，警報輸出（...
2023-02-08 13:43:21561 
600V耐壓IGBT IPM：BM6337x系列?關(guān)鍵詞 兼具業(yè)內(nèi)優(yōu)異的降噪和低損耗特性 600V耐壓IGBT IPM 各種變頻器的功率轉(zhuǎn)換用 BM6337x系列 優(yōu)化內(nèi)置...
2023-02-08 13:43:21869 優(yōu)越的電氣參數(shù)，呈現(xiàn)出最佳效能 強(qiáng)茂新推4顆封裝于TO-252AA的600V功率FREDs，以拓展LowVF系列和LowTrr的產(chǎn)品線；此功率FRED的LowVF系列適用于DCMPCF電路
2023-03-06 11:56:27180 了 “R60xxVNx系列” （含7款機(jī)型）。 此外，高速開關(guān)型600V耐壓Super Junction MOSFET產(chǎn)品陣容中也新增了導(dǎo)通電阻更低的 “R60xxYNx系列” （含2款機(jī)型
2023-07-12 12:10:08437 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《600V三相MOSFET/IGBT驅(qū)動器.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-09-25 11:27:500 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出兩款600V小型智能功率器件（IPD）—“TPD4163K”和“TPD4164K”，可用于空調(diào)、空氣凈化器和泵等直流無刷電機(jī)驅(qū)動應(yīng)用。
2023-10-27 11:05:54657 
Vishay 推出多功能新型 30 V N 溝道 TrenchFET 第五代功率 MOSFET，進(jìn)一步提高工業(yè)、計算機(jī)、消費(fèi)電子和通信應(yīng)用的功率密度，增強(qiáng)熱性能。
2024-02-22 17:11:08355 
全球知名半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商Vishay日前宣布推出其最新型的多功能30V N溝道TrenchFET?第五代功率MOSFET——Vishay Siliconix SiSD5300DN。這款新型功率
2024-03-12 10:38:14104
電子發(fā)燒友App
工商網(wǎng)監(jiān)
評論