高通基頻芯片領導地位遭英特爾、三星挑戰(zhàn)

根據國外媒體TheStreet報導，在幾乎壟斷 4G LTE 與 3G EV-DO 基頻芯片市場的大廠高通（Qualcomm），過去所采用的 IP 授權手段，以限制其他競爭對手介入市場的手法，目前已開始遭到包括蘋果（Apple）等廠商的反彈后，這也使得競爭對手包括英特爾與三星，陸續(xù)推出新的芯片。這對近來面臨訴訟困境的高通而言，又可能要造成更大的沖擊。

報導指出，英特爾日前宣布推出名為 XMM 7560 的 2G / 3G / 4G 基頻芯片，可支持最大 1Gbps 下載與 225 Mbps上傳速度。XMM 7560 采用英特爾 14 納米制程，比起前一代采 28 納米制程的 XMM 7480，以及部分 iPhone 7 / 7 Plus 所使用的 XMM 7360 更加先進。除了最大下載速度外，在XMM 7560 的多重載波聚合性能上也有大幅的提升。

XMM 7560 是第一個可支持 3G EV-DO 網絡的英特爾基頻芯片。目前，包括 Verizon、Sprint、中國電信等多家電信廠商都仍在使用 3G EV-DO 網絡。由此看來，XMM7560 很有機會協助英特爾，從高通手中搶下更多蘋果 iPhone 智能手機市場。

市場分析機構 Susquehanna 預測，如果蘋果降低對高通芯片的依賴，進而全面采用英特爾芯片，那么高通將可能損失 10 到 14 億美元的年營收。而基頻芯片平均價格較低的英特爾，則有機會取得 800 萬至 1 1億美元的年營收成長。

另外，三星即將推出的 Exynos 8895 行動芯片，內建 8 核心，并支持 1Gbps 的最大下載速度。由于 Exynos 889 5與高通旗艦行動芯片 Snapdragon 835 一樣，都采用三星的 10 納米制程，使得 Exynos 8895 的多重載波聚合效能，也比前一代 Exynos 8890 有所提升。

根據市場消息，包括 Snapdragon 835 與 Exynos 8895 都預計將使用于三星 Galaxy S8 旗艦型智能手機上。因此，高通在 Snapdragon 835 的代工上之所以選擇三星，而非以往由臺積電來代為生產，就可能是因為與三星協商后，希望能搭上三星的 Galaxy S8 旗艦型智能手機的結果。然而，三星在 Exynos 8895 的 4G 資料技術進步，也對高通造成了不小的威脅。這使得三星最終可能會減少高通芯片的使用，或以此做為議價的籌碼。

至于，高通本身所最新發(fā)布的 Snapdragon X20 基頻芯片，則是擁有 1.2Gbps 最大下載速度，以及 5x 多重載波聚合的效能。只是，Snapdragon X20 最快要等到 2018 年上半年才會開始出貨。因此，將沒有機會使用在 2017 年推出的蘋果或三星旗艦手機上。

事實上，高通基頻芯片部門在 2016年 第四季的出貨量，已較前 1 年少了 10%，并可能在 2017 年第一季再下跌 2% 至 13% 的比率。加上蘋果與英特爾的結盟、智能手機市場成長減緩，以及聯發(fā)科、展訊等亞洲芯片廠商的競爭，都對高通數據芯片部門造成不小壓力。

因此，除了功耗、尺寸上較 Snapdragon 820 進步外，新款 Snapdragon 835 也瞄準了無人機、VR / AR 頭盔、筆記型電腦等應用，因此，Snapdragon 835 被看好能帶動高通整體在 2017 年的發(fā)展。此外，高通還投入 470 億美元買下恩智浦半導體（NXP），介入車用電子市場的領域，此舉或許能減少高通對行動芯片業(yè)務的依賴。而英特爾打算縮減行動部門的研發(fā)預算，也給了高通稍有喘息的空間。如此，未來高通能否接其他領域的發(fā)展，繼續(xù)保持于基頻芯片市場的地位，則有待進一步觀察。