8月5日，在美國舉行的MRAM開發(fā)者日活動上，Yole Development分析師Simone Bertolazzi分享了MRAM技術(shù)和市場的最新趨勢。他指出，MRAM作為下一代非易失性存儲器的替代者市場正在迅速擴(kuò)大。到2024年，MRAM的市場規(guī)模將增加40倍。
2019-08-08 12:02:21
9526 磁阻隨機(jī)存取存儲器 (MRAM) 是一種非易失性存儲器技術(shù)，它依靠兩個鐵磁層的（相對）磁化狀態(tài)來存儲二進(jìn)制信息。多年來，出現(xiàn)了不同風(fēng)格的 MRAM 存儲器，這使得 MRAM 對緩存應(yīng)用程序和內(nèi)存計算越來越感興趣。
2022-07-26 11:08:341864 
最強(qiáng)品牌排名中，臺積電位列第一。
Brand Finance通過計算品牌價值，以及透過市場環(huán)境、股東權(quán)益、商業(yè)表現(xiàn)等諸多指標(biāo)，評估品牌的相對強(qiáng)度。最終，臺積電以品牌分?jǐn)?shù)78.9分的最高分，成為半導(dǎo)體
2023-04-27 10:09:27
端的金屬化過程增加一兩步需要光刻掩模板的工藝即可。另外因為MRAM單元可以完全制作在芯片的金屬層中，將2～3層單元疊放起來是可以實現(xiàn)的，這樣就可以在邏輯電路上方構(gòu)造規(guī)模極大的內(nèi)存陣列。這樣的可能性使
2020-11-26 16:23:24
非易失性MRAM芯片組件通常在半導(dǎo)體晶圓廠的后端工藝生產(chǎn)，下面英尚微電子介紹關(guān)于MRAM關(guān)鍵工藝步驟包括哪幾個方面.
2021-01-01 07:13:12
自旋注入MRAM在功能方面兼具了DRAM及NAND閃存等現(xiàn)有存儲器的優(yōu)點，同時在性能方面又超過了現(xiàn)有幾乎所有的存儲器，因此有可能會贏得巨大的市場(見表1)。具體在功能方面，自旋注入MRAM與閃存一樣
2022-02-11 07:23:03
自旋注入MRAM在功能方面兼具了DRAM及NAND閃存等現(xiàn)有存儲器的優(yōu)點，同時在性能方面又超過了現(xiàn)有幾乎所有的存儲器，因此有可能會贏得巨大的市場(見表1)。具體在功能方面，自旋注入MRAM與閃存一樣
2023-04-07 16:41:05
操作是通過在MTJ兩端施加非常低的電壓來完成的，從而在部件使用壽命內(nèi)支持無限的操作。圖3：MRAM讀寫周期FRAM技術(shù)FRAM或鐵電隨機(jī)存取存儲器使用1個晶體管–1個鐵電電容器（1T-1FC）架構(gòu)，該
2022-11-17 15:05:44
Everspin串口串行mram演示軟件分析
2021-01-29 06:49:31
（IoT）應(yīng)用程序的MRAM設(shè)備，而持久性，電源門控和電源管理至關(guān)重要。 MRAM在此具有一些獨特的功能。它的功能可能導(dǎo)致MRAM替換現(xiàn)有的內(nèi)存（例如sram）或一起創(chuàng)建新的用例。尋求使MRAM盡可能
2020-08-12 17:42:01
MRAM的存儲原理
2020-12-31 07:41:19
磁阻式隨機(jī)存儲器(MRAM)是一種新型存儲器,其優(yōu)點有讀取速度快和集成度高及非揮發(fā)性等。目前許多研究主要是致力于將MRAM存儲器運用于計算機(jī)存儲系統(tǒng)中。MRAM因具有許多優(yōu)點,有取代SRAM
2020-11-06 14:17:54
MRAM技術(shù)進(jìn)入汽車應(yīng)用
2021-01-11 07:26:02
臺積電0.18工藝電源電壓分別是多少？是1.8v跟3.3v嗎？
2021-06-25 06:32:37
臺積電宣布5nm基本完工開始試產(chǎn)：面積縮小45%、性能提升15%.pdf(105.52 KB)
2019-04-24 06:00:42
` 觀點：在技術(shù)領(lǐng)先的優(yōu)勢下，臺積電獲得蘋果iPhone5芯片追加訂單已成事實。然而，在iPhone 5推出后，蘋果已朝下一世代A7處理器邁進(jìn)，臺積電憑借技術(shù)領(lǐng)先的優(yōu)勢，預(yù)估未來1-2年內(nèi)
2012-09-27 16:48:11
臺積電正在大量生產(chǎn)用于蘋果iPhone8手機(jī)的10nm A11處理器。消息稱，蘋果可能在下個月初正式發(fā)布iPhone 8，但是具體發(fā)貨日期仍然不確定?！ ?jù)悉，臺積電已經(jīng)采用10nm FinFET
2017-08-17 11:05:18
老筆記本電腦內(nèi)存升級指南 說到提升系統(tǒng)性能的方法，更換新硬件無疑是最為治標(biāo)治本、一步到位，但這個辦法也有一個缺點，那就是所要耗費的資金過多，甚至不亞于重新裝一臺新機(jī)器。而筆記本電腦又不像臺式機(jī)
2011-02-23 01:04:29
的先進(jìn)技術(shù)，在節(jié)點上進(jìn)行了全包交鑰匙的300mm大批量平面內(nèi)和垂直MTJ ST-MRAM生產(chǎn)。其產(chǎn)品包裝和測試業(yè)務(wù)遍及中國，***和其他亞洲國家。 那Everspin MRAM內(nèi)存技術(shù)是如何工作
2020-08-31 13:59:46
%。西安二廠預(yù)計將生產(chǎn)13.5萬片，比之前的14.5萬片減少了約7%。業(yè)界觀察人士認(rèn)為，三星選擇砍掉部分NAND產(chǎn)能，因為當(dāng)前內(nèi)存市場形勢慘淡。
【臺積電28nm設(shè)備訂單全部取消！】
4月消息，由于
2023-05-10 10:54:09
STT-MRAM技術(shù)的優(yōu)點
2020-12-16 06:17:44
代工廠（GlobalFoundries、英特爾、三星、臺積電和聯(lián)電）中脫穎而出，成為一種非常有吸引力的IP選擇。S
2021-12-10 07:06:51
應(yīng)用處理器代工市場已是毫無敵手，可望直取英特爾SoFIA、蘋果A9大單。 臺積電今年全力沖刺20納米系統(tǒng)單芯片制程（20SoC）產(chǎn)能，由于已搶下蘋果A8處理器及高通、英特爾、NVIDIA等大單，不僅第
2014-05-07 15:30:16
個人量身打造單曲《Big Gril》重回樂壇，重返央視舞臺，與羽泉，阿朵同臺獻(xiàn)藝《非常6+1》，尋找最美麗的聲音，唱功受到了評委老師的一致肯定，現(xiàn)場更是與嘉賓羽泉，阿朵，主持人李詠有著精彩互動。阿朵老師點評有了自信，你就很美。胖也一樣可以唱歌，胖也一樣可以跳舞。與羽泉現(xiàn)場互動
2011-04-29 10:04:08
芯片PMIC 5即將問世，由于改為BCD制程，臺積電憑借先進(jìn)制程技術(shù)優(yōu)勢，可望拿下高通新一代PMIC 5訂單約70~80%數(shù)量，并牽動高通電源管理芯片代工廠大洗牌。 業(yè)界推估高通各種用途電源管理芯片的年
2017-09-22 11:11:12
據(jù)外媒報道，預(yù)計臺積電將獲得高通新一代電源管理芯片(PWM IC)70%至80%的訂單。高通前一代電源管理芯片是由中芯國際(SMIC)生產(chǎn)的，后者在其8英寸晶圓廠使用0.18至0.153微米工藝來生
2017-09-27 09:13:24
;nbsp; 很多人會回答：我想當(dāng)高級主管，進(jìn)臺積聯(lián)電賺股票。因為我崇拜張忠謀、曹興誠。以下是我就業(yè)三年以來，對***電子信息產(chǎn)業(yè)的一些看法： &
2009-08-23 11:28:40
有龐大的半導(dǎo)體需求， 是另二個發(fā)展的亮點。至于智能手機(jī)，則在短短幾個月內(nèi)就成了過氣明星，不再是臺積電的成長動能之一，意味著2018年來自智能手機(jī)的半導(dǎo)體需求將會明顯趨緩，也就是今年的手機(jī)市場將會非常沒有
2018-01-29 15:41:31
各類常用工藝庫臺積電，中芯國際，華潤上華
2015-12-17 19:52:34
帶寬積）,指運算放大器（OP）在一定的頻率范圍內(nèi)，其增益（dB）和頻率之乘積不變，稱為增益帶寬積。單位為Hz。也用GBW表示。模電課學(xué)的是版本一，《OP放大器應(yīng)用技巧100例》中是版本二；哪個是正確的？還是說這兩種說法有區(qū)別？
2017-12-07 23:15:57
在公司危機(jī)關(guān)頭無人擔(dān)當(dāng)銷售重任的時候跨行業(yè)挑起重?fù)?dān)，應(yīng)該是老邢發(fā)出的一種感慨吧! 在談話中，老邢不止一次跟我講起他創(chuàng)業(yè)的時候犯了一個致命的錯誤，就是沒有在創(chuàng)業(yè)初期加強(qiáng)市場銷售的開展。正常地來講，一個
2016-04-06 16:23:50
內(nèi)存（FRAM 或 FeRAM）、磁阻隨機(jī)存取內(nèi)存（MRAM）以及電阻型隨機(jī)存取器（RRAM 或 ReRAM），簡介如下：1. PCMPCM 利用硫系玻璃的特性，能夠在四種不同狀態(tài)之間切換：結(jié)晶、非晶
2014-04-22 16:29:09
新興存儲器MRAM與ReRAM嵌入式市場
2020-12-17 06:13:02
，且這次漲幅是有史以來的最高水平。要知道，臺積電占全球晶圓代工過半份額，因此，臺積電再次漲價恐怕會對全球電子市場產(chǎn)生極大的影響，漲價必然會轉(zhuǎn)嫁到中下游廠商，甚至轉(zhuǎn)嫁到消費者身上，掀起2022年電子產(chǎn)品
2021-09-02 09:44:44
大增的刺激下，市場前景的預(yù)期下，三星和英特爾同樣瞄準(zhǔn)了未來的晶圓代工，并且都積極投入研發(fā)費用及資本支出，由此對MAX2321EUP臺積電造成威脅。但據(jù)資料顯示，去年全球半導(dǎo)體晶圓代工市場約年成長5.1
2012-08-23 17:35:20
增加了臺積電的訂單，后者的業(yè)績也得以節(jié)節(jié)高升?！ ntel：10nm制程計劃延后 先進(jìn)的制造工藝一直是Intel橫行江湖的最大資本，不過受技術(shù)難度和市場因素的種種不利影響，Intel前進(jìn)的步伐也逐漸
2016-01-25 09:38:11
實現(xiàn)其潛力，但截至2020年初，市場上有從很小的MRAM到1Gb芯片的MRAM芯片，并且公司正在將該技術(shù)用于許多應(yīng)用。 雖然有了這么多的論文和研究成果，但是目前并沒有MRAM實際產(chǎn)品制造出來。 另一個
2020-04-15 14:26:57
基于magnum II測試系統(tǒng)的測試技術(shù)研究，提出了采用magnum II測試系統(tǒng)的APG及其他模塊實現(xiàn)對MRAM VDMR8M32進(jìn)行電性測試及功能測試。其中功能測試包括全空間讀寫數(shù)據(jù)0測試，全空間讀寫
2019-07-23 07:25:23
MRAM的優(yōu)異性能使它能較快取代目前廣泛采用的DRAM內(nèi)存及EEPROM閃存，作為新一代計算機(jī)的內(nèi)存。MRAM目前是新一代計算機(jī)內(nèi)存的最佳候選者，但不是唯一的，與它同期并存的還有FRAM(鐵電
2020-10-20 14:34:03
大型廠商的產(chǎn)品導(dǎo)入、存儲級內(nèi)存（SCM）的新興應(yīng)用以及五大邏輯代工廠的涉足將推動非易失性存儲市場的增長。 新興非易失性存儲（NON-VOLATILE MEMORY, NVM）有利的市場環(huán)境 相變存儲
2018-07-04 11:55:006730 
近期，有韓國媒體報道稱，三星將重返OLED電視市場，剛剛出獄的三星電子副會長李在镕指示“重新檢討OLED電視事業(yè)”。
2018-05-01 15:30:00734 百度百科給出的解釋是：RRAM是一種“根據(jù)施加在金屬氧化物(Metal Oxide)上的電壓的不同，使材料的電阻在高阻態(tài)和低阻態(tài)間發(fā)生相應(yīng)變化，從而開啟或阻斷電流流動通道，并利用這種性質(zhì)儲存各種信息的內(nèi)存”。
2018-05-11 14:53:326290 
隨著越來越多具成本效益的應(yīng)用選擇磁阻隨機(jī)存取內(nèi)存(MRAM)，不僅為其帶來了成長動能，業(yè)界生態(tài)系統(tǒng)也開始支持這一新興內(nèi)存選擇。
2018-05-15 09:24:494004 X-point、MRAM、RRAM等開始發(fā)出聲音， RRAM非易失性閃存技術(shù)是其中進(jìn)展較快的一個。到目前為止，RRAM的發(fā)展進(jìn)程已經(jīng)超越了英特爾的3D X-point技術(shù)， Crossbar公司市場
2018-09-29 16:05:515499 MRAM是一種非易失性存儲器，可與其他的NVM技術(shù)相媲美，如閃存，英特爾的Optane，以及FRAM和RRAM （圖1）。每種NVM都有自己的優(yōu)缺點。雖然MRAM的擴(kuò)展性好，但其容量仍遠(yuǎn)低于NAND閃存， SSD中的高密度存儲介質(zhì)大都是NAND閃存。
2018-12-22 14:37:344678 臺系LED廠艾笛森過去專注于高功率LED Chip封裝領(lǐng)域，近期退出低獲利的LED元件市場，全力瞄準(zhǔn)車用LED照明領(lǐng)域。
2019-10-08 15:38:18786 GlobalFoundries、Everspin聯(lián)合宣布，雙方已經(jīng)達(dá)成新的合作，將利用GF 12LP(12nm FinFET)工藝來制造新一代STT-MRAM(自旋轉(zhuǎn)移矩磁阻內(nèi)存)，包括獨立的MRAM芯片和嵌入式的eMRAM。
2020-03-15 23:52:532162 GlobalFoundries、Everspin聯(lián)合宣布，雙方已經(jīng)達(dá)成新的合作，將利用GF 12LP（12nm FinFET）工藝來制造新一代STT-MRAM（自旋轉(zhuǎn)移矩磁阻內(nèi)存），包括獨立的MRAM芯片和嵌入式的eMRAM。
2020-03-16 08:42:26497 ST-MRAM有潛力成為領(lǐng)先的存儲技術(shù)，因為它是一種高性能存儲器（可以挑戰(zhàn)DRAM和SRAM），可擴(kuò)展至10nm以下，并挑戰(zhàn)了閃存的低成本。STT代表旋轉(zhuǎn)傳遞扭矩。在ST-MRAM器件中，電子的自旋
2020-04-03 16:35:181119 訪問速度也相當(dāng)快，這便意味著不僅可以用它取代這類硬件設(shè)備上的閃存，還可以替換掉大部分SRAM，從而進(jìn)一步節(jié)約成本。 和 MRAM 的目標(biāo)市場不同的是，ReRAM 和 PCRAM 更有可能出現(xiàn)在數(shù)據(jù)中心服務(wù)器中，這兩種器件是存儲級內(nèi)存的理想選擇。SCM 提供的一種比 NAND 產(chǎn)品
2020-04-07 14:08:17720 實現(xiàn)其潛力，但截至2020年初，市場上有從很小的MRAM到1Gb芯片的MRAM芯片，并且公司正在將該技術(shù)用于許多應(yīng)用。 雖然有了這么多的論文和研究成果，但是目前并沒有MRAM實際產(chǎn)品制造出來。 另一個有趣的問題就是MRAM保存數(shù)據(jù)的穩(wěn)定性，熱穩(wěn)定性毫無疑問會影
2020-04-08 15:01:55861 MRAM內(nèi)存的Everspin開始向STT-MRAM發(fā)運最高1Gb的芯片容量，這種內(nèi)存密度使這些設(shè)備在許多應(yīng)用中更受關(guān)注。Everspin代理商英尚微電子提供產(chǎn)品技術(shù)支持及解決方案。 主要的嵌入式半導(dǎo)體制造商為工業(yè)和消費應(yīng)用中使用的嵌入式產(chǎn)品提供MRAM非易失性存儲器選項。這些鑄造廠包括全球
2020-06-23 15:31:031004 市場份額。下一代MRAM技術(shù)（例如SOT-MRAM）甚至可以以更高的密度替換最快的SRAM應(yīng)用。 圖1 內(nèi)存制造過程
2020-07-13 11:25:581037 并行MRAM是大多數(shù)手機(jī)、移動設(shè)備、膝上機(jī)、PC等數(shù)字產(chǎn)品的存儲器的潛在替代產(chǎn)品。從MRAM芯片技術(shù)的特性上來看，可以預(yù)計它將能解決包括計算機(jī)或手機(jī)啟動慢、數(shù)據(jù)丟失、數(shù)據(jù)裝載緩慢、電池壽命短
2020-07-20 15:33:52616 的領(lǐng)先趨勢來增強(qiáng)動力。 什么是STT-MRAM？ 嵌入式存儲器IP選項包括STT-MRAM，相變存儲器（PCM），電阻RAM（ReRAM）和鐵電RAM（FRAM）。每種新興的內(nèi)存技術(shù)都不同，適合特定的應(yīng)用，但STT-MRAM似乎已成為主流。 STT-MRAM是一種電阻存儲技術(shù)，其中材料中電子的磁性自旋變
2020-08-04 17:24:263389 個名為Row Hammer的頑固安全漏洞。 Spin Memory的垂直環(huán)繞柵晶體管可以縮小MRAM和RRAM存儲單元。 Spin Memory將設(shè)備稱為通用選擇器（Universal
2020-09-04 16:10:132090 寫入數(shù)據(jù)，同時在發(fā)生總功耗之前保留數(shù)據(jù)。Everspin一級代理英尚微電子本文介紹MRAM與其他內(nèi)存技術(shù)的相比較。 MRAM與內(nèi)存 內(nèi)存選項的比較與其他內(nèi)存技術(shù)選項相比，MRAM具有明顯的優(yōu)勢（下表1）。 表格1 MRAM與其他內(nèi)存技術(shù)相比具有相對優(yōu)勢 Flash 這項技術(shù)
2020-09-18 14:25:181049 
Everspin MRAM內(nèi)存技術(shù)是如何工作的？ Everspin MRAM與標(biāo)準(zhǔn)CMOS處理集成 Everspin MRAM基于與CMOS處理集成的磁存儲元件。每個存儲元件都將一個磁性隧道
2020-09-19 09:52:051749 的易失性存儲器，新的SoC級存儲器測試和修復(fù)挑戰(zhàn)不斷涌現(xiàn)。通過將自旋轉(zhuǎn)移扭矩MRAM（STT-MRAM）作為嵌入式MRAM技術(shù)的領(lǐng)先趨勢來增強(qiáng)動力，同時考慮了汽車應(yīng)用的需求。要為嵌入式MRAM選擇合適的內(nèi)存測試和修復(fù)解決方案，設(shè)計人員需
2020-10-14 15:52:19536 
是以磁性隧道結(jié)（MTJ）儲存單元為基礎(chǔ)。MTJ中包含了一個維持單一極性方向的固定層，和一個通過隧道結(jié)與其隔離的自由層。當(dāng)自由層被施予和固定層相同方向的極化時，MTJ的隧道結(jié)便會顯現(xiàn)出低電阻特性;反之MTJ便會有高電阻。此磁阻效應(yīng)可使MRAM不需改變內(nèi)存狀態(tài)，便
2020-12-09 15:54:192403 
在這個VLSI研討會中，共有86個工藝研討會，110個電路研討會，總共約200篇論文。本次技術(shù)研討會上，與內(nèi)存相關(guān)的會議是最多的，并且針對每種存儲器類型（例如NAND / NOR / PCM，RRAM，RRAM，F(xiàn)eRAM，STT MRAM和下一代MRAM）均舉行了會議
2021-01-07 17:18:343684 
Everspin Technologies，Inc是設(shè)計制造MRAM和STT-MRAM的全球領(lǐng)導(dǎo)者其市場和應(yīng)用領(lǐng)域涉及數(shù)據(jù)持久性和完整性，低延遲和安全性至關(guān)重要。Everspin MRAM產(chǎn)品
2021-01-16 11:28:23531 Everspin公司生產(chǎn)的MRAM用于數(shù)據(jù)持久性和應(yīng)用的市場和應(yīng)用。Everspin MRAM應(yīng)用在數(shù)據(jù)中心和云存儲、汽車和運輸市場。MRAM是一種利用電子自旋來存儲信息的存儲技術(shù)。MRAM具有成為通用存儲器的潛力——能夠?qū)⒋鎯Υ鎯ζ鞯拿芏扰c SRAM 的速度相結(jié)合，同時具有非易失性和節(jié)能性。
2021-08-17 16:26:191926 Everspin Technologies，Inc是設(shè)計制造MRAM和STT-MRAM的全球領(lǐng)導(dǎo)者其市場和應(yīng)用領(lǐng)域涉及數(shù)據(jù)持久性和完整性，低延遲和安全性至關(guān)重要。E...
2022-01-25 19:29:14
3 Everspin是設(shè)計制造MRAM、STT-MRAM的翹楚，其市場和應(yīng)用涉及數(shù)據(jù)持久性和完整性，低延遲和安全性至關(guān)重要。在磁存儲器設(shè)計，制造和交付...
2022-01-26 18:14:019 高密度MRAM作為新興內(nèi)存的潛力取代DRAM和閃存等現(xiàn)有設(shè)備,通常使它已經(jīng)成功取代Toggle MRAM形式的成熟技術(shù)的陰影。
2022-01-26 18:46:465 MRAM是一種基于隧穿磁阻效應(yīng)的技術(shù)，MRAM的產(chǎn)品主要適用于容量要求低的特殊應(yīng)用領(lǐng)域以及新興的IoT嵌入式存儲領(lǐng)域，該技術(shù)擁有讀寫次數(shù)無限、寫入速度快（寫入時間可低至2.3n）、功耗低、和邏輯芯片整合度高的特點。
2023-01-07 11:10:123518 臺積電在MRAM技術(shù)方面已經(jīng)取得了顯著進(jìn)展，成功研發(fā)了22納米、16/12納米工藝的MRAM產(chǎn)品線，并積累了大量內(nèi)存和車用市場訂單。
2024-01-18 16:44:044839
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