`2017年可謂是令人振奮的一年，射頻半導(dǎo)體行業(yè)取得了眾多顛覆性的突破與進(jìn)步，包括但不限于持續(xù)整合MMIC市場，通過氮化鎵技術(shù)促進(jìn)新型基站架構(gòu)和射頻能量應(yīng)用的發(fā)展，甚至在實(shí)現(xiàn)5G部署方面也初步取得了
2018-02-08 11:01:42
5G 的出現(xiàn)促使人們重新思考從半導(dǎo)體到基站系統(tǒng)架構(gòu)再到網(wǎng)絡(luò)拓?fù)涞臒o線基礎(chǔ)設(shè)施。氮化鎵、MMIC、射頻 SoC 以及光網(wǎng)絡(luò)技術(shù)的并行發(fā)展共同助力提高設(shè)計(jì)和成本效率在半導(dǎo)體層面上，硅基氮化鎵的主流商業(yè)
2019-07-05 04:20:15
氮化鎵、MMIC、射頻SoC以及光網(wǎng)絡(luò)技術(shù)的并行發(fā)展共同助力提高設(shè)計(jì)和成本效率。5G的出現(xiàn)促使人們重新思考從半導(dǎo)體到基站系統(tǒng)架構(gòu)再到網(wǎng)絡(luò)拓?fù)涞臒o線基礎(chǔ)設(shè)施。在半導(dǎo)體層面上，硅基氮化鎵的主流商業(yè)
2019-07-31 07:47:23
"對(duì)于大規(guī)模MIMO系統(tǒng)而言，第4代氮化鎵技術(shù)和多功能相控陣?yán)走_(dá)(MPAR)架構(gòu)可提升射頻性能和裝配效率。"—David Ryan，MACOM高級(jí)業(yè)務(wù)開發(fā)和戰(zhàn)略營銷經(jīng)理 行業(yè)洞察
2017-06-06 18:03:10
MACOM六十多年的技術(shù)傳承，運(yùn)用bipolar、MOSFET和GaN技術(shù)，提供標(biāo)準(zhǔn)和定制化的解決方案以滿足客戶最嚴(yán)苛的需求。射頻功率晶體管 - 硅基氮化鎵 (GaN on Si)MACOM是全球唯一
2017-08-14 14:41:32
，可幫助系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員簡化和加快產(chǎn)品開發(fā)，使其能夠輕松微調(diào)射頻能量輸出水平，從而最大限度地提高效率和增強(qiáng)性能。MACOM的射頻能量工具包將其硅基氮化鎵功率晶體管的優(yōu)勢與直觀、靈活的軟件和信號(hào)控制能力相結(jié)合
2017-08-03 10:11:14
：“ST的晶圓制造規(guī)模和卓越的運(yùn)營能力將讓MACOM和ST能夠推動(dòng)新的射頻功率應(yīng)用，在制造成本上取得的突破有助于擴(kuò)大硅上氮化鎵市場份額。雖然擴(kuò)大現(xiàn)有射頻應(yīng)用的機(jī)會(huì)很有吸引力，但是我們更想將硅上氮化鎵用于
2018-02-12 15:11:38
) 2017上展示其業(yè)界領(lǐng)先的硅基氮化鎵產(chǎn)品組合和其他高性能MMIC和二極管產(chǎn)品。 MACOM展位將展示專為商業(yè)、工業(yè)、科學(xué)和醫(yī)療射頻應(yīng)用而優(yōu)化的全新產(chǎn)品解決方案。敬請(qǐng)蒞臨1312＃展位，與MACOM
2017-05-18 18:12:54
分子束外延法和有機(jī)金屬化學(xué)氣相沉積法生長的新型半導(dǎo)體。這些帶隙原理已應(yīng)用于MACOM AlGaAs技術(shù)的開發(fā)，因此推動(dòng)了PIN二極管射頻性能的大幅提升。主要優(yōu)勢與等效的GaAs PIN結(jié)構(gòu)相比，改善了
2017-06-06 14:37:19
已經(jīng)有不少硅基氮化鎵組件被通信客戶采用。為了保證供應(yīng)，MACOM不久前還與ST簽署了合作協(xié)議。從中可以看出，往后具有更大集成效能的半導(dǎo)體材料應(yīng)用或將走向歷史的中央舞臺(tái)。5G促使企業(yè)加速國內(nèi)本土化進(jìn)程目前
2019-01-22 11:22:59
不同，MACOM氮化鎵工藝的襯底采用硅基。硅基氮化鎵器件既具備了氮化鎵工藝能量密度高、可靠性高等優(yōu)點(diǎn)，又比碳化硅基氮化鎵器件在成本上更具有優(yōu)勢，采用硅來做氮化鎵襯底，與碳化硅基氮化鎵相比，硅基氮化鎵晶元尺寸
2017-09-04 15:02:41
的產(chǎn)品方案也不一樣，更像是定制化的產(chǎn)品，根據(jù)客戶對(duì)產(chǎn)品性能及成本的不同需求制定相應(yīng)的解決方案。不過產(chǎn)品方案的驗(yàn)證的時(shí)間比較快，成熟方案在1-2個(gè)星期左右。MACOM的射頻功率晶體管的產(chǎn)品迭代時(shí)間在一年
2017-05-23 18:40:45
以及能耗成本上的差別。碳化硅基氮化鎵的高昂的成本，極大限制了其在商業(yè)基站成為主流應(yīng)用的前景。相比之下，一個(gè)8英寸硅晶圓廠幾周的產(chǎn)能便可滿足 MACOM氮化鎵用于整個(gè)射頻和微波行業(yè)一年的需求。MACOM
2017-08-30 10:51:37
地控制烹飪。以上講解到的演示，即我們的硅基氮化鎵技術(shù)將如何支持射頻能量市場，這是我們要通過高效氮化鎵技術(shù)推動(dòng)的多種應(yīng)用之一。關(guān)于MACOMMACOM是一家新生代半導(dǎo)體器件公司，集高速增長、多元化和高
2017-09-06 14:44:16
是硅基氮化鎵技術(shù)。2017 電子設(shè)計(jì)創(chuàng)新大會(huì)展臺(tái)現(xiàn)場演示在2017年的電子設(shè)計(jì)創(chuàng)新大會(huì)上，MACOM上海無線產(chǎn)品中心設(shè)計(jì)經(jīng)理劉鑫表示，硅襯底有一些優(yōu)勢，材料便宜，散熱系數(shù)好。且MACOM在高性能射頻領(lǐng)域
2017-07-18 16:38:20
/無線廣播臺(tái)等。捕獲這類能量的能力有助于創(chuàng)建新的無電池設(shè)備，并允許電池供電設(shè)備通過無線方式實(shí)現(xiàn)點(diǎn)滴式充電。除了環(huán)境射頻能量外，還有一種方式是使用專門的發(fā)射器發(fā)送功率，這能使無線電源系統(tǒng)提供更高的性能
2019-07-04 08:02:48
`網(wǎng)絡(luò)基礎(chǔ)設(shè)施與反導(dǎo)雷達(dá)等領(lǐng)域都要求使用高性能高功率密度的射頻器件，這使得市場對(duì)于射頻氮化鎵（GaN）器件的需求不斷升溫。舉個(gè)例子，現(xiàn)在的無線基站里面，已經(jīng)開始用氮化鎵器件取代硅基射頻器件，在
2016-08-30 16:39:28
射頻VMMK器件是怎么提高性能的？通過降低寄生電感和電容嗎？
2019-08-01 08:23:35
Honcharenko表示：“MACOM是領(lǐng)先的GaN－on－Si（硅基氮化鎵）器件開發(fā)商。GaN－on－Si器件可提供更高的效率，這有助于開發(fā)商設(shè)計(jì)和部署更小、更輕的基站硬件。網(wǎng)絡(luò)運(yùn)營商致力于提供
2019-12-20 16:51:12
氮化鎵開關(guān)管來取代，一顆頂四顆，并且具有更低的導(dǎo)通電阻。通過使用氮化鎵開關(guān)管來減少硅MOS管的數(shù)量，還可以減小保護(hù)板的面積，使保護(hù)板可以集成到主板上，節(jié)省一塊PCB，降低整體成本。儲(chǔ)能電源儲(chǔ)能電源通常
2023-02-21 16:13:41
高效能、高電壓的射頻基礎(chǔ)設(shè)施。幾年后，即2008年，氮化鎵金屬氧化物半導(dǎo)場效晶體（MOSFET）（在硅襯底上形成）得到推廣，但由于電路復(fù)雜和缺乏高頻生態(tài)系統(tǒng)組件，使用率較低。
2023-06-15 15:50:54
的PowiGaN方案具有高集成度、易于工廠開發(fā)的特點(diǎn)；納微半導(dǎo)體的GaNFast方案則可以通過高頻實(shí)現(xiàn)充電器的小型化和高效率（小米65W也是采用此方案）。對(duì)于氮化鎵快充普及浪潮的來臨，各大主流電商及電源廠
2020-03-18 22:34:23
的選擇?！ ∩罡h(huán)?！ 榱舜蚱?b class="flag-6" style="color: red">成本和大規(guī)模采用周期，一種新型功率半導(dǎo)體技術(shù)需要解決最引人注目應(yīng)用中現(xiàn)有設(shè)備的一些缺點(diǎn)。氮化鎵為功率調(diào)節(jié)的發(fā)展創(chuàng)造了機(jī)會(huì)，使其在高電壓應(yīng)用中的貢獻(xiàn)遠(yuǎn)遠(yuǎn)超越硅材料。用于
2018-11-20 10:56:25
度大、擊穿電場高、熱導(dǎo)率大、電子飽和漂移速度高、介電常數(shù)小等獨(dú)特的性能，被譽(yù)為第三代半導(dǎo)體材料。氮化鎵在光電器件、功率器件、射頻微波器件、激光器和探測器件等方面展現(xiàn)出巨大的潛力，甚至為該行業(yè)帶來跨越式
2022-06-14 11:11:16
是什么氮化鎵（GaN）是氮和鎵化合物，具體半導(dǎo)體特性，早期應(yīng)用于發(fā)光二極管中，它與常用的硅屬于同一元素周期族，硬度高熔點(diǎn)高穩(wěn)定性強(qiáng)。氮化鎵材料是研制微電子器件的重要半導(dǎo)體材料，具有寬帶隙、高熱導(dǎo)率等特點(diǎn)，應(yīng)用在充電器方面，主要是集成氮化鎵MOS管，可適配小型變壓器和高功率器件，充電效率高。二、氮化
2021-09-14 08:35:58
更小：GaNFast? 功率芯片，可實(shí)現(xiàn)比傳統(tǒng)硅器件芯片 3 倍的充電速度，其尺寸和重量只有前者的一半，并且在能量節(jié)約方面，它最高能節(jié)約 40% 的能量。
更快：氮化鎵電源 IC 的集成設(shè)計(jì)使其非常
2023-06-15 15:32:41
。氮化鎵的性能優(yōu)勢曾經(jīng)一度因高成本而被抵消。最近，氮化鎵憑借在硅基氮化鎵技術(shù)、供應(yīng)鏈優(yōu)化、器件封裝技術(shù)以及制造效率方面的突出進(jìn)步成功脫穎而出，成為大多數(shù)射頻應(yīng)用中可替代砷化鎵和 LDMOS 的最具成本
2017-08-15 17:47:34
。與典型的PN結(jié)MOSFET不同，GaN器件的雙向結(jié)構(gòu)可以使用雙柵結(jié)構(gòu)控制電流。用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)的矩陣轉(zhuǎn)換器可以通過利用雙向設(shè)備潛在地減少開關(guān)的數(shù)量。此外，氮化鎵器件可以在比硅器件更高的溫度下工作，這使其成為
2019-03-14 06:45:11
應(yīng)用的發(fā)展歷程無疑是一次最具顛覆性的技術(shù)革新過程，為射頻半導(dǎo)體行業(yè)開創(chuàng)了一個(gè)新時(shí)代。通過與ST達(dá)成的協(xié)議，MACOM硅基氮化鎵技術(shù)將獲得獨(dú)特優(yōu)勢，能夠滿足未來4G LTE和5G無線基站基礎(chǔ)設(shè)施對(duì)于性能
2018-08-17 09:49:42
氮化鎵 (GaN) 可為便攜式產(chǎn)品提供更小、更輕、更高效的桌面 AC-DC 電源。Keep Tops 氮化鎵（GaN）是一種寬帶隙半導(dǎo)體材料。 當(dāng)用于電源時(shí)，GaN 比傳統(tǒng)硅具有更高的效率、更小
2023-08-21 17:06:18
描述這個(gè)教學(xué)演示了一個(gè)原型，它通過天線收集周圍環(huán)境的射頻輻射來收集能量。該電路放置在 Wi-Fi、手機(jī)等射頻發(fā)射源附近時(shí)，會(huì)從周圍收集射頻能量并將其轉(zhuǎn)換為直流電荷，存儲(chǔ)在超級(jí)電容器中，然后用于低壓應(yīng)用。
2022-08-31 06:13:08
射頻半導(dǎo)體技術(shù)的市場格局近年發(fā)生了顯著變化。數(shù)十年來，橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)技術(shù)在商業(yè)應(yīng)用中的射頻半導(dǎo)體市場領(lǐng)域起主導(dǎo)作用。如今，這種平衡發(fā)生了轉(zhuǎn)變，硅基氮化鎵(GaN-on-Si)技術(shù)成為接替?zhèn)鹘y(tǒng)LDMOS技術(shù)的首選技術(shù)。
2019-09-02 07:16:34
?是提高性能和降低價(jià)值。硅襯底倒裝波LED芯片，效率會(huì)更高、工藝會(huì)更好。6英寸硅襯底上氮化鎵基大功率LED研發(fā)，有望降低成本50%以上。 目前已開發(fā)出6寸硅襯底氮化鎵基LED的外延及先進(jìn)工藝技術(shù)，光效
2014-01-24 16:08:55
不同，MACOM氮化鎵工藝的襯底采用硅基。硅基氮化鎵器件具備了氮化鎵工藝能量密度高、可靠性高等優(yōu)點(diǎn)，Wafer可以做的很大，目前在8英寸，未來可以做到10英寸、12英寸，整個(gè)晶圓的長度可以拉長至2米
2017-08-29 11:21:41
中國數(shù)字電視產(chǎn)業(yè)的蓬勃發(fā)展帶動(dòng)了對(duì)高性能、低功耗射頻接收芯片的巨大需求，但在該領(lǐng)域，由于射頻技術(shù)、實(shí)現(xiàn)復(fù)雜度、標(biāo)準(zhǔn)及成本等方面的挑戰(zhàn)，中國的數(shù)字電視產(chǎn)品中過去大多采用的是國外半導(dǎo)體廠商的芯片。為改變
2019-09-26 06:21:47
如何實(shí)現(xiàn)高性能的射頻測量系統(tǒng)？ 高性能射頻測量系統(tǒng)該怎么正確選用阻抗匹配元件？在設(shè)計(jì)PCB裝配式開關(guān)模塊時(shí)需要考慮什么？
2021-04-14 06:46:36
`Cree的CGHV96100F2是氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）在碳化硅（SiC）基板上。 該GaN內(nèi)部匹配（IM）FET與其他技術(shù)相比，具有出色的功率附加效率。 氮化鎵與硅或砷化
2020-12-03 11:49:15
Cree的CMPA801B025是氮化鎵（GaN）高電子遷移率基于晶體管（HEMT）的單片微波集成電路（MMIC）。 氮化鎵與硅或砷化鎵相比具有更好的性能，包括更高的擊穿電壓，更高的飽和電子漂移速度
2020-12-03 11:46:10
MHz到70 GHz的寬帶性能。這些產(chǎn)品可以采用裸片形式或SURMOUNT?、倒裝芯片、塑料和陶瓷封裝。這些產(chǎn)品是開關(guān)、限位器、移相器和衰減器電路應(yīng)用的上佳之選。MACOM公司提供采用硅、砷化鎵或砷化鋁
2018-08-09 10:16:17
公司提供采用硅、砷化鎵或砷化鋁鎵技術(shù)的這類二極管。產(chǎn)品型號(hào)：DU2880V產(chǎn)品名稱：射頻晶體管DU2880V產(chǎn)品特性N溝道增強(qiáng)型器件比雙極器件低的噪聲系數(shù)高飽和輸出功率寬帶操作的低電容DMOS結(jié)構(gòu)
2018-08-08 11:48:47
的最終目標(biāo)前進(jìn)。這意味著客戶最終可以與主流技術(shù)的發(fā)展同步，例如，MACOM公司已經(jīng)能夠提供300W塑料封裝的硅上 GaN器件，它有著大于70%的效率，售價(jià)約為 15 美元，這一價(jià)格/性能水平已處于當(dāng)今射頻能量器件領(lǐng)域的領(lǐng)先位置。
2017-04-05 10:50:35
一個(gè)腔室或是一個(gè)局限的環(huán)境，在其內(nèi)部可放置吸收射頻輻射的食物，并可提供所需的級(jí)別的 EMC 屏蔽。MACOM簡介：MACOM（鎂可微波）科技公司是面向下一代互聯(lián)網(wǎng)和國防應(yīng)用的高性能模擬、射頻、微波
2017-04-06 16:50:08
24 小時(shí)，磁控管的有效壽命及其性能將會(huì)很快下降。這意味著，現(xiàn)今要經(jīng)常，有時(shí)每周就需派出技術(shù)人員去更換磁控管，這將是一項(xiàng)費(fèi)用昂貴的行為，所以將磁控管改用固態(tài)氮化鎵晶體管將有很大的潛力來降低這種服務(wù)成本
2017-04-17 18:19:05
以與LDMOS 相競爭的成本來提供其性能優(yōu)勢。 MACOM的硅上 GaN器件能提供超過 70%的能量效率，并在 900 MHz 和 2.45GHz 頻率下均具有高的增益。這些頻率都是工業(yè)、科學(xué)和醫(yī)學(xué)應(yīng)用的開放
2017-05-01 15:47:21
當(dāng)今射頻能量的最大潛在市場之一是在烹飪和加熱方面的應(yīng)用?，F(xiàn)在全球每年微波爐的制造產(chǎn)量遠(yuǎn)超7000 萬臺(tái)，從低成本的消費(fèi)類產(chǎn)品到高端的專業(yè)和工業(yè)加熱爐，它的產(chǎn)品類型跨度很廣。射頻功率晶體管在許多性能
2019-07-31 06:04:54
功率氮化鎵電力電子器件具有更高的工作電壓、更高的開關(guān)頻率、更低的導(dǎo)通電阻等優(yōu)勢，并可與成本極低、技術(shù)成熟度極高的硅基半導(dǎo)體集成電路工藝相兼容，在新一代高效率、小尺寸的電力轉(zhuǎn)換與管理系統(tǒng)、電動(dòng)機(jī)
2018-11-05 09:51:35
和醫(yī)療應(yīng)用。我們的產(chǎn)品組合利用了MACOM超過60年的傳統(tǒng)，即使用GaN-on-Si技術(shù)提供標(biāo)準(zhǔn)和定制解決方案，以滿足客戶最苛刻的需求。我們的硅基氮化鎵產(chǎn)品采用0.5微米HEMT工藝制成分立晶體管和集成
2019-11-01 10:46:19
恩智浦半導(dǎo)體（NXP Semiconductors），近日推出業(yè)界領(lǐng)先的QUBIC4 BiCMOS硅技術(shù)，鞏固了其在射頻領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位，實(shí)現(xiàn)在高頻率上提供更優(yōu)的性能和更高集成度的同時(shí)，為客戶帶來成本
2019-07-12 08:03:23
導(dǎo)讀：近日，TT electronics 宣布推出新一代模壓電感 器件--HM72E/A72E.該兩款器件具有高性能和高成本效益，最大限度地減少了氧化?！ ≡搩煽钇骷菍樾枰祲?、升壓或
2018-09-26 15:44:31
速度。這些功能對(duì)于牽引逆變器來說是最佳的，因?yàn)樗鼈冃枰g歇地將大量能量傳輸回電池。與此同時(shí)，硅上氮化鎵開關(guān)為從低kW到10kW寬范圍的供電系統(tǒng)帶來了益處，即交流到直流板載充電器（OBC）、直流到直流輔助
2018-07-19 16:30:38
氮化鎵(GaN)的重要性日益凸顯，增加。因?yàn)樗c傳統(tǒng)的硅技術(shù)相比，不僅性能優(yōu)異，應(yīng)用范圍廣泛，而且還能有效減少能量損耗和空間的占用。在一些研發(fā)和應(yīng)用中，傳統(tǒng)硅器件在能量轉(zhuǎn)換方面，已經(jīng)達(dá)到了它的物理
2023-06-15 15:47:44
氮化鎵(GaN)是一種“寬禁帶”(WBG)材料。禁帶，是指電子從原子核軌道上脫離出來所需要的能量，氮化鎵的禁帶寬度為 3.4ev，是硅的 3 倍多，所以說氮化鎵擁有寬禁帶特性（WBG）。
硅的禁帶寬
2023-06-15 15:53:16
方形，通過兩個(gè)晶格常數(shù)（圖中標(biāo)記為a 和c）來表征。GaN 晶體結(jié)構(gòu)在半導(dǎo)體領(lǐng)域，GaN 通常是高溫下（約為1,100°C）在異質(zhì)基板（射頻應(yīng)用中為碳化硅[SiC]，電源電子應(yīng)用中為硅[Si]）上通過
2019-08-01 07:24:28
運(yùn)行時(shí)的電性能和效率要比傳統(tǒng)的硅材料高得多。對(duì)于已被實(shí)際使用的碳化硅半導(dǎo)體和氮化鎵半導(dǎo)體來說，其耐受電壓（高于標(biāo)稱電壓，用于保持可靠性的基礎(chǔ)電壓）的需求是不同的。例如，碳化硅耐電壓大于或等于1000
2023-02-23 15:46:22
氮化鎵(GaN)功率芯片，將多種電力電子器件整合到一個(gè)氮化鎵芯片上，能有效提高產(chǎn)品充電速度、效率、可靠性和成本效益。在很多案例中，氮化鎵功率芯片，能令先進(jìn)的電源轉(zhuǎn)換拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，從學(xué)術(shù)概念和理論達(dá)到
2023-06-15 14:17:56
通過SMT封裝，GaNFast? 氮化鎵功率芯片實(shí)現(xiàn)氮化鎵器件、驅(qū)動(dòng)、控制和保護(hù)集成。這些GaNFast?功率芯片是一種易于使用的“數(shù)字輸入、電源輸出” (digital in, power out
2023-06-15 16:03:16
實(shí)現(xiàn)設(shè)計(jì)，同時(shí)通過在一個(gè)封裝中進(jìn)行復(fù)雜集成來節(jié)省系統(tǒng)級(jí)成本，并減少電路板元件數(shù)量。從將PC適配器的尺寸減半，到為并網(wǎng)應(yīng)用創(chuàng)建高效、緊湊的10 kW轉(zhuǎn)換，德州儀器為您的設(shè)計(jì)提供了氮化鎵解決方案
2020-10-27 09:28:22
氮化鎵南征北戰(zhàn)縱橫半導(dǎo)體市場多年，無論是吊打碳化硅，還是PK砷化鎵。氮化鎵憑借其禁帶寬度大、擊穿電壓高、熱導(dǎo)率大、電子飽和漂移速度高、抗輻射能力強(qiáng)和良好的化學(xué)穩(wěn)定性等優(yōu)越性質(zhì)，確立了其在制備寬波譜
2019-07-31 06:53:03
氮化鎵，由鎵（原子序數(shù) 31）和氮（原子序數(shù) 7）結(jié)合而來的化合物。它是擁有穩(wěn)定六邊形晶體結(jié)構(gòu)的寬禁帶半導(dǎo)體材料。禁帶，是指電子從原子核軌道上脫離所需要的能量，氮化鎵的禁帶寬度為 3.4eV，是硅
2023-06-15 15:41:16
幾十倍、甚至上百倍的數(shù)量增加，因此成本的控制非常關(guān)鍵，而硅基氮化鎵在成本上具有巨大的優(yōu)勢，隨著硅基氮化鎵技術(shù)的成熟，它能以最大的性價(jià)比優(yōu)勢取得市場的突破。[color=rgb(51, 51, 51
2019-07-08 04:20:32
應(yīng)用領(lǐng)域，SiC和GaN形成競爭。隨著碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等新材料陸續(xù)應(yīng)用在二極管、場效晶體管(MOSFET)等組件上，電力電子產(chǎn)業(yè)的技術(shù)大革命已揭開序幕。這些新組件雖然在成本上仍比傳統(tǒng)硅
2021-09-23 15:02:11
你好，我找不到合適的地方張貼，所以我在這里張貼。如果在第三方商業(yè)產(chǎn)品中使用低成本先鋒開發(fā)工具包，請(qǐng)?jiān)试S我知道是否有許可限制。
2019-11-01 13:52:23
希望通過原廠FAE盡快找到解決方案，或者將遇到技術(shù)挫折歸咎為芯片本身設(shè)計(jì)問題，盡管不排除芯片可能存在不適用的領(lǐng)域，但是大部分時(shí)候是應(yīng)用層面的問題，和芯片沒有關(guān)系。這種情況對(duì)新興的第三代半導(dǎo)體氮化鎵
2023-02-01 14:52:03
地檢測品牌、車標(biāo)和形狀。
OpenVINO TM的Intel&Distribution工具包是一個(gè)全面的工具包，用于快速開發(fā)模擬人類視覺的應(yīng)用程序和解決方案。該工具包以細(xì)胞神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)為基礎(chǔ)，將計(jì)算機(jī)視覺工作負(fù)載擴(kuò)展到IntelR硬件，最大限度地提高性能。
2023-08-04 07:36:38
的首選技術(shù)。固態(tài)射頻半導(dǎo)體氮化鎵與LDMOS相比，硅基氮化鎵的性能優(yōu)勢已牢固確立——它可提供超過70%的功率效率，將每單位面積的功率提高4到6倍，并且可擴(kuò)展至高頻率。同時(shí)，綜合測試數(shù)據(jù)已證實(shí)，硅基氮化鎵
2018-08-21 10:57:30
的使用壽命最短2個(gè)月，最長4個(gè)月。因此，由于更換燈泡的成本過高，諸如室外、街道、體育場或區(qū)域照明的應(yīng)用將無法從基于磁控管的等離子照明中獲益。不過，利用氮化鎵技術(shù)的性能優(yōu)勢，基于固態(tài)射頻能量的等離子照明
2018-08-06 10:44:39
類型包括硅鍺雙極互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體（BiCMOS）和硅鍺異質(zhì)結(jié)雙極晶體管（SiGe HBTs）。DTRA關(guān)注的其他設(shè)備類型還包括45納米絕緣硅（SOI）芯片、氮化鎵異質(zhì)結(jié)場效應(yīng)晶體管（GaAn HFET）功率半導(dǎo)體和其他抗輻射微電子和光子器件，用于當(dāng)前和未來軍事系統(tǒng)，如衛(wèi)星和導(dǎo)彈。
2012-12-04 19:52:12
嗨，幾次之前我?guī)砹薒ora開發(fā)工具包LoRa（R）技術(shù)評(píng)估工具包- 800。（我想在這里發(fā)布網(wǎng)址，但似乎不可能）。我想把這個(gè)工具包用于商業(yè)目的，我想問我是否需要從微芯片購買一些許可證或支付一些付款
2019-07-29 07:51:37
如何實(shí)現(xiàn)高性能的射頻測試解決方案NI軟硬件的關(guān)鍵作用是什么
2021-05-06 07:24:55
導(dǎo)讀：將GaN FET與它們的驅(qū)動(dòng)器集成在一起可以改進(jìn)開關(guān)性能，并且能夠簡化基于GaN的功率級(jí)設(shè)計(jì)。氮化鎵 (GaN) 晶體管的開關(guān)速度比硅MOSFET快很多，從而有可能實(shí)現(xiàn)更低的開關(guān)損耗。然而，當(dāng)
2022-11-16 06:23:29
氮化鎵技術(shù)非常適合4.5G或5G系統(tǒng)，因?yàn)轭l率越高，氮化鎵的優(yōu)勢越明顯。那對(duì)于手機(jī)來說射頻GaN技術(shù)還需解決哪些難題呢？
2019-07-31 06:53:15
。采用RFCMOS制程最大的好處，當(dāng)然是可以將射頻、基頻與存儲(chǔ)器等組件合而為一的高整合度，并同時(shí)降低組件成本。但是癥結(jié)點(diǎn)仍在于RFCMOS是否能解決高噪聲、低絕緣度與Q值、與降低改善性能所增加制程成本
2016-09-15 11:28:41
降低性能。行業(yè)內(nèi)外隨著射頻能量通過加大控制來改進(jìn)工藝的機(jī)會(huì)持續(xù)增多，MACOM將繼續(xù)與行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者合作，以應(yīng)用最佳實(shí)踐并通過我們的硅基氮化鎵(GaN-on-Si)解決方案實(shí)現(xiàn)射頻能量。確保了解有關(guān)射頻能量
2018-01-18 10:56:28
我們?cè)凇叭粘Ｉ钪械奈⒉?b class="flag-6" style="color: red">射頻能量”系列此前的技術(shù)知識(shí)分享中有提到氮化鎵(GaN)技術(shù)在固態(tài)烹飪和等離子照明應(yīng)用中的諸多優(yōu)勢以及普遍認(rèn)為的氮化鎵將對(duì)商業(yè)和工業(yè)市場產(chǎn)生變革的影響。在談?wù)撏黄菩缘陌雽?dǎo)體
2017-12-27 10:48:11
將幫助商業(yè)OEM調(diào)整其產(chǎn)品設(shè)計(jì)，納入基于硅基氮化鎵的射頻能量，使他們更輕松地利用這種不熟悉的技術(shù)。利用射頻能量工具包，照明系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員現(xiàn)在能夠有效降低開發(fā)復(fù)雜性和成本、縮短固態(tài)等離子照明的上市時(shí)間
2018-02-07 10:15:47
空置的地方，這進(jìn)一步延長了燈泡的壽命。盡管這是一個(gè)極具吸引力的概念，但從以往記錄來看，固態(tài)芯片的成本結(jié)構(gòu)比磁控管更昂貴，這使射頻能量應(yīng)用成為一種奢侈品。然而，憑借MACOM氮化鎵（以硅基的成本構(gòu)成實(shí)現(xiàn)
2017-12-14 10:24:22
。核心基本不變的微波爐在經(jīng)過50年的穩(wěn)步發(fā)展后，憑借結(jié)合射頻能量聯(lián)盟的突破與MACOM硅基氮化鎵技術(shù)的性能，便極有可能得到徹底變革。MACOM很高興能夠走在技術(shù)突破的前沿，并希望通過為全世界打造更智能
2017-11-15 10:08:05
和功率因數(shù)校正 （PFC） 配置?！ 『唵蔚碾娐诽峁┝?b class="flag-6" style="color: red">將硅控制器用于GaN器件的過渡能力。對(duì)于單個(gè)氮化鎵器件，隔離式負(fù) V一般事務(wù)（關(guān)閉）EZDrive?電路是一種低成本、簡單的方法，可以使用12V驅(qū)動(dòng)器
2023-02-21 16:30:09
MACOM公司支持多種產(chǎn)品組合用于從長距離都市核心網(wǎng)到FTTx接入和數(shù)據(jù)中心網(wǎng)之間的光通信。MACOM公司的產(chǎn)品組合實(shí)現(xiàn)了電領(lǐng)域和光領(lǐng)域之間的高性能模擬接口，提供了滿足當(dāng)今高速網(wǎng)絡(luò)對(duì)尺寸、功率、信號(hào)
2017-06-19 14:14:57
功率/高頻射頻晶體管和發(fā)光二極管。2010年，第一款增強(qiáng)型氮化鎵晶體管普遍可用，旨在取代硅功率MOSFET。之后隨即推出氮化鎵功率集成電路- 將GaN FET、氮化鎵基驅(qū)動(dòng)電路和電路保護(hù)集成為單個(gè)器件
2023-06-25 14:17:47
的特性組合。電動(dòng)汽車充電等高增長應(yīng)用中的高性能電力電子設(shè)備可以從砷化鎵二極管提供的系統(tǒng)級(jí)成本降低機(jī)會(huì)中受益匪淺。對(duì)二極管在實(shí)際應(yīng)用中引起的正向?qū)ㄐ袨楹蛣?dòng)態(tài)損耗的詳細(xì)了解，為設(shè)計(jì)人員提供了優(yōu)化性能和成本的工具。
2023-02-22 17:13:39
應(yīng)用市場，GaN器件的市場份額將逐漸提高。長期來看，在宏基站和回傳領(lǐng)域，憑借高頻高功率的性能優(yōu)勢，GaN將逐漸取代LDMOS和GaAs從而占據(jù)主導(dǎo)位置；在射頻能量領(lǐng)域，LDMOS憑借高功率低成本優(yōu)勢
2019-04-13 22:28:48
、設(shè)計(jì)和評(píng)估高性能氮化鎵功率芯片方面，起到了極大的貢獻(xiàn)。
應(yīng)用與技術(shù)營銷副總裁張炬（Jason Zhang）在氮化鎵領(lǐng)域工作了 20 多年，專門從事高頻、高密度的電源設(shè)計(jì)。他創(chuàng)造了世界上最小的參考設(shè)計(jì)，被多家頭部廠商采用并投入批量生產(chǎn)。
2023-06-15 15:28:08
在于它的導(dǎo)熱性不佳。事實(shí)上，在所有可用于射頻放大或功率切換的半導(dǎo)體中，它的導(dǎo)熱性最差。氧化鎵的熱導(dǎo)率只有金剛石的1/60，碳化硅（高性能射頻氮化鎵的基底）的1/10，約為硅的1/5。（有趣的是，它可
2023-02-27 15:46:36
就可以實(shí)現(xiàn)。正是由于我們推出了LMG3410—一個(gè)用開創(chuàng)性的氮化鎵 (GaN) 技術(shù)搭建的高壓、集成驅(qū)動(dòng)器解決方案，相對(duì)于傳統(tǒng)的、基于硅材料的技術(shù)，創(chuàng)新人員將能夠創(chuàng)造出更加小巧、效率更高、性能更佳
2022-11-16 07:42:26
我們?nèi)碌陌灼骸坝靡粋€(gè)集成驅(qū)動(dòng)器優(yōu)化GaN性能?！? 通過閱讀博文“我們一起來實(shí)現(xiàn)氮化鎵的可靠運(yùn)行”，進(jìn)一步了解TI如何使GaN更加可靠。? 加入TI E2E? 社區(qū)氮化鎵 (GaN) 解決方案論壇，尋找解決方案、獲得幫助、與同行工程師和TI專家們一起分享知識(shí)，解決難題。
2018-08-30 15:05:50
中國上海，2016年2月24日- 領(lǐng)先的高性能模擬、微波、毫米波和光波半導(dǎo)體產(chǎn)品供應(yīng)商MACOM日前宣布推出其備受矚目、應(yīng)用于宏基站的MAGb系列氮化鎵（GaN）功率晶體管。
2016-02-24 10:40:21
992 “固態(tài)射頻能量技術(shù)具有從生活消費(fèi)品到工業(yè)、科學(xué)和醫(yī)療系統(tǒng)及基礎(chǔ)設(shè)施的全方位優(yōu)勢，有望在未來撼動(dòng)整個(gè)市場劃分?！?b class="flag-6" style="color: red">MACOM市場部資深總監(jiān)Mark Murphy表示。
2016-06-03 10:11:462018 ：NXPI）今日宣布推出RFE系列射頻能量系統(tǒng)解決方案。這些2.45 GHz、250 W平臺(tái)解決方案能夠幫助工程師通過全新的方式來創(chuàng)建原型和開發(fā)創(chuàng)新的高性能系統(tǒng)。
2018-06-30 09:18:003715 MACOM是世界領(lǐng)先的高性能射頻、微波、毫米波和光子解決方案供應(yīng)商，于6月12日宣布正式推出其全新的MADT－011000功率檢測器。這款檢測器適用于微波無線電、測試和測量（T＆M）設(shè)備以及雷達(dá)系統(tǒng)
2018-07-02 10:18:001261 
方便設(shè)計(jì)人員針對(duì)射頻性能和芯片面積同時(shí)進(jìn)行優(yōu)化，設(shè)計(jì)并制造出高性能、低功耗無線射頻前端開關(guān)，從而減少設(shè)計(jì)反復(fù)，很大程度地縮短客戶將產(chǎn)品推向市場的時(shí)間。
2019-10-21 11:19:022688 macom的總裁兼ceo兼總裁stephen g. daly說：“我們歡迎
射頻事業(yè)組加入
macom。今后，我們將全力支持所有產(chǎn)品和代工
客戶，并以現(xiàn)有技術(shù)為基礎(chǔ)，加強(qiáng)對(duì)
射頻項(xiàng)目的領(lǐng)導(dǎo)能力?！?/div>
2023-12-05 13:33:51453
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