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半導(dǎo)體固態(tài)量子器件取得突破

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2021-12-27 09:01:004294

中國(guó)固態(tài)量子芯片獲重要突破刷新世界紀(jì)錄

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IBM量子計(jì)算研究取得突破,科學(xué)家可以控制單個(gè)原子

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2019-10-27 23:02:573712

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2023-03-15 11:09:59

半導(dǎo)體器件與工藝

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2012-08-20 08:39:08

半導(dǎo)體器件型號(hào)命名方法要的進(jìn)

半導(dǎo)體器件型號(hào)由五部分(場(chǎng)效應(yīng)器件半導(dǎo)體特殊器件、復(fù)合管、PIN型管、激光器件的型號(hào)命名只有第三、四、五部分)組成。
2011-10-23 22:05:11

半導(dǎo)體器件熱譜分析方法

半導(dǎo)體器件熱譜分析方法
2016-04-18 16:38:19

半導(dǎo)體器件物理

半導(dǎo)體器件物理(胡正明)
2020-09-22 19:57:16

半導(dǎo)體器件相關(guān)超級(jí)群94046358,歡迎加入!

半導(dǎo)體器件相關(guān)超級(jí)群94046358,歡迎加入!涉及半導(dǎo)體器件及其制造工藝及原料,有興趣的兄弟姐妹們加入了,500人的大家庭等著你...
2011-05-01 07:57:09

半導(dǎo)體分立器件怎么分類?

請(qǐng)問(wèn)半導(dǎo)體分立器件怎么分類?
2011-10-26 10:29:14

半導(dǎo)體制冷片的工作原理是什么?

半導(dǎo)體制冷片是利用半導(dǎo)體材料的Peltier效應(yīng)而制作的電子元件,當(dāng)直流電通過(guò)兩種不同半導(dǎo)體材料串聯(lián)成的電偶時(shí),在電偶的兩端即可分別吸收熱量和放出熱量,可以實(shí)現(xiàn)制冷的目的。它是一種產(chǎn)生負(fù)熱阻的制冷技術(shù),其特點(diǎn)是無(wú)運(yùn)動(dòng)部件,可靠性也比較高。半導(dǎo)體制冷片的工作原理是什么?半導(dǎo)體制冷片有哪些優(yōu)缺點(diǎn)?
2021-02-24 09:24:02

半導(dǎo)體制程

摘要 : 導(dǎo)讀:ASEMI半導(dǎo)體這個(gè)品牌自打建立以來(lái),就一直不間斷在研發(fā)半導(dǎo)體各類元器件,在半導(dǎo)體的制程和原理上可謂已經(jīng)是精益求精,今天ASEMI半導(dǎo)體要和大家一起分享的,就是這個(gè)半導(dǎo)體的制程導(dǎo)讀
2018-11-08 11:10:34

半導(dǎo)體制造

在制造半導(dǎo)體器件時(shí),為什么先將導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體和絕緣體之間的硅或鍺制成本征半導(dǎo)體,使之導(dǎo)電性極差,然后再用擴(kuò)散工藝在本征半導(dǎo)體中摻入雜質(zhì)形成N型半導(dǎo)體或P型半導(dǎo)體改善其導(dǎo)電性?
2012-07-11 20:23:15

半導(dǎo)體功率器件的分類

近年來(lái),全球半導(dǎo)體功率器件的制造環(huán)節(jié)以較快速度向我國(guó)轉(zhuǎn)移。目前,我國(guó)已經(jīng)成為全球最重要的半導(dǎo)體功率器件封測(cè)基地。如IDM類(吉林華微電子、華潤(rùn)微電子、杭州士蘭微電子、比亞迪股份、株洲中車時(shí)代半導(dǎo)體
2021-07-12 07:49:57

半導(dǎo)體塑封設(shè)備

本人小白,最近公司想上半導(dǎo)體器件的塑封生產(chǎn)線,主要是小型貼片器件封裝,例如sot系列。設(shè)備也不需要面面俱到,能進(jìn)行小規(guī)模正常生產(chǎn)就行。哪位大神能告知所需設(shè)備的信息,以及這些設(shè)備的國(guó)內(nèi)外生產(chǎn)廠家,在此先行感謝!
2022-01-22 12:26:47

半導(dǎo)體存儲(chǔ)元器件工作原理

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2017-02-05 13:25:23

半導(dǎo)體常見(jiàn)的產(chǎn)品分類有哪些

半導(dǎo)體材料半導(dǎo)體的功能分類集成電路的四大類
2021-02-24 07:52:52

半導(dǎo)體技術(shù)天地

請(qǐng)教下以前的[半導(dǎo)體技術(shù)天地]哪里去了
2020-08-04 17:03:41

半導(dǎo)體放電管

`半導(dǎo)體放電管(也稱固態(tài)放電管)是一種PNPN組件,它中以被看作一個(gè)無(wú)門電極的自由電壓控制的可控硅,當(dāng)電壓超過(guò)它的斷態(tài)峰值電壓(或稱雪崩電壓)時(shí),半導(dǎo)體放電會(huì)將瞬態(tài)電壓箝制到組件的開(kāi)關(guān)電壓(或稱轉(zhuǎn)折
2014-12-24 16:56:27

半導(dǎo)體材料有什么種類?

半導(dǎo)體材料從發(fā)現(xiàn)到發(fā)展,從使用到創(chuàng)新,擁有這一段長(zhǎng)久的歷史。宰二十世紀(jì)初,就曾出現(xiàn)過(guò)點(diǎn)接觸礦石檢波器。1930年,氧化亞銅整流器制造成功并得到廣泛應(yīng)用,是半導(dǎo)體材料開(kāi)始受到重視。1947年鍺點(diǎn)接觸三極管制成,成為半導(dǎo)體的研究成果的重大突破。
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半導(dǎo)體氣敏器件介紹

半導(dǎo)體氣敏器件相關(guān)資料分享
2021-04-01 06:01:54

半導(dǎo)體激光二極管的原理及應(yīng)用

半導(dǎo)體激光二極管是比較嬌貴的器件,工作方式一般都是采樣恒流。過(guò)流過(guò)壓都會(huì)造成激光管的損壞。尤其怕靜電。 半導(dǎo)體激光二極管的常見(jiàn)參數(shù)有:  (1)波長(zhǎng):即激光管工作波長(zhǎng),目前可作方向張開(kāi)的角度,一般在
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半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性

要的是,如果在純諍 的半導(dǎo)體中加入適量的微量雜質(zhì)后,可使其導(dǎo)電能力增加至數(shù)十萬(wàn)倍以上。利用 這一特性,已經(jīng)做成各種不同用途的半導(dǎo)體器件(如二極管、三極管、場(chǎng)效應(yīng)管 和晶閘管等)。溫度、光照和適量摻入雜質(zhì)
2017-07-28 10:17:42

半導(dǎo)體芯片產(chǎn)業(yè)的發(fā)展趨勢(shì)

國(guó)際半導(dǎo)體芯片巨頭壟斷加劇半導(dǎo)體芯片產(chǎn)業(yè)呈現(xiàn)三大趨勢(shì)
2021-02-04 07:26:49

半導(dǎo)體芯片內(nèi)部結(jié)構(gòu)是由哪些部分組成的

半導(dǎo)體是什么?芯片又是什么?半導(dǎo)體芯片是什么?半導(dǎo)體芯片內(nèi)部結(jié)構(gòu)是由哪些部分組成的?
2021-07-29 09:18:55

半導(dǎo)體集成電路是什么

`  誰(shuí)來(lái)闡述一下半導(dǎo)體集成電路是什么?`
2020-03-24 17:12:08

固態(tài)射頻能量與傳統(tǒng)射頻的不同

過(guò)程實(shí)現(xiàn)更高的效率和更優(yōu)的控制。以前的射頻應(yīng)用需要使用磁控管來(lái)產(chǎn)生能量,但是通過(guò)使用固態(tài)射頻半導(dǎo)體器件,可實(shí)現(xiàn)更高的精度和更優(yōu)的控制。以上介紹的所有固態(tài)射頻能量技術(shù)的實(shí)現(xiàn),依賴于射頻器件工藝制程技術(shù)
2018-08-21 10:57:30

突破氮化鎵功率半導(dǎo)體的速度限制

突破GaN功率半導(dǎo)體的速度限制
2023-06-25 07:17:49

量子力學(xué)的固態(tài)物理應(yīng)用

世界名著經(jīng)典之量子力學(xué)的固態(tài)物理應(yīng)用章回 12 固態(tài)物理的應(yīng)用Pg.215------------------------------------------1. 導(dǎo)論在許多方面一個(gè)固體就像是一個(gè)
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量子力學(xué)經(jīng)典之固態(tài)物理應(yīng)用

本帖最后由 ygpotsyyz 于 2020-8-6 21:30 編輯 量子力學(xué)經(jīng)典之固態(tài)物理應(yīng)用量子力學(xué)傳統(tǒng)經(jīng)典為現(xiàn)代乃至當(dāng)今量子計(jì)算與通訊之基礎(chǔ),理論與實(shí)踐相結(jié)合又一經(jīng)典,固態(tài)物理應(yīng)用。圖文內(nèi)容符合國(guó)際標(biāo)準(zhǔn):大灣區(qū)2020-8-6
2020-08-06 21:03:47

GaN基微波半導(dǎo)體器件材料的特性

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MACOM和意法半導(dǎo)體將硅上氮化鎵推入主流射頻市場(chǎng)和應(yīng)用

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2018-02-12 15:11:38

《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》GaN 半導(dǎo)體材料與器件手冊(cè)

書籍:《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章:GaN 半導(dǎo)體材料與器件手冊(cè)編號(hào):JFSJ-21-059III族氮化物半導(dǎo)體的光學(xué)特性介紹III 族氮化物材料的光學(xué)特性顯然與光電應(yīng)用直接相關(guān),但測(cè)量光學(xué)特性
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什么是基于SiC和GaN的功率半導(dǎo)體器件?

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根據(jù)不同的誘因,常見(jiàn)的對(duì)半導(dǎo)體器件的靜態(tài)損壞可分為人體,機(jī)器設(shè)備和半導(dǎo)體器件這三種。 當(dāng)靜電與設(shè)備導(dǎo)線的主體接觸時(shí),設(shè)備由于放電而發(fā)生充電,設(shè)備接地,放電電流將立即流過(guò)電路,導(dǎo)致靜電擊穿。外部物體
2023-12-12 17:18:54

太赫茲量子級(jí)聯(lián)激光器等THz源的工作原理及其研究進(jìn)展

、天文學(xué)、環(huán)境科學(xué)等領(lǐng)域有重要的應(yīng)用價(jià)值。THz振蕩源則是THz頻段應(yīng)用的關(guān)鍵器件。研制可以產(chǎn)生連續(xù)波發(fā)射的固態(tài)半導(dǎo)體振蕩源是THz技術(shù)研究中最前沿的問(wèn)題之一?;?b class="flag-6" style="color: red">半導(dǎo)體的THz輻射源有體積小、易集成
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2021-11-02 07:13:30

微課堂:功率器件(一)

`20世紀(jì)初量子力學(xué)的飛速發(fā)展,使人類對(duì)微觀世界有了全新的認(rèn)識(shí),并且在固體物理學(xué)研究領(lǐng)域取得了巨大的成就。今天,小迪將帶領(lǐng)大家走進(jìn)功率器件領(lǐng)域,一窺半導(dǎo)體功率器件的發(fā)展歷程。`
2015-12-22 18:08:46

我國(guó)半導(dǎo)體照明技術(shù)產(chǎn)業(yè)發(fā)展歷程及未來(lái)展望

半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)蓬勃發(fā)展。尤其對(duì)擁有核心技術(shù)、研發(fā)實(shí)力及品牌競(jìng)爭(zhēng)力的企業(yè)來(lái)說(shuō),發(fā)展的同時(shí)更是取得了市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)的絕對(duì)優(yōu)勢(shì)。對(duì)于我國(guó)LED產(chǎn)業(yè)來(lái)說(shuō),企業(yè)如何彌補(bǔ)產(chǎn)業(yè)不足,發(fā)揮自己的優(yōu)勢(shì),是我國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)未來(lái)
2016-03-03 16:44:05

淺析化合物半導(dǎo)體技術(shù)

、日本等國(guó)家和組織啟動(dòng)了至少12項(xiàng)研發(fā)計(jì)劃,總計(jì)投入研究經(jīng)費(fèi)達(dá)到6億美元。借助各國(guó)***的大力支持,自從1965年第一支GaAs晶體管誕生以來(lái),化合物半導(dǎo)體器件的制造技術(shù)取得了快速的進(jìn)步,為化合物半導(dǎo)體
2019-06-13 04:20:24

淺談紫外半導(dǎo)體發(fā)光二極管應(yīng)用范圍

本帖最后由 dzdaw2013b 于 2013-7-22 11:08 編輯 紫外半導(dǎo)體發(fā)光二極管在化學(xué)、生物、醫(yī)學(xué)和軍事領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用,目前這種材料的內(nèi)量子效率雖然可達(dá)到80%,但
2013-07-22 11:01:47

電力半導(dǎo)體器件有哪些分類?

電力半導(dǎo)體器件的分類
2019-09-19 09:01:01

電子元件-固態(tài)電子元件

固態(tài)電子元件指的是以固態(tài)不動(dòng)的物質(zhì)所構(gòu)成的元件、且其電流載子(自由電子或空*)也須是在固態(tài)的材料中流動(dòng),此種元件或器件才稱為固態(tài)電子元件或器件。   固態(tài)電子元件通常指的是使用半導(dǎo)體制成的元件
2011-01-07 11:12:36

電源突破性的新技術(shù)

半導(dǎo)體技術(shù)中,與數(shù)字技術(shù)隨著摩爾定律延續(xù)神奇般快速更新迭代不同,模擬技術(shù)的進(jìn)步顯得緩慢,其中電源半導(dǎo)體技術(shù)尤其波瀾不驚,在十年前開(kāi)關(guān)電源就已經(jīng)達(dá)到90+%的效率下,似乎關(guān)鍵指標(biāo)難以有大的突破,永遠(yuǎn)離不開(kāi)的性能“老三篇”——效率、尺寸、EMI/噪聲,少有見(jiàn)到一些突破性的新技術(shù)面市。
2019-07-16 06:06:05

硅基的量子器件和納米器件

,特別是近年來(lái)碳納米管的發(fā)展令人注目,在速度、集成度、特別是功耗方面都將有重大突破,但離開(kāi)實(shí)際應(yīng)用可能比硅基量子器件要更遠(yuǎn)一些。原文見(jiàn)王陽(yáng)元院士在“納米CMOS器件”書中寫的序(2004年1月科學(xué)出版社出版)。 :
2018-08-24 16:30:27

詳解:半導(dǎo)體的定義及分類

半導(dǎo)體制作的器件。半導(dǎo)體是指一種導(dǎo)電性可受控制,范圍可從絕緣體至導(dǎo)體之間的材料。無(wú)論從科技或是經(jīng)濟(jì)發(fā)展的角度來(lái)看,半導(dǎo)體的重要性都是非常巨大的。今日大部分的電子產(chǎn)品,如計(jì)算機(jī)、移動(dòng)電話或是數(shù)字錄音機(jī)當(dāng)中
2016-11-27 22:34:51

超導(dǎo)量子芯片有哪些優(yōu)勢(shì)?

等方面的要求和實(shí)現(xiàn)路徑上都存在一定差異?! 煞N主流實(shí)現(xiàn)方式  經(jīng)典集成電路芯片通過(guò)一個(gè)個(gè)晶體管構(gòu)建經(jīng)典比特,二進(jìn)制信息單元即經(jīng)典比特,基于半導(dǎo)體制造工藝,采用硅、砷化鎵、鍺等半導(dǎo)體作為材料?! 《?b class="flag-6" style="color: red">量子
2020-12-02 14:13:13

這一年,半導(dǎo)體行業(yè)風(fēng)云變幻 精選資料分享

點(diǎn)到年底的2800點(diǎn),漲幅超過(guò)1000點(diǎn)。中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展同樣精彩,全年增長(zhǎng)率保持在兩位數(shù)以上,在部分關(guān)鍵領(lǐng)域取得實(shí)質(zhì)性突破。先抑后揚(yáng),年終驟現(xiàn)“缺芯”潮半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)表現(xiàn)一向與全球經(jīng)濟(jì)“正相關(guān)”,即全球經(jīng)濟(jì)增長(zhǎng),半導(dǎo)體市場(chǎng)也同步增長(zhǎng),如果全球經(jīng)濟(jì)萎縮,也會(huì)在半導(dǎo)體市場(chǎng)上表現(xiàn)出來(lái)。...
2021-07-27 06:50:31

適合用于射頻、微波等高頻電路的半導(dǎo)體材料及工藝情況介紹

半導(dǎo)體材料是一類具有半導(dǎo)體性能(導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體與絕緣體之間,電阻率約在1mΩ·cm~1GΩ·cm范圍內(nèi))、可用來(lái)制作半導(dǎo)體器件和集成電路的電子材料。按種類可以分為元素半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體兩大類
2019-06-27 06:18:41

長(zhǎng)期高級(jí)群:94046358半導(dǎo)體器件,歡迎加入!

本人半導(dǎo)體行業(yè)多年,因長(zhǎng)期開(kāi)會(huì)員,故建一高級(jí)群:94046358半導(dǎo)體器件,歡迎各位加入!
2009-11-18 15:43:56

TSS/半導(dǎo)體過(guò)壓保護(hù)器件

紹鑫電子半導(dǎo)體放電管是一種過(guò)壓保護(hù)器件,它利用晶閘管原理制造而成, 依靠PN結(jié)的擊穿電流觸發(fā)器件導(dǎo)通放電。半導(dǎo)體放電管能夠通過(guò)較大的浪涌電流或脈沖電流。 
2022-07-27 13:59:30

半導(dǎo)體器件的熱阻和散熱器設(shè)計(jì)

半導(dǎo)體器件的熱阻和散熱器設(shè)計(jì) 半導(dǎo)體器件的熱阻:功率半導(dǎo)體器件在工作時(shí)要產(chǎn)生熱量,器件要正常工作就需要把這些熱量散發(fā)掉,使器件的工作溫度低于其
2010-03-12 15:07:5263

半導(dǎo)體器件測(cè)試-IGBT器件全參數(shù)測(cè)試-電子元件

服務(wù)范圍MOSFET、IGBT、DIODE、BJT,第三代半導(dǎo)體器件等分立器件,以及上述元件構(gòu)成的功率模塊。檢測(cè)標(biāo)準(zhǔn)l  AEC-Q101分立器件認(rèn)證l  MIL-STD-750
2024-01-29 22:00:42

半導(dǎo)體器件物理

• 《半導(dǎo)體器件物理基礎(chǔ)》曾樹(shù)榮北京大學(xué)出版社• 《半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)》[美]Robert F. Pierret 黃如、王漪等譯電子工業(yè)出版社• 《半導(dǎo)體器件物理與工藝》第二版[美
2010-10-03 14:05:030

半導(dǎo)體器件

 一、 中國(guó)半導(dǎo)體器件型號(hào)命名方法    半導(dǎo)體器件型號(hào)由五部分(場(chǎng)效應(yīng)器件、半導(dǎo)體特殊器件、復(fù)合管、PIN型管、激光器件的型號(hào)命名只有第三、四、五部分
2006-06-30 13:01:221297

各國(guó)半導(dǎo)體器件型號(hào)命名方法介紹

各國(guó)半導(dǎo)體器件型號(hào)命名方法介紹 一、 中國(guó)半導(dǎo)體器件型號(hào)命名方法半導(dǎo)體器件型號(hào)由五部分(場(chǎng)效應(yīng)器件半導(dǎo)體特殊器件、
2009-11-28 09:42:37698

半導(dǎo)體器件,半導(dǎo)體器件的種類

半導(dǎo)體器件,半導(dǎo)體器件的種類 半導(dǎo)體器件從肯有2個(gè)管腳的二極管到最新的系統(tǒng)LSI、超大功率器件均有廣泛的研究,且被廣泛地運(yùn)用于手機(jī)、數(shù)碼家電產(chǎn)品
2010-03-01 17:25:026014

半導(dǎo)體技術(shù)知識(shí):晶格振動(dòng)的量子化與聲子#半導(dǎo)體

半導(dǎo)體技術(shù)量子振動(dòng)
學(xué)習(xí)電子發(fā)布于 2022-11-10 12:31:33

半導(dǎo)體物理與器件量子力學(xué)基礎(chǔ)#半導(dǎo)體

半導(dǎo)體量子
學(xué)習(xí)電子發(fā)布于 2022-11-10 15:17:25

半導(dǎo)體物理與器件量子力學(xué)的基本原理#半導(dǎo)體

半導(dǎo)體量子
學(xué)習(xí)電子發(fā)布于 2022-11-10 15:18:06

量子力學(xué)基礎(chǔ)2#半導(dǎo)體

半導(dǎo)體量子
學(xué)習(xí)電子發(fā)布于 2022-11-10 15:35:58

雙極型與MOS半導(dǎo)體器件原理_黃均鼐

雙極型與MOS半導(dǎo)體器件原理_黃均鼐.
2012-04-25 14:52:110

固態(tài)量子研究取得新進(jìn)展

最近,位在美國(guó)和歐洲的實(shí)驗(yàn)室,都分別宣布了在應(yīng)用固態(tài)材料儲(chǔ)存自旋量子態(tài)方面的研究進(jìn)展,而這一直是在量子運(yùn)算中使用自旋電子學(xué)的關(guān)鍵障礙。 許多研究人員認(rèn)為,自旋電子學(xué)
2012-06-30 11:30:42787

常用半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)知識(shí)

常用半導(dǎo)體器件常用半導(dǎo)體器件常用半導(dǎo)體器件常用半導(dǎo)體器件常用半導(dǎo)體器件
2015-11-13 15:47:240

半導(dǎo)體量子芯片研究再現(xiàn)“黑科技”

由于固態(tài)系統(tǒng)環(huán)境復(fù)雜,量子比特的超快操控與長(zhǎng)相干往往不可兼得。為了提高半導(dǎo)體量子芯片雜化量子比特的可控性,郭國(guó)平研究組將非對(duì)稱思想運(yùn)用到研究中,把原有的雙量子點(diǎn)結(jié)構(gòu)擴(kuò)展成線性耦合三量子點(diǎn)系統(tǒng)。他們
2018-02-10 11:21:120

半導(dǎo)體量子芯片研制方面再獲新進(jìn)展,首次實(shí)現(xiàn)三量子比特邏輯門

開(kāi)發(fā)與現(xiàn)代半導(dǎo)體工藝兼容的半導(dǎo)體全電控量子芯片,是當(dāng)前量子計(jì)算機(jī)研制的重要方向之一。郭光燦團(tuán)隊(duì)中的郭國(guó)平教授研究組長(zhǎng)期致力于半導(dǎo)體量子芯片研發(fā),近年來(lái)曾先后實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體單電荷量子比特普適邏輯門、兩電荷量子比特控制非邏輯門等成果。
2018-06-26 14:10:00667

半導(dǎo)體光電器件有哪些

半導(dǎo)體光電器件是指把光和電這兩種物理量聯(lián)系起來(lái),使光和電互相轉(zhuǎn)化的新型半導(dǎo)體器件。即利用半導(dǎo)體的光電效應(yīng)(或熱電效應(yīng))制成的器件。光電器件主要有,利用半導(dǎo)體光敏特性工作的光電導(dǎo)器件,利用半導(dǎo)體光伏打效應(yīng)工作的光電池和半導(dǎo)體發(fā)光器件等。
2019-01-09 15:06:1624950

取得突破,霍尼韋爾將發(fā)布全球最強(qiáng)大的量子計(jì)算機(jī)

霍尼韋爾3月3日宣布在量子計(jì)算領(lǐng)域取得突破,將提升量子計(jì)算機(jī)的性能,公司將在未來(lái)三個(gè)月內(nèi)發(fā)布全球最強(qiáng)大的量子計(jì)算機(jī)。
2020-03-04 14:03:472069

我國(guó)半導(dǎo)體部分中高端領(lǐng)域取得可喜突破 不確定因素增加但仍將篤定前行

半導(dǎo)體新結(jié)構(gòu)、新器件的開(kāi)發(fā)提供了新的思路。2019年,國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體材料在各方共同努力下,部分中高端領(lǐng)域取得可喜突破,國(guó)產(chǎn)化進(jìn)一步提升。
2020-03-26 15:54:282473

基于量子中繼的量子通信網(wǎng)絡(luò)技術(shù)取得重大突破

近日,我國(guó)在基于量子中繼的量子通信網(wǎng)絡(luò)技術(shù)方面取得重大突破,在國(guó)際上首次實(shí)現(xiàn)相距50公里光纖的存儲(chǔ)器間的量子糾纏。
2020-04-03 17:58:443089

中國(guó)量子計(jì)算機(jī)取得新的突破

隨著中國(guó)在科技領(lǐng)域上的進(jìn)步,中國(guó)量子計(jì)算機(jī)也取得了新的突破。兩個(gè)月前,中國(guó)科技大學(xué)宣布了一項(xiàng)喜訊,包括潘建偉在內(nèi)的該校幾人,成功構(gòu)建76個(gè)光子的量子計(jì)算機(jī)原型機(jī)“九章”。這一突破使我國(guó)成為了僅次于美國(guó)的全球第二個(gè)實(shí)現(xiàn)“量子優(yōu)越性”的國(guó)家。
2021-02-22 10:48:363372

中科大在微波諧振腔探測(cè)半導(dǎo)體量子芯片上取得重要進(jìn)展

5月9日消息 據(jù)中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)網(wǎng)站,中國(guó)科大郭光燦院士團(tuán)隊(duì)在微波諧振腔探測(cè)半導(dǎo)體量子芯片上取得重要進(jìn)展。 該團(tuán)隊(duì)郭國(guó)平、曹剛等人與本源量子計(jì)算有限公司合作,利用微波超導(dǎo)諧振腔實(shí)現(xiàn)了對(duì)半導(dǎo)體量子
2021-05-13 09:32:241715

IBM和三星在半導(dǎo)體設(shè)計(jì)方面取得重大突破

在2021 IEEE國(guó)際電子器件會(huì)議(IEDM)上,IBM和三星聯(lián)合宣布,他們?cè)?b class="flag-6" style="color: red">半導(dǎo)體設(shè)計(jì)方面取得一項(xiàng)重大突破。
2022-03-16 09:56:02357

本源量子與中國(guó)科大合作在硅基半導(dǎo)體量子比特調(diào)控上取得新進(jìn)展

當(dāng)前,量子計(jì)算發(fā)展進(jìn)入飛速期,各國(guó)研究團(tuán)隊(duì)分別通過(guò)超導(dǎo)電路、離子阱、半導(dǎo)體、金剛石色心,或者光子等各種介質(zhì)來(lái)構(gòu)建量子比特體系,實(shí)現(xiàn)量子計(jì)算。在這些技術(shù)思路中,硅基自旋量子比特具有較長(zhǎng)的量子退相干
2022-05-12 09:42:31305

淺談功率半導(dǎo)體器件與普通半導(dǎo)體器件的區(qū)別

功率半導(dǎo)體器件與普通半導(dǎo)體器件的區(qū)別在于,其在設(shè)計(jì)的時(shí)候,需要多一塊區(qū)域,來(lái)承擔(dān)外加的電壓,如圖5所示,300V器件[1]的“N-drift”區(qū)域就是額外承擔(dān)高壓的部分。與沒(méi)有“N-drift”區(qū)的普通半導(dǎo)體器件[2]相比,明顯尺寸更大,這也是功率半導(dǎo)體器件的有點(diǎn)之一。
2023-10-18 11:16:211170

拓?fù)?b class="flag-6" style="color: red">量子器件突破性進(jìn)展

1月18日,德累斯頓和維爾茨堡的量子物理學(xué)家們取得了顯著的科技突破。他們研發(fā)出一種半導(dǎo)體器件,其卓越的魯棒性和敏感度得益于一種量子現(xiàn)象——拓?fù)浔Wo(hù)作用,能夠免受外部干擾,實(shí)現(xiàn)前所未有的精準(zhǔn)測(cè)量功能。
2024-01-23 14:59:21232

華光光電808nm高功率半導(dǎo)體激光芯片研究取得重大技術(shù)突破

近日,華光光電808nm高功率半導(dǎo)體激光芯片研究取得重大技術(shù)突破。經(jīng)過(guò)公司研發(fā)團(tuán)隊(duì)持續(xù)地科研攻關(guān),華光光電成功研制出25W高功率高可靠性激光芯片,進(jìn)一步鞏固了公司在半導(dǎo)體激光領(lǐng)域的領(lǐng)先地位,并為國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體激光芯片產(chǎn)業(yè)升級(jí)注入了新的活力。
2024-04-26 10:54:42206

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