寬禁帶半導(dǎo)體（WBS）是自第一代元素半導(dǎo)體材料（Si）和第二代化合物半導(dǎo)體材料（GaAs、GaP、InP等）之后發(fā)展起來的第三代半導(dǎo)體材料，禁帶寬度大于2eV，這類材料主要包括SiC（碳化硅）、C-BN（立方氮化硼）、GaN（氮化鎵、）AlN（氮化鋁）、ZnSe（硒化鋅）以及金剛石等。
2016-12-05 09:18:34
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鋁、干法刻蝕鈦、干法刻蝕氮化鈦等）20、 等離子去膠21、 DRIE （硅深槽刻蝕）、ICP、TSV22、 濕法刻蝕23、 膜厚測量24、 納米、微米臺階測量25、 電阻、方阻、電阻率測量等26、 半導(dǎo)體
2015-01-07 16:15:47
我廠專業(yè)生產(chǎn)半導(dǎo)體加熱材料，半導(dǎo)體烘干設(shè)備，這種新型的半導(dǎo)體材料能節(jié)約能源，讓熱能循環(huán)再利用。如有需要請聯(lián)系我們。網(wǎng)址：www.rftxny.com 電話：0536-52065060536-5979521
2013-04-01 13:13:15
半導(dǎo)體材料市場構(gòu)成：在半導(dǎo)體材料市場構(gòu)成方面，大硅片占比最大，占比為32.9%。其次為氣體，占比為14.1%，光掩膜排名第三，占比 為12.6%，其后：分別為拋光液和拋光墊、光刻膠配套試劑、光刻膠、濕化學(xué)品、建設(shè)靶材，比分別為7.2%、6.9%、 6.1%、4%和3%。
2021-01-22 10:48:36
半導(dǎo)體材料從發(fā)現(xiàn)到發(fā)展，從使用到創(chuàng)新，擁有這一段長久的歷史。宰二十世紀(jì)初，就曾出現(xiàn)過點(diǎn)接觸礦石檢波器。1930年，氧化亞銅整流器制造成功并得到廣泛應(yīng)用，是半導(dǎo)體材料開始受到重視。1947年鍺點(diǎn)接觸三極管制成，成為半導(dǎo)體的研究成果的重大突破。
2020-04-08 09:00:15
常見的一類缺陷。位錯密度用來衡量半導(dǎo)體單晶材料晶格完整性的程度，對于非晶態(tài)半導(dǎo)體材料，則沒有這一參數(shù)。半導(dǎo)體材料的特性參數(shù)不僅能反映半導(dǎo)體材料與其他非半導(dǎo)體材料之間的差別 ，更重要的是能反映各種半導(dǎo)體材料之間甚至統(tǒng)一種材料在不同情況下，其特性的量值差別。
2013-01-28 14:58:38
好像***最近去英國還專程看了華為英國公司的石墨烯研究，搞得國內(nèi)好多石墨烯材料的股票大漲，連石墨烯內(nèi)褲都跟著炒作起來了~~小編也順應(yīng)潮流聊聊半導(dǎo)體材料那些事吧。
2019-07-29 06:40:11
半導(dǎo)體制冷的機(jī)理主要是電荷載體在不同的材料中處于不同的能量級，在外電場的作用下，電荷載體從高能級的材料向低能級的材料運(yùn)動時，便會釋放出多余的能量。
2020-04-03 09:02:14
半導(dǎo)體制冷片是利用半導(dǎo)體材料的Peltier效應(yīng)而制作的電子元件，當(dāng)直流電通過兩種不同半導(dǎo)體材料串聯(lián)成的電偶時，在電偶的兩端即可分別吸收熱量和放出熱量，可以實(shí)現(xiàn)制冷的目的。它是一種產(chǎn)生負(fù)熱阻的制冷技術(shù)，其特點(diǎn)是無運(yùn)動部件，可靠性也比較高。半導(dǎo)體制冷片的工作原理是什么？半導(dǎo)體制冷片有哪些優(yōu)缺點(diǎn)？
2021-02-24 09:24:02
oxide)或濕氧層(wet /field oxide)，當(dāng)作電子組件電性絕緣或制程掩膜之用。氧化是半導(dǎo)體制程中，最干凈、單純的一種；這也是硅晶材料能夠取得優(yōu)勢的特性之一（他種半導(dǎo)體，如砷化鎵
2011-08-28 11:55:49
電阻和氣體敏感膜。金電極連接氣敏材料的兩端，使其等效為一個阻值隨外部待測氣體濃度變化的電阻。由于金屬氧化物有很高的熱穩(wěn)定性，而且這種傳感器僅在半導(dǎo)體表面層產(chǎn)生可逆氧化還原反應(yīng)，半導(dǎo)體內(nèi)部化學(xué)結(jié)構(gòu)不變
2012-08-29 15:40:48
) P型半導(dǎo)體在本征半導(dǎo)體中摻入微量的三價元素（如硼）就形成P型半導(dǎo)體，結(jié)構(gòu)示意如圖1-3所示?？梢娒繐饺?b class="flag-6" style="color: red">一個三價原子，就能提供一個空穴，所以在P型半導(dǎo)體中，空穴 濃度遠(yuǎn)大于自由電子濃度，空穴為多數(shù)
2017-07-28 10:17:42
) P型半導(dǎo)體在本征半導(dǎo)體中摻入微量的三價元素（如硼）就形成P型半導(dǎo)體，結(jié)構(gòu)示意如圖1-3所示?？梢娒繐饺?b class="flag-6" style="color: red">一個三價原子，就能提供一個空穴，所以在P型半導(dǎo)體中，空穴 濃度遠(yuǎn)大于自由電子濃度，空穴為多數(shù)
2018-02-11 09:49:21
進(jìn)口日本半導(dǎo)體硅材料呆料，硅含量高，其中有些硅圓片，打磨減薄后可以成為硅晶圓芯片的生產(chǎn)材料。聯(lián)系方式：沈女士（***）
2020-01-06 09:59:44
?，F(xiàn)公司代理產(chǎn)品包括半導(dǎo)體、太陽能硅片的檢測裝置，包含美國FSM公司的薄膜應(yīng)力檢測、硅片翹曲度檢測、薄膜厚度檢測、硅片平整度檢測設(shè)備等；以及美國PET公司的太陽能模擬器、I-V曲線數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)、硅片表面質(zhì)量檢測裝置等。聯(lián)系電話：***地址:蘇州工業(yè)園區(qū)啟月街288號
2015-04-02 17:21:04
厚度即循環(huán)一次的特性。有經(jīng)驗(yàn)者也可單憑顏色而判斷出大約的氧化層厚度。不過若超過1.5微米以上的厚度時，氧化層顏色便漸不明顯。 2.擴(kuò)散（爐）（diffusion）1、擴(kuò)散攙雜 半導(dǎo)體材料可攙雜n型或p
2011-09-23 14:41:42
元素硼，由于加入了最外層為3個電子的元素，在形成共價鍵后會多出一個空位，硅原子的最外層電子會去填補(bǔ)這個空位，從而會多出一個空穴?？昭◣д?，所以稱之為P(positive，正)型半導(dǎo)體。在N型半導(dǎo)體中
2020-06-27 08:54:06
吸波材料已不能滿足民用、尤其是軍事應(yīng)用需求。因此，研制更薄、更輕、頻帶更寬的新型吸波材料已成為當(dāng)前的緊迫課題。超材料（Metamaterial，MTM）是近年來電磁領(lǐng)域的研究熱點(diǎn)之一，其特點(diǎn)是具有亞
2019-05-28 07:01:30
是什么氮化鎵（GaN）是氮和鎵化合物，具體半導(dǎo)體特性，早期應(yīng)用于發(fā)光二極管中，它與常用的硅屬于同一元素周期族，硬度高熔點(diǎn)高穩(wěn)定性強(qiáng)。氮化鎵材料是研制微電子器件的重要半導(dǎo)體材料，具有寬帶隙、高熱導(dǎo)率等特點(diǎn)，應(yīng)用在充電器方面，主要是集成氮化鎵MOS管，可適配小型變壓器和高功率器件，充電效率高。二、氮化
2021-09-14 08:35:58
寬禁帶半導(dǎo)體材料氮化鎵（GaN）以其良好的物理化學(xué)和電學(xué)性能成為繼第一代元素半導(dǎo)體硅（Si）和第二代化合物半導(dǎo)體砷化鎵（GaAs）、磷化鎵（GaP）、磷化銦（InP）等之后迅速發(fā)展起來的第三代半導(dǎo)體
2019-06-25 07:41:00
兼首席執(zhí)行官John Croteau表示：“本協(xié)議是我們引領(lǐng)射頻工業(yè)向硅上氮化鎵技術(shù)轉(zhuǎn)化的漫長征程中的一個里程碑。截至今天，MACOM通過化合物半導(dǎo)體小廠改善并驗(yàn)證了硅上氮化鎵技術(shù)的優(yōu)勢，射頻性能和可靠性
2018-02-12 15:11:38
的射頻器件越來越多，即便集成化仍然很難控制智能手機(jī)的成本。這跟功能機(jī)時代不同，我們可以將成本做到很低，在全球市場都能夠保證低價。但如果到了5G時代，需要的器件越來越多，價格越來越高。半導(dǎo)體材料硅基氮化鎵
2017-07-18 16:38:20
濃度遠(yuǎn)大于自由電子濃度的雜質(zhì)
半導(dǎo)體?！ ≡诩儍舻碾娮影l(fā)燒友體中摻入三價元素（如
硼），使之取代晶格中硅原子的位子，就形成P型
半導(dǎo)體。在P型
半導(dǎo)體中，空穴為多子，自由電子為少子，主要靠空穴導(dǎo)電?？昭ㄖ饕?/div>
2016-10-14 15:11:56
之間移動的電子稱為帶隙能量。絕緣體、導(dǎo)體和半導(dǎo)體的導(dǎo)電性能可以從它們帶隙的不同來理解。圖 1 和圖 2 說明了摻雜劑如何影響半導(dǎo)體的電阻率/電導(dǎo)率。在圖 1 中，摻雜劑產(chǎn)生了一個空穴，因?yàn)樗鄙倥c四價
2021-07-01 09:38:40
書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：氮化鎵發(fā)展技術(shù)編號：JFSJ-21-041作者：炬豐科技網(wǎng)址：http://www.wetsemi.com/index.html 摘要：在單個芯片上集成多個
2021-07-06 09:38:20
書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：GaN 半導(dǎo)體材料與器件手冊編號：JFSJ-21-059III族氮化物半導(dǎo)體的光學(xué)特性介紹III 族氮化物材料的光學(xué)特性顯然與光電應(yīng)用直接相關(guān)，但測量光學(xué)特性
2021-07-08 13:08:32
提供專業(yè)、高效、技術(shù)支持與服務(wù)。此外還可為有需求的長三角及周邊客戶提供短時間內(nèi)到達(dá)現(xiàn)場維修技術(shù)服務(wù)?！ ?010-04926應(yīng)用材料半導(dǎo)體配件的分類及性能： （1）元素半導(dǎo)體。元素半導(dǎo)體是指單一
2020-03-26 15:40:25
正方形子組件可能僅包含一種半導(dǎo)體材料或多達(dá)整個電路，例如集成電路計(jì)算機(jī)處理器。劃刻并切割用于生產(chǎn)電子元件（如二極管
2021-07-23 08:11:27
今年7月，東南大學(xué)有序物質(zhì)科學(xué)研究中心研究團(tuán)隊(duì)發(fā)現(xiàn)了一類新型分子壓電材料，首次在壓電性能上達(dá)到了傳統(tǒng)無機(jī)壓電材料的水平，這一材料將有望使電子產(chǎn)品體積進(jìn)一步縮小、彎折衣服就可對手機(jī)充電等應(yīng)用成為可能。那么，壓電材料是什么？新型分子壓電材料是什么樣子的？它具有哪些優(yōu)勢？
2020-08-19 07:58:38
氮化鎵，由鎵（原子序數(shù) 31）和氮（原子序數(shù) 7）結(jié)合而來的化合物。它是擁有穩(wěn)定六邊形晶體結(jié)構(gòu)的寬禁帶半導(dǎo)體材料。禁帶，是指電子從原子核軌道上脫離所需要的能量，氮化鎵的禁帶寬度為 3.4eV，是硅
2023-06-15 15:41:16
（SiC）和氮化鎵（GaN）是功率半導(dǎo)體生產(chǎn)中采用的主要半導(dǎo)體材料。與硅相比，兩種材料中較低的本征載流子濃度有助于降低漏電流，從而可以提高半導(dǎo)體工作溫度。此外，SiC 的導(dǎo)熱性和 GaN 器件中穩(wěn)定的導(dǎo)通電
2023-02-21 16:01:16
真空紫外輻射材料加工的研究報道急劇增加,本文將簡要介紹DBD準(zhǔn)分子紫外光源的特點(diǎn)及其在材料加工中的研究和應(yīng)用,包括無機(jī)薄膜制備、半導(dǎo)體材料氧化、材料表面清洗、過渡金屬化合物還原、高分子合成和聚合物表面
2010-05-06 08:56:18
功率半導(dǎo)體器件應(yīng)用手冊功率半導(dǎo)體器件應(yīng)用手冊——彎腳及焊接應(yīng)注意的問題本文將向您介紹大家最關(guān)心的有關(guān)TSE功率半導(dǎo)體器件封裝的兩個問題：一、 怎樣彎腳才能不影響器件的可靠性？二、 怎樣確保焊接
2008-08-12 08:46:34
半導(dǎo)體元器件是用半導(dǎo)體材料制成的電子元器件，隨著電子技術(shù)的飛速發(fā)展，各種新型半導(dǎo)體元器件層出不窮。半導(dǎo)體元器件是組成各種電子電路的核心元件，學(xué)習(xí)電子技術(shù)必須首先了解半導(dǎo)體元器件的基本結(jié)構(gòu)和工作原理
2008-05-24 10:29:38
`我司專業(yè)生產(chǎn)制造半導(dǎo)體包裝材料。晶圓硅片盒及里面的填充材料一批及防靜電屏蔽袋。聯(lián)系方式：24632085`
2016-09-27 15:02:08
氮化鎵(GaN)是一種全新的使能技術(shù)，可實(shí)現(xiàn)更高的效率、顯著減小系統(tǒng)尺寸、更輕和于應(yīng)用中取得硅器件無法實(shí)現(xiàn)的性能。那么，為什么關(guān)于氮化鎵半導(dǎo)體仍然有如此多的誤解？事實(shí)又是怎樣的呢？
關(guān)于氮化鎵技術(shù)
2023-06-25 14:17:47
的半導(dǎo)體有熱敏電阻（如鈷、錳、鎳等的氧化物）、光敏電阻（如鎘、鉛等的硫化物與硒化物）。3、 在純凈的半導(dǎo)體中摻入微量的某種雜質(zhì)后，它的導(dǎo)電能力就可增加幾十萬甚至幾百萬倍。例如在純硅中摻入百萬分之一的硼后
2016-10-07 22:07:14
GaN將在高功率、高頻率射頻市場及5G 基站PA的有力候選技術(shù)。未來預(yù)估5-10年內(nèi)GaN 新型材料將快速崛起并占有多半得半導(dǎo)體市場需求。。。以下內(nèi)容均摘自網(wǎng)絡(luò)媒體，如果不妥，請聯(lián)系站內(nèi)信進(jìn)行刪除
2019-04-13 22:28:48
的一種最具有優(yōu)勢的半導(dǎo)體材料.并且具有遠(yuǎn)大于Si材料的功率器件品質(zhì)因子。SiC功率器件的研發(fā)始于20世紀(jì)90年代.目前已成為新型功率半導(dǎo)體器件研究開發(fā)的主流。2004年SiC功率MOSFET不僅在高
2017-06-16 10:37:22
？到了上個世紀(jì)六七十年代，III-V族半導(dǎo)體的發(fā)展開辟了光電和微波應(yīng)用，與第一代半導(dǎo)體一起，將人類推進(jìn)了信息時代。八十年代開始，以碳化硅SiC、氮化鎵GaN為代表的第三代半導(dǎo)體材料的出現(xiàn)，開辟了人類
2017-05-15 17:09:48
”，“5-10年”和“10年以上”分為4個級別。并用這5個階段和4個級別完成一個優(yōu)先權(quán)矩陣，用于評估投資該市場的風(fēng)險。2016技術(shù)成熟度曲線（來源：Gartner 2016年7月）新型半導(dǎo)體材料主要是以砷
2017-02-22 14:59:09
半導(dǎo)體材料是一類具有半導(dǎo)體性能（導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體與絕緣體之間，電阻率約在1mΩ·cm～1GΩ·cm范圍內(nèi)）、可用來制作半導(dǎo)體器件和集成電路的電子材料。按種類可以分為元素半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體兩大類
2019-06-27 06:18:41
半導(dǎo)體生產(chǎn)用高純度原料高純氧化硼（Boron Oxide，B2O3 ）
2022-01-17 14:16:58
研究了不同反應(yīng)溫度對苯熱合成立方氮化硼的影響，研究結(jié)果表明：以Li3N和BBr3為原料制備立方氮化硼時，溫度對產(chǎn)物中立方相含量有很大影響，在200~400℃，產(chǎn)物主要為六方相氮
2009-04-26 22:18:59
23 半導(dǎo)體材料,半導(dǎo)體材料是什么意思
半導(dǎo)體材料（semiconductor material）
導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體與絕緣體之間的物質(zhì)稱為半
2010-03-04 10:28:035544 低維半導(dǎo)體材料, 低維半導(dǎo)體材料是什么意思
實(shí)際上這里說的低維半導(dǎo)體材料就是納米材料，之所以不愿意使用這個詞，主要是不想
2010-03-04 10:31:425083 什么是寬帶隙半導(dǎo)體材料
氮化鎵、碳化硅和氧化鋅等都是寬帶隙半導(dǎo)體材料，因?yàn)樗慕麕挾榷荚?個電子伏以上，在室溫下不可
2010-03-04 10:32:487106 半導(dǎo)體是介于導(dǎo)體和絕緣體之間的材料。伴隨著半導(dǎo)體市場的壯大，半導(dǎo)體材料也不斷獲得突破。半導(dǎo)體納米科學(xué)技術(shù)的應(yīng)用，將從原子、分子、納米尺度水平上，控制和制造功能強(qiáng)大
2012-02-28 08:52:562227 材料由一種名叫C60的微粒制成，C60是半導(dǎo)體，上面涂有其它材料，比如石墨烯和六方氮化硼。為什么這種獨(dú)特的結(jié)合行得通？因?yàn)榱?b class="flag-6" style="color: red">氮化硼讓材料更穩(wěn)定、具備電子兼容性，C60可以將陽光轉(zhuǎn)化為電能。
2017-06-03 11:08:041831 耐威科技發(fā)力第三代半導(dǎo)體材料，其氮化鎵材料項(xiàng)目宣布簽約青島。
2018-07-10 11:13:4611881 據(jù)悉，六方氮化硼是一類重要的二維半導(dǎo)體層狀材料，如何在晶圓上實(shí)現(xiàn)單晶六方氮化硼薄膜的可控生長是六方氮化硼未來應(yīng)用于集成電路中的關(guān)鍵挑戰(zhàn)。
2020-03-17 15:21:382563 7月，三星電子宣布，三星高級技術(shù)學(xué)院（SAIT）的研究人員與蔚山國家科學(xué)技術(shù)學(xué)院（UNIST）、劍橋大學(xué)兩家高校合作，發(fā)現(xiàn)了一種名為非晶態(tài)氮化硼（a-BN）的新材料，此項(xiàng)研究可能加速下一代半導(dǎo)體材料的問世。
2020-07-09 15:00:041180 器件市場規(guī)模有望達(dá)到7.45 億美元；GaN功率器件市場規(guī)模有望達(dá)到4.50億美元。 基于此，新材料在線特推出【2020年氮化鎵半導(dǎo)體材料行業(yè)研究報告】，供業(yè)內(nèi)人士參考： 原文標(biāo)題：【重磅報告】2020年氮化鎵半導(dǎo)體材料行業(yè)研究報告 文章出處：【微信公眾號：新材料在線】歡迎添加關(guān)注！文章轉(zhuǎn)載請
2020-10-09 10:16:033675 氮化鎵(GaN)是一種寬禁帶隙的半導(dǎo)體材料，在半導(dǎo)體行業(yè)是繼硅之后最受歡迎的材料。這背后的原動力趨勢是led，微波，以及最近的電力電子。新的研究領(lǐng)域還包括自旋電子學(xué)和納米帶晶體管，利用了氮化鎵的一些
2022-03-23 14:15:081093 
了解氮化鎵
-寬帶隙半導(dǎo)體：為什么？
-氮化鎵與其他半導(dǎo)體的比較(FOM)
-如何獲得高片電荷和高遷移率？
2023-01-15 14:54:25829 氮化鎵（GaN）主要是指一種由人工合成的半導(dǎo)體材料，是第三代半導(dǎo)體材料的典型代表， 研制微電子器件、光電子器件的新型材料。氮化鎵技術(shù)及產(chǎn)業(yè)鏈已經(jīng)初步形成，相關(guān)器件快速發(fā)展。第三代半導(dǎo)體氮化鎵產(chǎn)業(yè)范圍涵蓋氮化鎵單晶襯底、半導(dǎo)體器件芯片設(shè)計(jì)、制造、封測以及芯片等主要應(yīng)用場景。
2023-02-07 09:36:56980 
氮化鎵（GaN）是氮和鎵化合物，具體半導(dǎo)體特性，早期應(yīng)用于發(fā)光二極管中，其具有寬帶隙、高熱導(dǎo)率等特點(diǎn)，寬禁帶半導(dǎo)體是高溫、高頻、抗輻射及大功率器件的適合材料。與第一代和第二代半導(dǎo)體材料相比，第三代
2023-02-12 11:07:49599 氮化鎵屬于第三代半導(dǎo)體材料，相對硅而言，氮化鎵間隙更寬，導(dǎo)電性更好，將普通充電器替換為氮化鎵充電器，充電的效率更高。
2023-02-14 17:35:504562 來源：《半導(dǎo)體芯科技》雜志12/1月刊 近年來，芯片材料、設(shè)備以及制程工藝等技術(shù)不斷突破，在高壓、高溫、高頻應(yīng)用場景中第三代半導(dǎo)體材質(zhì)優(yōu)勢逐漸顯現(xiàn)。其中，氮化鎵憑借著在消費(fèi)產(chǎn)品快充電源領(lǐng)域的如
2023-02-17 18:13:202222 、高速軌道列車、能源互聯(lián)網(wǎng)等產(chǎn)業(yè)自主創(chuàng)新發(fā)展和轉(zhuǎn)型升級的重點(diǎn)核心材料和電子元器件，已成為全球半導(dǎo)體技術(shù)和產(chǎn)業(yè)競爭焦點(diǎn)。氮化鎵是一種寬能隙材料，它能夠提供與碳化硅（SiC）相似的性能優(yōu)勢，但降低成本的可
2023-02-21 15:02:5710 第一代半導(dǎo)體指硅(Si)、鍺(Ge)等元素半導(dǎo)體材料；第二代半導(dǎo)體指砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)等具有較高遷移率的半導(dǎo)體材料
2023-02-23 14:57:162590 氮化鎵納米線是一種基于氮化鎵材料制備的納米結(jié)構(gòu)材料，具有許多優(yōu)異的電子、光學(xué)和機(jī)械性質(zhì)，因此受到了廣泛關(guān)注。氮化鎵材料是一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，具有優(yōu)異的電子和光學(xué)性質(zhì)，也是氮化鎵納米線的主要材料來源。
2023-02-25 17:25:15739 氮化鎵 (GaN) 是一種半導(dǎo)體材料，因其卓越的性能而越來越受歡迎。與傳統(tǒng)的硅基半導(dǎo)體不同，GaN 具有更寬的帶隙，這使其成為高頻和大功率應(yīng)用的理想選擇。
2023-03-03 10:14:39718 郝躍院士長期從事新型寬禁帶半導(dǎo)體材料和器件、微納米半導(dǎo)體器件與高可靠集成電路等方面的科學(xué)研究與人才培養(yǎng)。在氮化鎵∕碳化硅第三代(寬禁帶)半導(dǎo)體功能材料和微波器件、半導(dǎo)體短波長光電材料與器件研究和推廣、微納米CMOS器件可靠性與失效機(jī)理研究等方面取得了系統(tǒng)的創(chuàng)新成果。
2023-04-26 10:21:32719 有機(jī)半導(dǎo)體材料可廣泛應(yīng)用于OLED、OPVC或OFET中，為開發(fā)具有優(yōu)異光電性能的新型有機(jī)半導(dǎo)體材料，需要深入研究有機(jī)半導(dǎo)體材料的分子結(jié)構(gòu)與性能之間的關(guān)系。
2023-05-23 14:17:12887 
關(guān)鍵詞：氮化硼，片狀氮化硼，球形氮化硼，TIM熱管理材料氮化硼是由氮原子和硼原子構(gòu)成的晶體，該晶體結(jié)構(gòu)分為：六方氮化硼(HBN)、密排六方氮化硼(WBN)和立方氮化硼，其中六方氮化硼的晶體結(jié)構(gòu)具有
2022-01-21 09:39:001765 
關(guān)鍵詞：高導(dǎo)熱絕緣，TIM材料，氮化硼，高端材料導(dǎo)語：5G時代巨大數(shù)據(jù)流量對于通訊終端的芯片、天線等部件提出了更高的要求，器件功耗大幅提升的同時，引起了這些部位發(fā)熱量的急劇增加。BN氮化硼散熱
2022-05-31 10:42:41782 
關(guān)鍵詞：六方氮化硼，納米材料，5G,低介電，絕緣，透波，高導(dǎo)熱，國產(chǎn)高端導(dǎo)言：六方氮化硼（ｈ?ＢＮ）納米材料，如氮化硼納米顆粒（ＢＮＮＰｓ）、氮化硼納米管（ＢＮＮＴｓ）、氮化硼納米纖維（ＢＮＮＦｓ
2022-03-28 17:05:043875 關(guān)鍵詞：高導(dǎo)熱絕緣，TIM材料，氮化硼，高端材料導(dǎo)語：5G時代巨大數(shù)據(jù)流量對于通訊終端的芯片、天線等部件提出了更高的要求，器件功耗大幅提升的同時，引起了這些部位發(fā)熱量的急劇增加。BN氮化硼散熱
2022-07-29 09:59:36861 關(guān)鍵詞：六方氮化硼納米片，TIM熱界面材料，5G新材料，低介電新材料摘要：隨著微電子行業(yè)的不斷發(fā)展,高性能導(dǎo)熱材料引起了人們的廣泛關(guān)注。六方氮化硼(h-BN)是制備電絕緣、高導(dǎo)熱復(fù)合材料的重要原料
2022-10-10 09:54:19848 關(guān)鍵詞：5G材料，高導(dǎo)熱絕緣材料，低介電材料，氮化硼高端材料導(dǎo)語：5G時代巨大數(shù)據(jù)流量對于通訊終端的芯片、天線等部件提出了更高的要求，器件功耗大幅提升的同時，引起了這些部位發(fā)熱量的急劇增加。BN
2022-10-10 10:04:111100 關(guān)鍵詞：5G材料，高導(dǎo)熱絕緣材料，新能源，低介電材料，氮化硼材料導(dǎo)語：5G時代巨大數(shù)據(jù)流量對于通訊終端的芯片、天線等部件提出了更高的要求，器件功耗大幅提升的同時，引起了這些部位發(fā)熱量的急劇增加。BN
2022-10-11 10:04:57988 關(guān)鍵詞：5G材料，高導(dǎo)熱絕緣材料，新能源，低介電材料，氮化硼材料導(dǎo)語：5G時代巨大數(shù)據(jù)流量對于通訊終端的芯片、天線等部件提出了更高的要求，器件功耗大幅提升的同時，引起了這些部位發(fā)熱量的急劇增加。BN
2022-10-13 10:07:241249 關(guān)鍵詞：5G材料，高導(dǎo)熱絕緣材料，新能源，低介電材料，氮化硼材料導(dǎo)語：5G時代巨大數(shù)據(jù)流量對于通訊終端的芯片、天線等部件提出了更高的要求，器件功耗大幅提升的同時，引起了這些部位發(fā)熱量的急劇增加。BN
2022-10-27 11:50:541098 關(guān)鍵詞：5G材料，絕緣散熱膜，毫米波，低介電透波材料導(dǎo)語：5G時代巨大數(shù)據(jù)流量對于通訊終端的芯片、天線等部件提出了更高的要求，器件功耗大幅提升的同時，引起了這些部位發(fā)熱量的急劇增加。BN氮化硼散熱
2022-10-31 16:08:40565 關(guān)鍵詞：5G材料，高導(dǎo)熱絕緣材料，新能源，低介電材料，氮化硼材料導(dǎo)語：5G時代巨大數(shù)據(jù)流量對于通訊終端的芯片、天線等部件提出了更高的要求，器件功耗大幅提升的同時，引起了這些部位發(fā)熱量的急劇增加。BN
2022-11-04 09:51:401220 摘要：為了系統(tǒng)地了解氮化硼在填充聚合物導(dǎo)熱復(fù)合材料中的應(yīng)用研究現(xiàn)狀，介紹了聚合物／氮化硼復(fù)合材料的導(dǎo)熱機(jī)理，綜述了氮化硼的粒徑、含量、表面改性以及與其他填料雜化復(fù)合等因素對聚合物復(fù)合材料導(dǎo)熱性
2022-11-17 17:40:562275 摘要：聚偏氟乙烯（PVDF）等聚合物因具有較低的熱導(dǎo)率限制了其使用范圍，添加高導(dǎo)熱填料可以提升聚合物材料的導(dǎo)熱性能，所制備的聚合物基導(dǎo)熱復(fù)合材料在熱管理領(lǐng)域具有重要的應(yīng)用價值。本文采用六方氮化硼納米
2022-11-22 15:30:48870 關(guān)鍵詞：六方氮化硼納米片，TIM熱界面材料，5G新材料，低介電，高端材料摘要：隨著微電子行業(yè)的不斷發(fā)展,高性能導(dǎo)熱材料引起了人們的廣泛關(guān)注。六方氮化硼(h-BN)是制備電絕緣、高導(dǎo)熱復(fù)合材料的重要
2023-02-22 10:11:331933 關(guān)鍵詞：六方氮化硼納米片，二維材料，TIM熱界面材料，低介電，新能源材料摘要：隨著微電子行業(yè)的不斷發(fā)展,高性能導(dǎo)熱材料引起了人們的廣泛關(guān)注。六方氮化硼(h-BN)是制備電絕緣、高導(dǎo)熱復(fù)合材料的重要
2023-06-30 10:03:001788 7月4日，vivoiQOO11S正式發(fā)布！200W快充再創(chuàng)速度紀(jì)錄，航天級氮化硼散熱材料功不可沒！在科技飛速更新的移動設(shè)備領(lǐng)域，vivoiQOO11S以200W的快充實(shí)非業(yè)內(nèi)首屈一指的。這款新型手機(jī)
2023-07-06 10:03:331403 氮化硅是一種半導(dǎo)體材料。氮化硅具有優(yōu)異的熱穩(wěn)定性、機(jī)械性能和化學(xué)穩(wěn)定性，被廣泛應(yīng)用于高溫、高功率和高頻率電子器件中。它具有較寬的能隙（大約3.2電子伏特），并可通過摻雜來調(diào)節(jié)其導(dǎo)電性能，因此被視為一種重要的半導(dǎo)體材料。
2023-07-06 15:44:433823 氮化鎵（GaN）被譽(yù)為是繼第一代 Ge、Si 半導(dǎo)體材料、第二代 GaAs、InP 化合物半導(dǎo)體材料之后的第三代半導(dǎo)體材料，今天金譽(yù)半導(dǎo)體帶大家來簡單了解一下，這個材料有什么厲害的地方。
2023-11-03 10:59:12663 
氮化鎵材料定義：氮化鎵(GaN)主要是由人工合成的一種半導(dǎo)體材料，禁帶寬度大于2.3eV，也稱為寬禁帶半導(dǎo)體材料。 氮化鎵材料為第三代半導(dǎo)體材料的典型代表，是研制微電子器件、光電子器件的新型材料。
2023-11-14 11:03:10217 
氮化鎵是什么材料提取的 氮化鎵是一種新型的半導(dǎo)體材料，需要選用高純度的金屬鎵和氨氣作為原料提取，具有優(yōu)異的物理和化學(xué)性能，廣泛應(yīng)用于電子、通訊、能源等領(lǐng)域。下面我們將詳細(xì)介紹氮化鎵的提取過程
2023-11-24 11:15:20720 /(m·K)]遠(yuǎn)高于面外[30W/(m·K)]，因此，在制備氮化硼高分子導(dǎo)熱復(fù)合材料時，需要對氮化硼填料進(jìn)行校準(zhǔn)，最大限度地減小傳熱方向上的熱阻，從而獲得更高的導(dǎo)熱系數(shù)。3D打印技術(shù)可以有效實(shí)現(xiàn)氮化硼填料的有序?qū)R
2023-12-19 16:45:24245 氮化鎵半導(dǎo)體和碳化硅半導(dǎo)體是兩種主要的寬禁帶半導(dǎo)體材料，在諸多方面都有明顯的區(qū)別。本文將詳盡、詳實(shí)、細(xì)致地比較這兩種材料的物理特性、制備方法、電學(xué)性能以及應(yīng)用領(lǐng)域等方面的差異。 一、物理特性： 氮化
2023-12-27 14:54:18331 不同。傳統(tǒng)的硅半導(dǎo)體芯片是以硅為基材，采用不同的工藝在硅上加工制造，而氮化鎵半導(dǎo)體芯片則是以氮化鎵為基材，通過化學(xué)氣相沉積、分子束外延等工藝制備。氮化鎵是一種全化合物半導(dǎo)體材料，具有較寬的能隙，電子遷移率高以及較高的飽
2023-12-27 14:58:24424 氮化鎵半導(dǎo)體并不屬于金屬材料，它屬于半導(dǎo)體材料。為了滿足你的要求，我將詳細(xì)介紹氮化鎵半導(dǎo)體的性質(zhì)、制備方法、應(yīng)用領(lǐng)域以及未來發(fā)展方向等方面的內(nèi)容。 氮化鎵半導(dǎo)體的性質(zhì) 氮化鎵（GaN）是一種
2024-01-10 09:27:32398 
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