三星攜手高通發(fā)布8 納米芯片,齊甩英特爾三條街

　　據(jù)報(bào)道，高通再次與韓國(guó)三星聯(lián)手共同研發(fā) 8 納米芯片的制造工藝，便早已宣布完成。這一消息的宣布，我們可以看出在芯片的發(fā)展部分，英特爾落后于三星，至少英特爾尚未發(fā)布任何 10 納米的芯片。

　　三星已經(jīng)提前 3 個(gè)月完成了 8 納米芯片的制造工藝。這是同樣的“低功耗+”（LPP）工藝，可以用于替換升級(jí)其當(dāng)前的 10 納米芯片，而未來(lái)打算生產(chǎn)的 7 納米芯片，采用的則是另一種更先進(jìn)的極限紫外光刻工藝（EUV）制作。

　　8 納米芯片與當(dāng)前的 10 納米芯片相比，芯片的能效提高了 10%，而芯片面積卻又縮小 10%。與此同時(shí)，由于 8 納米芯片采用了與 10 納米芯片同樣的工藝，三星將能夠迅速將這款產(chǎn)品進(jìn)行量產(chǎn)。

　　三星表示，使用 8 納米芯片可以大大提升當(dāng)前應(yīng)用程序的效能，將是“移動(dòng)、加密貨幣和網(wǎng)絡(luò)/服務(wù)器”等應(yīng)用的理想選擇。

　　值得注意的是，三星這回再次與 10 納米芯片客戶(hù)高通合作，以完善新技術(shù)。韓國(guó)方面有傳言稱(chēng)，高通有意將 7 納米的生產(chǎn)轉(zhuǎn)移到 TSMC（臺(tái)積電），因?yàn)楦鶕?jù)之前的報(bào)道，該公司在開(kāi)發(fā)這一技術(shù)方面略領(lǐng)先于三星，臺(tái)積電的 7nm 芯片已經(jīng)預(yù)定今年下半年進(jìn)行試產(chǎn)，明年第 1 季量產(chǎn)。

　　不過(guò)，三星向外媒證實(shí)，高通已經(jīng)確認(rèn)使用其最新 8 納米芯片的工藝，但沒(méi)有提供任何具體細(xì)節(jié)?？紤]到這一信息，高通似乎很有可能會(huì)與三星一起打造其下一代的 Snapdragon 芯片，采用可靠的 LPP 工藝，而不是尖端的 7 納米技術(shù)，因?yàn)槭褂?7 納米工藝會(huì)讓高通不得不轉(zhuǎn)向極限紫外光刻技術(shù)。

　　等到下一代的 Snapdragon 芯片構(gòu)架思路快成型的時(shí)候，三星應(yīng)該也有了自己的 7 納米的 EUV 進(jìn)程，在此之后，使用相同工藝的 6 納米芯片也不會(huì)太遠(yuǎn)。不管怎么說(shuō)，三星移動(dòng)擁有 Galaxy S8 和 Note 8 手機(jī)等眾多產(chǎn)品，基本上注定會(huì)是高通芯片的最大客戶(hù)。因此如果高通將其訂單拆分給另一家代工廠，可能之后局面會(huì)比較尷尬。

　　盡管在同一市場(chǎng)上競(jìng)爭(zhēng)并不激烈，但這一消息讓英特爾進(jìn)一步落后于三星，至少在芯片尺寸方面是如此。英特爾尚未發(fā)布任何 10 納米的芯片，盡管它曾表示，當(dāng)它（2018年或2019年）新產(chǎn)品上市時(shí)，由于其功能密度的提高，它將會(huì)是三星的“數(shù)代”。然而到那時(shí)，三星可能會(huì)在極限紫外光刻工藝技術(shù)方面領(lǐng)先英特爾兩到三代，從而縮小這一差距。預(yù)計(jì)三星將在今天晚些時(shí)候公布其 8 和 7 納米芯片的路線圖。