三星、高通合作計劃長達(dá)十年 驍龍5G芯片組或?qū)⒉捎糜谌?納米LPP EUV工藝

據(jù)報道，三星和高通就晶圓代工業(yè)務(wù)再進(jìn)一步的擴(kuò)大合作，據(jù)悉驍龍5G芯片組將有可能基于三星7nm EUV工藝打造，這次的合作計劃將長達(dá)十年。

今日三星官網(wǎng)發(fā)布新聞稿，三星、高通宣布擴(kuò)大晶圓代工業(yè)務(wù)合作，包含高通下一代5G移動芯片，將采用三星7納米LPP（Low-Power Plus）極紫外光（EUV）制程。

新聞稿指出，通過7納米LPP EUV工藝，驍龍（Snapdragon）5G芯片組可減少占位空間，讓OEM廠有更多使用空間增加電池容量或做薄型化設(shè)計。除此之外，結(jié)合更先進(jìn)芯片設(shè)計，將可明顯增進(jìn)電池續(xù)航力。

該合作計劃將長達(dá)十年，三星將授權(quán)“EUV光刻工藝技術(shù)”給高通使用，其中包括使用三星7納米LPP EUV工藝技術(shù)制造未來的Snapdragon 5G移動芯片組。

去年五月，三星推出了首款使用EUV光刻解決方案的半導(dǎo)體工藝技術(shù)7LPP EUV，預(yù)期可借此突破摩爾定律的擴(kuò)展障礙，為單納米半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展鋪平道路。對照10納米FinFET制程，三星的7納米LPP EUV工序較少、良率較高，而且面積效率提高40%，性能提高10%，功耗降低35%。

另外，三星位于華城市（Hwaseong）的7納米廠本周五將動土，預(yù)計最快明年量產(chǎn)，但預(yù)料趕不上當(dāng)年度Galaxy S10與Note 10的上市時程。

韓國媒體20日報道稱，三星計劃投入6兆韓圜（相當(dāng)于56億美元）升級晶圓產(chǎn)能。位于華城市的晶圓新廠將安裝超過10臺EUV光刻設(shè)備，由于每臺EUV設(shè)備要價皆多達(dá)1，500億韓圜，因此僅采購機(jī)臺費(fèi)用就達(dá)到3～4兆韓圜。此外三星6nm晶圓廠的建設(shè)計劃，也將在近期公布。

相較之下，臺積電今年已開始試產(chǎn)7nm芯片，預(yù)定第2季為聯(lián)發(fā)科推出芯片原型，并于明年初開始全力量產(chǎn)。

臺積電采用5nm先進(jìn)制程的12寸晶圓廠今年1月26日正式動土，預(yù)計第一期廠房明年第一季即可完工裝機(jī)、2020年年初進(jìn)入量產(chǎn)。臺積電公告指出，待2022年第一、二、三期廠房皆進(jìn)入量產(chǎn)時，年產(chǎn)能預(yù)估可超過100萬片十二寸晶圓。