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三星公司Fab13/Fab14內(nèi)存/閃存芯片工廠(chǎng)再遭斷電事故

三星公司Fab13/Fab14內(nèi)存/閃存芯片工廠(chǎng)再遭斷電事故侵?jǐn)_

　韓國(guó)三星電子公司近日表示本月24日下午，其設(shè)在Kiheung地區(qū)的一個(gè)NAND閃存生產(chǎn)基地遭遇了斷電事故，不過(guò)據(jù)三星公司的發(fā)言人表示這次為期一小 時(shí)的斷電并沒(méi)有對(duì)其32Gb以及其它大容量NAND閃存芯片的生產(chǎn)造成顯著影響。

　　據(jù)三星的通路合作伙伴透露，在這次停電事故中受到影響的工廠(chǎng)主要包括三星旗下兩間12英寸廠(chǎng)Fab13和Fab14.其中Fab13主要負(fù)責(zé)為三星生產(chǎn)內(nèi)存芯片，而Fab14則主要生產(chǎn)NAND閃存芯片。Fab13和Fab14的月產(chǎn)能大約分別是12萬(wàn)/13萬(wàn)片晶圓。

　　無(wú)獨(dú)有偶，2007年該處生產(chǎn)基地也曾經(jīng)遭受過(guò)一次嚴(yán)重的停電事故，那次事故中，三星有六條設(shè)在當(dāng)?shù)氐漠a(chǎn)線(xiàn)曾被迫關(guān)閉，其NAND閃存產(chǎn)品的產(chǎn)量也受到了較大的影響。

　　據(jù)DRAMeXchange報(bào)道，目前1Gb內(nèi)存芯片的價(jià)格仍在保持上揚(yáng)的態(tài)勢(shì)，品牌和經(jīng)過(guò)充分測(cè)試的1Gb DDR3內(nèi)存芯片的價(jià)格25日早上已經(jīng)達(dá)到3美元的價(jià)位，而同等密度的DDR2芯片價(jià)格則上漲到了2.99美元。

　　至于NAND閃存部分，高密MLC閃存芯片的現(xiàn)貨價(jià)格25日早上的價(jià)位則保持在較為穩(wěn)定的狀態(tài)，其中32Gb/64Gb容量的NAND閃存芯片現(xiàn)貨價(jià)格分別為7.04美元和15.34美元。

標(biāo)簽：三星(291)
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(責(zé)任編輯：發(fā)燒友)

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