靜電感應(yīng)晶閘管(SITH),靜電感應(yīng)晶閘管(SITH)是什么

靜電感應(yīng)晶閘管(SITH),靜電感應(yīng)晶閘管(SITH)是什么意思

靜電感應(yīng)器件（SID）是一類新型電力半導(dǎo)體器件的總稱，它主要包括靜電感應(yīng)晶體管SIT、雙極型靜電感應(yīng)晶體管BSIT、靜電感應(yīng)晶閘管SITH等三大類。與現(xiàn)用的晶體管和電子管比較，使用靜電感應(yīng)器件最明顯的優(yōu)點(diǎn)一是可實(shí)現(xiàn)功率變頻，從而達(dá)到高效節(jié)能（節(jié)能效果可高達(dá)40%），二是可優(yōu)化產(chǎn)品結(jié)構(gòu)、大幅度縮小產(chǎn)品體積，降低原材料消耗。它的最后發(fā)展將為人類廣泛節(jié)約能源，降低材料消耗提供重要手段，并為機(jī)電融合一體化開辟新的道路。

靜電感應(yīng)晶閘管（Static Induction Thyristor: SITH)又稱場(chǎng)控晶閘管(Field Controlled Thyristor?: FCT)。與其它電力器件相比，SITH具有一系列突出的優(yōu)點(diǎn)：用柵極可強(qiáng)迫關(guān)斷，具有高耐壓、大電流、低壓降、低功耗、高速度、優(yōu)良的動(dòng)態(tài)性能以及強(qiáng)的抗燒性等優(yōu)異性能，應(yīng)用前景十分廣闊。

SITH可以做成常開型，也可以做成常關(guān)型，SITH的結(jié)構(gòu)與SIT或BSIT類似，所不同的只是陽極p+代替了n+漏區(qū)(見圖1)。其結(jié)構(gòu)可以是表面柵型或埋柵型。為了提高阻斷增益，表面柵型SITH采用了n--n-p+漏區(qū)非對(duì)稱結(jié)構(gòu).下圖為SITH的結(jié)構(gòu)示意圖。

SITH最重要的用途是作為可關(guān)斷的電力開關(guān)，主要運(yùn)用于正向?qū)ê头聪蜃钄鄡蓚€(gè)狀態(tài)。對(duì)于常關(guān)型器件，正柵壓使其開通，負(fù)柵壓使器件強(qiáng)迫關(guān)斷。與普通晶閘管（SCR）及可關(guān)斷晶閘管（GTO）相比有許多優(yōu)點(diǎn)：SITH的通態(tài)電阻小，通態(tài)電壓低，開關(guān)速度快，開關(guān)損耗小，正向電壓阻斷增益高，開通和關(guān)斷的短路增益大，di/dt及dv/dt的耐量高。SITH為場(chǎng)控器件，不像SCR及GTO那樣有體內(nèi)再生反饋機(jī)理，所以不會(huì)因dv/dt過高而產(chǎn)生誤觸發(fā)現(xiàn)象。SITH與SIT一樣，可以通過電場(chǎng)控制陽極電流，在柵極沒有信號(hào)時(shí)，器件是導(dǎo)通的。

與SIT相比，SITH多了一個(gè)具有少子注入功能的PN結(jié)， SITH是兩種載流子導(dǎo)電的雙極型器件，具有電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng)，通態(tài)壓降低、通流能力強(qiáng)。其很多特性與GTO類似，但開關(guān)速度比GTO高得多，是大容量的快速器件。

SITH一般也是正常導(dǎo)通型，但也有正常關(guān)斷型。此外，其制造工藝比GTO復(fù)雜得多，電流關(guān)斷增益較小，因而其應(yīng)用范圍還有待拓展。