什么是本體偏壓/次臨界漏電 (ISUBTH)/High-k
2010年03月05日 15:29 ttokpm.com 作者：佚名 用戶評(píng)論（0）
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什么是本體偏壓/次臨界漏電 (ISUBTH)/High-k 電介質(zhì)/High-k 電介質(zhì)/GIDL
本體偏壓
通過(guò)改變電路上的電壓來(lái)減少電流泄漏的技術(shù)。將電路主體連接至偏壓電壓來(lái)控制晶體管閾值?？赏ㄟ^(guò)應(yīng)用一個(gè)反向偏壓來(lái)減少待機(jī)電流泄漏。
次臨界漏電 (ISUBTH)
當(dāng)晶體管處于關(guān)閉狀態(tài)時(shí)，電源和晶體管漏極之間的電流。
High-k 電介質(zhì)
高介電常數(shù)（k，一個(gè)衡量材料可具有多少電荷的參數(shù)）的材料，與半導(dǎo)體絕緣層中使用的二氧化硅材料相比。因?yàn)閔igh-k 柵極絕緣層比二氧化硅具有更高的透電率，因此它們也被叫做高透電層。當(dāng)其厚度可與二氧化硅薄膜相比時(shí)，高介電常數(shù) High-k 材料可被用作物理厚度的絕緣層來(lái)減少漏電電流。日電電子使用具有高可靠性的 HfSiOx High-k 絕緣材料。
GIDL（柵極引發(fā)漏極漏電）
從晶體管漏極到基區(qū)的漏電電流。晶體管處于關(guān)閉狀態(tài)時(shí)，在柵極/漏極重疊區(qū)域下高電場(chǎng)中產(chǎn)生的 GIDL 電流。
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