PN結(jié),PN結(jié)是什么意思?
PN結(jié),PN結(jié)是什么意思?
PN結(jié)的形成(1)當(dāng)P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體結(jié)合在一起時(shí),由于交界面處存在載流子濃度的差異,這樣電子和空穴都要從濃度高的地方向濃度低的地方擴(kuò)散。但是,電子和空穴都是帶電的,它們擴(kuò)散的結(jié)果就使P區(qū)和N區(qū)中原來的電中性條件破壞了。P區(qū)一側(cè)因失去空穴而留下不能移動(dòng)的負(fù)離子,N區(qū)一側(cè)因失去電子而留下不能移動(dòng)的正離子。這些不能移動(dòng)的帶電粒子通常稱為空間電荷,它們集中在P區(qū)和N區(qū)交界面附近,形成了一個(gè)很薄的空間電荷區(qū),這就是我們所說的PN結(jié),如圖1所示。
(2)在這個(gè)區(qū)域內(nèi),多數(shù)載流子或已擴(kuò)散到對(duì)方,或被對(duì)方擴(kuò)散過來的多數(shù)載流子(到了本區(qū)域后即成為少數(shù)載流子了)復(fù)合掉了,即多數(shù)載流子被消耗盡了,所以又稱此區(qū)域?yàn)楹谋M層,它的電阻率很高,為高電阻區(qū)。
(3)P區(qū)一側(cè)呈現(xiàn)負(fù)電荷,N區(qū)一側(cè)呈現(xiàn)正電荷,因此空間電荷區(qū)出現(xiàn)了方向由N區(qū)指向P區(qū)的電場(chǎng),由于這個(gè)電場(chǎng)是載流子擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)形成的,而不是外加電壓形成的,故稱為內(nèi)電場(chǎng),如圖2所示。
(4)內(nèi)電場(chǎng)是由多子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)引起的,伴隨著它的建立將帶來兩種影響:一是內(nèi)電場(chǎng)將阻礙多子的擴(kuò)散,二是P區(qū)和N區(qū)的少子一旦靠近PN結(jié),便在內(nèi)電場(chǎng)的作用下漂移到對(duì)方,使空間電荷區(qū)變窄。
(5)因此,擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)使空間電荷區(qū)加寬,內(nèi)電場(chǎng)增強(qiáng),有利于少子的漂移而不利于多子的擴(kuò)散;而漂移運(yùn)動(dòng)使空間電荷區(qū)變窄,內(nèi)電場(chǎng)減弱,有利于多子的擴(kuò)散而不利于少子的漂移。當(dāng)擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)和漂移運(yùn)動(dòng)達(dá)到動(dòng)態(tài)平衡時(shí),交界面形成穩(wěn)定的空間電荷區(qū),即PN結(jié)處于動(dòng)態(tài)平衡。PN結(jié)的寬度一般為0.5um。
PN結(jié)的單向?qū)щ娦?PN結(jié)在未加外加電壓時(shí),擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)與漂移運(yùn)動(dòng)處于動(dòng)態(tài)平衡,通過PN結(jié)的電流為零。
(1)外加正向電壓(正偏)
當(dāng)電源正極接P區(qū),負(fù)極接N區(qū)時(shí),稱為給pN結(jié)加正向電壓或正向偏置,如圖3所示。由于PN結(jié)是高阻區(qū),而P區(qū)和N區(qū)的電阻很小,所以正向電壓幾乎全部加在PN結(jié)兩端。在PN結(jié)上產(chǎn)生一個(gè)外電場(chǎng),其方向與內(nèi)電場(chǎng)相反,在它的推動(dòng)下,N區(qū)的電子要向左邊擴(kuò)散,并與原來空間電荷區(qū)的正離子中和,使空間電荷區(qū)變窄。同樣,P區(qū)的空穴也要向右邊擴(kuò)散,并與原來空間電荷區(qū)的負(fù)離子中和,使空間電荷區(qū)變窄。結(jié)果使內(nèi)電場(chǎng)減弱,破壞了PN結(jié)原有的動(dòng)態(tài)平衡。于是擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)超過了漂移運(yùn)動(dòng),擴(kuò)散又繼續(xù)進(jìn)行。與此同時(shí),電源不斷向P區(qū)補(bǔ)充正電荷,向N區(qū)補(bǔ)充負(fù)電荷,結(jié)果在電路中形成了較大的正向電流IF。而且IF 隨著正向電壓的增大而增大。
(2)外加反向電壓(反偏)
當(dāng)電源正極接N區(qū)、負(fù)極接P區(qū)時(shí),稱為給PN結(jié)加反向電壓或反向偏置。反向電壓產(chǎn)生的外加電場(chǎng)的方向與內(nèi)電場(chǎng)的方向相同,使PN結(jié)內(nèi)電場(chǎng)加強(qiáng),它把P區(qū)的多子(空穴)和N區(qū)的多子(自由電子)從PN結(jié)附近拉走,使PN結(jié)進(jìn)一步加寬,PN結(jié)的電阻增大,打破了PN結(jié)原來的平衡,在電場(chǎng)作用下的漂移運(yùn)動(dòng)大于擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)。這時(shí)通過PN結(jié)的電流,主要是少子形成的漂移電流,稱為反向電流IR。由于在常溫下,少數(shù)載流子的數(shù)量不多,故反向電流很小,而且當(dāng)外加電壓在一定范圍內(nèi)變化時(shí),它幾乎不隨外加電壓的變化而變化,因此反向電流又稱為反向飽和電流。當(dāng)反向電流可以忽略時(shí),就可認(rèn)為PN結(jié)處于截止?fàn)顟B(tài)。值得注意的是,由于本征激發(fā)隨溫度的升高而加劇,導(dǎo)致電子一空穴對(duì)增多,因而反向電流將隨溫度的升高而成倍增長(zhǎng)。反向電流是造成電路噪聲的主要原因之一,因此,在設(shè)計(jì)電路時(shí),必須考慮溫度補(bǔ)償問題。
綜上所述,PN結(jié)正偏時(shí),正向電流較大,相當(dāng)于PN結(jié)導(dǎo)通,反偏時(shí),反向電流很小,相當(dāng)于PN結(jié)截止。這就是PN結(jié)的單向?qū)щ娦浴?
PN結(jié)的伏安特性
伏安特性曲線:加在PN結(jié)兩端的電壓和流過二極管的電流之間的關(guān)系曲線稱為伏安特性曲線,如圖4所示。u>0的部分稱為正向特性,u<0的部分稱為反向特性。它直觀形象地表示了PN結(jié)的單向?qū)щ娦浴?
式中 iD——通過PN結(jié)的電流
vD——PN結(jié)兩端的外加電壓
VT——溫度的電壓當(dāng)量,VT = kT/q = T/11600 = 0.026V,其中k為波耳茲曼常數(shù)(1.38×10–23J/K),T為熱力學(xué)溫度,即絕對(duì)溫度(300K),q為電子電荷(1.6×10–19C)。在常溫下,VT ≈26mV。
e——自然對(duì)數(shù)的底
Is——反向飽和電流,對(duì)于分立器件,其典型值為10-8~10-14A的范圍內(nèi)。集成電路中二極管PN結(jié),其Is值則更小.
由此可看出PN結(jié)的單向?qū)щ娦浴?
PN結(jié)的擊穿特性
當(dāng)PN結(jié)上加的反向電壓增大到一定數(shù)值時(shí),反向電流突然劇增,這種現(xiàn)象稱為PN結(jié)的反向擊穿。PN結(jié)出現(xiàn)擊穿時(shí)的反向電壓稱為反向擊穿電壓,用VB表示。反向擊穿可分為雪崩擊穿和齊納擊穿兩類。
(1)雪崩擊穿
當(dāng)反向電壓較高時(shí),結(jié)內(nèi)電場(chǎng)很強(qiáng),使得在結(jié)內(nèi)作漂移運(yùn)動(dòng)的少數(shù)載流子獲得很大的動(dòng)能。當(dāng)它與結(jié)內(nèi)原子發(fā)生直接碰撞時(shí),將原子電離,產(chǎn)生新的"電子一空穴對(duì)"。這些新的"電子一空穴對(duì)",又被強(qiáng)電場(chǎng)加速再去碰撞其它原子,產(chǎn)生更多的"電子一空穴對(duì)"。如此鏈鎖反應(yīng),使結(jié)內(nèi)載流子數(shù)目劇增,并在反向電壓作用下作漂移運(yùn)動(dòng),形成很大的反向電流。這種擊穿稱為雪崩擊穿。顯然雪崩擊穿的物理本質(zhì)是碰撞電離。
(2)齊納擊穿
齊納擊穿通常發(fā)生在摻雜濃度很高的PN結(jié)內(nèi)。由于摻雜濃度很高,PN結(jié)很窄,這樣即使施加較小的反向電壓(5V以下),結(jié)層中的電場(chǎng)卻很強(qiáng)(可達(dá) 左右)。在強(qiáng)電場(chǎng)作用下,會(huì)強(qiáng)行促使PN結(jié)內(nèi)原子的價(jià)電子從共價(jià)鍵中拉出來,形成"電子一空穴對(duì)",從而產(chǎn)生大量的載流子。它們?cè)诜聪螂妷旱淖饔孟?,形成很大的反向電流,出現(xiàn)了擊穿。顯然,齊納擊穿的物理本質(zhì)是場(chǎng)致電離。采取適當(dāng)?shù)膿诫s工藝,將硅PN結(jié)的雪崩擊穿電壓可控制在8~1000V。而齊納擊穿電壓低于5V。在5~8V之間兩種擊穿可能同時(shí)發(fā)生。
PN結(jié)的電容效應(yīng)
PN結(jié)具有一定的電容效應(yīng),它由兩方面的因素決定。一是勢(shì)壘電容CB,二是擴(kuò)散電容CD。
(1)勢(shì)壘電容CB
勢(shì)壘電容是由空間電荷區(qū)的離子薄層形成的。當(dāng)外加電壓使PN結(jié)上壓降發(fā)生變化時(shí),離子薄層的厚度也相應(yīng)地隨之改變,這相當(dāng)PN結(jié)中存儲(chǔ)的電荷量也隨之變化,猶如電容的充放電。勢(shì)壘電容的示意圖見圖5。
(2)擴(kuò)散電容CD
擴(kuò)散電容是由多子擴(kuò)散后,在PN結(jié)的另一側(cè)面積累而形成的。因PN結(jié)正偏時(shí),由N區(qū)擴(kuò)散到P區(qū)的電子,與外電源提供的空穴相復(fù)合,形成正向電流。剛擴(kuò)散過來的電子就堆積在 P 區(qū)內(nèi)緊靠PN結(jié)的附近,形成一定的多子濃度梯度分布曲線。反之,由P區(qū)擴(kuò)散到N區(qū)的空穴,在N區(qū)內(nèi)也形成類似的濃度梯度分布曲線。擴(kuò)散電容的示意圖如圖01.10所示。
當(dāng)外加正向電壓不同時(shí),擴(kuò)散電流即外電路電流的大小也就不同。所以PN結(jié)兩側(cè)堆積的多子的濃度梯度分布也不同,這就相當(dāng)電容的充放電過程。勢(shì)壘電容和擴(kuò)散電容均是非線性電容。
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