什么是肖特基勢(shì)壘
2010年02月26日 14:08 www.ttokpm.com 作者：佚名 用戶評(píng)論（0）
關(guān)鍵字：肖特基勢(shì)壘(6215)
什么是肖特基勢(shì)壘
金屬-半導(dǎo)體邊界上形成的具有整流作用的區(qū)域.金屬-半導(dǎo)體作為一個(gè)整體在熱平衡時(shí)有同樣費(fèi)米能級(jí).由半導(dǎo)體到金屬,電子需要克服勢(shì)壘;而由金屬向半導(dǎo)體,電子受勢(shì)壘阻擋.在加正向偏置時(shí)半導(dǎo)體一側(cè)的勢(shì)壘下降;相反,在加反向偏置時(shí),半導(dǎo)體一側(cè)勢(shì)壘增高.使得金屬-半導(dǎo)體接觸具有整流作用(但不是一切金屬-半導(dǎo)體接觸均如此.如果對(duì)于P型半導(dǎo)體,金屬的功函數(shù)大于半導(dǎo)體的功函數(shù),對(duì)于N型半導(dǎo)體,金屬的功函數(shù)小于半導(dǎo)體的功函數(shù),以及半導(dǎo)體雜質(zhì)濃度不小于10^19/立方厘米數(shù)量級(jí)時(shí)會(huì)出現(xiàn)歐姆接觸,它會(huì)因雜質(zhì)濃度高而發(fā)生隧道效應(yīng),以致勢(shì)壘不起整流作用).當(dāng)半導(dǎo)體均勻摻雜時(shí)肖特基勢(shì)壘的空間電荷層寬度和單邊突變P-N結(jié)的耗盡層寬度相一致.
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