什么是漏極,場(chǎng)效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)原理是什么?

什么是漏極,場(chǎng)效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)原理是什么?

漏極

　　場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor縮寫(xiě)（FET））簡(jiǎn)稱(chēng)場(chǎng)效應(yīng)管。一般的晶體管是由兩種極性的載流子，即多數(shù)載流子和反極性的少數(shù)載流子參與導(dǎo)電，因此稱(chēng)為雙極型晶體管，而FET僅是由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電，它與雙極型相反，也稱(chēng)為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件，具有輸入電阻高（108～109Ω）、噪聲小、功耗低、動(dòng)態(tài)范圍大、易于集成、沒(méi)有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點(diǎn)，現(xiàn)已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強(qiáng)大競(jìng)爭(zhēng)者

　　在兩個(gè)高摻雜的P區(qū)中間，夾著一層低摻雜的N區(qū)（N區(qū)一般做得很?。?，形成了兩個(gè)PN結(jié)。在N區(qū)的兩端各做一個(gè)歐姆接觸電極，在兩個(gè)P區(qū)上也做上歐姆電極，并把這兩P區(qū)連起來(lái)，就構(gòu)成了一個(gè)場(chǎng)效應(yīng)管。

　　N型導(dǎo)電溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的電路符號(hào)。

　　將兩個(gè)P區(qū)的引出線連在一起作為一個(gè)電極，稱(chēng)為柵極，在N型硅片兩端各引出一個(gè)電極，分別稱(chēng)為源極和漏極，很薄的N區(qū)稱(chēng)為導(dǎo)電溝道。共漏極放大電路——源極輸出器

場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor縮寫(xiě)（FET））簡(jiǎn)稱(chēng)場(chǎng)效應(yīng)管。一般的晶體管是由兩種極性的載流子，即多數(shù)載流子和反極性的少數(shù)載流子參與導(dǎo)電，因此稱(chēng)為雙極型晶體管，而FET僅是由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電，它與雙極型相反，也稱(chēng)為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件，具有輸入電阻高（108～109Ω）、噪聲小、功耗低、動(dòng)態(tài)范圍大、易于集成、沒(méi)有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點(diǎn)，現(xiàn)已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強(qiáng)大競(jìng)爭(zhēng)者。

場(chǎng)效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)原理：

在兩個(gè)高摻雜的P區(qū)中間，夾著一層低摻雜的N區(qū)（N區(qū)一般做得很?。纬闪藘蓚€(gè)PN結(jié)。在N區(qū)的兩端各做一個(gè)歐姆接觸電極，在兩個(gè)P區(qū)上也做上歐姆電極，并把這兩P區(qū)連起來(lái)，就構(gòu)成了一個(gè)場(chǎng)效應(yīng)管。如圖所示：

（a） （b）

N型導(dǎo)電溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的電路符號(hào)。

將兩個(gè)P區(qū)的引出線連在一起作為一個(gè)電極，稱(chēng)為柵極（g），在N型硅片兩端各引出一個(gè)電極，分別稱(chēng)為源極（s）和漏極（d），很薄的N區(qū)稱(chēng)為導(dǎo)電溝道。共漏極放大電路——源極輸出器

電壓放大倍數(shù)

輸入電阻

輸出電阻

共漏極放大電路也具有電壓放大倍數(shù)小于1，但接近1；輸出電壓與輸入電壓同相；輸入電阻高，輸出電阻低的特點(diǎn)。