干法刻蝕原理
2010年07月18日 11:28 www.ttokpm.com 作者：本站 用戶評(píng)論（0）
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干法刻蝕原理
刻蝕作用：去除邊緣PN結(jié)，防止上下短路。
干法刻蝕原理：利用高頻輝光放電反應(yīng)，使CF4氣體激活成活性粒子，這些活性粒子擴(kuò)散到需刻蝕的部位，在那里與硅材料進(jìn)行反應(yīng)，形成揮發(fā)性反應(yīng)物而被去除。
干法刻蝕化學(xué)方程式：
去磷硅玻璃作用：去除硅片表面因擴(kuò)散形成的磷硅玻璃層，并清潔表面，為PECVD做準(zhǔn)備。
去磷硅玻璃原理：利用HF與SiO2反應(yīng)，去除磷硅玻璃層。
去磷硅玻璃化學(xué)方程式：
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