處理器外接SDRAM的控制技術(shù)介紹

　　現(xiàn)代的處理器(SoC)或DSP都內(nèi)建有內(nèi)存控制器，它是外部SDRAM、FLASH、EEPROM、SRAM……等內(nèi)存的控制接口。但不同處理器內(nèi)部的內(nèi)存控制方式都不盡相同，而且它們的控制程序大部分都位于開機程序內(nèi)，皆屬于匯編語言，所以常令人不知所云。

　　SDRAM的規(guī)格

　　現(xiàn)代的處理器并不需要額外的外部器件，就可以直接將外部內(nèi)存連接至處理器的腳位上。但是，在選擇SDRAM時，還是必須考慮下列幾項因素：

　　● 工作電壓

　　● 最大的工作頻率

　　● 最大的記憶容量

　　● I/O大小和排數(shù)(bank number)

　　● “列地址閃控(column address strobe;CAS)”的延遲(latency)

　　● 刷新(refresh)的速率

　　● 分頁大小(page size)

　　● 初始化的順序(sequency)：可程序化的順序是MRS=>REF(refresh)或REF=>MRS。

　　上述參數(shù)都列在SDRAM規(guī)格中，它們必須能符合處理器內(nèi)部的內(nèi)存控制器之要求，惟有如此，才不需要額外的外部器件，否則就必須另外設(shè)計邏輯電路來銜接。在圖1中，SDRAM-B無法符合ADSP-TS201S處理器的內(nèi)存控制器的要求。因為SDRAM-B的“突發(fā)資料組之寬度(burst length)”是1，而不是“全分頁”;而且SDRAM-B的分頁大小是2048字組(word或16bits)，但是ADSP-TS201S處理器最多只能支持1024字組。所以，相較之下，應(yīng)該SDRAM-A才對。

　　緩存器的設(shè)定

　　與其它控制器一樣，處理器內(nèi)部的內(nèi)存控制器也需要透過緩存器(register)去設(shè)定它的組態(tài)與功能。根據(jù)圖1的規(guī)格，可以設(shè)定ADSP-TS201S處理器的“SDRAM控制緩存器(SDRCON)”。SDRCON緩存器的初始值是0，表示SDRAM是在禁能(disable)狀態(tài)。圖2是SDRCON緩存器的每個位的名稱。

　　1. 位0(SDRAM ENABLE)：設(shè)為1時，表示有SDRAM存在。

　　2. 位1～2(CAS LATENCY;CL)：表示當讀取(read)命令發(fā)出之后，至數(shù)據(jù)出現(xiàn)時之間的時間。它與寫入作業(yè)無關(guān)。此值可以在SDRAM規(guī)格表中查到，如圖3所示。假設(shè)外部總線速率是100MHz，則CL應(yīng)設(shè)為2。有些SDRAM的時序參數(shù)(例如：CL、tRAS、tRP…..等)是根據(jù)不同的傳輸速率和速率等級(speed grade)而定的。

　　3.位3(PIPE DEPTH)：當有數(shù)個SDRAM并排使用時，可能需要外部緩沖存儲器(buffer)，這時，此位必須設(shè)為1。不過，如果SDRAM腳位上的電容值遠低于30pF，則此位可以設(shè)為0。

　　4.位4～5(PAGE BOUNDARY)：分頁邊界，是用來定義分頁的大小，單位是字組。此值與“列的地址(column addresses)”數(shù)目相等。圖4是SDRAM-A的規(guī)格，從中可以查出：列地址的總數(shù)目是256(A0~A7)，因此，分頁大小是256。

　　5. 位7～8(REFRESH RATE)：這個值能決定處理器內(nèi)部的刷新計數(shù)器(refresh counter)之值，好讓處理器的速率能與外部SDRAM所需的刷新速率相配合。于圖4中，刷新計數(shù)值是4K;而且在SDRAM規(guī)格中，會經(jīng)常見到：64ms，4096 cycle refresh或者4096 cycles/64ms或15.6μs/row。刷新速率的計算公式是：cycles=SOCCLK×tREF/Rows，其中，SOCCLK是處理器的CPU速率，tREF是SDRAM刷新間隔(refresh period)，Rows是行地址的位數(shù)目。假設(shè)SOCCLK等于250MHz，由上述公式可以求得刷新速率等于3900周期(cycles)。因此，實際的刷新速率必須等于或小于3900周期，但是ADSP-TS201S處理器的內(nèi)存控制器最多只支持3700周期，所以此值要設(shè)定為3700。

　　6. 位9～10(PRC TO RAS DELAY)：此參數(shù)決定SDRAM的Precharge到RAS之間的延遲時間，也就是tRP，如圖5所示。圖6是SDRAM的時序規(guī)格范例，其中，傳輸率屬-6等級者，它的最小tRP值是18ns，若使用100MHz速率，則至少需要1.8周期(100MHz×18ns=1.8)。因此，tRP應(yīng)該設(shè)為2周期。

　　7. 位11～13(RAS TO PRC DELAY)：此參數(shù)決定RAS到Precharge之間的延遲時間，也就是tRAS。如圖6所示，最小的tRAS值是42ns，若使用100MHz速率，則至少需要4.2周期。因此，tRAS應(yīng)該設(shè)為5周期。

　　8. 位14(INIT SEQUENCE)：它決定SDRAM于開機時的初始化程序。若此程序是：在開機后100μs內(nèi)，至少必須執(zhí)行一個COMMAND INHIBIT或NOP命令，之后，執(zhí)行PRECHARGE命令，此時，SDRAM是處于閑置(idle)狀態(tài)。然后，執(zhí)行兩個AUTO-REFRESH，再設(shè)定“模式緩存器(mode register)”。最后，才能執(zhí)行讀寫作業(yè)。這表示此SDRAM的初始化時間至少需要：PRE+2×Autorefresh+MRS(mode register set)。

　　9. 位15(EMR ENABLE)：只有當連接至低功率(2.5V)的SDRAM時，才必須設(shè)定這個位值，否則保持0。

　　當SDRCON緩存器按照上述規(guī)則被設(shè)定好之后，內(nèi)存控制器將會發(fā)出MRS命令，對外部SDRAM進行初始化。