XDR™2 DRAM

XDR?2 DRAM

Rambus 的 XDR?2 DRAM 是一款高性能、高能效內(nèi)存，專為游戲、圖形和多核計算等高帶寬應(yīng)用而優(yōu)化。初始設(shè)備具備 9.6Gbps 的數(shù)據(jù)傳輸率，一臺 4 字節(jié)寬的設(shè)備可提供高達(dá) 38.4GB/s 的帶寬。XDR2 將來的目標(biāo)是將數(shù)據(jù)傳輸率擴展到 12.8Gbps，從而使每臺設(shè)備提供 51.2GB/s 的帶寬。

XDR2 DRAM 采用傳統(tǒng)的 8 個內(nèi)存庫的 CMOS DRAM 核心以及標(biāo)準(zhǔn)的微線程運行模式。XDR DRAM 支持 512Mbit 到 4Gbit 的設(shè)備密度，初期設(shè)備密度的目標(biāo)為 1Gbit。XDR2 DRAM 除采用 Rambus 微線程以外，還采用了其他 Rambus 革新技術(shù)，例如 Flexlink?C/A：業(yè)界首個全速可擴展點對點指令/地址通道。與可編程 DRAM 帶寬和增強的動態(tài)點對點 (DPP) 技術(shù)相結(jié)合的 Flexlink C/A 支持可高度擴展的內(nèi)存系統(tǒng)容量和訪問粒度，使 XDR2 成為多種應(yīng)用的理想解決方案。

微線程是 XDR2 DRAM 提供的一種新的運行模式，有效地將可單獨尋址和同步訪問的內(nèi)存庫數(shù)量提高為原來的兩倍。這樣一來，標(biāo)準(zhǔn)的 8 個內(nèi)存庫核心便可像 16 個內(nèi)存庫的內(nèi)存設(shè)備一樣有效運行，從而降低了列訪問粒度，增加了控制器可使用的帶寬。

處于微線程模式的 XDR2 經(jīng)過優(yōu)化可有效訪問內(nèi)存，從而滿足圖形和多核計算系統(tǒng)的要求。通過允許分別從不同的 Flexlink C/A 通道在四個不同的 DRAM 中獨立進(jìn)行選擇，讓 XDR2 DRAM 在邏輯上成為四個獨立的 DRAM 設(shè)備。每個訪問線程都使用專用字節(jié)通道 (byte lane) 來傳輸和接收數(shù)據(jù)，并提供支持高級圖形和計算應(yīng)用所需的數(shù)據(jù)。另外，XDR2 DRAM 采用常規(guī)的低成本 DRAM 核心，提供 32 字節(jié)的低訪問粒度，卻可達(dá)到超高的數(shù)據(jù)傳輸率。