雙通道內(nèi)存

雙通道內(nèi)存???
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?????????????? 剛雙通道內(nèi)存套裝
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　　雙通道內(nèi)存技術(shù)其實(shí)是一種內(nèi)存控制和管理技術(shù)，它依賴于芯片組的內(nèi)存控制器發(fā)生作用，在理論上能夠使兩條同等規(guī)格內(nèi)存所提供的帶寬增長(zhǎng)一倍。它并不是什么新技術(shù)，早就被應(yīng)用于服務(wù)器和工作站系統(tǒng)中了，只是為了解決臺(tái)式機(jī)日益窘迫的內(nèi)存帶寬瓶頸問(wèn)題它才走到了臺(tái)式機(jī)主板技術(shù)的前臺(tái)。在幾年前，英特爾公司曾經(jīng)推出了支持雙通道內(nèi)存?zhèn)鬏敿夹g(shù)的i820芯片組，它與RDRAM內(nèi)存構(gòu)成了一對(duì)黃金搭檔，所發(fā)揮出來(lái)的卓絕性能使其一時(shí)成為市場(chǎng)的最大亮點(diǎn)，但生產(chǎn)成本過(guò)高的缺陷卻造成了叫好不叫座的情況，最后被市場(chǎng)所淘汰。由于英特爾已經(jīng)放棄了對(duì)RDRAM的支持，所以目前主流芯片組的雙通道內(nèi)存技術(shù)均是指雙通道DDR內(nèi)存技術(shù)，主流雙通道內(nèi)存平臺(tái)英特爾方面是英特爾 865/875系列，而AMD方面則是NVIDIA Nforce2系列。

　　雙通道內(nèi)存技術(shù)是解決CPU總線帶寬與內(nèi)存帶寬的矛盾的低價(jià)、高性能的方案?，F(xiàn)在CPU的FSB（前端總線頻率）越來(lái)越高，英特爾 Pentium 4比AMD Athlon XP對(duì)內(nèi)存帶寬具有高得多的需求。英特爾 Pentium 4處理器與北橋芯片的數(shù)據(jù)傳輸采用QDR（Quad Data Rate，四次數(shù)據(jù)傳輸）技術(shù)，其FSB是外頻的4倍。英特爾 Pentium 4的FSB分別是400/533/800MHz，總線帶寬分別是3.2GB/sec，4.2GB/sec和6.4GB/sec，而DDR 266/DDR 333/DDR 400所能提供的內(nèi)存帶寬分別是2.1GB/sec，2.7GB/sec和3.2GB/sec。在單通道內(nèi)存模式下，DDR內(nèi)存無(wú)法提供CPU所需要的數(shù)據(jù)帶寬從而成為系統(tǒng)的性能瓶頸。而在雙通道內(nèi)存模式下，雙通道DDR 266/DDR 333/DDR 400所能提供的內(nèi)存帶寬分別是4.2GB/sec，5.4GB/sec和6.4GB/sec，在這里可以看到，雙通道DDR 400內(nèi)存剛好可以滿足800MHz FSB Pentium 4處理器的帶寬需求。而對(duì)AMD Athlon XP平臺(tái)而言，其處理器與北橋芯片的數(shù)據(jù)傳輸技術(shù)采用DDR（Double Data Rate，雙倍數(shù)據(jù)傳輸）技術(shù)，F(xiàn)SB是外頻的2倍，其對(duì)內(nèi)存帶寬的需求遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于英特爾 Pentium 4平臺(tái)，其FSB分別為266/333/400MHz，總線帶寬分別是2.1GB/sec，2.7GB/sec和3.2GB/sec，使用單通道的DDR 266/DDR 333/DDR 400就能滿足其帶寬需求，所以在AMD K7平臺(tái)上使用雙通道DDR內(nèi)存技術(shù)，可說(shuō)是收效不多，性能提高并不如英特爾平臺(tái)那樣明顯，對(duì)性能影響最明顯的還是采用集成顯示芯片的整合型主板。

　　NVIDIA推出的nForce芯片組是第一個(gè)把DDR內(nèi)存接口擴(kuò)展為128-bit的芯片組，隨后英特爾在它的E7500服務(wù)器主板芯片組上也使用了這種雙通道DDR內(nèi)存技術(shù)，SiS和VIA也紛紛響應(yīng)，積極研發(fā)這項(xiàng)可使DDR內(nèi)存帶寬成倍增長(zhǎng)的技術(shù)。但是，由于種種原因，要實(shí)現(xiàn)這種雙通道DDR（128 bit的并行內(nèi)存接口）傳輸對(duì)于眾多芯片組廠商來(lái)說(shuō)絕非易事。DDR SDRAM內(nèi)存和RDRAM內(nèi)存完全不同，后者有著高延時(shí)的特性并且為串行傳輸方式，這些特性決定了設(shè)計(jì)一款支持雙通道RDRAM內(nèi)存芯片組的難度和成本都不算太高。但DDR SDRAM內(nèi)存卻有著自身局限性，它本身是低延時(shí)特性的，采用的是并行傳輸模式，還有最重要的一點(diǎn)：當(dāng)DDR SDRAM工作頻率高于400MHz時(shí)，其信號(hào)波形往往會(huì)出現(xiàn)失真問(wèn)題，這些都為設(shè)計(jì)一款支持雙通道DDR內(nèi)存系統(tǒng)的芯片組帶來(lái)不小的難度，芯片組的制造成本也會(huì)相應(yīng)地提高，這些因素都制約著這項(xiàng)內(nèi)存控制技術(shù)的發(fā)展。

　　普通的單通道內(nèi)存系統(tǒng)具有一個(gè)64位的內(nèi)存控制器，而雙通道內(nèi)存系統(tǒng)則有2個(gè)64位的內(nèi)存控制器，在雙通道模式下具有128bit的內(nèi)存位寬，從而在理論上把內(nèi)存帶寬提高一倍。雖然雙64位內(nèi)存體系所提供的帶寬等同于一個(gè)128位內(nèi)存體系所提供的帶寬，但是二者所達(dá)到效果卻是不同的。雙通道體系包含了兩個(gè)獨(dú)立的、具備互補(bǔ)性的智能內(nèi)存控制器，理論上來(lái)說(shuō)，兩個(gè)內(nèi)存控制器都能夠在彼此間零延遲的情況下同時(shí)運(yùn)作。比如說(shuō)兩個(gè)內(nèi)存控制器，一個(gè)為A、另一個(gè)為B。當(dāng)控制器B準(zhǔn)備進(jìn)行下一次存取內(nèi)存的時(shí)候，控制器A就在讀/寫主內(nèi)存，反之亦然。兩個(gè)內(nèi)存控制器的這種互補(bǔ)“天性”可以讓等待時(shí)間縮減50%。雙通道DDR的兩個(gè)內(nèi)存控制器在功能上是完全一樣的，并且兩個(gè)控制器的時(shí)序參數(shù)都是可以單獨(dú)編程設(shè)定的。這樣的靈活性可以讓用戶使用二條不同構(gòu)造、容量、速度的DIMM內(nèi)存條，此時(shí)雙通道DDR簡(jiǎn)單地調(diào)整到最低的內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)來(lái)實(shí)現(xiàn)128bit帶寬，允許不同密度/等待時(shí)間特性的DIMM內(nèi)存條可以可靠地共同運(yùn)作。
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