DRAM內(nèi)存沒有增產(chǎn)將導(dǎo)致內(nèi)存、閃存今年集體漲價

　　從2016年下半年開始，內(nèi)存、閃存的缺貨漲價勢頭開始上揚(yáng)，2017年這一局面將繼續(xù)擴(kuò)散蔓延，而且一整年都未必會有改觀。

　　據(jù)***經(jīng)濟(jì)日報報道，內(nèi)存大廠金士頓近日表態(tài)，今年因?yàn)橹饕?a href="http://ttokpm.com/tags/dram/" target="_blank">DRAM內(nèi)存大廠都沒有增產(chǎn)計劃，全年DRAM內(nèi)存都面臨缺貨窘境。此外，群聯(lián)公司董事長潘建成也強(qiáng)調(diào)，NAND閃存因?yàn)檫M(jìn)入3D世代，制程良率無法提升，預(yù)計將缺貨一整年。

　　日前，金士頓董事長陳建華出席群聯(lián)竹南三廠上梁典禮時，針對DRAM內(nèi)存市場進(jìn)行了分析，他表示，目前主要DRAM內(nèi)存大廠都沒有增產(chǎn)計劃，而且將主要產(chǎn)能轉(zhuǎn)移生產(chǎn)3D NAND閃存，造成DRAM內(nèi)存供需短缺。

　　值得一提的是，三星是這波DRAM內(nèi)存價格上漲的主要推手。目前，三星超過7成產(chǎn)能已經(jīng)被蘋果以及自家手機(jī)、大陸的OPPO/vivo瓜分，能供應(yīng)給其它品牌的十分有限，其產(chǎn)能轉(zhuǎn)型為成長速度最快的3D NAND閃存。

　　其它廠家也有跟進(jìn)，但良品率都不及三星，讓三星有資格和能力主導(dǎo)價格調(diào)整，以彌補(bǔ)其Note 7手機(jī)停產(chǎn)造成的損失。

　　除了DRAM內(nèi)存供需失衡外，相關(guān)PCB板材料短缺，也是價格上漲的因素之一。