主板所支持的內(nèi)存類型有哪些?
主板所支持的內(nèi)存類型有哪些?
支持內(nèi)存類型是指主板所支持的具體內(nèi)存的類型。不同的主板所支持的內(nèi)存類型是不相同的。早期的主板使用的內(nèi)存類型主要有FPM、EDO、，SDRAM、RDRAM，目前主板常見的有DDR、DDR2內(nèi)存。
FPM內(nèi)存
FPM是Fast Page Mode（快頁模式）的簡稱，是較早的PC機普遍使用的內(nèi)存，它每隔3個時鐘脈沖周期傳送一次數(shù)據(jù)。現(xiàn)在早就被淘汰掉了。
EDO內(nèi)存
| EDO是Extended Data Out（擴展數(shù)據(jù)輸出）的簡稱，它取消了主板與內(nèi)存兩個存儲周期之間的時間間隔，每隔2個時鐘脈沖周期傳輸一次數(shù)據(jù)，大大地縮短了存取時間，使存取速度提高30％，達到60ns。EDO內(nèi)存主要用于72線的SIMM內(nèi)存條，以及采用EDO內(nèi)存芯片的PCI顯示卡。這種內(nèi)存流行在486以及早期的奔騰計算機系統(tǒng)中，它有72線和168線之分，采用5V工作電壓，帶寬32 bit，必須兩條或四條成對使用，可用于英特爾430FX/430VX甚至430TX芯片組主板上。目前也已經(jīng)被淘汰，只能在某些老爺機上見到。 |
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SDRAM內(nèi)存
SDRAM是Synchronous Dynamic Random Access Memory（同步動態(tài)隨機存儲器）的簡稱，是前幾年普遍使用的內(nèi)存形式。SDRAM采用3.3v工作電壓，帶寬64位，SDRAM將CPU與RAM通過一個相同的時鐘鎖在一起，使RAM和CPU能夠共享一個時鐘周期，以相同的速度同步工作，與 EDO內(nèi)存相比速度能提高50％。SDRAM基于雙存儲體結(jié)構(gòu)，內(nèi)含兩個交錯的存儲陣列，當CPU從一個存儲體或陣列訪問數(shù)據(jù)時，另一個就已為讀寫數(shù)據(jù)做好了準備，通過這兩個存儲陣列的緊密切換，讀取效率就能得到成倍的提高。SDRAM不僅可用作主存，在顯示卡上的顯存方面也有廣泛應(yīng)用。SDRAM曾經(jīng)是長時間使用的主流內(nèi)存，從430TX芯片組到845芯片組都支持SDRAM。但隨著DDR SDRAM的普及，SDRAM也正在慢慢退出主流市場。
RDRAM內(nèi)存
RDRAM是Rambus Dynamic Random Access Memory（存儲器總線式動態(tài)隨機存儲器）的簡稱，是Rambus公司開發(fā)的具有系統(tǒng)帶寬、芯片到芯片接口設(shè)計的內(nèi)存，它能在很高的頻率范圍下通過一個簡單的總線傳輸數(shù)據(jù)，同時使用低電壓信號，在高速同步時鐘脈沖的兩邊沿傳輸數(shù)據(jù)。最開始支持RDRAM的是英特爾820芯片組，后來又有840，850芯片組等等。RDRAM最初得到了英特爾的大力支持，但由于其高昂的價格以及Rambus公司的專利許可限制，一直未能成為市場主流，其地位被相對廉價而性能同樣出色的DDR SDRAM迅速取代，市場份額很小。
DDR SDRAM內(nèi)存
DDR SDRAM是Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory（雙數(shù)據(jù)率同步動態(tài)隨機存儲器）的簡稱，是由VIA等公司為了與RDRAM相抗衡而提出的內(nèi)存標準。DDR SDRAM是SDRAM的更新?lián)Q代產(chǎn)品，采用2.5v工作電壓，它允許在時鐘脈沖的上升沿和下降沿傳輸數(shù)據(jù)，這樣不需要提高時鐘的頻率就能加倍提高SDRAM的速度，并具有比SDRAM多一倍的傳輸速率和內(nèi)存帶寬，例如DDR 266與PC 133 SDRAM相比，工作頻率同樣是133MHz，但內(nèi)存帶寬達到了2.12 GB/s，比PC 133 SDRAM高一倍。目前主流的芯片組都支持DDR SDRAM，是目前最常用的內(nèi)存類型。
DDR2內(nèi)存
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DDR2的定義： ??? DDR2（Double Data Rate 2） SDRAM是由JEDEC（電子設(shè)備工程聯(lián)合委員會）進行開發(fā)的新生代內(nèi)存技術(shù)標準，它與上一代DDR內(nèi)存技術(shù)標準最大的不同就是，雖然同是采用了在時鐘的上升/下降延同時進行數(shù)據(jù)傳輸?shù)幕痉绞剑獶DR2內(nèi)存卻擁有兩倍于上一代DDR內(nèi)存預(yù)讀取能力（即：4bit數(shù)據(jù)讀預(yù)?。Q句話說，DDR2內(nèi)存每個時鐘能夠以4倍外部總線的速度讀/寫數(shù)據(jù)，并且能夠以內(nèi)部控制總線4倍的速度運行。
??? 此外，由于DDR2標準規(guī)定所有DDR2內(nèi)存均采用FBGA封裝形式，而不同于目前廣泛應(yīng)用的TSOP/TSOP-II封裝形式，F(xiàn)BGA封裝可以提供了更為良好的電氣性能與散熱性，為DDR2內(nèi)存的穩(wěn)定工作與未來頻率的發(fā)展提供了堅實的基礎(chǔ)。回想起DDR的發(fā)展歷程，從第一代應(yīng)用到個人電腦的DDR200經(jīng)過DDR266、DDR333到今天的雙通道DDR400技術(shù)，第一代DDR的發(fā)展也走到了技術(shù)的極限，已經(jīng)很難通過常規(guī)辦法提高內(nèi)存的工作速度；隨著Intel最新處理器技術(shù)的發(fā)展，前端總線對內(nèi)存帶寬的要求是越來越高，擁有更高更穩(wěn)定運行頻率的DDR2內(nèi)存將是大勢所趨。
DDR2與DDR的區(qū)別： ??? 在了解DDR2內(nèi)存諸多新技術(shù)前，先讓我們看一組DDR和DDR2技術(shù)對比的數(shù)據(jù)。
1、延遲問題： ??? 從上表可以看出，在同等核心頻率下，DDR2的實際工作頻率是DDR的兩倍。這得益于DDR2內(nèi)存擁有兩倍于標準DDR內(nèi)存的4BIT預(yù)讀取能力。換句話說，雖然DDR2和DDR一樣，都采用了在時鐘的上升延和下降延同時進行數(shù)據(jù)傳輸?shù)幕痉绞?，但DDR2擁有兩倍于DDR的預(yù)讀取系統(tǒng)命令數(shù)據(jù)的能力。也就是說，在同樣100MHz的工作頻率下，DDR的實際頻率為200MHz，而DDR2則可以達到400MHz。 ??? 這樣也就出現(xiàn)了另一個問題：在同等工作頻率的DDR和DDR2內(nèi)存中，后者的內(nèi)存延時要慢于前者。舉例來說，DDR 200和DDR2-400具有相同的延遲，而后者具有高一倍的帶寬。實際上，DDR2-400和DDR 400具有相同的帶寬，它們都是3.2GB/s，但是DDR400的核心工作頻率是200MHz，而DDR2-400的核心工作頻率是100MHz，也就是說DDR2-400的延遲要高于DDR400。 2、封裝和發(fā)熱量： ??? DDR2內(nèi)存技術(shù)最大的突破點其實不在于用戶們所認為的兩倍于DDR的傳輸能力，而是在采用更低發(fā)熱量、更低功耗的情況下，DDR2可以獲得更快的頻率提升，突破標準DDR的400MHZ限制。 ??? DDR內(nèi)存通常采用TSOP芯片封裝形式，這種封裝形式可以很好的工作在200MHz上，當頻率更高時，它過長的管腳就會產(chǎn)生很高的阻抗和寄生電容，這會影響它的穩(wěn)定性和頻率提升的難度。這也就是DDR的核心頻率很難突破275MHZ的原因。而DDR2內(nèi)存均采用FBGA封裝形式。不同于目前廣泛應(yīng)用的TSOP封裝形式，F(xiàn)BGA封裝提供了更好的電氣性能與散熱性，為DDR2內(nèi)存的穩(wěn)定工作與未來頻率的發(fā)展提供了良好的保障。 ??? DDR2內(nèi)存采用1.8V電壓，相對于DDR標準的2.5V，降低了不少，從而提供了明顯的更小的功耗與更小的發(fā)熱量，這一點的變化是意義重大的。 DDR2采用的新技術(shù)： ??? 除了以上所說的區(qū)別外，DDR2還引入了三項新的技術(shù)，它們是OCD、ODT和Post CAS。 ??? OCD（Off-Chip Driver）：也就是所謂的離線驅(qū)動調(diào)整，DDR II通過OCD可以提高信號的完整性。DDR II通過調(diào)整上拉（pull-up）/下拉（pull-down）的電阻值使兩者電壓相等。使用OCD通過減少DQ-DQS的傾斜來提高信號的完整性；通過控制電壓來提高信號品質(zhì)。 ??? ODT：ODT是內(nèi)建核心的終結(jié)電阻器。我們知道使用DDR SDRAM的主板上面為了防止數(shù)據(jù)線終端反射信號需要大量的終結(jié)電阻。它大大增加了主板的制造成本。實際上，不同的內(nèi)存模組對終結(jié)電路的要求是不一樣的，終結(jié)電阻的大小決定了數(shù)據(jù)線的信號比和反射率，終結(jié)電阻小則數(shù)據(jù)線信號反射低但是信噪比也較低；終結(jié)電阻高，則數(shù)據(jù)線的信噪比高，但是信號反射也會增加。因此主板上的終結(jié)電阻并不能非常好的匹配內(nèi)存模組，還會在一定程度上影響信號品質(zhì)。DDR2可以根據(jù)自已的特點內(nèi)建合適的終結(jié)電阻，這樣可以保證最佳的信號波形。使用DDR2不但可以降低主板成本，還得到了最佳的信號品質(zhì)，這是DDR不能比擬的。 ??? Post CAS：它是為了提高DDR II內(nèi)存的利用效率而設(shè)定的。在Post CAS操作中，CAS信號（讀寫/命令）能夠被插到RAS信號后面的一個時鐘周期，CAS命令可以在附加延遲（Additive Latency）后面保持有效。原來的tRCD（RAS到CAS和延遲）被AL（Additive Latency）所取代，AL可以在0，1，2，3，4中進行設(shè)置。由于CAS信號放在了RAS信號后面一個時鐘周期，因此ACT和CAS信號永遠也不會產(chǎn)生碰撞沖突。 ??? 總的來說，DDR2采用了諸多的新技術(shù)，改善了DDR的諸多不足，雖然它目前有成本高、延遲慢能諸多不足，但相信隨著技術(shù)的不斷提高和完善，這些問題終將得到解決。 |
FB-DIMM
ECC并不是內(nèi)存類型，ECC（Error Correction Coding或Error Checking and Correcting）是一種具有自動糾錯功能的內(nèi)存，英特爾的82430HX芯片組就開始支持它，使用該芯片組的主板都可以安裝使用ECC內(nèi)存，但由于ECC內(nèi)存成本比較高，所以主要應(yīng)用在要求系統(tǒng)運算可靠性比較高的商業(yè)電腦中，例如服務(wù)器/工作站等等。由于實際上存儲器出錯的情況不會經(jīng)常發(fā)生，而且普通的主板也并不支持ECC內(nèi)存，所以一般的家用與辦公電腦也不必采用ECC內(nèi)存。
一般情況下，一塊主板只支持一種內(nèi)存類型，但也有例外。有些主板具有兩種內(nèi)存插槽，可以使用兩種內(nèi)存，例如以前有些主板能使用EDO和SDRAM，現(xiàn)在有些主板能使用SDRAM和DDR SDRAM。
上圖中的主板就支持兩種內(nèi)存類型（SDRAM和DDR SDRAM），采用兩種類型的內(nèi)存插槽（藍色和黑色）區(qū)分。值得注意的是，在這些主板上不能同時使用兩種內(nèi)存，而只能使用其中的一種，這是因為其電氣規(guī)范和工作電壓是不同的，混用會引起內(nèi)存損壞和主板損壞的問題。
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