由武漢船舶設計研究院設計的長江葛洲壩浮式船閘檢修閘門選型使用武漢瑩佳靜磁柵水位傳感器。 浮式檢修門各壓載水艙進排水、小圍堰進排水等都采用電動控制蝶閥控制。主排水泵采用變頻控制。小圍堰排水泵采用
2018-10-24 11:38:35
電容開關(guān)的外觀結(jié)構(gòu)相對緊湊簡單，體積小，相比之下浮球開關(guān)的體積較大。這使得電容開關(guān)更適合在空間有限的情況下使用，尤其是對于一些小型設備或者需要集成在其他系統(tǒng)中的應用來說，電容開關(guān)更具優(yōu)勢。
浮球開關(guān)
2023-09-07 13:21:18
`工作原理：浮球式液位計是利用液體對磁性浮球的浮力原理，磁性浮球隨液位變化的位移量轉(zhuǎn)化成模擬線性的4～20mA標準信號輸出，變送器電源24VDC，二線制工作形式。具有工作穩(wěn)定可靠，無須調(diào)整等特點
2013-07-10 16:24:10
`KZ/FQ型浮球液位傳感器，廣泛應用于各種液位的測量，如油，水，污水，酸，堿等介質(zhì)的液體。采用隔爆接線盒和本安放大電路，導桿和浮球不銹鋼材料。 應用范圍廣，可靠性高。北京昆侖中大工控，咨詢熱線400-661-3026`
2013-05-13 13:33:37
浮球液位計如何正確選擇 浮球液位計是根據(jù)阿基米德浮力原理設計和工作的，由于其在食品、石化、環(huán)保等行業(yè)有著非常廣泛的應用，而這些場合的工況復雜多樣，如果選擇不當，就難以準確甚至無法用于液位的測量
2020-06-19 14:15:19
所需的ECC糾錯能力讓系統(tǒng)人員越來越難以應付。 過去，ECC一直被用于提高NAND閃存子系統(tǒng)的整體數(shù)據(jù)可靠性。但是，隨著NAND單元不斷縮小，每個浮柵內(nèi)貯存的電子數(shù)量越來越少。因此，為彌補更小的存儲單元所產(chǎn)生的更高的位誤碼率，我們必須大幅提高ECC糾錯能力，以維持所需的系統(tǒng)可靠性。
2019-11-11 07:52:28
HM-95VH 浮球液位開關(guān)HM-95VH 浮球液位開關(guān) HM-95VH 浮球液位開關(guān)供應韓國HITROL浮球液位開關(guān)吳經(jīng)理：132.4667.5433 / 0755-26998458工作Q
2019-04-24 17:26:27
LTC4020三段式充電，使用電子負載器對量產(chǎn)板測試充電曲線，發(fā)覺有些板恒壓充轉(zhuǎn)不了浮充，電流已降至0，就是轉(zhuǎn)不到浮充電壓
2024-01-05 14:20:06
對于自動化儀表，最常見的防爆形式有MTL安全柵、隔爆型和增安型。由于電子技術(shù)的飛速發(fā)展和低功耗電子器件的不斷誕生，使本安防爆技術(shù)的推廣和應用有了更為廣闊的空間。特別是由于本質(zhì)安全型（也稱“本安型
2018-07-04 14:23:34
之間具有額外的電絕緣浮柵。由于浮柵是電隔離的，所以即使在去除電壓之后，到達柵極的電子也會被捕獲。這就是閃存非易失性的原理所在。另外，采用FG浮柵技術(shù)的3D NAND的存儲單元相互獨立，而采用CTF電荷
2020-11-19 09:09:58
位變動和增加了對模擬電路的感應干擾。一個折衷方案是在浮地與公共地之間跨接一個阻值很大的泄放電阻，用以釋放所積累的電荷。注意控制釋放電阻的阻抗，太低的電阻會影響設備泄漏電流的合格性。1：浮地技術(shù)的應用a
2019-01-22 15:12:36
本文通過故意損壞IGBT/MOSFET功率開關(guān)來研究柵極驅(qū)動器隔離柵的耐受性能。在高度可靠、高性能的應用中，如電動/混合動力汽車，隔離柵級驅(qū)動器需要確保隔離柵在所有情況下完好無損。隨著
2021-01-22 06:45:02
什么是接地信號，什么是浮地信號？在數(shù)據(jù)采集卡的接線中，信號源分接地信號和浮地信號，然后接線的終端模式又差分，單端，非參考單端，那么什么是接地信號，什么是浮地信號？
2015-03-11 14:44:29
昆山浮球開關(guān)是一種構(gòu)造簡樸，運用起來非常利便的液位控制零件，實在它設有非常復雜的電路，不會會遭到干擾，只要材料選擇的正確，對于任何性質(zhì)的液體好和溫度皆可運用。浮球開關(guān)哪家好http://www.ksoufeiya.com市場上來說產(chǎn)品的種類是良多的，在名稱上也會有良多叫法。
2012-07-26 10:21:52
大多數(shù)汽車] 差異化的多晶硅浮柵嵌入式閃存多年來，大多數(shù)]
2020-01-12 08:00:00
代碼執(zhí)行應用則要求存儲器的隨機訪存速度更快。經(jīng)過研究人員對浮柵存儲技術(shù)的堅持不懈的研究，現(xiàn)有閃存的技術(shù)能力在2010年底應該有所提升，盡管如此，現(xiàn)在人們越來越關(guān)注有望至少在2020年末以前升級到更小
2019-06-26 07:11:05
低壓共源共柵結(jié)構(gòu)是什么？具有最小余度電壓的共源共柵電流源是什么？
2021-09-29 06:47:22
模擬市場上通用的雙柵場效應管 BF988MS庫里面的BF988有零件但是沒有仿真模型我查閱BF904 發(fā)現(xiàn)技術(shù)參數(shù)相當可以替代
2017-12-21 14:57:33
分離式液位傳感器是一種新型的液位檢測設備，它可以代替?zhèn)鹘y(tǒng)的浮球傳感器。相比于浮球傳感器，分離式液位傳感器具有以下優(yōu)勢：
精度高：分離式液位傳感器采用先進的電容式檢測技術(shù)，可以實現(xiàn)高精度的液位檢測
2023-06-20 14:02:25
臺面刻蝕深度對埋
柵SITH
柵陰擊穿的影響針對臺面刻蝕深度對埋
柵型靜電感應晶閘管（ＳＩＴＨ）
柵陰擊穿特性的影響做了實驗研究。實驗結(jié)果表明，隨著臺面刻蝕深度的增大，器件
柵陰擊穿由原來的軟擊穿變?yōu)橛矒舸?/div>
2009-10-06 09:30:24
IGBT是由哪些部分組成的？絕緣柵雙極型晶體管IGBT有哪些特點？如何去使用絕緣柵雙極型晶體管IGBT呢？
2021-11-02 06:01:06
絕緣柵雙極晶體管（IGBT）有哪些應用呢？如何去實現(xiàn)絕緣柵雙極晶體管（IGBT）的電磁兼容設計呢？
2022-01-14 07:02:41
我想學習磁柵尺在STM32里的設計與應用 能指點嗎？
2018-10-29 10:09:19
層層環(huán)節(jié)，成本大，銷售價格高，大大地限制了國內(nèi)各機床廠的使用和該項技術(shù)的發(fā)展。 高性能的抗干擾能力，可靠耐用，減少維修，無需拼接便可直接實現(xiàn)最長為8米的整體尺。拼接可達30米，球柵尺有效長度從0.5米
2021-11-19 15:25:42
顯尺經(jīng)過層層環(huán)節(jié)，成本大，銷售價格高，大大地限制了國內(nèi)各機床廠的使用和該項技術(shù)的發(fā)展。 高性能的抗干擾能力，可靠耐用，減少維修，無需拼接便可直接實現(xiàn)最長為8米的整體尺。拼接可達30米，球柵尺有效長度從
2021-12-06 15:11:58
球柵尺簡介：球柵尺適應環(huán)境性強，有效保證加工尺寸精度。安裝簡便，對安裝面無加工要求，不需日常維護。模擬量或數(shù)字量輸出，數(shù)控數(shù)顯均可使用。球柵數(shù)顯進入中國以來，該產(chǎn)品越來越為廣大機床客戶所認同，國內(nèi)
2021-11-18 16:16:09
磁柵尺是在非導磁材料上涂一層10～20 μm的磁膠 。這種磁膠多是鎳-鈷合金高導磁性材料與樹膠相混合制成的 ,其抗拉強度要高一些,不易變形。然后在這條磁性帶上記錄磁極,N極和S極相間變化 ,在磁帶
2021-12-02 15:22:38
球柵尺簡介：球柵尺適應環(huán)境性強，有效保證加工尺寸精度。安裝簡便，對安裝面無加工要求，不需日常維護。模擬量或數(shù)字量輸出，數(shù)控數(shù)顯均可使用。球柵數(shù)顯進入中國以來，該產(chǎn)品越來越為廣大機床客戶所認同，國內(nèi)
2021-11-20 15:31:09
威海三豐磁柵尺，質(zhì)量的磁柵尺，膠州山東威海濰坊青島磁柵尺，最久的磁柵尺供應商，磁柵尺生產(chǎn)商的磁柵尺供應商質(zhì)量，磁柵尺磁柵尺 德國SIKO磁柵尺 磁柵數(shù)顯 磁柵電子尺 長磁尺磁柵尺 30年不退磁 品質(zhì)
2021-12-20 15:43:07
球柵尺安裝 球柵尺的安裝是十分簡單的，一般是將球柵尺兩端用專用支架固定在機床上。讀數(shù)頭固定在機床的走刀架上，與球柵尺做相對運動。有時小機床也可把讀數(shù)頭固定、球柵尺做運動。 3米以上的球柵尺（含
2021-12-21 15:44:48
的線脹系數(shù)與鋼鐵相同，對車間溫度變化不敏感。（5）球柵尺能在強磁場和強幅射條件下工作，可用于原子反應堆。（6）球柵尺耐振動、安裝簡便、不用日常維護等優(yōu)點。球柵尺技術(shù)指標：球柵尺技術(shù)參數(shù)球柵尺
2021-11-25 15:21:24
球柵尺安裝 球柵尺的安裝是十分簡單的，一般是將球柵尺兩端用專用支架固定在機床上。讀數(shù)頭固定在機床的走刀架上，與球柵尺做相對運動。有時小機床也可把讀數(shù)頭固定、球柵尺做運動。 3米以上的球柵尺（含
2021-11-24 15:08:26
顯尺經(jīng)過層層環(huán)節(jié)，成本大，銷售價格高，大大地限制了國內(nèi)各機床廠的使用和該項技術(shù)的發(fā)展。 高性能的抗干擾能力，可靠耐用，減少維修，無需拼接便可直接實現(xiàn)最長為8米的整體尺。拼接可達30米，球柵尺有效長度從
2022-02-15 15:37:41
球柵尺簡介：球柵尺適應環(huán)境性強，有效保證加工尺寸精度。安裝簡便，對安裝面無加工要求，不需日常維護。模擬量或數(shù)字量輸出，數(shù)控數(shù)顯均可使用。球柵數(shù)顯進入中國以來，該產(chǎn)品越來越為廣大機床客戶所認同，國內(nèi)
2022-02-22 14:37:29
球柵尺簡介：球柵尺適應環(huán)境性強，有效保證加工尺寸精度。安裝簡便，對安裝面無加工要求，不需日常維護。模擬量或數(shù)字量輸出，數(shù)控數(shù)顯均可使用。球柵數(shù)顯進入中國以來，該產(chǎn)品越來越為廣大機床客戶所認同，國內(nèi)
2022-01-19 15:50:50
顯尺經(jīng)過層層環(huán)節(jié)，成本大，銷售價格高，大大地限制了國內(nèi)各機床廠的使用和該項技術(shù)的發(fā)展。 高性能的抗干擾能力，可靠耐用，減少維修，無需拼接便可直接實現(xiàn)最長為8米的整體尺。拼接可達30米，球柵尺有效長度從
2022-01-21 15:59:06
球柵尺簡介：球柵尺適應環(huán)境性強，有效保證加工尺寸精度。安裝簡便，對安裝面無加工要求，不需日常維護。模擬量或數(shù)字量輸出，數(shù)控數(shù)顯均可使用。球柵數(shù)顯進入中國以來，該產(chǎn)品越來越為廣大機床客戶所認同，國內(nèi)
2021-12-07 15:42:43
球柵尺簡介：球柵尺適應環(huán)境性強，有效保證加工尺寸精度。安裝簡便，對安裝面無加工要求，不需日常維護。模擬量或數(shù)字量輸出，數(shù)控數(shù)顯均可使用。球柵數(shù)顯進入中國以來，該產(chǎn)品越來越為廣大機床客戶所認同，國內(nèi)
2022-01-17 15:41:39
磁柵尺的作用與錄磁原理 利用與錄音技術(shù)相似的方法，通過錄磁頭在磁性尺（或盤）上錄制出間隔嚴格相等的磁波這一過程稱為錄磁。已錄制好磁波的磁性尺稱為磁柵尺。磁柵尺上相鄰柵波的間隔距離稱為磁柵的波長
2022-01-11 15:44:15
球柵尺簡介：球柵尺適應環(huán)境性強，有效保證加工尺寸精度。安裝簡便，對安裝面無加工要求，不需日常維護。模擬量或數(shù)字量輸出，數(shù)控數(shù)顯均可使用。球柵數(shù)顯進入中國以來，該產(chǎn)品越來越為廣大機床客戶所認同，國內(nèi)
2022-02-14 15:34:53
安全柵：限制進入現(xiàn)場的能量，即限壓限流，使現(xiàn)場線路無論在何種狀態(tài)下都不會產(chǎn)生火花，從而不會引發(fā)爆炸，這種防爆方式就叫本質(zhì)安全。隔離柵：1。隔離式安全柵，即在安全柵的基礎上加入了隔離功能，可以防止地環(huán)
2018-07-19 14:32:47
現(xiàn)在我們來看看什么是浮球液位開關(guān)優(yōu)勢又在哪里呢 浮球開關(guān)不含導致故障發(fā)生和波紋管、彈簧、密封等部件。而是采用直浮子驅(qū)動開關(guān)內(nèi)部磁鐵，浮球開關(guān)的簡捷的杠桿使開關(guān)瞬間動作。浮子懸臂角限位設計，防止浮子
2021-06-30 07:22:03
大多數(shù)汽車 MCU 具有片上嵌入式閃存，其中包含復雜而詳盡的指令代碼。盡管基于多晶硅浮柵的嵌入式閃存廣泛部署在汽車、工業(yè)和消費類應用領域的一系列產(chǎn)品中，并且是非易失性存儲器技術(shù)的典范，但關(guān)于嵌入式
2020-08-14 09:31:37
要的是查看應用結(jié)構(gòu)并對每個功能塊的規(guī)格進行預估。例如在大多數(shù)應用中，NVM的復雜技術(shù)可能有助于使整個芯片的面積減少三分之一。對諸如16或32閃存與8kB的電可擦除只讀存儲器(EEPROM)之類
2019-04-08 09:36:15
嵌入式閃存技術(shù)認知誤區(qū)
2021-01-12 06:30:12
康華光主編的模電中講到N型的增強型MOSFET、耗盡型MOSFET、JFET。關(guān)于漏極飽和電流的問題，耗盡型MOSFET、JFET中都有提到，都是在柵源電壓等于0的時候，而增強型MOSFET在柵源
2019-04-08 03:57:38
至 2015 年之間， NAND的市場復合年增長率將達到 7%。技術(shù)方面，內(nèi)存密度因采用 25nm 及以下制程技術(shù)，讓制造商能進一步擴大優(yōu)勢。領先的 NAND 閃存制造商開始用 20-30nm 范圍
2014-04-22 16:29:09
快速浮_定點PID控制器FPGA的研究與實現(xiàn)提出了基于 的快速 控制器技術(shù)，采用流水線運算方法，具有高速 穩(wěn)定精確的實時控制性能，實現(xiàn)了速度和資源的優(yōu)化匹配研究并分析了位置式 不同算式的特點，完成
2012-08-11 15:58:43
共源共柵電感的工作機理是什么？怎么實現(xiàn)共源共柵CMOS功率放大器的設計？
2021-06-18 06:53:41
主要的IGBT寄生電容有哪些？怎樣去設計單正向柵驅(qū)動IGBT？單正向柵驅(qū)動IGBT有什么長處？
2021-04-20 06:43:15
電流的合格性。1：浮地技術(shù)的應用a交流電源地與直流電源地分開一般交流電源的零線是接地的。但由于存在接地電阻和其上流過的電流（回路電流），導致電源的零線電位并非為大地的零電位。另外，交流電源的零線上往往
2013-08-14 17:50:29
在高度可靠、高性能的應用中，如電動/混合動力汽車，隔離柵級驅(qū)動器需要確保隔離柵在所有情況下完好無損。隨著Si-MOSFET/IGBT不斷改進，以及對GaN和SiC工藝技術(shù)的引進，現(xiàn)代功率轉(zhuǎn)換器/逆變器的功率密度不斷提高。
2019-08-09 07:03:09
本文通過故意損壞IGBT/MOSFET功率開關(guān)來研究柵極驅(qū)動器隔離柵的耐受性能。
2021-06-17 07:24:06
存儲器又稱閃存，是一種非易失性存儲器；即掉電數(shù)據(jù)也不會丟失。閃存基本存儲單元是一種NMOS的雙層浮柵（Floating Gate）MOS管。如下圖：在源極（Source）和漏記（Drain）之間的電流
2019-09-18 09:05:09
液位浮球開關(guān)結(jié)構(gòu)主要基于浮力和靜磁場原理設計生產(chǎn)的。帶有磁體的浮球（簡稱浮球）在被測介質(zhì)中的位置受浮力作用影響：液位的變化導致磁性浮子位置的變化。浮球中的磁體和傳感器（磁簧開關(guān)）作用，產(chǎn)生開關(guān)信號。
2019-10-24 09:01:11
` 您了解過示波器在測量過程中的危害嗎？ 示波器在浮地測量有何危害，接下來請您認真看完本文！ 很多工程師有這樣的一個習慣：當要測量高壓信號時，習慣性的把電源插頭的保護地斷開，使用普通無源探頭直接進行
2016-06-06 15:27:26
示波器浮地測量的危害是什么？電源插頭的保護地斷開后會有什么樣的影響？
2021-05-08 07:24:09
老師們好：我想學習磁柵尺在STM32里的設計與應用 能指點嗎？
2018-10-23 08:42:45
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:49 編輯
實際應用中，信號的基本接地方式有三種：浮地、單點接地和多點接地 請問 浮地指的是什么？和公共地 GND有什么聯(lián)系？ 是個孤島類型的地嗎？？
2011-10-20 23:36:59
閃速存儲器的基本存儲器單元結(jié)構(gòu)如圖 1 所示。一眼看上去就是n溝道的MOSFET那樣的東西，但又與普通的FET不同，特點是在柵極（控制柵）與漏極／源極之間存在浮置柵，閃速存儲器利用該浮置柵存儲
2018-04-10 10:52:59
轉(zhuǎn)載自中儀在線工況條件下，經(jīng)常會遇到電路中包含本安型防爆電磁閥、本安型防爆行程開關(guān)、防爆控制箱和安全柵，在這種情況下安全柵應該怎么接入呢，是放在電磁閥的控制箱內(nèi)還是別的區(qū)域，下面是本人的一點見解：1
2017-12-25 15:14:51
NOR和NAND是現(xiàn)在市場上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。Intel于1988年首先開發(fā)出NOR flash技術(shù)，徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一統(tǒng)天下的局面。緊接著，1989年
2010-08-30 15:48:01
183 三星推出64GB moviNAND閃存芯片
三星近日公布了兩款采用新制程技術(shù)的閃存產(chǎn)品。其中moviNAND閃存芯片產(chǎn)品使用了三星最新的3xnm制程NAND芯片，單片封裝的最大容量可達64GB
2010-01-14 17:00:04
713 NOR閃存/NAND閃存是什么意思
NAND閃存芯片和NOR閃存芯片的不同主要表現(xiàn)在：
1) 閃存芯片讀寫的基本單位不同
2010-03-24 16:34:358226 恒憶閃存抗X射線
恒憶閃存基于浮柵技術(shù)。閃存晶體管的絕緣柵極（浮柵）捕獲（或排除）電子，因此，晶體管的閾值電壓被修改（偏離原始電壓值）。在附加的編程和
2010-04-12 14:12:16641 
STM32F2技術(shù)培訓_片上閃存Flash
2015-12-03 17:35:410 前天，首個華為手機開放日在深圳召開。華為消費者業(yè)務CEO余承東與媒體分享了華為的奮斗歷史，并透露：“此前華為P10兩種規(guī)格的閃存采購差價非常小，是為了保證供貨而不是省錢?！?010年底，華為手機
2017-05-18 11:12:422490 隨著USB技術(shù)和閃存技術(shù)的飛速發(fā)展，移動存儲設備的速度和容量日新月異，但在工業(yè)控制的上位機和下位機之間，數(shù)據(jù)傳輸依然采用傳統(tǒng)的串并口技術(shù)，特別對一些前端的便攜式采集系統(tǒng)，需要采集后臨時存儲，再拿回來
2017-11-06 14:48:260 的10倍增長，“閃存存儲技術(shù)，如LSI的Nytro應用加速產(chǎn)品組合，可以用來加速關(guān)鍵業(yè)務應用，如SQL Server 2012”，Lorenson在一份公司的聲明中表示“隨著微軟將在Windows Server 8中提供的增強，這些技術(shù)的重要性將繼續(xù)增長。
2017-12-18 09:31:4810643 功耗管理模式：
? 運行：CPU 工作，外設打開
? 空閑：CPU 不工作，外設打開
? 休眠：CPU 不工作，外設關(guān)閉
? 空閑模式時電流可降至 2.5 μA （典型值）
? 休眠模式時電流可降至 100 nA （典型值）
? Timer1 振蕩器：1.8 μA， 32 kHz， 2V
? 看門狗定時器：1.4 μA， 2V （典型值）
2018-06-29 08:22:009 高性能 RISC CPU：
? 僅需學習 35 條指令：
- 除了跳轉(zhuǎn)指令以外，所有指令都是單周期的
? 工作速度：
- DC － 20 MHz 振蕩器 / 時鐘輸入
- DC － 200 ns 指令周期
? 最大 8K x 14 字的閃存程序存儲器
2018-06-29 14:23:008 近年來，市場上固定功能的電表集成電路（IC）不斷增多，這使得在電表設計方面保持競爭力變得越來越困難。許多模擬前端（AFE）電能計量IC都采用△-∑ ADC，并通過基于ROM的固定功能狀態(tài)機來計算功率輸出。這些IC不能進行修改，也不能用于電能測量之外的其他功能。
2019-05-06 08:17:001095 
2018年7月，在弗里蒙特，因為創(chuàng)新屢獲殊榮的全閃存陣列（AFA）制造商AccelStor宣布將在2018年全閃存峰會201號展位A展廳展示最新的VFlexiArray技術(shù)。閃存峰會將在美國加利福尼亞州圣克拉拉市的圣克拉拉會議中心舉行。
2018-08-30 14:41:194169 威視”。 本文引用地址： 安防并不是簡單的設備制造，?？低曂瑫r還掌握了安防系統(tǒng)使用的圖像處理算法技術(shù)和系統(tǒng)集成技術(shù)。作為安防行業(yè)的龍頭企業(yè)，海康威視每年處理 EB 級( 1EB = 1024PB，1PB = 1024TB)的數(shù)據(jù)，因此在數(shù)據(jù)存儲技術(shù)和閃存管理技術(shù)上積累
2019-01-24 20:13:01513 【中國，北京，2019年5月9日】華為在北京舉辦了主題為探討閃存未來發(fā)展之道，推動產(chǎn)業(yè)共贏首屆華為閃存技術(shù)論壇，在業(yè)界首次提出面向應用感知的存儲創(chuàng)新理念和未來SSD發(fā)展新形態(tài)。華為智能計算提出希望
2019-05-09 21:15:00256 作為目前SSD和多數(shù)存儲設備的技術(shù)基礎，閃存顆粒的價格隨著技術(shù)的進步必然是朝著更加低廉的方向前進的。不久的過去，當TLC閃存面世之后，曾經(jīng)引發(fā)過一場持續(xù)至今的爭論。而就在我們還沉浸在MLC還是TLC
2019-06-14 15:11:1022488 閃存是最常用器件之一，在諸如SSD等存儲設備中均存在閃存。但是，大家對閃存真的足夠了解嗎?為增進大家對閃存的了解和認識，本文將對QLC閃存以及TLC閃存相關(guān)內(nèi)容予以介紹。如果你對閃存具有興趣，不妨
2020-11-06 17:38:5882922 
美光剛剛宣布了其第五代3D NAND閃存技術(shù)，達到了創(chuàng)紀錄的176層堆疊。這也是美光、Intel在閃存合作上分道揚鑣之后，自己獨立研發(fā)的第二代3D NAND閃存。
2020-11-11 11:50:212081 在3D閃存技術(shù)上，作為全球閃存最大廠商的三星一直是領先的，堆棧層數(shù)也是最多的，不過美光日前率先推出了176層堆棧的 3D閃存，進度比三星要快。 根據(jù)美光的說法，176層閃存其實是基于兩個88層疊
2020-11-14 10:01:201797 
電子發(fā)燒友App
工商網(wǎng)監(jiān)
評論