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電子發(fā)燒友網(wǎng)>存儲技術(shù)>緩沖/存儲技術(shù)>DS1350W 3.3V、4096k非易失SRAM

DS1350W 3.3V、4096k非易失SRAM

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DS1345W 3.3V、1024k NV SRAM

  DS1345W 3.3V、1024k NV SRAM為1,048,576位、全靜態(tài)非易失SRAM,按照8位、131,072字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控
2010-10-21 09:06:321002

DS1330W 256k全靜態(tài)非易失SRAM

  DS1330W 3.3V、256k NV SRAM為262,144位、全靜態(tài)非易失SRAM,按照8位、32,768字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路,控制
2010-10-22 09:04:04998

DS1245W 3.3V 1024k非易失SRAM

  DS1245W 3.3V 1024k非易失SRAM為1,048,576位、全靜態(tài)非易失SRAM,按照8位、131,072字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路
2010-11-24 09:47:28976

DS1230W 3.3V 256k非易失SRAM

  DS1230W 3.3V 256k非易失SRAM為262,144位、全靜態(tài)非易失SRAM,按照8位、32,768字排列。每個NV SRAM自帶鋰電池及控制電路,控
2010-11-24 09:53:311843

DS1250 4096k、非易失SRAM

  DS1250 4096k、非易失SRAM為4,194,304位、全靜態(tài)非易失SRAM,按照8位、524,288字排列。每個完整的NV SRAM均自帶鋰電池及
2010-12-07 10:18:011420

DS1250W 3.3V 4096k全靜態(tài)非易失SRAM

  DS1250W 3.3V 4096k NV SRAM為4,194,304位、全靜態(tài)非易失SRAM,按照8位、524,288字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路,控
2010-12-07 10:21:02966

DS1251,DS1251P全靜態(tài)非易失RAM

具有隱含時鐘的DS1251 4096k NV SRAM為全靜態(tài)非易失RAM (按照8位、512k字排列),內(nèi)置實時時鐘。
2012-01-04 10:41:50905

DS1251,DS1251P 4096k NV SRAM

The DS1251 4096K NV SRAM with Phantom Clock is a fully static nonvolatile RAM (organized as 512K
2012-01-04 11:30:5218

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DS1086L EconOscillator?是一種3.3V、可編程時鐘發(fā)生器,可產(chǎn)生頻率在130kHz至66.6MHz、經(jīng)過頻譜擴展(抖動)的方波輸出。
2012-03-22 15:45:06863

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2015-12-14 14:11:200

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2017-09-14 16:58:192

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The AS7C3256A is a 3.3V high-performance CMOS 262,144-bit Static Random-Access Memory (SRAM) device
2017-09-20 09:32:584

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2021-05-08 16:18:001

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