DS1265W 8Mb非易失(NV) SRAM

　　DS1265W 8Mb非易失(NV) SRAM為8,388,608位、全靜態(tài)NV SRAM，按照8位、1,048,576字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC是否超出容差范圍，一旦超出容差范圍，鋰電池便自動切換至供電狀態(tài)、寫保護(hù)將無條件使能、防止數(shù)據(jù)被破壞。該器件沒有寫次數(shù)限制，可直接與微處理器接口、不需要額外的支持電路。

　　關(guān)鍵特性

　　在沒有外部電源時下最少可以保存數(shù)據(jù)10年

　　掉電期間數(shù)據(jù)被自動保護(hù)

　　沒有寫次數(shù)限制

　　低功耗CMOS操作

　　100ns的讀寫存取時間

　　第一次上電前，鋰電池與電路斷開、維持保鮮狀態(tài)

　　可選的-40°C至+85°C工業(yè)級(IND)溫度范圍

　　通過美國保險商實(shí)驗(yàn)室協(xié)會(UL)認(rèn)證

DS1265W 8Mb非易失(NV) SRAM www.ttokpm.com

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2023-02-10 08:12:44

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2023-03-03 07:42:03

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我目前正在使用 YOCTO sumo linux 內(nèi)核 L4.14.98-2.3.1 和 imx6ul。在我的應(yīng)用程序中，我們需要將安全數(shù)據(jù)（例如密鑰）存儲在安全非易失性存儲 (SNVS) 區(qū)域

2023-04-14 07:38:45

S32G274為什么無法訪問完整的8MB SRAM？

引導(dǎo)，我們只能看到前 2MB 的 SRAM。我們有可用的 IVT、DCD 和 FSBL，但仍然不能使用超過 2MB 的內(nèi)存。我們將 PRAMIAS 設(shè)置為 0x0，將 PRAMIAE 設(shè)置為 0x1FFFF，訪問權(quán)限沒有變化。啟用完整 8MB SRAM 的過程是什么？

2023-04-19 09:23:38

與FRAM相比Everspin MRAM具有哪些優(yōu)勢？

據(jù)保留?無限的讀/寫耐力?無磨損?有競爭力的定價?穩(wěn)定的制造業(yè)供應(yīng)鏈?小尺寸BGA封裝圖1 引腳普通針MR3A16ACMA35是一個8Mb非易失性RAM，組織為512kx16，采用3.3V標(biāo)稱電源供電

2023-04-07 16:26:28

雙路非易失可變電阻器DS3902相關(guān)資料下載

概述:DS3902是一款雙路、非易失(NV)、低溫度系數(shù)的可變數(shù)字電阻，提供256級用戶選擇。DS3902可以在2.4V至5.5V的寬電源范圍內(nèi)工作，通過I2C兼容的串行接口與該器件通信。內(nèi)部地址設(shè)置功能通過編程使DS3902從地址置為128個可用地址之

2021-05-17 07:29:10

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親愛;我有Spartan?-3AN非易失性FPGA入門套件，我編寫了VHDL程序，用于地址分配到與FPGA芯片接口的兩個外部ROM。程序有（16位輸入端口）和（16位輸出端口），問題是：如何使用該套件在FPGA芯片上下載程序？如何確定哪個輸入引腳和哪個是輸出引腳？最好的祝福

2019-08-22 10:31:44

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2018-11-13 15:19:09

如何讀取PSoC處理器的非易失性鎖存器？

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2019-08-15 06:46:55

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我想用非易失性密鑰獲取CMAC值（僅驗(yàn)證甚至可以）。我正在使用修改后的“csec_boot_protection_s32k148”項(xiàng)目。初始化 CSEc 模塊后，我使用給定的指令加載密鑰 ROM

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賽普拉斯NV-SRAM解決方案分享

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描述適用于 Amiga 500 和 Amiga 500+ 的 8MB FastRAM 板此板基于此處的 A600 8MB FastRAM 板,因此，原理圖是原始設(shè)計(jì)的衍生/分支，以適應(yīng)它在 A500

2022-07-29 07:32:18

高壓NVI2C電位器DS3501相關(guān)資料下載

概述:DS3501是一款7位、非易失(NV)數(shù)字電位器，具有高達(dá)15.5V的輸出電壓范圍。該器件可通過I2C兼容接口對其進(jìn)行程序設(shè)計(jì)，接口工作速度可高達(dá)400kHz。電位器的最低和最高輸出電壓可通過

2021-05-17 07:50:20

NV SRAM Frequently Asked Quest

such as the DS1220, DS1225, and DS1230. First it discusses NV RAM module construction, with an overview of the battery, controller and SRAM that is u

2009-04-24 09:40:39

DS1249是一款芯片

DS1249 2048k非易失(NV) SRAM為2,097,152位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、262,144字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC是否超出

2023-07-21 15:11:06

DS1265是一款芯片

DS1265 8M非易失SRAM為8,388,608位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、1,048,576字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC是否超出容差范圍

2023-07-21 15:13:33

DS1270是一款芯片

DS1270 16M非易失SRAM為16,777,216位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、2,097,152字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC是否超出容差范圍

2023-07-21 15:18:27

DS1330是一款芯片

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2023-07-21 15:20:44

DS1345YP-100+是一款監(jiān)測器

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DS1225AB及DS1225AD為65,536位、全靜態(tài)非易失(NV) SRAM，按照8位、8192字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC是否超出容差范圍，一旦

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DS1245 1024k非易失(NV) SRAM為1,048,576位、完全靜態(tài)的非易失SRAM，按照8位、131,072字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC是否

2023-07-21 15:38:54

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DS1250 4096k、非易失SRAM為4,194,304位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、524,288字排列。每個完整的NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC是否超出容

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DS9034PC PowerCap是一款為非易失(NV) SRAM提供的鋰電池電源帽，基于Dallas Semiconductor直接表面貼裝PowerCap模塊封裝。PowerCap模塊焊接、清理

2023-07-21 15:42:57

DS1501是一款芯片

DS1501/DS1511為完備的、2000年兼容的、實(shí)時時鐘/日歷(RTC)，具有RTC報警、看門狗定時器、上電復(fù)位、電池監(jiān)控、256字節(jié)非易失(NV) SRAM以及一個32.768kHz的頻率

2023-07-21 16:44:47

DS1511Y+是一款芯片

2023-07-21 16:48:54

DS1244是一款芯片

具有隱含時鐘的DS1244 256k、NV SRAM為全靜態(tài)非易失RAM (NV SRAM) (按照8位、32k字排列)，內(nèi)置實(shí)時時鐘。DS1244自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC是否

2023-07-21 16:58:16

DS1248是一款芯片

具有隱含時鐘的DS1248 1024k NV SRAM為全靜態(tài)非易失RAM (按照8位、128k字排列)，內(nèi)置實(shí)時時鐘。DS1248自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC是否超出容差范圍，一旦

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新一代NV SRAM技術(shù) 第一代NV SRAM模塊問世近20年來，NV SRAM技術(shù)不斷更新，以保持與各種應(yīng)用同步發(fā)展，同時滿足新的封裝技術(shù)不斷增長的需求。發(fā)展與現(xiàn)狀

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DS1330W 256k全靜態(tài)非易失SRAM

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DS3065WP非易失(NV)PowerCap SRAM模塊

　　MXIM推出DS3065WP，一個1米x 8非易失(NV)與一個嵌入式實(shí)時時鐘(RTC)和電池包在一個PowerCap

2010-10-28 08:46:50

697

DS1270W 16Mb非易失(NV) SRAM

　　DS1270W 16Mb非易失(NV) SRAM為16,777,216位、全靜態(tài)NV SRAM，按照8位、2,097,152字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控

2010-11-10 09:31:52

685

DS1225AB及DS1225AD全靜態(tài)非易失(NV) SR

　　DS1225AB及DS1225AD為65,536位、全靜態(tài)非易失(NV) SRAM，按照

2010-11-10 09:36:27

1532

DS1249W 2048kb非易失(NV) SRAM

　　DS1249W 2048kb非易失(NV) SRAM為2,097,152位、全靜態(tài)NV SRAM，按照8位、262,144字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控

2010-11-24 09:43:53

877

DS1245W 3.3V 1024k非易失SRAM

　　DS1245W 3.3V 1024k非易失SRAM為1,048,576位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、131,072字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路

2010-11-24 09:47:28

976

DS1230W 3.3V 256k非易失SRAM

　　DS1230W 3.3V 256k非易失SRAM為262,144位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、32,768字排列。每個NV SRAM自帶鋰電池及控制電路，控

2010-11-24 09:53:31

1843

DS1250 4096k、非易失SRAM

　　DS1250 4096k、非易失SRAM為4,194,304位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、524,288字排列。每個完整的NV SRAM均自帶鋰電池及

2010-12-07 10:18:01

1420

DS1250W 3.3V 4096k全靜態(tài)非易失SRAM

　　DS1250W 3.3V 4096k NV SRAM為4,194,304位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、524,288字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控

2010-12-07 10:21:02

966

DS3605 非易失(NV)SRAM控制器(中文資料)

DS3605集成非易失(NV) SRAM控制器、實(shí)時時鐘(RTC)、CPU監(jiān)控電路和溫度傳感器，可以為加密交易終端和其它安全敏感應(yīng)用提供篡改保護(hù)

2011-04-27 10:23:37

879

DS1244,DS1244P 256k NV SRAM,帶有隱含時鐘

DS1244,DS1244P具有隱含時鐘的DS1244 256k、NV SRAM為全靜態(tài)非易失RAM (NV SRAM) (按照8位、32k字排列)，內(nèi)置實(shí)時時鐘

2011-12-19 11:15:39

1685

DS1244,DS1244P數(shù)據(jù)資料

DESCRIPTION The DS1244 256K NV SRAM with a Phantom clock is a fully static nonvolatile RAM (NV SRAM

2011-12-19 11:33:09

DS1243,DS1243Y 64k 非易失SRAM

The DS1243Y 64K NV SRAM with Phantom Clock is a fully static nonvolatile RAM (organized as 8192

2012-01-04 11:23:28

DS1248,DS1248P 1024k NV SRAM

The DS1248 1024K NV SRAM with phantom clock is a fully static, nonvolatile RAM (organized as 128K

2012-01-04 11:29:19

DS1251,DS1251P 4096k NV SRAM

The DS1251 4096K NV SRAM with Phantom Clock is a fully static nonvolatile RAM (organized as 512K

2012-01-04 11:30:52

DELL 5420 NV獨(dú)顯QUANTA DA0R08MB6E2原理圖

DELL 5420 筆記本電路圖，NV獨(dú)顯QUANTA，板號 DA0R08MB6E2 MB

2016-07-06 15:14:47

非易失性存儲器NV-SRAM的關(guān)鍵屬性是什么

NV-SRAM具有以下優(yōu)點(diǎn)，可以滿足理想SRAM器件的要求，該器件適用于游戲應(yīng)用中的非易失性緩存實(shí)施。快速訪問：系統(tǒng)性能與所使用的高速緩存的訪問速度直接相關(guān)。如果管理不當(dāng)，則連接到快速控制器的慢速

2020-12-18 14:44:28

732

賽普拉斯NV-SRAM的解決方案，它的優(yōu)勢是什么

賽普拉斯的NV-SRAM將標(biāo)準(zhǔn)快速SRAM單元（訪問時間高達(dá)20 ns）與基于硅氧化物和亞硝酸鹽，氧化物硅（SONOS）的非易失性存儲元件相結(jié)合，可提供快速的異步讀寫訪問速度，并在其整個工作范圍

2020-12-22 15:18:33

454

pSRAM與SRAM相比較，它的優(yōu)勢是什么

的接口跟SDRAM不同，不需要SDRAM那樣復(fù)雜的控制器和刷新機(jī)制，PSRAM的接口跟SRAM的接口是一樣的。PSRAM 內(nèi)部自帶刷新機(jī)制。 PSRAM容量有4Mb，8Mb，16Mb，32Mb，64Mb

2021-04-08 15:26:59

9271

NV-SRAM與BBSRAM之間的比較

隨著無鉛技術(shù)在全球的推廣，NV-SRAM成為NVRAM的普遍選擇。本篇文章主要介紹了NV-SRAM與電池供電SRAM（BBSRAM）相比所具有的優(yōu)點(diǎn)。

2022-01-25 19:50:51

NV-SRAM是什么，它的主要特征是什么

NV-SRAM（非易失性 SRAM 或NVRAM）是一種獨(dú)立的非易失性存儲器，業(yè)界最快的 NV-SRAM，具有無限的耐用性。能夠在斷電時立即捕獲 SRAM 數(shù)據(jù)的副本并將其保存到非易失性存儲器

2022-06-10 15:23:01

686

求一種具有控制器的NV-SRAM解決方案

高速SRAM單元提供了非常高速的讀寫訪問，并且可以像標(biāo)準(zhǔn)SRAM中一樣無限次地寫入或讀取NV-SRAM。

2022-11-30 17:48:48

502

電池備份NV SRAM和NOVRAMS之間的比較

達(dá)拉斯半導(dǎo)體非易失性（NV）SRAM由內(nèi)部電池備份。市場上的其他一些NV存儲器，如NOVRAM，使用內(nèi)部EEPROM備份數(shù)據(jù)。本應(yīng)用筆記討論了電池供電NV SRAM和NOVRAM之間的差異。

2023-01-10 14:25:59

795

如何用等效密度NV SRAM模塊替換DS1213智能插座

DS1213 SmartSocket產(chǎn)品已達(dá)到使用壽命，可使用引腳兼容、等效密度的5V NV SRAM模塊產(chǎn)品進(jìn)行更換。使用該替換模塊產(chǎn)品，客戶將安裝完整的一體式內(nèi)存解決方案。

2023-01-12 16:11:59

668

為什么Maxim選擇設(shè)計(jì)單件NV SRAM模塊

自NV SRAM開發(fā)開始以來，其目的一直是生產(chǎn)一種可以像IC一樣處理的混合存儲器產(chǎn)品。使用商用低功耗SRAM和鋰紐扣電池配接CMOS晶圓技術(shù)，以及用于長期存儲器備用電源的通用電壓穩(wěn)定源。

2023-03-02 14:40:00

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DS1265W 8Mb非易失(NV) SRAM

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