0.13μm非易失性FRAM產(chǎn)品的增強(qiáng)的耐久性能
2021-02-04 07:15:14
DS1243, DS1243Y資料介紹,64k NV SRAM，帶有隱含時(shí)鐘DS1243, DS1243Y概述The DS1243Y 64K NV SRAM with Phantom Clock
2012-01-04 12:11:06
保持新鮮一般說(shuō)明DS1553是一個(gè)全功能、符合2000年（Y2KC）標(biāo)準(zhǔn)的實(shí)時(shí)時(shí)鐘/日歷（RTC），帶有RTC警報(bào)、看門(mén)狗定時(shí)器、上電復(fù)位、電池監(jiān)視器和8k x 8非易失性靜態(tài)RAM。用戶(hù)對(duì)DS
2020-09-17 17:24:23
、看門(mén)狗定時(shí)器、上電復(fù)位、電池監(jiān)視器和128k x 8非易失性靜態(tài)RAM。用戶(hù)對(duì)DS1556中所有寄存器的訪問(wèn)是通過(guò)一個(gè)字節(jié)寬的接口完成的，如圖1所示。RTC寄存器包含24小時(shí)BCD格式的世紀(jì)、年、月
2020-09-16 17:17:42
非易失性溫度報(bào)警觸發(fā)器TH和TL。可通過(guò)軟件寫(xiě)入 報(bào)警上下限值。DS18B20中很多資料這樣寫(xiě)，具體使用是什么情況的？誰(shuí)知道，請(qǐng)指教，謝謝加入寫(xiě)入了上限溫度50 下限溫度－20 超過(guò)這兩個(gè)限度
2020-06-17 05:24:55
完成16位電流測(cè)量，以及11位電壓和溫度測(cè)量。片上非易失存儲(chǔ)器用于存儲(chǔ)電池的特性數(shù)據(jù)和應(yīng)用參數(shù)。DS27..
2021-12-03 07:38:35
長(zhǎng)應(yīng)用設(shè)計(jì)。它包含三個(gè)非易失（NV）、低溫度系數(shù)的數(shù)字可變電阻，當(dāng)與外部固定電阻并聯(lián)時(shí)，可提供歐姆和亞歐姆級(jí)的步長(zhǎng)。DS3906的三個(gè)電阻都具有64級(jí)電阻設(shè)置（和一個(gè)高阻態(tài)），采用巧妙的偽對(duì)數(shù)分級(jí)特性
2021-05-18 08:06:32
?在引導(dǎo)閃存之間選擇 ?設(shè)置ASIC配置/配置文件 ?服務(wù)器 ?網(wǎng)絡(luò)存儲(chǔ) ?路由器 ?電信設(shè)備 ?PC外圍設(shè)備 一般說(shuō)明 DS4520是一個(gè)9位非易失性（NV）I/O擴(kuò)展器，具有64
2020-07-02 16:55:41
非易失可重復(fù)編程FPGA的應(yīng)用有哪些？
2021-05-08 08:17:26
MRAM是一種非易失性的磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器。它擁有靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(SRAM)的高速讀取寫(xiě)入能力;以及動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(DRAM)的高集成度，而且基本上可以無(wú)限次地重復(fù)寫(xiě)入。
2020-12-16 07:21:39
MRAM是一種非易失性的磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器。它擁有靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(SRAM)的高速讀取寫(xiě)入能力;以及動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(DRAM)的高集成度，而且基本上可以無(wú)限次地重復(fù)寫(xiě)入。
2020-12-10 07:20:20
我們正在構(gòu)建一個(gè)設(shè)備來(lái)測(cè)量消耗。電路 ACS712 讀取那一刻的消耗量，所以，我需要做一個(gè)每秒累加的方法。問(wèn)題：非易失性?xún)?nèi)存有寫(xiě)入限制，所以我需要使用易失性?xún)?nèi)存。寫(xiě)入易失性存儲(chǔ)器是否有一些限制？我們的想法是每秒讀取一次 ACS712 并寫(xiě)入易失性存儲(chǔ)器，每 10 分鐘寫(xiě)入一次非易失性存儲(chǔ)器。
2023-05-30 08:48:06
BR-1225/HCN
2023-03-28 13:15:38
BR-1225/VCN
2023-03-28 13:20:04
BR-1225A/BN
2023-03-28 13:21:37
BR-1225A/HBN
2023-03-28 13:17:30
非易失性SRAM（nv SRAM）結(jié)合了賽普拉斯行業(yè)領(lǐng)先的SRAM技術(shù)和一流的SONOS非易失性技術(shù)。在正常操作下，nv SRAM的行為類(lèi)似于使用標(biāo)準(zhǔn)信號(hào)和時(shí)序的常規(guī)異步SRAM。nv SRAM執(zhí)行
2020-04-08 14:58:44
D1225K
2023-03-28 13:18:29
描述Dallas DS1230 - FM18W08 非易失性 SRAM FRAM 適配器來(lái)自達(dá)拉斯的流行的電池支持 SRAM 在 10 到 15 年后往往會(huì)忘記其寶貴的數(shù)據(jù)。通過(guò)這種引腳兼容的鐵電 RAM 升級(jí)，您可以放心，因?yàn)樵谑覝叵拢臄?shù)據(jù)保留時(shí)間為 150 年，無(wú)需任何電池供電。
2022-07-14 07:51:06
Maxim推出帶有非易失存儲(chǔ)器(EEPROM)的±0.5℃精度數(shù)字溫度傳感器和溫度調(diào)節(jié)器DS7505。集成的非易失EEPROM使器件在上電時(shí)能夠運(yùn)行用戶(hù)設(shè)定的配置和溫度調(diào)節(jié)門(mén)限，而其他類(lèi)似的器件
2018-10-29 10:51:29
TYN1225是單向可控硅(晶閘管)25A/1200V,采用TO-220AB封裝方式。 從外觀判斷：硅上面有個(gè)下凹的圓點(diǎn)，里面是PHL了就是正品，MRC了就是假的。 用個(gè)萬(wàn)用表量：1、3腳間阻值越小，硅就越好。
2021-05-06 15:17:09
MAX1224/MAX1225的主要特點(diǎn)是什么AX1224/MAX1225的封裝及引腳功能AX1224/MAX1225內(nèi)部結(jié)構(gòu)及工作原理AX1224/MAX1225的典型應(yīng)用電路
2021-04-20 06:55:58
概述:DS3902是一款雙路、非易失(NV)、低溫度系數(shù)的可變數(shù)字電阻，提供256級(jí)用戶(hù)選擇。DS3902可以在2.4V至5.5V的寬電源范圍內(nèi)工作，通過(guò)I2C兼容的串行接口與該器件通信。內(nèi)部地址設(shè)置功能通過(guò)編程使DS3902從地址置為128個(gè)可用地址之
2021-05-17 07:29:10
概述:DS3501是一款7位、非易失(NV)數(shù)字電位器，具有高達(dá)15.5V的輸出電壓范圍。該器件可通過(guò)I2C兼容接口對(duì)其進(jìn)行程序設(shè)計(jì)，接口工作速度可高達(dá)400kHz。電位器的最低和最高輸出電壓可通過(guò)
2021-05-17 07:50:20
Motorola GR1225 中繼臺(tái)資料
2006-04-09 23:54:12
108 PW1225.PDF
The PW1225 is a high-quality, digital video signalprocessor that incorporates
2007-12-24 21:36:180 彩色電視機(jī)電路原理圖LA76930+PW1225
2008-01-10 21:22:2744 MAX1224/MAX1225 12位模數(shù)轉(zhuǎn)換器 (ADC)具有低功耗、高速、串行輸出的特點(diǎn)，其采樣速率最高可達(dá)1.5Msps。器件提供真差分輸入，較單端輸入可提供更好的噪聲抑制、失真改善以及
2008-04-16 09:34:3826 RECOMMENDATION ITU-R M.1225
GUIDELINES FOR EVALUATION OF RADIO TRANSMISSIONTECHNOLOGIES
2008-07-18 11:20:1266 such as the DS1220, DS1225, and DS1230. First it discusses NV RAM module construction, with an overview of the battery, controller and SRAM that is u
2009-04-24 09:40:3914 DS4550是9位，非易失(NV) I/O擴(kuò)展器，具有I2C兼容串行接口或IEEE? 1149.1 JTAG端口控制的64字節(jié)NV用戶(hù)存儲(chǔ)器。DS4550采用數(shù)字編程替代硬件跳線和機(jī)械開(kāi)關(guān)，實(shí)現(xiàn)對(duì)數(shù)
2023-07-04 16:43:20
DS1249 2048k非易失(NV) SRAM為2,097,152位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、262,144字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC是否超出
2023-07-21 15:11:06
DS1265 8M非易失SRAM為8,388,608位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、1,048,576字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC是否超出容差范圍
2023-07-21 15:13:33
DS1270 16M非易失SRAM為16,777,216位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、2,097,152字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC是否超出容差范圍
2023-07-21 15:18:27
DS1330 256k非易失(NV) SRAM為262,144位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、32,768字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC是否超出容差范圍
2023-07-21 15:20:44
DS1345 1024k非易失(NV) SRAM為1,048,576位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、131,072字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC是否超出
2023-07-21 15:23:14
DS1220AB及DS1220AD 16k非易失(NV) SRAM為16,384位、全靜態(tài)NV SRAM，按照8位、2048字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC
2023-07-21 15:28:06
DS1225AB及DS1225AD為65,536位、全靜態(tài)非易失(NV) SRAM，按照8位、8192字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC是否超出容差范圍，一旦
2023-07-21 15:29:48
DS1230 256k非易失(NV) SRAM為262,144位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、32,768字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC是否超出容差范圍
2023-07-21 15:37:16
DS1245 1024k非易失(NV) SRAM為1,048,576位、完全靜態(tài)的非易失SRAM，按照8位、131,072字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC是否
2023-07-21 15:38:54
DS1250 4096k、非易失SRAM為4,194,304位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、524,288字排列。每個(gè)完整的NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC是否超出容
2023-07-21 15:41:00
DS9034PC PowerCap是一款為非易失(NV) SRAM提供的鋰電池電源帽，基于Dallas Semiconductor直接表面貼裝PowerCap模塊封裝。PowerCap模塊焊接、清理
2023-07-21 15:42:57
DS1501/DS1511為完備的、2000年兼容的、實(shí)時(shí)時(shí)鐘/日歷(RTC)，具有RTC報(bào)警、看門(mén)狗定時(shí)器、上電復(fù)位、電池監(jiān)控、256字節(jié)非易失(NV) SRAM以及一個(gè)32.768kHz的頻率
2023-07-21 16:44:47
DS1501/DS1511為完備的、2000年兼容的、實(shí)時(shí)時(shí)鐘/日歷(RTC)，具有RTC報(bào)警、看門(mén)狗定時(shí)器、上電復(fù)位、電池監(jiān)控、256字節(jié)非易失(NV) SRAM以及一個(gè)32.768kHz的頻率
2023-07-21 16:48:54
具有隱含時(shí)鐘的DS1244 256k、NV SRAM為全靜態(tài)非易失RAM (NV SRAM) (按照8位、32k字排列)，內(nèi)置實(shí)時(shí)時(shí)鐘。DS1244自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC是否
2023-07-21 16:58:16
具有隱含時(shí)鐘的DS1248 1024k NV SRAM為全靜態(tài)非易失RAM (按照8位、128k字排列)，內(nèi)置實(shí)時(shí)時(shí)鐘。DS1248自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC是否超出容差范圍，一旦
2023-07-24 09:29:49
具有隱含時(shí)鐘的DS1251 4096k NV SRAM為全靜態(tài)非易失RAM (按照8位、512k字排列)，內(nèi)置實(shí)時(shí)時(shí)鐘。DS1251Y自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC是否超出容差范圍
2023-07-24 09:32:13
松下 NV-DS60攝像機(jī)驅(qū)動(dòng)下載.zip
2010-04-01 14:32:0413 DS1350 4096k非易失(NV) SRAM為4,194,304位、全靜態(tài)NV SRAM，
2010-10-21 09:01:27
888 DS1345W 3.3V、1024k NV SRAM為1,048,576位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、131,072字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控
2010-10-21 09:06:321002 DS1345 1024k非易失(NV) SRAM為1,048,576位、全靜態(tài)非易失SRAM，
2010-10-22 08:58:38925 
DS1330 256k非易失(NV) SRAM為262,144位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、32,768字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電
2010-10-22 09:00:581417 
DS1330W 3.3V、256k NV SRAM為262,144位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、32,768字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制
2010-10-22 09:04:04998 
MXIM推出DS3065WP，一個(gè)1米x 8非易失(NV)與一個(gè)嵌入式實(shí)時(shí)時(shí)鐘(RTC)和電池包在一個(gè)PowerCap
2010-10-28 08:46:50697 DS1225Y 64K非易失SRAM為65,536位、全靜態(tài)非易失RAM，按照
2010-11-03 09:26:231511 DS1265W 8Mb非易失(NV) SRAM為8,388,608位、全靜態(tài)NV SRAM，按
2010-11-07 09:37:51770 
DS1270W 16Mb非易失(NV) SRAM為16,777,216位、全靜態(tài)NV SRAM，按照8位、2,097,152字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控
2010-11-10 09:31:52685 
DS1249W 2048kb非易失(NV) SRAM為2,097,152位、全靜態(tài)NV SRAM，按照8位、262,144字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控
2010-11-24 09:43:53877 
DS1250W 3.3V 4096k NV SRAM為4,194,304位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、524,288字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控
2010-12-07 10:21:02966 
概述 DMK304-1225B型開(kāi)關(guān)電源供應(yīng)器是按客戶(hù)要求設(shè)計(jì)的模塊電源產(chǎn)品之一，該產(chǎn)品不僅具有標(biāo)準(zhǔn)品效率高、體積
2011-02-18 00:56:1452 DS3911是一款四，10位Δ-Σ輸出，非易失(NV)控制器，具有片上溫度傳感器和相關(guān)的模擬到數(shù)字轉(zhuǎn)換器(ADC)
2011-06-30 10:05:021424 
DS1244,DS1244P具有隱含時(shí)鐘的DS1244 256k、NV SRAM為全靜態(tài)非易失RAM (NV SRAM) (按照8位、32k字排列)，內(nèi)置實(shí)時(shí)時(shí)鐘
2011-12-19 11:15:391685 
具有隱含時(shí)鐘的DS1251 4096k NV SRAM為全靜態(tài)非易失RAM (按照8位、512k字排列)，內(nèi)置實(shí)時(shí)時(shí)鐘。
2012-01-04 10:41:50905 
具有隱含時(shí)鐘的DS1248 1024k NV SRAM為全靜態(tài)非易失RAM (按照8位、128k字排列)，內(nèi)置實(shí)時(shí)時(shí)鐘。
2012-01-04 10:49:181184 
The DS1248 1024K NV SRAM with phantom clock is a fully static, nonvolatile RAM (organized as 128K
2012-01-04 11:29:1924 The DS1251 4096K NV SRAM with Phantom Clock is a fully static nonvolatile RAM (organized as 512K
2012-01-04 11:30:5218 電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供(adi)LT1225相關(guān)數(shù)據(jù)表資料，例如:LT1225的引腳圖、接線圖、封裝手冊(cè)、中文資料、英文資料，LT1225真值表，LT1225管腳等資料，希望可以幫組廣大的電子工程師、尤其是電子發(fā)燒友的網(wǎng)友們。
2019-02-15 18:29:30
LT1225：超高速運(yùn)算放大器數(shù)據(jù)表
2021-04-15 09:40:1411 DC1225A-演示手冊(cè)
2021-04-16 16:46:240 DC1225A-模式
2021-04-17 20:14:401 UG-1225：EVAL-AD7606B用戶(hù)指南
2021-05-11 18:53:461 DC1225A-設(shè)計(jì)文件
2021-06-15 17:08:523 電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供ADI(ti)DC1225A相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊(cè)，更有DC1225A的引腳圖、接線圖、封裝手冊(cè)、中文資料、英文資料，DC1225A真值表，DC1225A管腳等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2021-08-10 16:00:03
View the reference design for DC1225A. http://www.ttokpm.com/soft/ has thousands of reference designs to help bring your project to life.
2021-08-12 14:23:192 摩托羅拉M1225寫(xiě)頻軟件下載
2021-12-06 10:48:0332 電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供()DS1862AB+T&R相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊(cè)，更有DS1862AB+T&R的引腳圖、接線圖、封裝手冊(cè)、中文資料、英文資料，DS1862AB+T&R真值表，DS1862AB+T&R管腳等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2022-11-15 21:14:20
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供()DS1862AB+相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊(cè)，更有DS1862AB+的引腳圖、接線圖、封裝手冊(cè)、中文資料、英文資料，DS1862AB+真值表，DS1862AB+管腳等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2022-11-15 21:18:10
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供Maxim(Maxim)MAX1225ETC+相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊(cè)，更有MAX1225ETC+的引腳圖、接線圖、封裝手冊(cè)、中文資料、英文資料，MAX1225ETC+真值表，MAX1225ETC+管腳等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2023-01-15 18:40:18
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供Maxim(Maxim)MAX1225CTC+相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊(cè)，更有MAX1225CTC+的引腳圖、接線圖、封裝手冊(cè)、中文資料、英文資料，MAX1225CTC+真值表，MAX1225CTC+管腳等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2023-01-15 18:40:49
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2023-01-15 19:15:27
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2023-07-31 18:36:03
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2023-07-31 18:39:00
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