0.13μm非易失性FRAM產(chǎn)品的增強(qiáng)的耐久性能
2021-02-04 07:15:14
： 1.2MHz? 寬輸入電壓范圍： 0.7V～ 5.0V? 輸入靜態(tài)電流： 10uA? 固定輸出電壓：3V，3.3V或者5V? 輸入開關(guān)電流：1.5A最大? 另外產(chǎn)品PW5200A，是可調(diào)輸出電壓版本代理商：深圳市夸克微科技鄭生： ***QQ ： 2867714804
2020-12-09 09:43:48
輸出電流不會(huì)很高，但是要求是待機(jī)久把，PW5100升壓3.3V芯片就具有低靜態(tài)功耗，待機(jī)功耗低10uA左右。 PW5100 是一款高效率、10uA低功耗、低紋波、高工作頻率1.2MHZ的 同步升壓 DC
2020-12-09 09:45:06
1.5V升壓3.3V，1.5V升壓5V1.5V升壓3.3V芯片，1.5V升壓5V芯片：PW5100 是一款高效率、10uA低功耗、低紋波、高工作頻率1.2MHZ的 PFM 同步升壓DC/DC 變換器
2020-09-21 19:25:05
1.5V轉(zhuǎn)3.3V的電路圖需要材料：PW5100芯片，2個(gè)貼片電容，1個(gè)貼片電感。即可組成一個(gè)DC-DC同步升壓高效率電路圖，可提供穩(wěn)定的3.3V輸出電壓.1.5V轉(zhuǎn)3.3V的電源芯片1.5V轉(zhuǎn)
2020-12-17 10:50:30
3.3V的電源芯片是DC-DC升壓轉(zhuǎn)換器芯片。PW5100 僅需要三個(gè)外圍元件，就可將低輸入電壓升壓到所需的工作電壓。系統(tǒng)的工作頻率高達(dá) 1.2MHz， 支持小型的外部電感器和輸出電容器， 同時(shí)又能保持超低的靜態(tài)電流，實(shí)現(xiàn)最高的效率。產(chǎn)品特點(diǎn)最大效率可達(dá)： 95％超低啟動(dòng)電壓： 0..
2021-12-27 07:52:46
概述：MAX5128非易失、單路、線性變化數(shù)字電位器，能夠?qū)崿F(xiàn)機(jī)械電位器的功能，用簡單的2線數(shù)字接口取代機(jī)械調(diào)節(jié)。MAX5128具有與分立電位器或可變電阻器相同的功能，提供128抽頭、22kΩ端到端
2021-05-17 07:50:42
起因:
玩nas+軟路由，m2+無線網(wǎng)卡+板載各種芯片(網(wǎng)卡)等對(duì)3.3v需求大，估算需求約20a，nas用的是flex電源，flex電源3.3v基本都只有10-15a，目前用的電源3.3v只有
2023-08-26 06:45:26
、軟啟動(dòng)和過溫保護(hù)，確保設(shè)備工作在正常情況下。 PW6206提供3V,3.3V，5V輸出電壓選擇，靜態(tài)電流4.2uA。在高壓應(yīng)用中，建議R、Cin選用如下：1，Cin=10μF~100μF電解電容器，最大電壓大于50V，R=0；2，Cin=1μF~10μF MLCC，最大電壓...
2021-12-28 07:06:58
` 1V供電的設(shè)備已經(jīng)很少了。常見的是我們1.5V的干電池，放電最低電壓也是在1V左右，還有就是鎳氫可充電電池1.2V了，放電完也是1V左右。 1V升壓3.3V和1V升到5V的應(yīng)用中，如干電池1V
2020-11-13 22:12:14
到3.3V的電路圖：PW5100 僅需要三個(gè)外圍元件，就可將低輸入電壓升壓到所需的工作電壓。系統(tǒng)的工作頻率高達(dá) 1.2MHz。 1V升壓3V和1V升壓到3.3V的芯片功耗： 從芯片的輸入電源和輸入靜態(tài)
2020-12-24 15:58:43
和1V升壓到3.3V的芯片功耗： 從芯片的輸入電源和輸入靜態(tài)電流的表格可以看到，1V時(shí)的靜態(tài)功耗是20uA多，隨著輸入電壓變大，靜態(tài)功耗會(huì)變小。
2021-04-10 18:03:14
的電路圖：PW5100 僅需要三個(gè)外圍元件，就可將低輸入電壓升壓到所需的工作電壓。系統(tǒng)的工作頻率高達(dá) 1.2MHz。1V升壓3V和1V升壓到3.3V的芯片功耗：從芯片的輸入電源和輸入靜態(tài)電流的表格可以看到，1V時(shí)的靜態(tài)功耗是20uA多，隨著輸入電壓變大，靜態(tài)功耗會(huì)變小。
2021-04-07 17:36:29
1V轉(zhuǎn)3.3V供電是簡單的，僅需要一個(gè)芯片和三個(gè)外圍元件即可組成這樣的一個(gè)1V轉(zhuǎn)3.3V的電路圖和升壓電路了。可以持續(xù)穩(wěn)定地供電3.3V給模塊或者M(jìn)CU燈電路。讓后端工作穩(wěn)定，同時(shí)也能控制電路的功耗
2020-12-18 15:59:49
`描述This reference design generates an isolated 2W dual output (+3.3V & -3.3V) from AC
2015-03-12 10:29:05
、軟啟動(dòng)和過溫保護(hù)，確保設(shè)備工作在正常情況下。 PW6206提供3V,3.3V，5V輸出電壓選擇，靜態(tài)電流4.2uA。在高壓應(yīng)用中，建議R、Cin選用如下：1，Cin=10μF~100μF電解電容器，最大電壓大于50V，R=0；2，Cin=1μF~10μF MLCC，最大電壓...
2021-12-28 07:22:17
滿足一般的485芯片對(duì)電源穩(wěn)定性的要求。此款5v轉(zhuǎn)3.3v的模塊電源一般可以分為兩種：非穩(wěn)壓輸出和穩(wěn)壓輸出。先說穩(wěn)壓輸出，穩(wěn)壓輸出指的是，模塊電源的輸入電壓或者輸出負(fù)載不管如何變化，輸出電壓都能穩(wěn)定
2018-08-04 14:05:01
5V轉(zhuǎn)3.3V的技巧
2020-12-23 06:04:01
，效率高，且輸出紋波噪聲都非常小，可以滿足一般的485芯片對(duì)電源穩(wěn)定性的要求。此款5v轉(zhuǎn)3.3v的dc/dc轉(zhuǎn)換器一般可以分為兩種：非穩(wěn)壓輸出和穩(wěn)壓輸出。先說穩(wěn)壓輸出，穩(wěn)壓輸出指的是，dc/dc轉(zhuǎn)換器
2018-07-26 13:59:50
`描述此 4W 參考設(shè)計(jì)產(chǎn)生 3.3V 和 12V 輸出。3.3V 輸出為穩(wěn)壓輸出，而 12V 輸出具有某種依賴于負(fù)載的變化因素。UCC28740 反激式控制器提供低成本但高效的解決方案。`
2015-04-10 15:37:15
描述 此 4W 參考設(shè)計(jì)產(chǎn)生 3.3V 和 12V 輸出。3.3V 輸出為穩(wěn)壓輸出，而 12V 輸出具有某種依賴于負(fù)載的變化因素。UCC28740 反激式控制器提供低成本但高效的解決方案。
2018-11-20 11:43:01
單片機(jī)是STC15L104W,MOS管是HUF75307D,用3.6V的3節(jié)充電電池接上后MOS管一直導(dǎo)通,不受單片機(jī)控制,燈珠是3.3V 3W的大功率燈珠
2019-09-18 03:45:09
保持新鮮一般說明DS1553是一個(gè)全功能、符合2000年（Y2KC）標(biāo)準(zhǔn)的實(shí)時(shí)時(shí)鐘/日歷（RTC），帶有RTC警報(bào)、看門狗定時(shí)器、上電復(fù)位、電池監(jiān)視器和8k x 8非易失性靜態(tài)RAM。用戶對(duì)DS
2020-09-17 17:24:23
、看門狗定時(shí)器、上電復(fù)位、電池監(jiān)視器和128k x 8非易失性靜態(tài)RAM。用戶對(duì)DS1556中所有寄存器的訪問是通過一個(gè)字節(jié)寬的接口完成的，如圖1所示。RTC寄存器包含24小時(shí)BCD格式的世紀(jì)、年、月
2020-09-16 17:17:42
?在引導(dǎo)閃存之間選擇 ?設(shè)置ASIC配置/配置文件 ?服務(wù)器 ?網(wǎng)絡(luò)存儲(chǔ) ?路由器 ?電信設(shè)備 ?PC外圍設(shè)備 一般說明 DS4520是一個(gè)9位非易失性（NV）I/O擴(kuò)展器，具有64
2020-07-02 16:55:41
非易失可重復(fù)編程FPGA的應(yīng)用有哪些？
2021-05-08 08:17:26
MRAM是一種非易失性的磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器。它擁有靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(SRAM)的高速讀取寫入能力;以及動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(DRAM)的高集成度，而且基本上可以無限次地重復(fù)寫入。
2020-12-16 07:21:39
MRAM是一種非易失性的磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器。它擁有靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(SRAM)的高速讀取寫入能力;以及動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(DRAM)的高集成度，而且基本上可以無限次地重復(fù)寫入。
2020-12-10 07:20:20
宇芯電子本篇文章提供智能電表或智能電子式電表的概述，并且說明在智能電子式電表的設(shè)計(jì)中用非易失性串行FRAM而不是使用EEPROM的優(yōu)勢。圖1顯示的是智能電子式電表的簡化框圖。非易失性存儲(chǔ)器是一個(gè)電表
2021-07-12 07:26:45
我們正在構(gòu)建一個(gè)設(shè)備來測量消耗。電路 ACS712 讀取那一刻的消耗量，所以，我需要做一個(gè)每秒累加的方法。問題：非易失性內(nèi)存有寫入限制，所以我需要使用易失性內(nèi)存。寫入易失性存儲(chǔ)器是否有一些限制？我們的想法是每秒讀取一次 ACS712 并寫入易失性存儲(chǔ)器，每 10 分鐘寫入一次非易失性存儲(chǔ)器。
2023-05-30 08:48:06
/4096。采集電壓 = Vref * ADC_DR / 4096;Vref：參考電壓ADC_DR：讀取到ADC數(shù)據(jù)寄存器的值一般使用3.3V為參考電壓，則采集到的電壓 = ADC_DR*3.3/4096 。2. STM32F4的ADC轉(zhuǎn)換不需要做程序校準(zhǔn)。這在HAL庫里也可以看出來，官方?jīng)]有H
2021-08-17 08:26:08
深圳市三佛科技有限公司供應(yīng)AC-DC非隔離3.3V 400MA小家電電源方案 LP2177AC-DC非隔離3.3V 400MA小家電電源方案 LP2177產(chǎn)品介紹：LP2177 是一款高效率
2020-04-24 11:41:47
1.6-3.6V MCU 8-bit/16-bit Microcontrollers XMEGA AVR RISC 16KB Flash 1.8V/2.5V/3.3V 44-Pin TQFP封裝 T/R卷帶包裝
2018-12-19 12:27:32
我用CH340K做一鍵下載電路，現(xiàn)在遇到的情況是給CH340K供電使用的是3.3V，芯片的10腳V3接了3.3v，能夠與單片機(jī)通信，但是復(fù)位按鈕按下之后會(huì)導(dǎo)致單片機(jī)進(jìn)入錯(cuò)誤的啟動(dòng)方式，檢查發(fā)現(xiàn)
2022-07-13 06:32:39
bq4011是一個(gè)非易失性262144位靜態(tài)RAM，按8位組織為32768字。集成控制電路和鋰能源提供可靠的非易失性，與標(biāo)準(zhǔn)SRAM的無限寫入周期相結(jié)合?？刂齐娐烦掷m(xù)監(jiān)測單個(gè)5V電源是否超出公差條件。當(dāng)
2020-09-16 17:15:13
非易失性SRAM（nv SRAM）結(jié)合了賽普拉斯行業(yè)領(lǐng)先的SRAM技術(shù)和一流的SONOS非易失性技術(shù)。在正常操作下，nv SRAM的行為類似于使用標(biāo)準(zhǔn)信號(hào)和時(shí)序的常規(guī)異步SRAM。nv SRAM執(zhí)行
2020-04-08 14:58:44
描述Dallas DS1230 - FM18W08 非易失性 SRAM FRAM 適配器來自達(dá)拉斯的流行的電池支持 SRAM 在 10 到 15 年后往往會(huì)忘記其寶貴的數(shù)據(jù)。通過這種引腳兼容的鐵電 RAM 升級(jí)，您可以放心，因?yàn)樵谑覝叵拢臄?shù)據(jù)保留時(shí)間為 150 年，無需任何電池供電。
2022-07-14 07:51:06
我目前正在使用 YOCTO sumo linux 內(nèi)核 L4.14.98-2.3.1 和 imx6ul。在我的應(yīng)用程序中，我們需要將安全數(shù)據(jù)（例如密鑰）存儲(chǔ)在安全非易失性存儲(chǔ) (SNVS) 區(qū)域
2023-04-14 07:38:45
我用的5V的電壓 ，然后用了ME6219C將5V的電壓轉(zhuǎn)換成了3.3V的電壓，3.3V的電壓用來給NRF24L01供電，不接NRF，VCC的電壓是3.3V，接上NRF后，VCC的電壓就變成了4.4V了，接上其他的負(fù)載，比如LED燈，電壓還是3.3。為什么？
2016-07-14 16:18:53
您好，我使用PIC18F47 K40帶5V電源。在端口B，我選擇了SPI接口。我打開了SDO和SCK PIN的集合。用一個(gè)3.3V的上拉電阻，我可以使用3.5V的奴隸，而不是5V容忍的接口
2019-05-10 12:45:24
STC15W4K48S4使用ds1302 讀取的時(shí)候顯示85.請(qǐng)問是要加上拉電阻么。應(yīng)該加多大的。（我的電源是3.3v）
2018-05-15 20:46:32
按照 TPS61221的數(shù)據(jù)手冊，其輸入電壓范圍為0.7V-5.5V,當(dāng)輸入電壓大于3.3V時(shí)，其輸出電壓不再穩(wěn)壓為3.3V，當(dāng)輸入電壓為5V時(shí)，其輸出為4.7V，這是什么原因呢？是因?yàn)槠錇樯龎盒酒荒苓M(jìn)行升壓，而不能降壓嗎？
2016-02-01 15:52:30
HU3031D 兩節(jié)干電池升壓IC 固定輸出電壓：3.3V固定輸出電壓：3.3V輸入電壓范圍1.8V-3.3V輸出電流150mA1.2MHz恒定頻率從輸入端關(guān)斷負(fù)載靜態(tài)關(guān)斷電流
2020-09-07 10:39:01
電路顯示LT3437,14V至3.3V降壓轉(zhuǎn)換器，具有100A無負(fù)載靜態(tài)電流。 LT3437是一款200kHz固定頻率，500mA單片降壓開關(guān)穩(wěn)壓器。其3.3V至80V的輸入電壓范圍使LT3437成為惡劣汽車環(huán)境的理想選擇
2020-07-16 09:51:39
DN72- 單個(gè)LTC1149在17W時(shí)提供3.3V和5V電壓
2019-07-02 06:29:25
概述:DS3902是一款雙路、非易失(NV)、低溫度系數(shù)的可變數(shù)字電阻，提供256級(jí)用戶選擇。DS3902可以在2.4V至5.5V的寬電源范圍內(nèi)工作，通過I2C兼容的串行接口與該器件通信。內(nèi)部地址設(shè)置功能通過編程使DS3902從地址置為128個(gè)可用地址之
2021-05-17 07:29:10
嗨， LSM6DS33的典型電源電壓為1.8V，最大限制為3.6V。如果連續(xù)為設(shè)備提供3.3V的電源電壓，這樣可以嗎？ 問候，Prachi＃lsm6ds33以上來自于谷歌翻譯以下為原文 Hi
2018-09-14 09:54:59
STEVAL-IHT005V2，演示板旨在為家電應(yīng)用提供完整的解決方案。在IEC61000-4-4（突發(fā)）測試期間，特別強(qiáng)調(diào)基于A類4 kV電平的強(qiáng)大的全3.3V解決方案的演示。該板還允許設(shè)計(jì)人
2020-07-26 11:48:14
親愛;我有Spartan?-3AN非易失性FPGA入門套件，我編寫了VHDL程序，用于地址分配到與FPGA芯片接口的兩個(gè)外部ROM。程序有（16位輸入端口）和（16位輸出端口），問題是：如何使用該套件在FPGA芯片上下載程序？如何確定哪個(gè)輸入引腳和哪個(gè)是輸出引腳？最好的祝福
2019-08-22 10:31:44
我應(yīng)該用什么API來存儲(chǔ)非易失性數(shù)據(jù)？我使用CYW43907，手冊上說它支持外部閃存。我想知道我是否應(yīng)該使用WiDeDssFlash寫來存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，或者我是否可以使用WiDeEddCTyWrand保存
2018-11-13 15:19:09
(SPI-SRAM)64Kbit 8Kx8 IP12B064C-TU 3.3V 20MHz E Tube TSSOP-8128Kbit 16Kx8 IP12B128C-TU 3.3V 20MHz E Tube
2013-08-23 11:00:03
有誰用過DS1250w存儲(chǔ)芯片
2021-09-15 13:35:22
我想用非易失性密鑰獲取CMAC值（僅驗(yàn)證甚至可以）。我正在使用修改后的“csec_boot_protection_s32k148”項(xiàng)目。初始化 CSEc 模塊后，我使用給定的指令加載密鑰 ROM
2023-04-10 06:34:32
求個(gè)CH582 adc0~3.3v0~4096 AD值程序 高精度的可以切換不同檔位我不知道程序怎么寫哦？？我是熱敏電阻測量溫度哦
2022-09-19 07:35:22
哪位哥們用個(gè)64K 8位、3.3v供電的RAM 幫提供兩個(gè)型號(hào)唄！
2019-01-14 06:36:13
我想使用TI的電源模塊PTR08060W（輸入4.5V~14V轉(zhuǎn)0.6V~5.5V6A電流能力）產(chǎn)生一個(gè)-3.3V（2A）。能否將Vin直接連接-5V使得Vout輸出-3.3V還是將Vin連接+5V
2019-04-09 06:28:14
采用LT1934進(jìn)行3.3V電壓轉(zhuǎn)換輸出，輸入電壓為13.5V，輸出電壓3.3V。參考手冊上典型電路進(jìn)行設(shè)計(jì)，實(shí)測VIN=10V,輸出開路狀態(tài)下靜態(tài)電流為30ua-230ua之間跳變，多數(shù)時(shí)間維持在
2024-01-04 07:26:21
The DS90C3202 is a 3.3V single/dual FPD-Link 10-bit colorreceiver is designed to be used in Liquid
2009-10-14 10:12:17
11 The DS90C3201 is a 3.3V single/dual FPD-Link 10-bit colortransmitter is designed to be used
2009-10-14 10:26:4711 DS1249 2048k非易失(NV) SRAM為2,097,152位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、262,144字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC是否超出
2023-07-21 15:11:06
DS1265 8M非易失SRAM為8,388,608位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、1,048,576字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC是否超出容差范圍
2023-07-21 15:13:33
DS1270 16M非易失SRAM為16,777,216位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、2,097,152字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC是否超出容差范圍
2023-07-21 15:18:27
DS1330 256k非易失(NV) SRAM為262,144位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、32,768字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC是否超出容差范圍
2023-07-21 15:20:44
DS1345 1024k非易失(NV) SRAM為1,048,576位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、131,072字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC是否超出
2023-07-21 15:23:14
DS1220AB及DS1220AD 16k非易失(NV) SRAM為16,384位、全靜態(tài)NV SRAM，按照8位、2048字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC
2023-07-21 15:28:06
DS1225AB及DS1225AD為65,536位、全靜態(tài)非易失(NV) SRAM，按照8位、8192字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC是否超出容差范圍，一旦
2023-07-21 15:29:48
DS1230 256k非易失(NV) SRAM為262,144位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、32,768字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC是否超出容差范圍
2023-07-21 15:37:16
DS1245 1024k非易失(NV) SRAM為1,048,576位、完全靜態(tài)的非易失SRAM，按照8位、131,072字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC是否
2023-07-21 15:38:54
DS1250 4096k、非易失SRAM為4,194,304位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、524,288字排列。每個(gè)完整的NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC是否超出容
2023-07-21 15:41:00
具有隱含時(shí)鐘的DS1244 256k、NV SRAM為全靜態(tài)非易失RAM (NV SRAM) (按照8位、32k字排列)，內(nèi)置實(shí)時(shí)時(shí)鐘。DS1244自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC是否
2023-07-21 16:58:16
具有隱含時(shí)鐘的DS1248 1024k NV SRAM為全靜態(tài)非易失RAM (按照8位、128k字排列)，內(nèi)置實(shí)時(shí)時(shí)鐘。DS1248自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC是否超出容差范圍，一旦
2023-07-24 09:29:49
具有隱含時(shí)鐘的DS1251 4096k NV SRAM為全靜態(tài)非易失RAM (按照8位、512k字排列)，內(nèi)置實(shí)時(shí)時(shí)鐘。DS1251Y自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC是否超出容差范圍
2023-07-24 09:32:13
DS1350 4096k非易失(NV) SRAM為4,194,304位、全靜態(tài)NV SRAM，
2010-10-21 09:01:27
888 DS1350W 3.3V、4096k非易失SRAM為4,194,304位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、524,288字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電
2010-10-21 09:03:59888 DS1345W 3.3V、1024k NV SRAM為1,048,576位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、131,072字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控
2010-10-21 09:06:321002 DS1345 1024k非易失(NV) SRAM為1,048,576位、全靜態(tài)非易失SRAM，
2010-10-22 08:58:38925 
DS1330 256k非易失(NV) SRAM為262,144位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、32,768字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電
2010-10-22 09:00:581417 
DS1330W 3.3V、256k NV SRAM為262,144位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、32,768字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制
2010-10-22 09:04:04998 
DS1265W 8Mb非易失(NV) SRAM為8,388,608位、全靜態(tài)NV SRAM，按
2010-11-07 09:37:51770 
DS1225AB及DS1225AD為65,536位、全靜態(tài)非易失(NV) SRAM，按照
2010-11-10 09:36:271532 
DS1245W 3.3V 1024k非易失SRAM為1,048,576位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、131,072字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路
2010-11-24 09:47:28976 
DS1230W 3.3V 256k非易失SRAM為262,144位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、32,768字排列。每個(gè)NV SRAM自帶鋰電池及控制電路，控
2010-11-24 09:53:311843 
DS1250 4096k、非易失SRAM為4,194,304位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、524,288字排列。每個(gè)完整的NV SRAM均自帶鋰電池及
2010-12-07 10:18:011420 
具有隱含時(shí)鐘的DS1251 4096k NV SRAM為全靜態(tài)非易失RAM (按照8位、512k字排列)，內(nèi)置實(shí)時(shí)時(shí)鐘。
2012-01-04 10:41:50905 
The DS1251 4096K NV SRAM with Phantom Clock is a fully static nonvolatile RAM (organized as 512K
2012-01-04 11:30:5218 DS1086L EconOscillator?是一種3.3V、可編程時(shí)鐘發(fā)生器，可產(chǎn)生頻率在130kHz至66.6MHz、經(jīng)過頻譜擴(kuò)展(抖動(dòng))的方波輸出。
2012-03-22 15:45:06863 
3.3V—5V連接技巧與訣竅3.3V—5V連接技巧與訣竅3.3V—5V連接技巧與訣竅3.3V—5V連接技巧與訣竅3.3V—5V連接技巧與訣竅3.3V—5V連接技巧與訣竅3.3V—5V連接技巧與訣竅
2015-12-14 14:11:200 The AS7C3256A is a 3.3V high-performance CMOS 262，144-bit Static Random-Access Memory （SRAM） device
2017-09-20 09:32:584
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