金士頓預測整個2017年DRAM都會缺貨

全球存儲模組大廠金士頓預估，今年因為主要DRAM大廠沒有增產(chǎn)計劃，全年DRAM面臨缺貨窘境；群聯(lián)董事長潘健成也強調(diào)，儲存型快閃存儲（NAND Flash）因為進入3D世代，制程良率無法提升，預估將缺貨一整年。

由于DRAM和NAND Flash是智能手機和個人電腦必備的電子元件，兩項產(chǎn)品同步缺貨，恐將沖擊手機和個人電腦，甚至消費性電子產(chǎn)品下季出貨表現(xiàn)，尤其對二線廠沖擊會更大。

金士頓是全球存儲模組龍頭，也是全球DRAM和NAND芯片最大用戶，針對今年存儲缺貨提出預警，具指標意義。

***金士頓董事長陳建華日前出席群聯(lián)竹南三廠上梁典禮時，針對DRAM市場提出最新分析。他強調(diào)，目前主要DRAM大廠都沒有增產(chǎn)計劃，而且將產(chǎn)能轉(zhuǎn)移生產(chǎn)3D NAND Flash，造成DRAM供需短缺。

根據(jù)了解，三星是這波DRAM價格上漲主要推手，目前三星逾七成產(chǎn)能已被蘋果、自家手機和大陸OPPO和Vivo包走，能供應其他品牌或個人電腦應用有限，加上產(chǎn)能轉(zhuǎn)進成長最快速的3D NAND Flash，雖然其他存儲廠也跟進，但制程良率都沒有三星順利，讓三星更有能力主導價格調(diào)升，彌補其Note 7手機電池出包全面停產(chǎn)的巨額損失。

除DRAM供需失衡外，相關印刷電路板材料短缺，也讓DRAM供應模組供貨受牽制，讓DRAM缺貨問題更為嚴重。

雖然金士頓不愿評論今年DRAM漲幅，但稍早集邦出具報告，提出首季標準型DRAM漲幅逾30%，伺服器用DRAM漲幅也在25%~30%，行動用DRAM漲幅約15%~20 %，利基型存儲約10~15%，尤其標準型和伺服器用DRAM，在淡季飆出歷年單季最大漲幅，凸顯全球DRAM供需失衡，通路商和品牌代工廠提早在淡季備貨。

過去以擁有充沛NAND Flash芯片自豪的潘健成很直接地說，群聯(lián)目前有50多億元的NAND Flash庫存，但只要他一開賣，這些貨應該很快在一個月內(nèi)賣光，凸顯缺貨問題已在市場散開，并開始搶貨。

潘健成證實，此時有很多搶貨的「假性需求」出現(xiàn)，他坦承缺貨情況出乎他預料。

他分析，因印度、印尼等新興市場對于手機選購需求，從功能型手機轉(zhuǎn)為低階智能手機，低階智能手機在儲存存儲上皆采用NAND Flash，雖然容量不高，但他們一拿到手就大量拍照，然后上傳云端，推升伺服器對NAND芯片需求爆增。

產(chǎn)業(yè)鏈相關企業(yè)將持續(xù)受益

DRAM和儲存型快閃存儲（NAND Flash）雙漲，法人預估，臺廠包括包括南亞科、華邦電和力晶等雖轉(zhuǎn)進利基型DRAM市場，可望同步沾光；創(chuàng)見、威剛、宇瞻、群聯(lián)等模組廠，營運同現(xiàn)活力，整體族群將迎接全面獲利的一年。

存儲業(yè)者表示，近期DRAM漲勢主要由三星主導，且漲勢仍未停歇，首季標準型DRAM漲幅逾三成，行動式DRAM約15~20%，伺服器用DRAM漲幅在25~30%。三大應用領域同飆，讓主要供應商三星、SK海力士、美光去年營運翻身，股價也大爆發(fā)，尤其剛并完華亞科的美光，股價大漲1.3倍，格外受矚目。

隨著DRAM大廠股價飆漲，法人看好近期買盤將轉(zhuǎn)移至南亞科、華邦電、旺宏、力晶等公司；相關存儲設計公司，包括愛普、晶豪科和鈺創(chuàng)的成長備受矚目。