概述:FM1808是RAMTRON公司生產(chǎn)的一款256K位并行存儲芯片。該FM1808是256千比特的非易失性存儲器采用先進的鐵電工藝。鐵電隨機存取記憶體或FRAM是非易失性的，但在其他方面工作的RAM。
2021-04-21 07:52:40
本單位有一款鐵電測試儀需要開發(fā),先重金5萬求開發(fā)項目,聯(lián)系人:謝工 QQ:2822343332
2017-07-18 16:47:25
64－Kbit FRAM是什么？為什么要開發(fā)一種64－Kbit FRAM？64－Kbit FRAM到底有什么用途？
2021-06-17 08:27:24
FRAM RFID與傳統(tǒng)EEPROM相比，有哪些亮點？FRAM RFID有哪些創(chuàng)新應(yīng)用案例？
2021-05-21 06:53:14
FRAM的特點是速度快，能夠像RAM一樣操作，讀寫功耗極低，不存在如E2PROM的最大寫入次數(shù)的問題；但受鐵電晶體特性制約，FRAM仍有最大訪問（讀）次數(shù)的限制。
2019-09-11 11:30:59
），可以將其讀取以表示邏輯1或0。圖1：FRAM通過鐵電材料PZT的極化存儲數(shù)據(jù)。（來源：賽普拉斯半導(dǎo)體）鐵電存儲器的操作與浮柵技術(shù)衍生的傳統(tǒng)可寫非易失性存儲器的操作完全不同，后者通過將電荷存儲在位單元
2020-08-12 17:41:09
你好，我正在設(shè)計一個16或32個FRAM（SPI）設(shè)備的存儲器陣列，用于電池操作的數(shù)據(jù)表，用于遠程戶外位置。我已經(jīng)查閱了CY15B104Q（512K×8）數(shù)據(jù)表中的直流特性，特別是I/O電壓閾值
2019-10-10 09:57:35
FRAM器件提供非易失性存儲，用10年的數(shù)據(jù)保存時間，在與熟悉的閃存和EEPROM替代所需的功率的一小部分。利用現(xiàn)有的基于FRAM存儲器和MCU器件，工程師們可以放心地在他們盡管間歇性的斷電操作
2021-12-09 08:28:44
以及改進整個系統(tǒng)。而這正是我們采用 FRAM 的微控制器超越業(yè)界其他解決方案的優(yōu)勢所在。 FRAM 是一種非易失性 RAM，相較于其他非易失性存儲器技術(shù)，可實現(xiàn)更快速的數(shù)據(jù)存儲和幾乎無限的壽命。 這
2018-09-10 11:57:26
DEMO演示FRAM 特性——“多、快、省”寬泛的FRAM產(chǎn)品線——涵蓋SPI、IIC、并行接口，容量向16Mb邁進技術(shù)優(yōu)勢解決系列應(yīng)用瓶頸創(chuàng)新的FRAM 認證芯片促進應(yīng)用創(chuàng)新
2021-03-04 07:54:14
之前在論壇里面發(fā)帖問了關(guān)于如何延長EEPROM壽命的問題，后面經(jīng)大神推薦選擇了用FRAM來替代。前兩天在某公司申請的FRAM樣片到了，今天就拿來做測試。我原本的測試方案就是跟以前測試EEPROM一樣
2013-09-03 10:52:35
目前使用的quartus版本為12.1 FPGA為cyclone5系列 5CEBA4U15C8NFRAM為 Cypress: FM21LD16-60(2Mbit)附上FRAM datasheet
2014-12-15 20:06:08
《特工艾米拉》已經(jīng)上映三天，影片質(zhì)量如何，相信每個買票走進電影院觀看電影的觀眾都有自己的判斷，這部前后歷時三年打造的作品可能并不完美，甚至有一些做的很不好的方面，作為導(dǎo)演和編劇的我責無旁貸，但是現(xiàn)在
2014-04-15 16:20:30
1、為什么晶圓要做成圓的？如果做成矩形，不是更加不易產(chǎn)生浪費原料？2、為什么晶圓要多出一道研磨的工藝？為什么不能直接做成需求的厚度？
2014-01-20 15:58:42
各位網(wǎng)友， 因群主近期正在進行一生的一次重大事件--結(jié)婚，近期群主未能及時給網(wǎng)友的提問做出答復(fù)，還請各位網(wǎng)友諒解。群主不久就能正常回到我們中間，有問題想咨詢?nèi)褐鞯恼埓蠹以谌豪镎Ｌ釂枺嘈湃褐鬟@次
2012-09-12 12:20:18
不是夢，相信有了在廣嵌教育那一段美好的經(jīng)歷，我的人生路上，一定會順利地走下去。廣嵌網(wǎng)址：http://www.gec-edu.org/
2010-03-17 19:29:29
不是夢，相信有了在廣嵌教育那一段美好的經(jīng)歷，我的人生路上，一定會順利地走下去。廣嵌網(wǎng)址：http://www.gec-edu.org/
2010-03-17 21:04:51
電渦流式傳感器可測鐵磁和非鐵磁所有金屬材料？
2015-12-02 09:52:33
我想買一個電絡(luò)鐵，但不知道那個好。上次在京東花了二十多買了一個，用了3次就壞了。我想買一個耐用的，價格50左右。求推薦。
2015-01-06 20:27:41
盡管靜態(tài)RAM和鐵電RAM可以有完全不同的用途，但是隨著SPI等標準接口的出現(xiàn)，這些技術(shù)在功能上有很大的重疊。本篇詳細介紹了用FRAM替換SRAM時需要考慮的因素 FRAM注意事項FRAM與SRAM
2020-10-16 14:34:37
flash存儲轉(zhuǎn)換成鐵電存儲,應(yīng)該怎么改代碼？需要注意哪些？
2023-01-29 10:56:32
）。 富士通的FRAM里使用了PZT（鋯鈦酸鉛）的鐵電物質(zhì)，其結(jié)晶結(jié)構(gòu)如下圖所示。 圖1鐵電存儲器的結(jié)晶結(jié)構(gòu) 方格中的Zr （鋯）或Ti （鈦）離子有兩個穩(wěn)定點，其性質(zhì)是在外部電場作用下會改
2020-05-07 15:56:37
一． 概述：FRAM是最近幾年由RAMTRON公司研制的新型存貯器,它的核心技術(shù)是鐵電晶體材料,擁有隨即存取記憶體和非易失性存貯產(chǎn)品的特性。FM24C256是一種鐵電存貯器（FRAM）,容量為
2019-07-11 06:08:19
數(shù)據(jù)存儲方案有靜態(tài)存儲器SRAM加電池的組合、FLASH閃存芯片、EEPROM和鐵電存儲器FRAM (Ferroelectric Random Accessmemory)等。SRAM加電池的組合容易因
2014-04-25 11:05:59
鐵電存儲器(FRAM)能兼容RAM的一切功能，并且和ROM技術(shù)一樣，是一種非易失性的存儲器。鐵電存儲器在這兩類存儲類型間搭起了一座跨越溝壑的橋梁——一種非易失性的RAM。相對于其它類型的半導(dǎo)體技術(shù)
2011-11-19 11:53:09
鐵電存儲器(FRAM)能兼容RAM的一切功能，并且和ROM技術(shù)一樣，是一種非易失性的存儲器。鐵電存儲器在這兩類存儲類型間搭起了一座跨越溝壑的橋梁——一種非易失性的RAM。相對于其它類型的半導(dǎo)體技術(shù)
2011-11-21 10:49:57
鐵電體比EEPROM讀寫速度更快，且該芯片的接口是SPI接口，本質(zhì)上DSP的數(shù)據(jù)存儲，屬于SPI主從機數(shù)據(jù)交互。DSP做主機時會控制通信的時鐘，鐵電模塊FM25CL64作為從機是不能產(chǎn)生時鐘的。如果
2022-01-12 07:24:34
什么是FRAM?FRAM（鐵電隨機存取存儲器）是被稱為FeRAM。這種存儲器采用鐵電質(zhì)膜用作電容器來存儲數(shù)據(jù)。FRAM具有ROM（只讀存儲器）和RAM（隨機存取器）的特點，在高速讀寫入、高讀寫耐久性
2014-06-19 15:49:33
朋友要測量鐵電膜的電滯回線，需要自己設(shè)計測量電路，準備初步用示波器顯示。是基于Sawyer-tower電路的，但是有些時候出不了電滯回線，是怎么回事??？相關(guān)的朋友請幫幫忙??！鐵電膜是好的，電路就是Sawyer-tower電路。
2013-04-07 18:35:16
摘要：介紹鐵電存儲器（FRAM）的一般要領(lǐng)和基本原理，詳細分析其讀寫操作過程及時序。將FRAM與其它存儲器進行比較，分析在不同場合中各自的優(yōu)缺點。最后以FM1808為例說明并行FPGA與8051系列
2014-04-25 13:46:28
描述Dallas DS1230 - FM18W08 非易失性 SRAM FRAM 適配器來自達拉斯的流行的電池支持 SRAM 在 10 到 15 年后往往會忘記其寶貴的數(shù)據(jù)。通過這種引腳兼容的鐵電 RAM 升級，您可以放心，因為在室溫下，它的數(shù)據(jù)保留時間為 150 年，無需任何電池供電。
2022-07-14 07:51:06
所用鐵電型號為FM25V10，對一個固定地址進行讀寫操作，從鐵電輸入引腳用示波器觀測數(shù)據(jù)寫入正常，從鐵電輸出引腳用示波器觀測改地址讀出來的數(shù)據(jù)為0，請問是什么原因？
2019-09-29 17:22:56
當我發(fā)送讀取請求或 RDID 請求時，我沒有收到從 FRAM 芯片返回的數(shù)據(jù)。
我不確定自己做錯了什么。
我已經(jīng)將我的波形 HOLD_N、CS_N、FRAM 中的串行數(shù)據(jù)、串行數(shù)據(jù)附加到 FRAM、CLK、WP_N 中。
2024-01-25 07:07:12
操作是通過在MTJ兩端施加非常低的電壓來完成的，從而在部件使用壽命內(nèi)支持無限的操作。圖3：MRAM讀寫周期FRAM技術(shù)FRAM或鐵電隨機存取存儲器使用1個晶體管–1個鐵電電容器（1T-1FC）架構(gòu)，該
2022-11-17 15:05:44
和 SPI）提供的 FRAM 內(nèi)容在系統(tǒng)即便未加電的情況下用于讀取日志消息（例如，通過溫度或壓力發(fā)送器讀取）。此外，在系統(tǒng)完成安裝并加電之前（或之后），也可在試運行時對配置參數(shù)進行編程。通過此類功能，無需為
2015-05-05 15:13:56
SRAM和FRAM之間的相似之處 SRAM和FRAM在許多設(shè)計中表現(xiàn)出許多相似的特性。串行SRAM和FRAM具有相似的存儲密度，可以支持完全隨機的讀寫訪問，并且可以獲得所有結(jié)果而沒有額外的延遲
2020-12-17 16:18:54
我遇到很奇葩的需求——STM32外掛鐵電存儲器，要求：最好SPI接口；最好能滿足64Kb容量；擦寫次數(shù)百萬次以上；支持的電壓最高不超過5.5V。很奇葩的要求啊，這個可以有么？親們，推薦下唄！
2014-05-26 10:53:41
MEMORY FRAM FOR TOWER SYSTEM
2023-03-22 19:57:21
Ramtron 鐵電存儲器（F-RAM)最近在中國開始了他們的產(chǎn)品市場推廣活動，前期的推廣中針對工程師有一個免費申請樣片的機會，包括單片機的(VRS513074、VRS513074開發(fā)板）F-RAM
2009-06-18 15:16:06
stm32擴展鐵電存儲器FM16W08的程序怎么寫？？有參考 的嗎讀寫程序該怎么操作??！
2013-12-26 21:47:03
，問題和困難也頻頻出現(xiàn)，還好現(xiàn)在網(wǎng)絡(luò)發(fā)達，圖書館的書也多，還有學長的各種幫助，我也進步了不少。說了這么多，其實我只想感慨一下，我和電子的機緣產(chǎn)生在我童年，而現(xiàn)在我才真正的接觸了電子！
想起我的第一個電洛鐵
2016-12-30 15:41:09
本帖最后由 chxiangdan 于 2017-10-10 15:41 編輯
親愛的電子發(fā)燒友小伙伴們！富士通將舉辦在線研討會，介紹全新FRAM（鐵電隨機存儲器）解決方案，該器件可在高達攝氏
2017-08-18 17:56:43
的晶粒時，標有記號的不合格晶粒會被洮汰，不再進行下一個制程，以免徒增制造成本。在晶圓制造完成之后，晶圓測試是一步非常重要的測試。這步測試是晶圓生產(chǎn)過程的成績單。在測試過程中，每一個芯片的電性能力和電路
2011-12-01 13:54:00
` 本帖最后由 348081236 于 2016-2-25 16:51 編輯
雖然EEPROM和FLASH通常都被用于非易失性存儲器(NVM)的最佳選擇，在大多數(shù)應(yīng)用中，鐵電存儲器(FRAM)為
2016-02-25 16:25:49
使用鐵電存儲器FM25CL64B，通過SPI接口讀寫數(shù)據(jù)，memset(send_buff,0x00,sizeof(send_buff));memset(recv_buff,0x00,sizeof
2022-06-07 09:18:12
MIKROE-2768，FRAM 2 CLICK Board帶有CY15B104Q 4 Mbit（512K x 8）串行F-RAM。鐵電隨機存取存儲器或F-RAM是非易失性的，并且執(zhí)行類似于SRAM
2020-07-22 10:30:31
對于做快速存儲采集數(shù)據(jù)類產(chǎn)品的用戶來說，在處理突發(fā)掉電情況時需要保存現(xiàn)有數(shù)據(jù)并避免數(shù)據(jù)丟失，這種情況下有很多種解決方案，鐵電存儲器(FRAM) 就是個很好的選擇。FRAM是一種具有快速寫入速度
2023-10-19 09:28:15
我有個應(yīng)用設(shè)計，MCU用的是STM32G070rbt6芯片，外擴了一片鐵電存儲器FRAM。STM32G070在2.0V-3.3V工作電壓下都能正常工作，但鐵電存儲器FRAM的工作電壓
2024-03-13 08:04:03
富士通FRAM存儲器有哪些特點？富士通FRAM存儲器在智能電表中有什么應(yīng)用？
2021-07-11 06:09:49
我們公司是代理富士通鐵電存儲器FRAM，單片機和華邦的FLASH。因為剛開始接觸到這一塊，只大概了解是用在電表，工業(yè)設(shè)備等產(chǎn)品上。但是曾找了很多這種類型的客戶，都普遍很少用，只是有一些對產(chǎn)品性能要求
2014-03-13 10:00:54
如今，有多種存儲技術(shù)均具備改變嵌入式處理領(lǐng)域格局的潛力。然而，迄今為止還沒有哪一種技術(shù)脫穎而出成為取代微控制器（MCU）中閃存技術(shù)的強勁競爭者，直到FRAM的出現(xiàn)這種情況才得以改變。鐵電
2019-08-22 06:16:14
帶FRAM存儲器MSP430常見問題及解答1. 什么是 FRAM？ FRAM 是 ferroelectric random access memory（鐵電隨機存取存儲器）的首字母縮寫，它是
2018-08-20 09:11:18
富士通半導(dǎo)體（上海）有限公司供稿鐵電隨機存儲器（FRAM） RFID由于存儲容量大、擦寫速度快一直被用作數(shù)據(jù)載體標簽。內(nèi)置的串行接口可將傳感器與RFID連接在一起，從而豐富了RFID應(yīng)用。
2019-07-26 07:31:26
（ＲＡＭ）和非易失性存儲器（ＲＯＭ）產(chǎn)品的特性。 ＦＭ１８０８是基于鐵電存儲器原理制造的并行接口２５６ｋｂｉｔ鐵電存儲器，該存儲器相比其它類型的存儲器有三大特點：●幾乎可以像ＲＡＭ那樣無限次寫入；●可隨
2019-04-28 09:57:17
可從全新的地點獲得更多的有用數(shù)據(jù)北京2011年5月4日電 /美通社亞洲/ -- 日前，德州儀器(TI)宣布推出業(yè)界首款超低功耗鐵電隨機存取存儲器(FRAM)16位微控制器，從而宣告可靠數(shù)據(jù)錄入和射頻
2011-05-04 16:37:37
怎樣去計算混合轉(zhuǎn)子無刷電勵磁同步風力發(fā)電機的鐵耗？如何去編寫混合轉(zhuǎn)子無刷電勵磁同步風力發(fā)電機的鐵耗程序？求解答
2021-09-23 06:31:17
硬件環(huán)境：STM407ZET6 + FM25V02A（鐵電存儲器）代碼如下struct rt_device_ops fram_ops = {.read = _fram
2022-08-23 14:16:16
` 誰來闡述一下晶圓有什么用？`
2020-04-10 16:49:13
`159-5090-3918回收6寸晶圓，8寸晶圓，12寸晶圓，回收6寸晶圓，8寸晶圓，12寸晶圓，花籃,Film Fram Cassette,晶元載具Wafer shipper,二手晶元盒
2020-07-10 19:52:04
剛剛找的比較全的RAMTRON鐵電的選型資料希望對工程師有幫助！
2012-05-07 15:20:14
有人有使用 SPI-FRAM 的示例代碼或 IDF 組件嗎？我閱讀了帶有 QSPI 總線的 SPI-PSRAM 的文檔，但這不是我們所擁有的。Adafruit 有一個用于 Arduino
2023-03-01 07:09:17
有用multisim模擬過 鐵電電容 的大神嗎關(guān)于鐵電電容的等效模型的搭建 能指點一二嗎謝謝
2015-02-04 03:00:06
proteus 可以仿真鐵電存儲器FM25640嗎？或者直接用哪兒器件可以替代仿真嗎？
2015-07-27 17:24:15
，12寸晶圓有較高的產(chǎn)能。當然，生產(chǎn)晶圓的過程當中，良品率是很重要的條件。晶圓是指硅半導(dǎo)體積體電路制作所用的硅晶片，由于其形狀為圓形，故稱為晶圓；在硅晶片上可加工制作成各種電路元件結(jié)構(gòu)，而成為有特定電
2011-12-02 14:30:44
1、方的磷酸鐵鋰電池會和其它鋰電池一樣鼓包嗎？2、方的和圓的每wh的單價哪個更低？3、國內(nèi)做成品電芯的企業(yè)有哪些？或者在什么網(wǎng)站能找到全一點的。4、關(guān)注磷酸鐵鋰電池價格看原材料看不出來每wh的波動，沒成品電芯價格波動有其它途徑嗎？
2022-07-23 16:00:32
磷酸鋰鐵電池廣泛應(yīng)用于電動車、油電混合車、電動自行車、電動工具機、太陽能LED路燈等。
2019-10-22 09:01:28
最近抽空參加了2013富士通半導(dǎo)體的MCU/FRAM鐵電存儲器技術(shù)研討會，演講的是一個華裔日本人，趕腳講的還是比較中肯滴，他說：“由于FRAM產(chǎn)品采用并行接口，I2C和SPI，采用8引腳SOP封裝
2013-07-15 10:19:16
誰有這本書的PDF或者是MSP430的鐵電程序，分享一下，感激不盡
2016-06-30 17:28:18
EEWORLD有了富士通FRAM的活動，真心的感覺非常好，讓我有機會圓了鐵電的夢，以前還真不知道富士通原來這么牛X，連鐵電都出了這么多型號。因為最近的工作重點不在鐵電，申請到樣品MB85RC256V后簡單做了
2014-12-01 17:47:20
問題今天在進行SPI讀寫鐵電的時候，發(fā)現(xiàn)一個疑問。發(fā)現(xiàn)正點原子對spi的讀寫是這樣的：u8 SPI1_ReadWriteByte(u8 TxData){while
2022-02-17 06:49:11
重金5萬現(xiàn)金大洋求鐵電參數(shù)測試儀開發(fā)項目 ！?。?聯(lián)系人：謝先生QQ：2822343332
2017-07-18 17:01:45
集成鐵電存儲器的MCU，由于在MCU上集成了鐵電存儲器，該產(chǎn)品數(shù)據(jù)寫入速度比基于閃存和EEPROM的MCU快100倍,功耗降低250倍。它還可在所有的電源模式中提供數(shù)據(jù)保存功能、支持超過100萬億次
2021-11-10 08:28:08
該 FRAM 芯片（鐵電隨機存取存儲器）配置為 16,384 × 8 位, 通過鐵電工藝和硅柵 CMOS 工 藝技術(shù)形成非易失性存儲單元和 SRAM 不同，該芯片不需要電池就可以保持數(shù)據(jù)。 該芯片
2023-07-18 17:08:13
該 FRAM 芯片（鐵電隨機存取存儲器）配置為 16,384 × 8 位, 通過鐵電工藝和硅柵 CMOS 工 藝技術(shù)形成非易失性存儲單元和 SRAM 不同，該芯片不需要電池就可以保持數(shù)據(jù)。 該芯片
2023-07-18 17:13:33
該 FRAM 芯片（鐵電隨機存取存儲器）配置為 16,384 × 8 位, 通過鐵電工藝和硅柵 CMOS 工 藝技術(shù)形成非易失性存儲單元和 SRAM 不同，該芯片不需要電池就可以保持數(shù)據(jù)
2023-11-27 16:37:59
MSP430 (4) FRAM 家族
2018-08-02 01:10:00
6173 ，如只讀存儲器和閃存）結(jié)合起來。接下來宇芯電子介紹關(guān)于非易失性FRAM中的預(yù)充電操作。 預(yù)充電是FRAM的內(nèi)部條件，在該條件下，存儲器被調(diào)適以進行新的訪問。 FRAM設(shè)備中的預(yù)充電操作在以下任何條件下啟動： 1.驅(qū)動芯片使能信號/CE至高電平
2020-08-18 15:22:32721 
鐵電存儲器FRAM是一種具有快速寫入速度的非易失性存儲器。與傳統(tǒng)的非易失性存儲器相比，FRAM不需要備用電池來保留數(shù)據(jù)，并且具有更高的讀/寫耐久性，更快的寫入速度操作和更低的功耗。今天進行并口
2022-03-15 15:43:44741 設(shè)計人員可以找到FRAM存儲器支持并行，SPI串行或I2C / 2線串行接口。例如，連同其平行的1Mb MB85R1001A FRAM，富士通提供1MB的SPI串行器，MB85RS1MT，使設(shè)計人員能夠采用典型的SPI主/從配置（圖1）設(shè)備的任意數(shù)字。
2022-11-18 16:48:271466 
綜合布線中電子配線架的應(yīng)用可以說給布線工程及后期維護帶來了巨大的改變，關(guān)于電子配線架我有話說，希望更多的人get到它的優(yōu)勢，下面就一起來看看吧。 電子配線架優(yōu)勢： 利用電子配線架，能大大減少工作人員
2023-05-29 10:22:01254 
FRAM具有其他傳統(tǒng)內(nèi)存產(chǎn)品所不具備的四個突出特性。特點是：“非易失性”、“高讀寫耐久性”、“寫入速度快”和“低功耗”。
2023-12-15 11:35:46417
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