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電子發(fā)燒友網(wǎng)>存儲(chǔ)技術(shù)>緩沖/存儲(chǔ)技術(shù)>SK Hynix 確定2018年推出 DDR6 帶寬比 HBM2 還要高

SK Hynix 確定2018年推出 DDR6 帶寬比 HBM2 還要高

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探究GDDR6給FPGA帶來的大帶寬存儲(chǔ)優(yōu)勢(shì)以及性能測(cè)試(上)

,與DDR4相,GDDR6的性能都有很大的提高,如圖3所示[2]。圖3 GDDR6DDR4性能對(duì)比4.GDDR6HBM2的比較HBM全稱High Bandwidth Memory,最初的標(biāo)準(zhǔn)是由
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老工藝庫的單管本證增益為什么新工藝庫的還要高?

最近更新了一下PDK文件,發(fā)現(xiàn)用的新的文件仿真以前做的一些模塊,一些指標(biāo)都變了對(duì)里面的MOS管進(jìn)行仿真,發(fā)現(xiàn)老工藝庫的單管本證增益新工藝庫的還要高。這是什么情況有人遇到過這樣的問題嗎
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請(qǐng)問TI C6678DMA跳變讀寫DDR帶寬下降厲害原因是什么?

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2015就發(fā)布了,還是最早使用TSMC 16nm工藝的產(chǎn)品,移動(dòng)SoC還要早,不過之前的產(chǎn)品并沒有使用HBM芯片,這次推出的是擴(kuò)展系列,為HBM顯存優(yōu)化。  賽靈思的Virtex
2016-12-07 15:54:22

Hynix 44nm制程2Gb低功耗DDR2內(nèi)存芯片產(chǎn)品開發(fā)

Hynix 44nm制程2Gb低功耗DDR2內(nèi)存芯片產(chǎn)品開發(fā)完成 韓國(guó)內(nèi)存廠商Hynix日前宣布他們已經(jīng)完成了2Gb密度低功耗DDR2內(nèi)存芯片產(chǎn)品的開發(fā),這款產(chǎn)品將主要面向移動(dòng)設(shè)備,可在
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NVIDIA推出超級(jí)計(jì)算加速卡:英偉達(dá)的GPU能否取代AMD的CPU

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Vega顯卡量少是沒辦法 HBM2顯存難產(chǎn)Vega顯卡首發(fā)不到16000塊

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2017-08-05 11:24:271843

Intel發(fā)布全球首款集成HBM2顯存的FPGA,10倍于獨(dú)立DDR2顯存

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據(jù)市場(chǎng)分析,GPU業(yè)者對(duì)繪圖DRAM需求料將有增無減,2018年繪圖DRAM銷量會(huì)持續(xù)上揚(yáng),三星、SK海力士相繼量產(chǎn)HBM2,價(jià)格比一般DRAM貴5倍。
2018-02-07 14:47:531619

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2019-06-20 14:30:33985

英特爾嵌入式多芯片互連橋接技術(shù)實(shí)現(xiàn)的異構(gòu)SiP集成電路

為了打破高性能系統(tǒng)中的帶寬瓶頸,Altera公布了該公司聲稱的業(yè)界首個(gè)異構(gòu)系統(tǒng)級(jí)封裝(SiP)器件將SK Hynix的堆疊高帶寬存儲(chǔ)器(HBM2)與高性能Stratix 10 FPGA和SoC集成在一起。
2019-08-08 17:17:133073

SK海力士宣布將要推出新型HBM2E存儲(chǔ)器

雖然封裝不易,但 HBM 存儲(chǔ)器依舊會(huì)被 AMD 或者是 NVIDIA 導(dǎo)入。SK海力士宣布推出 HBM2E 標(biāo)準(zhǔn)存儲(chǔ)器,而這也是接續(xù) Samsung 之后的第二家。
2019-09-09 16:02:49815

浪潮聯(lián)合Xilinx推出業(yè)界首款集成HBM2的FPGA

浪潮聯(lián)合賽靈思宣布推出全球首款集成HBM2高速緩存的FPGA AI加速卡F37X,可在不到75W典型應(yīng)用功耗提供28.1TOPS的INT8計(jì)算性能和460GB/s的超高數(shù)據(jù)帶寬,適合于機(jī)器學(xué)習(xí)推理
2019-10-02 13:31:00552

英特爾發(fā)布行業(yè)首款集成高帶寬內(nèi)存的FPGA

英特爾宣布推出英特爾Stratix 10 MX FPGA,該產(chǎn)品是行業(yè)首款采用集成式高帶寬內(nèi)存DRAM(HBM2)的現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列(FPGA)。
2019-12-12 14:49:37575

SK Hynix展示DDR5存儲(chǔ)器模組,支持DDR5的硬件預(yù)計(jì)明年推出

存儲(chǔ)行業(yè)近兩年的變化非常大,在內(nèi)存行業(yè)來看,包括SK Hynix在內(nèi)的多家內(nèi)存大廠,已經(jīng)開始了首批DDR5存儲(chǔ)器新品的研發(fā)試驗(yàn)。
2020-01-15 14:34:573056

三星推出第三代HBM2存儲(chǔ)芯片,適用于高性能計(jì)算系統(tǒng)

日前,三星正式宣布推出名為Flashbolt的第三代HBM2(HBM2E)存儲(chǔ)芯片。
2020-02-05 13:49:113185

HBM2e顯存到底有什么優(yōu)勢(shì)

相比GDDR顯存,HBM技術(shù)的顯存在帶寬、性能及能效上遙遙領(lǐng)先,前不久JEDEC又推出HBM2e規(guī)范,三星搶先推出容量可達(dá)96GB的HBM2e顯存。
2020-03-27 09:11:317569

美光開始提供HBM2顯存 或用于高性能顯卡

IT之家3月29日消息 根據(jù)TechPowerUp的報(bào)道,美光科技在最新的收益報(bào)告中宣布,他們將開始提供HBM2內(nèi)存/顯存,用于高性能顯卡,服務(wù)器處理器產(chǎn)品。
2020-03-29 20:34:392278

美光科技宣布旗下第二代高帶寬存儲(chǔ)器即將開始出貨 指定每堆8個(gè)裸晶及每針傳輸速度上至2 GT/s的標(biāo)準(zhǔn)

在最新財(cái)報(bào)中,美光科技(Micron Technologies)宣布旗下第二代高帶寬存儲(chǔ)器(HBM2)即將開始出貨。HBM2主要用于高性能顯卡、服務(wù)器處理器以及各種高端處理器中,是相對(duì)昂貴但市場(chǎng)緊需的解決方案。
2020-03-30 10:25:09786

DDR5-8400即將問世,臺(tái)式機(jī)RAM將得到大幅提升

全球第二大內(nèi)存制造商SK海力士(SK Hynix)為臺(tái)式機(jī)性能更高的粉絲帶來了令人振奮的消息:他們目前正準(zhǔn)備開始批量生產(chǎn)首批DDR5 DRAM模塊。
2020-04-05 17:23:362384

SK海力士量產(chǎn)超高速DRAM‘HBM2E’ 人工智能迎來新春天

SK海力士的HBM2E以每個(gè)pin 3.6Gbps的處理速度,通過1,024個(gè)I/Os(Inputs/Outputs, 輸入/輸出)能夠每秒處理460GB的數(shù)據(jù)。這速度相當(dāng)于能夠在一秒內(nèi)傳輸124
2020-07-03 08:42:19432

SK Hynix宣布HBM2E標(biāo)準(zhǔn)存儲(chǔ)器已投入量產(chǎn)

幾個(gè)月前,SK Hynix成為第二家發(fā)布基于HBM2E標(biāo)準(zhǔn)的存儲(chǔ)的公司,就此加入存儲(chǔ)市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)行列?,F(xiàn)在,公司宣布它們改進(jìn)的高速高密度存儲(chǔ)已投入量產(chǎn),能提供高達(dá)3.6Gbps/pin的傳輸速率及高達(dá)
2020-09-10 14:39:011988

全球首款64GB DDR5 RAM:未來將成為個(gè)人電腦實(shí)際標(biāo)準(zhǔn)

SK Hynix 韓國(guó)芯片制造商SK Hynix日前發(fā)布了全球首款64GB DDR5 RAM模塊,這標(biāo)志著與自2013年以來主導(dǎo)PC內(nèi)存的DDR4 DIMMs相比又邁出了一大步。DDR
2020-10-20 14:01:293594

三星首次推出 HBM-PIM 技術(shù),功耗降低 71% 提供兩倍多性能

HBM2 內(nèi)存技術(shù),而這次的 HBM-PIM 則是在 HBM 芯片上集成了 AI 處理器的功能,這也是業(yè)界第一個(gè)高帶寬內(nèi)存(HBM)集成人工智能(AI)處理能力的芯片。 三星關(guān)于 HBM
2021-02-18 09:12:322044

三星推出集成AI處理器的HBM2內(nèi)存

三星宣布新的HBM2內(nèi)存集成了AI處理器,最高可提供1.2 TFLOPS嵌入式計(jì)算能力,使內(nèi)存芯片本身可以執(zhí)行CPU、GPU、ASIC或FPGA的操作。
2021-02-20 16:35:461842

SK海力士成功開發(fā)出業(yè)界第一款HBM3 DRAM 內(nèi)存芯片

韓國(guó)SK海力士公司剛剛正式宣布已經(jīng)成功開發(fā)出業(yè)界第一款HBM3 DRAM內(nèi)存芯片,可以實(shí)現(xiàn)24GB的業(yè)界最大的容量。HBM3 DRAM內(nèi)存芯片帶來了更高的帶寬,每秒處理819GB的數(shù)據(jù),相比上一代速度提高了78%。
2021-10-20 16:22:142055

SK部署Cadence仿真器進(jìn)行FastSPICE功能驗(yàn)證

楷登電子(美國(guó) Cadence 公司,NASDAQ:CDNS)今日宣布,SK hynix Inc. 已部署 Cadence? Spectre? FX Simulator 仿真器,用于對(duì)其面向 PC 和移動(dòng)應(yīng)用的 DDR4 和 DDR5 DRAM 進(jìn)行基于 FastSPICE 的功能驗(yàn)證。
2022-04-08 14:49:001565

SK hynix采用是德科技PCIe5.0平臺(tái)開發(fā)存儲(chǔ)半導(dǎo)體

2022年4月20日,北京――是德科技(NYSE:KEYS)日前宣布,SK hynix 公司已決定采用是德科技的綜合型高速外圍組件互連(PCIe)5.0 測(cè)試平臺(tái)來加快開發(fā)存儲(chǔ)半導(dǎo)體,幫助客戶設(shè)計(jì)能夠支持高數(shù)據(jù)速率并管理海量數(shù)據(jù)的先進(jìn)產(chǎn)品。
2022-04-20 14:23:221498

HBM的基本情況

HBM(High Bandwidth Memory,高帶寬存儲(chǔ))已成為現(xiàn)代高端FPGA的一個(gè)重要標(biāo)志和組成部分,尤其是在對(duì)帶寬要求越來越高的現(xiàn)如今,DDR已經(jīng)完全跟不上節(jié)奏。本篇將分享學(xué)習(xí)一下HBM的基本情況。
2022-07-08 09:58:099715

爆料!三星DDR6預(yù)計(jì)會(huì)在2024年完成設(shè)計(jì)

當(dāng)下,DDR5內(nèi)存還遠(yuǎn)未到要主流普及的程度。不過,DRAM內(nèi)存芯片的頭部廠商們已經(jīng)著手DDR6研制了。
2022-07-25 11:25:523334

SK海力士將向英偉達(dá)系統(tǒng)供應(yīng)HBM3

SK海力士在業(yè)界率先開發(fā)出最新高帶寬存儲(chǔ)器(HBM, High Bandwidth Memory)產(chǎn)品HBM31,公司不僅又一次創(chuàng)造歷史,更進(jìn)一步鞏固了SK海力士在DRAM市場(chǎng)上的領(lǐng)先地位。
2022-09-08 09:28:251175

關(guān)于FPGA上HBM 425GB/s內(nèi)存帶寬的實(shí)測(cè)

在FPGA上對(duì)傳統(tǒng)內(nèi)存進(jìn)行基準(zhǔn)測(cè)試。先前的工作[20],[22],[23],[47]試圖通過使用高級(jí)語言(例如OpenCL)在FPGA上對(duì)傳統(tǒng)存儲(chǔ)器(例如DDR3)進(jìn)行基準(zhǔn)測(cè)試。相反,我們?cè)谧钕冗M(jìn)的FPGA上對(duì)HBM進(jìn)行基準(zhǔn)測(cè)試。
2022-12-19 16:29:461223

ChatGPT帶旺HBM存儲(chǔ)

據(jù)韓媒報(bào)道,自今年年初以來,三星電子和SK海力士的高帶寬存儲(chǔ)器(HBM)訂單激增。盡管HBM具有優(yōu)異的性能,但其應(yīng)用比一般DRAM少。這是因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">HBM的平均售價(jià)(ASP)至少是DRAM的三倍。HBM
2023-02-15 15:14:444689

大算力模型,HBM、Chiplet和CPO等技術(shù)打破技術(shù)瓶頸

HBM 使用多根數(shù)據(jù)線實(shí)現(xiàn)高帶寬,完美解決傳統(tǒng)存儲(chǔ)效率低的問題。HBM 的核心原理和普通的 DDR、GDDR 完全一樣,但是 HBM 使用多根數(shù)據(jù)線實(shí)現(xiàn)了高帶寬。HBM/HBM2 使用 1024 根數(shù)據(jù)線傳輸數(shù)據(jù)
2023-04-16 10:42:243539

瘋搶!HBM成為AI新瓶頸!

SK海力士正忙于處理來自客戶的大量HBM3E樣品請(qǐng)求。英偉達(dá)首先要求提供樣品,這次的出貨量幾乎是千鈞一發(fā)。這些索取樣品的客戶公司可能會(huì)在今年年底收到樣品。全球領(lǐng)先的GPU公司Nvidia此前曾向SK海力士供應(yīng)HBM3,并已索取HBM3E樣品。各大科技公司都在熱切地等待 SK 海力士的樣品。
2023-07-12 14:34:39685

HBM需求高漲 三星、SK海力士投資超2萬億韓元積極擴(kuò)產(chǎn)

據(jù)業(yè)界透露,三星電子、sk海力士等存儲(chǔ)半導(dǎo)體企業(yè)正在推進(jìn)hbm生產(chǎn)線的擴(kuò)張。兩家公司計(jì)劃到明年年底為止投資2萬億韓元以上,將目前hbm生產(chǎn)線的生產(chǎn)能力增加兩倍以上。sk海力士計(jì)劃在利川現(xiàn)有的hbm生產(chǎn)基地后,利用清州工廠的閑置空間。
2023-08-01 11:47:02632

美光推出性能更出色的大容量高帶寬內(nèi)存 (HBM) 助力生成式人工智能創(chuàng)新

業(yè)界首款8層堆疊的24GB容量第二代HBM3,帶寬超過1.2TB/s,先進(jìn)的1β制程節(jié)點(diǎn)提供卓越能效。 2023年7月27日,中國(guó)上海?——?Micron Technology Inc.
2023-08-01 15:38:21489

SK海力士開發(fā)出全球最高規(guī)格HBM3E

sk海力士表示:“以唯一批量生產(chǎn)hbm3的經(jīng)驗(yàn)為基礎(chǔ),成功開發(fā)出了世界最高性能的擴(kuò)展版hbm3e?!皩⒁詷I(yè)界最大規(guī)模的hbm供應(yīng)經(jīng)驗(yàn)和量產(chǎn)成熟度為基礎(chǔ),從明年上半年開始批量生產(chǎn)hbm3e,鞏固在針對(duì)ai的存儲(chǔ)器市場(chǎng)上的獨(dú)一無二的地位?!?/div>
2023-08-21 09:21:49563

SK海力士開發(fā)出全球最高規(guī)格HBM3E,向英偉達(dá)提供樣品

該公司表示,HBM3E(HBM3的擴(kuò)展版本)的成功開發(fā)得益于其作為業(yè)界唯一的HBM3大規(guī)模供應(yīng)商的經(jīng)驗(yàn)。憑借作為業(yè)界最大HBM產(chǎn)品供應(yīng)商的經(jīng)驗(yàn)和量產(chǎn)準(zhǔn)備水平,SK海力士計(jì)劃在明年上半年量產(chǎn)HBM3E,鞏固其在AI內(nèi)存市場(chǎng)無與倫比的領(lǐng)導(dǎo)地位。
2023-08-22 16:24:41541

Meta、英偉達(dá)相繼拜訪SK海力士,要求額外供應(yīng)DDR5/HBM

meta是SK海力士的主要顧客之一,正在購(gòu)買為構(gòu)建和擴(kuò)張數(shù)據(jù)中心的企業(yè)用ssd (ssd)和服務(wù)器dram。據(jù)悉,對(duì)ai服務(wù)器投入大量資金的meta還要sk海力士追加提供高性能、高效率的ddr5服務(wù)器dram。
2023-08-30 10:03:33504

HBM芯片市場(chǎng)前景可期,三星2023年訂單同比增長(zhǎng)一倍以上

sk海力士負(fù)責(zé)市場(chǎng)營(yíng)銷的管理人員表示:“一臺(tái)ai服務(wù)器至少需要500gb的hbm帶寬內(nèi)存和2tb的ddr5內(nèi)存。人工智能是拉動(dòng)內(nèi)存需求的強(qiáng)大力量?!?b class="flag-6" style="color: red">sk海力士預(yù)測(cè),到2027年,隨著人工智能的發(fā)達(dá),hbm市場(chǎng)將綜合年均增長(zhǎng)82%。
2023-09-12 11:32:59566

存儲(chǔ)廠商HBM訂單暴增

目前,HBM產(chǎn)品的主要供應(yīng)商是三星、SK海力士和美光。根據(jù)全球市場(chǎng)調(diào)研機(jī)構(gòu)TrendForce集邦咨詢的調(diào)查顯示,2022年,SK海力士在HBM市場(chǎng)占據(jù)了50%的份額,三星占據(jù)了40%,美光占據(jù)了10%。
2023-09-15 16:21:16374

SK hynix的“內(nèi)存中心計(jì)算”系統(tǒng)介紹

SK hynix面臨的問題是這樣的:生成式人工智能推理的成本非常高昂,不僅僅涉及到人工智能計(jì)算,還包括功耗、互聯(lián)和內(nèi)存,這些因素也在很大程度上推動(dòng)了成本的增加。
2023-10-07 11:11:44276

DDR3存儲(chǔ)廠迎漲價(jià)商機(jī) 華邦、鈺創(chuàng)、晶豪科等訂單涌進(jìn)

法人方面解釋說:“標(biāo)準(zhǔn)型dram和nand目前由三星、sk hynix、美光等跨國(guó)企業(yè)主導(dǎo),因此,中臺(tái)灣企業(yè)在半導(dǎo)體制造方面無法與之抗衡?!痹?b class="flag-6" style="color: red">ddr3 ddr3的情況下,臺(tái)灣制造企業(yè)表現(xiàn)出強(qiáng)勢(shì)。ddr3的價(jià)格也隨之上漲,給臺(tái)灣半導(dǎo)體企業(yè)帶來了很大的幫助。
2023-11-14 11:29:36405

英偉達(dá)聯(lián)手SK海力士,嘗試將HBM內(nèi)存3D堆疊到GPU核心上

hbm spot目前位于cpu或gpu旁邊的中間層,使用1024位接口連接邏輯芯片。sk hynix制定了將hbm4直接堆積在logic芯片上,完全消除中介層的目標(biāo)。
2023-11-21 09:53:04414

DDR6DDR5內(nèi)存的區(qū)別有多大?怎么選擇更好?

DDR6DDR5內(nèi)存的區(qū)別有多大?怎么選擇更好? DDR6DDR5是兩種不同的內(nèi)存技術(shù),它們各自在性能、功耗、帶寬等方面都有不同的特點(diǎn)。下面將詳細(xì)比較這兩種內(nèi)存技術(shù),以幫助你選擇更適合
2024-01-12 16:43:052881

三星加大投資提升HBM產(chǎn)能,與SK海力士競(jìng)爭(zhēng)加劇

近日,據(jù)報(bào)道,三星電子正計(jì)劃大規(guī)模擴(kuò)大其HBM(高帶寬內(nèi)存)產(chǎn)能,以滿足不斷增長(zhǎng)的市場(chǎng)需求。這一舉措將進(jìn)一步加劇與SK海力士的競(jìng)爭(zhēng)。
2024-01-26 15:33:09274

SK海力士第四季轉(zhuǎn)虧為盈 HBM3營(yíng)收增長(zhǎng)5倍

韓國(guó)存儲(chǔ)芯片巨頭SK海力士在2023年12月31日公布的第四季度財(cái)報(bào)中,展現(xiàn)出強(qiáng)大的增長(zhǎng)勢(shì)頭。數(shù)據(jù)顯示,公司的主力產(chǎn)品DDR5 DRAM和HBM3的營(yíng)收較2022年分別增長(zhǎng)了4倍和5倍以上,成為推動(dòng)公司營(yíng)收增長(zhǎng)的主要力量。
2024-01-26 16:32:24641

傳英偉達(dá)與SK海力士協(xié)調(diào)2025年HBM供應(yīng)

據(jù)可靠消息來源透露,英偉達(dá)與SK海力士已開始就2025年第一季度的高帶寬存儲(chǔ)器(HBM)供應(yīng)量進(jìn)行協(xié)調(diào)。這一合作的背后,是雙方對(duì)未來技術(shù)趨勢(shì)的共同預(yù)見和市場(chǎng)需求的高度敏感性。
2024-02-01 16:41:43434

SK海力士擬在美國(guó)建廠生產(chǎn)HBM芯片

韓國(guó)存儲(chǔ)芯片巨頭SK海力士計(jì)劃在美國(guó)印第安納州投資興建一座先進(jìn)封裝工廠,專注于生產(chǎn)高帶寬內(nèi)存(HBM)芯片。這一舉措旨在與英偉達(dá)(NVIDIA)的AI GPU進(jìn)行深度整合,共同推動(dòng)美國(guó)本土的AI芯片制造能力。
2024-02-06 16:10:29664

SK海力士推出全球首款HBM3E高帶寬存儲(chǔ)器,領(lǐng)先三星

在嚴(yán)格的9個(gè)開發(fā)階段后,當(dāng)前流程全部完成,步入最終的產(chǎn)能提升階段。此次項(xiàng)目完結(jié)正是達(dá)產(chǎn)升能的標(biāo)志,這預(yù)示著自今往后產(chǎn)出的所有HBM3E即刻具備向英偉達(dá)交付的條件。SK海力士計(jì)劃3月獲取英偉達(dá)對(duì)終品質(zhì)量的認(rèn)可,同步啟動(dòng)大規(guī)模生產(chǎn)及交貨。
2024-02-21 10:17:05258

SK海力士將于3月量產(chǎn)HBM3E存儲(chǔ)器

在全球存儲(chǔ)半導(dǎo)體市場(chǎng)的激烈競(jìng)爭(zhēng)中,SK海力士已正式結(jié)束了第五代高帶寬存儲(chǔ)器器(HBM3E)的開發(fā)工作,并成功通過了Nvidia長(zhǎng)達(dá)半年的性能評(píng)估。這一里程碑的達(dá)成標(biāo)志著SK海力士即將在今年3月開始量產(chǎn)這款革命性的存儲(chǔ)器產(chǎn)品,并計(jì)劃在下個(gè)月內(nèi)向其重要合作伙伴Nvidia供應(yīng)首批產(chǎn)品。
2024-02-21 11:14:08612

SK海力士宣布HBM內(nèi)存生產(chǎn)配額全部售罄

SK 海力士副總裁 Kim Ki-Tae 對(duì)此表示,作為 HBM 行業(yè)翹楚,海力士洞察到市場(chǎng)對(duì) HBM 存儲(chǔ)的巨大需求,現(xiàn)已提前調(diào)整產(chǎn)量,以期更好地滿足市場(chǎng)需求,保護(hù)其市場(chǎng)占有率。
2024-02-23 14:12:00247

HBM、HBM2HBM3和HBM3e技術(shù)對(duì)比

AI服務(wù)器出貨量增長(zhǎng)催化HBM需求爆發(fā),且伴隨服務(wù)器平均HBM容量增加,經(jīng)測(cè)算,預(yù)期25年市場(chǎng)規(guī)模約150億美元,增速超過50%。
2024-03-01 11:02:53203

SK海力士計(jì)劃斥資10億美元提高HBM封裝能力

在人工智能這一科技浪潮的推動(dòng)下,高帶寬存儲(chǔ)芯片(HBM)已成為市場(chǎng)競(jìng)逐的焦點(diǎn)。作為半導(dǎo)體行業(yè)的佼佼者,SK海力士敏銳地捕捉到了這一重要機(jī)遇,并決定加大在先進(jìn)芯片封裝領(lǐng)域的投資力度,以鞏固并擴(kuò)大其在HBM市場(chǎng)的領(lǐng)先地位。
2024-03-08 10:56:10285

SK海力士HBM3E正式量產(chǎn),鞏固AI存儲(chǔ)領(lǐng)域的領(lǐng)先地位

SK海力士作為HBM3E的首發(fā)玩家,預(yù)計(jì)這款最新產(chǎn)品的大批量投產(chǎn)及其作為業(yè)內(nèi)首家供應(yīng)HBM3制造商所累積的經(jīng)驗(yàn),將進(jìn)一步強(qiáng)化公司在AI存儲(chǔ)器市場(chǎng)的領(lǐng)導(dǎo)者地位。
2024-03-19 15:18:21252

SK海力士成功量產(chǎn)超高性能AI存儲(chǔ)器HBM3E

HBM3E的推出,標(biāo)志著SK海力士在高性能存儲(chǔ)器領(lǐng)域取得了重大突破,將現(xiàn)有DRAM技術(shù)推向了新的高度。
2024-03-20 15:23:53274

英偉達(dá)、微軟、亞馬遜等排隊(duì)求購(gòu)SK海力士HBM芯片,這些國(guó)產(chǎn)設(shè)備廠迎機(jī)遇

AMD、微軟和亞馬遜等。 ? HBM(高帶寬存儲(chǔ)器),是由AMD和SK海力士發(fā)起的基于3D堆棧工藝的高性能DRAM,適用于高存儲(chǔ)器帶寬需求的應(yīng)用場(chǎng)合。如今HBM已經(jīng)發(fā)展出HBM2、HBM2e以及HBM3。HBM3E是HBM3的下一代產(chǎn)品,SK海力士目前是唯一能量產(chǎn)HBM3的廠商。 ? HBM 成為
2023-07-06 09:06:312126

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