目前主流的基于浮柵閃存技術(shù)的非易失性存儲(chǔ)器(NVM)技術(shù)有望成為未來(lái)幾年的參考技術(shù)。但是,閃存本身固有的技術(shù)和物理局限性使其很難再縮小技術(shù)節(jié)點(diǎn)。在這種環(huán)境下,業(yè)界試圖利用新材料和新概念發(fā)明一種更好
2017-12-18 10:02:214925 存儲(chǔ)器可分為易失性存儲(chǔ)器和非易失性存儲(chǔ)器兩類(lèi),前者在掉電后會(huì)失去記憶的數(shù)據(jù),后者即使在切斷電源也可以保持?jǐn)?shù)據(jù)。易失性存儲(chǔ)器又可分為 DRAM(Dynamic RAM)和SRAM(Static RAM
2023-09-15 15:59:02668 這幾種存儲(chǔ)器的共同特點(diǎn)其實(shí)是掉電后,所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)不會(huì)消失,所以可以歸類(lèi)為非易失性存儲(chǔ)器(即Non-Volatile Memory)。SRAM、DRAM的共同特點(diǎn)是掉電后數(shù)據(jù)會(huì)丟失,所以也可稱(chēng)為易失性
2012-01-06 22:58:43
1. 存儲(chǔ)器理解存儲(chǔ)器是計(jì)算機(jī)結(jié)構(gòu)的重要組成部分,存儲(chǔ)器是用來(lái)存儲(chǔ)程序代碼和數(shù)據(jù)的部件,有了存儲(chǔ)器計(jì)算機(jī)才具有記憶功能。按照存儲(chǔ)介質(zhì)的特性,可以分“易失性存儲(chǔ)器”和“非易失性存儲(chǔ)器”兩類(lèi),易失和非易
2021-07-16 07:55:26
存儲(chǔ)器的分類(lèi)介紹
2021-04-06 07:14:25
SRAM:其特點(diǎn)是只要有電源加于存儲(chǔ)器,數(shù)據(jù)就能長(zhǎng)期保存?! ?、動(dòng)態(tài)DRAM:寫(xiě)入的信息只能保存若干ms時(shí)間,因此,每隔一定時(shí)間必須重新寫(xiě)入一次,以保持原來(lái)的信息不變?! 】涩F(xiàn)場(chǎng)改寫(xiě)的非易失性存儲(chǔ)器
2017-10-24 14:31:49
SRAM:其特點(diǎn)是只要有電源加于存儲(chǔ)器,數(shù)據(jù)就能長(zhǎng)期保存?! ?、動(dòng)態(tài)DRAM:寫(xiě)入的信息只能保存若干ms時(shí)間,因此,每隔一定時(shí)間必須重新寫(xiě)入一次,以保持原來(lái)的信息不變?! 】涩F(xiàn)場(chǎng)改寫(xiě)的非易失性存儲(chǔ)器
2017-12-21 17:10:53
**第一至第三章**Q1. 若存儲(chǔ)器的數(shù)據(jù)總線寬度為32位,存取周期為200ns,則存儲(chǔ)器的帶寬是多少?存儲(chǔ)器的帶寬指單位時(shí)間內(nèi)從存儲(chǔ)器進(jìn)出信息的最大數(shù)量。存儲(chǔ)器帶寬 = 1/200ns ×32位
2021-07-28 06:23:01
所謂的寄存器、內(nèi)存等用于存儲(chǔ)信息的復(fù)雜結(jié)構(gòu)。存儲(chǔ)器的分類(lèi)存儲(chǔ)器分為易失性存儲(chǔ)器和非易失性存儲(chǔ)器;所謂易失性存儲(chǔ)器是指設(shè)備掉電,存儲(chǔ)的信息自動(dòng)清除,而非易失性存儲(chǔ)器具有存儲(chǔ)時(shí)間長(zhǎng)的功能。易失性存儲(chǔ)器主要指
2021-12-10 06:54:11
本篇文章介紹的是非易失性存儲(chǔ)器EEPROM與內(nèi)存Flash消耗能量計(jì)算。
2020-12-31 06:11:04
FM33256B-G器件將FRAM存儲(chǔ)器與基于處理器的系統(tǒng)最常用的功能集成在一起,主要功能包括非易失性存儲(chǔ)器,實(shí)時(shí)時(shí)鐘,低VDD復(fù)位,看門(mén)狗定時(shí)器,非易失性事件計(jì)數(shù)器,可鎖定的64位序列號(hào)區(qū)域以及
2023-04-07 16:23:11
存儲(chǔ)設(shè)備,包括Flash和EEPROM。一、Flash和EEPROM之間的差異Flash和EEPROM均被視為非易失性存儲(chǔ)器。非易失性存儲(chǔ)器意味著該設(shè)備能夠保存數(shù)據(jù)且無(wú)需持續(xù)供電,即使關(guān)閉電源也能保存
2023-04-07 16:42:42
非易失性存儲(chǔ)器平衡方法
2021-01-07 07:26:13
非易失性存儲(chǔ)器的特點(diǎn)及應(yīng)用介紹
2012-08-20 12:54:28
AVR系列單片機(jī)有哪幾種存儲(chǔ)器?AVR系列單片機(jī)在程序中如何訪問(wèn)FLASH程序存儲(chǔ)器?EEPROM數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器操作方式有哪幾種?
2021-09-23 08:13:11
EVERSPIN非易失性存儲(chǔ)器嵌入式技術(shù)
2020-12-21 07:04:49
存儲(chǔ)空間是如何進(jìn)行配置的?存儲(chǔ)器的特點(diǎn)是什么?FLASH和OTP存儲(chǔ)器的功耗模式有哪幾種狀態(tài)?
2021-10-21 08:28:25
Flash存儲(chǔ)器是一種基于浮柵技術(shù)的非揮發(fā)性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器,一般有NOR、NAND、 DINOR和AND 等幾種類(lèi)型。作為一類(lèi)非易失性存儲(chǔ)器 ,Flash存儲(chǔ)器具有自己獨(dú)特的優(yōu)點(diǎn):不需要特殊的外部高
2020-11-16 14:33:15
該板上檢測(cè)到NLP。我嘗試在重置線上電后重置PHY,但這沒(méi)有用。顯然,我的PHY配置有問(wèn)題,但由于Ido沒(méi)有PHY的數(shù)據(jù)表,我不知道如何重新配置??它甚至測(cè)試其當(dāng)前配置。 PHY是否將配置數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在非易失性存儲(chǔ)器中?寄存器中有一點(diǎn)需要改變嗎?部件是否完全壞了?
2019-08-27 07:45:17
SST26VF064B存儲(chǔ)器IoT設(shè)備設(shè)計(jì)需要考慮哪些問(wèn)題?非易失性存儲(chǔ)器怎么選擇?
2021-06-15 07:57:36
你好,作為NVSRAM的一部分,非易失性存儲(chǔ)器的耐力E/P周期是多少?最好的問(wèn)候,井上 以上來(lái)自于百度翻譯 以下為原文Hi, How much are endurance E/P cycles
2018-10-19 15:57:30
非易失性存儲(chǔ)器(NVM)在半導(dǎo)體市場(chǎng)占有重要的一席之地,特別是主要用于手機(jī)和其它便攜電子設(shè)備的閃存芯片。今后幾年便攜電子系統(tǒng)對(duì)非易失性存儲(chǔ)器的要求更高,數(shù)據(jù)存儲(chǔ)應(yīng)用需要寫(xiě)入速度極快的高密度存儲(chǔ)器,而
2019-06-26 07:11:05
無(wú)論電源是否被關(guān)斷,都具有保持?jǐn)?shù)據(jù)能力的存儲(chǔ)器?! ∮捎谄鋽?shù)據(jù)的保持不依賴(lài)電池的支持,所以在無(wú)源型IC卡中,絕大部分都是采用這種類(lèi)型的存儲(chǔ)器 。在非易失性存儲(chǔ)器的IC卡中可分為以下幾種: ?。?) 掩
2020-12-25 14:50:34
,并且它還表示在BTXXTALYSTRAP0SP0和BTXXTALYSTRAPHL1上的1的值使得CYW20706/07能夠讀取來(lái)自非易失性存儲(chǔ)器。問(wèn)題:你能幫助我理解如何將XTAL頻率信息存儲(chǔ)到
2018-11-15 15:55:17
我需要把一個(gè)數(shù)組保存到非易失性存儲(chǔ)器中,這樣我就可以通過(guò)電源周期來(lái)維護(hù)數(shù)據(jù)。我已經(jīng)看到EEPROM模塊,并考慮使用這一點(diǎn),但我不確定這個(gè)模塊的操作。我試圖做到以下幾點(diǎn):我想保存到非易失性存儲(chǔ)器陣列
2019-07-24 13:39:00
常用存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器的種類(lèi)RAM存儲(chǔ)器非易失性存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器的種類(lèi)易失性存儲(chǔ)器: 掉電數(shù)據(jù)會(huì)丟失讀寫(xiě)速度較快內(nèi)存非易失性存儲(chǔ)器:掉電數(shù)據(jù)不會(huì)丟失讀寫(xiě)速度較慢機(jī)械硬盤(pán)RAM存儲(chǔ)器RAM是“Random
2021-12-10 07:09:20
您好,我在MCU上使用程序內(nèi)存的一部分作為NVM(非易失性存儲(chǔ)器)。我已經(jīng)設(shè)法寫(xiě)和讀,但是現(xiàn)在我面臨的問(wèn)題是,我想避免編譯器覆蓋我用于NVM的程序內(nèi)存空間。MCU是PIC32 MX230F064 D。程序存儲(chǔ)器的最后一頁(yè)是NVM的一頁(yè)。謝謝,問(wèn)候,
2019-09-18 10:31:51
數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器 FLASH程序存儲(chǔ)器 FLASH數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器 片內(nèi)RAM數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器16M字節(jié)外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器各有什么區(qū)別?特點(diǎn)?小弟看到這段 很暈。ADuC812的用戶(hù)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器包含三部分,片內(nèi)640字節(jié)的FLASH數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、256字節(jié)的RAM以及片外可擴(kuò)展到16M字節(jié)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器。求助高手。解釋一下不同。
2011-11-29 09:50:46
切換期間存儲(chǔ)信息。非易失性存儲(chǔ)器用于存儲(chǔ)可執(zhí)行代碼或常量數(shù)據(jù)、校準(zhǔn)數(shù)據(jù)、安全性能和防護(hù)安全相關(guān)信息等重要數(shù)據(jù),以作將來(lái)檢索用途。目前市場(chǎng)上主要包含這幾種不同類(lèi)型的非易失性存儲(chǔ)器,如NOR 閃存
2019-07-23 06:15:10
具有記憶功能。按照存儲(chǔ)介質(zhì)的特性,可以分“易失性存儲(chǔ)器”和“非易失性存儲(chǔ)器”兩類(lèi)。易失性存儲(chǔ)器斷電后,里面存儲(chǔ)
2022-02-11 07:51:30
影響EDMA性能的因素有哪些?有哪幾種主模塊共享存儲(chǔ)器的性能?
2021-04-19 11:08:41
。RAM類(lèi)型的存儲(chǔ)器易于使用、性能好,可是它們同樣會(huì)在掉電的情況下會(huì)失去所保存的數(shù)據(jù)。非易失性存儲(chǔ)器在掉電的情況下并不會(huì)丟失所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。然而所有的主流的非易失性存儲(chǔ)器均源自于只讀存儲(chǔ)器(ROM)技術(shù)
2011-11-19 11:53:09
。RAM類(lèi)型的存儲(chǔ)器易于使用、性能好,可是它們同樣會(huì)在掉電的情況下會(huì)失去所保存的數(shù)據(jù)。非易失性存儲(chǔ)器在掉電的情況下并不會(huì)丟失所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。然而所有的主流的非易失性存儲(chǔ)器均源自于只讀存儲(chǔ)器(ROM)技術(shù)
2011-11-21 10:49:57
鐵電存儲(chǔ)器FRAM 是具有低功耗、高寫(xiě)入速度、高耐久力的新型非易失性存儲(chǔ)器,應(yīng)用范圍廣泛。本文介紹FRAM 及其應(yīng)用, 并給出FRAM 與MCS-51 單片機(jī)的接口電路和軟件設(shè)計(jì)。
2009-05-13 16:25:4525 S25FS128SDSNFI100,MirrorBit?閃存非易失性存儲(chǔ)器 1.8 V帶CMOS I/O的單電源 具有多I/O的串行外圍接口 
2023-02-07 14:23:17
DVD幾種常用的存儲(chǔ)器電路特點(diǎn)
存儲(chǔ)器是DVD視聽(tīng)產(chǎn)品中必不可少的器件之一,其作用主要是用于數(shù)據(jù)存取。當(dāng)然,存儲(chǔ)器由于有許多種,各種類(lèi)型的存儲(chǔ)器其用途
2010-05-07 18:40:2442 由單電子晶體管(single‐electron transistor,簡(jiǎn)稱(chēng)SET)構(gòu)成的存儲(chǔ)器具有體積小、容量大、功率消耗低等優(yōu)點(diǎn),可望成為繼CMOS存儲(chǔ)器之后納米級(jí)的新型存儲(chǔ)器。本文介紹了幾種基于單電子晶
2010-07-29 15:51:5318 鐵電存儲(chǔ)器工作原理和器件結(jié)構(gòu)
?
1 鐵電存儲(chǔ)器簡(jiǎn)介
隨著IT技術(shù)的不斷發(fā)展,對(duì)于非易失性存儲(chǔ)器的需求越來(lái)越大,讀寫(xiě)速度
2009-10-25 09:59:509100 面向納電子時(shí)代的非易失性存儲(chǔ)器
摘要
目前主流的基于浮柵閃存技術(shù)的非易失性存儲(chǔ)器(NVM)技術(shù)有望成為未來(lái)幾年的參考技術(shù)。但是,閃存本身固有的
2009-12-25 09:37:28636 相變存儲(chǔ)器:能實(shí)現(xiàn)全新存儲(chǔ)器使用模型的新型存儲(chǔ)器
從下面的幾個(gè)重要特性看,相變存儲(chǔ)器(PCM)技術(shù)均符合當(dāng)前電子系統(tǒng)對(duì)存儲(chǔ)器子系統(tǒng)的需求:
容量
2009-12-31 10:09:301115 非易失性存儲(chǔ)器的可配置性
隨著消費(fèi)者要求新產(chǎn)品定期增加功能或提高應(yīng)用靈活性,開(kāi)發(fā)人員對(duì)修改系統(tǒng)應(yīng)用功能的快捷性和簡(jiǎn)便性要求越來(lái)越高
2010-05-12 09:56:06843 本文對(duì)目前幾種比較有競(jìng)爭(zhēng)力和發(fā)展?jié)摿Φ?b class="flag-6" style="color: red">新型非易失性存儲(chǔ)器做了一個(gè)簡(jiǎn)單的介紹。
鐵電存儲(chǔ)器(FeRAM)
鐵電存儲(chǔ)器是一種在斷電時(shí)不會(huì)丟失內(nèi)容的非易
2010-08-31 10:50:591942 Synopsys, Inc.宣布:即日起推出面向多種180納米工藝技術(shù)的DesignWare? AEON?非易失性存儲(chǔ)器(NVM)知識(shí)產(chǎn)權(quán)(IP)。
2011-06-29 09:04:28983 “非易失性存儲(chǔ)器”作為新一代國(guó)際公認(rèn)存儲(chǔ)技術(shù),越來(lái)越受到世界各國(guó)高度重視。從7日在滬召開(kāi)的第十一屆非易失性存儲(chǔ)器國(guó)際研討會(huì)上獲悉,上海在這一領(lǐng)域的研究已躋身國(guó)際先進(jìn)
2011-11-08 09:16:59746 Ramtron宣布推出世界上最低功耗的非易失性存儲(chǔ)器。該16 kb器件的型號(hào)為FM25P16,是業(yè)界功耗最低的非易失性存儲(chǔ)器,為對(duì)功耗敏感的系統(tǒng)設(shè)計(jì)開(kāi)創(chuàng)了全新的機(jī)遇.
2012-02-07 09:00:551190 汽車(chē)系統(tǒng)的設(shè)計(jì)變得越來(lái)越復(fù)雜,因?yàn)橐粩嗟募尤胄碌墓δ?,如高?jí)駕駛輔助,圖形儀表,車(chē)身控制和車(chē)輛信息娛樂(lè)系統(tǒng)。為了確??煽?、安全的操作,每個(gè)子系統(tǒng)均需要使用特定的非易失性存儲(chǔ)器,以便在復(fù)位操作和電源切換期間存儲(chǔ)信息。
2018-04-29 11:02:007701 用于汽車(chē)事件數(shù)據(jù)記錄儀和Industry 4.0等應(yīng)用的關(guān)鍵數(shù)據(jù)記錄 先進(jìn)嵌入式解決方案的領(lǐng)導(dǎo)者賽普拉斯半導(dǎo)體公司(納斯達(dá)克股票代碼:CY)近日宣布推出新型串行非易失性存儲(chǔ)器系列,為關(guān)鍵任務(wù)數(shù)據(jù)采集
2018-03-17 09:40:004456 本視頻主要詳細(xì)介紹了只讀存儲(chǔ)器分幾種,ROM、可編程只讀存儲(chǔ)器、可編程可擦除只讀存儲(chǔ)器、一次編程只讀內(nèi)存、電子可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器以及閃速存儲(chǔ)器。
2018-11-27 17:29:0712375 非易失性存儲(chǔ)器是指當(dāng)電流關(guān)掉后,所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)不會(huì)消失者的電腦存儲(chǔ)器。非易失性存儲(chǔ)器中,依存儲(chǔ)器內(nèi)的數(shù)據(jù)是否能在使用電腦時(shí)隨時(shí)改寫(xiě)為標(biāo)準(zhǔn),可分為二大類(lèi)產(chǎn)品,即ROM和Flash memory。
2018-12-23 13:31:0010224 盡管ㄧ些新存儲(chǔ)器技術(shù)已經(jīng)研發(fā)出來(lái),但在這競(jìng)爭(zhēng)激烈的市場(chǎng),只有極少數(shù)能夠成功。 圖1是ㄧ些新存儲(chǔ)器技術(shù)的列表。然而,無(wú)論哪一個(gè)技術(shù)勝出,這些新型非易失性技術(shù)系統(tǒng)的功耗肯定會(huì)低于現(xiàn)有的嵌入式 NOR 閃存和 SRAM,或是,離散 的 DRAM 和 NAND 閃存的系統(tǒng)。
2018-12-24 11:04:3410846 非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)是在關(guān)閉計(jì)算機(jī)或者突然性、意外性關(guān)閉計(jì)算機(jī)的時(shí)候數(shù)據(jù)不會(huì)丟失的技術(shù)。非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)得到了快速發(fā)展,非易失性存儲(chǔ)器主要分為塊尋址和字節(jié)尋址兩類(lèi)。
2019-01-23 11:33:4117003 非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)是在關(guān)閉計(jì)算機(jī)或者突然性、意外性關(guān)閉計(jì)算機(jī)的時(shí)候數(shù)據(jù)不會(huì)丟失的技術(shù)。非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)得到了快速發(fā)展,非易失性存儲(chǔ)器主要分為塊尋址和字節(jié)尋址兩類(lèi)。
2019-04-07 14:33:008357 目前新型存儲(chǔ)器上受到廣泛關(guān)注的新型存儲(chǔ)器主要有相變存儲(chǔ)器(PCM),其中有以英特爾與美光聯(lián)合研發(fā)的3D Xpoint為代表;MRAM以美國(guó)Everspin公司推出的STT-MRAM為代表;阻變存儲(chǔ)器
2020-04-25 11:05:572584 普冉半導(dǎo)體主要從事集成電路產(chǎn)品的研發(fā)設(shè)計(jì)和銷(xiāo)售,專(zhuān)注于NOR Flash和EERPOM兩大非易失性存儲(chǔ)器業(yè)務(wù),致力于成為新型應(yīng)用領(lǐng)域中小容量非易失性存儲(chǔ)器的產(chǎn)品和服務(wù)提供商。
2020-04-30 17:30:003174 新興的非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)主要有五種類(lèi)型:閃存(Flash),鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(FeRAM),磁性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(MRAM),相變存儲(chǔ)器(PCM)和RRAM。
2020-05-21 16:34:311840 良好的設(shè)計(jì)是成功制造非易失性存儲(chǔ)器產(chǎn)品的重要關(guān)鍵,包括測(cè)試和驗(yàn)證設(shè)備性能以及在制造后一次在晶圓和設(shè)備級(jí)別進(jìn)行質(zhì)量控制測(cè)試。新興的非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)的制造和測(cè)試,這些技術(shù)將支持物聯(lián)網(wǎng),人工智能以及先進(jìn)
2020-06-09 13:46:16847 在FPGA開(kāi)發(fā)板上都有幾種不同的存儲(chǔ)器,比如SDRAM,F(xiàn)LASH,EPCS,還有內(nèi)部
2020-10-09 11:41:412921 SRAM為數(shù)據(jù)訪問(wèn)和存儲(chǔ)提供了一個(gè)快速且可靠的手段。由系統(tǒng)電源或其他備用電源(如電池)供電時(shí),他們就具有非易失性。表1給出了幾種給定的非易失性存儲(chǔ)器存儲(chǔ)技術(shù)的優(yōu)缺點(diǎn)。 表1非易失性存儲(chǔ)器比較
2020-10-23 14:36:121516 MKW Ventures的Mark Webb表示,在接下來(lái)的十年中,兩種新興的非易失性存儲(chǔ)器類(lèi)型(相變存儲(chǔ)器和磁RAM)將在獨(dú)立存儲(chǔ)器中處于領(lǐng)先地位。
2020-11-24 15:29:162516 溫度條件下運(yùn)行,并且可以防篡改。這使得MRAM適用于汽車(chē),工業(yè),軍事和太空應(yīng)用,這些對(duì)于MRAM開(kāi)發(fā)人員來(lái)說(shuō)是重要的部分。 那么MRAM的優(yōu)勢(shì)究竟有哪些呢?下面我們分幾點(diǎn)一起來(lái)看看: 首先,MRAM是非易失性存儲(chǔ)器,也就是斷電后MRAM依舊可以保存數(shù)據(jù)。這一
2021-03-03 16:40:05955 AN-729: AD5254四通道256位I2C兼容型非易失性存儲(chǔ)器數(shù)字電位計(jì)評(píng)估套件
2021-03-21 08:03:234 非易失性存儲(chǔ)器X24C44中文數(shù)據(jù)手冊(cè)分享。
2021-04-14 10:20:486 非易失性存儲(chǔ)器X24C45中文數(shù)據(jù)手冊(cè)分享。
2021-04-14 10:30:0915 AD5235:非易失性存儲(chǔ)器,雙1024位數(shù)字電位器數(shù)據(jù)表
2021-04-14 10:42:5317 ADN2860:帶非易失性存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)表的3通道數(shù)字電位器
2021-04-19 13:28:384 AN-579:使用帶非易失性存儲(chǔ)器的數(shù)字電位器的多功能可編程放大器
2021-04-25 20:34:3712 AD5233:非易失性存儲(chǔ)器,四位64位電位器數(shù)據(jù)表
2021-04-25 20:46:316 AD5232:非易失性存儲(chǔ)器,雙256位數(shù)字電位器數(shù)據(jù)表
2021-04-26 20:14:471 ADN2850:非易失性存儲(chǔ)器,雙1024位數(shù)字電阻器數(shù)據(jù)表
2021-04-30 21:13:242 AD5232非易失性存儲(chǔ)器數(shù)字電位器評(píng)估板用戶(hù)手冊(cè)
2021-05-17 13:58:376 FM33256B-G器件將FRAM存儲(chǔ)器與基于處理器的系統(tǒng)最常用的功能集成在一起,主要功能包括非易失性存儲(chǔ)器,實(shí)時(shí)時(shí)鐘,低VDD復(fù)位,看門(mén)狗定時(shí)器,非易失性事件計(jì)數(shù)器,可鎖定的64位序列號(hào)區(qū)域以及可用于斷電(NMI)中斷或其他目的的通用比較器。該器件的工作電壓為2.7V至3.6V。
2021-05-17 16:43:53912 AD5231:非易失性存儲(chǔ)器,1024位數(shù)字電位器數(shù)據(jù)表
2021-05-18 17:02:055 AD5255:帶非易失性存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)表的3通道數(shù)字電位器
2021-05-18 19:29:468 非易失性存儲(chǔ)器S25FL512S手冊(cè)免費(fèi)下載。
2021-06-10 09:46:242 FM25V02A是使用高級(jí)鐵電工藝的256Kbit非易失性存儲(chǔ)器。FRAM是非易失性的;與RAM相同,它能夠執(zhí)行讀和寫(xiě)操作。它提供151年的可靠數(shù)據(jù)保留時(shí)間,并解決了由串行閃存、EEPROM和其他非易失性存儲(chǔ)器造成的復(fù)雜性、開(kāi)銷(xiāo)和系統(tǒng)級(jí)可靠性的問(wèn)題。賽普拉斯代理英尚微電子提供技術(shù)相關(guān)支持。
2021-07-27 15:23:082426 所謂的寄存器、內(nèi)存等用于存儲(chǔ)信息的復(fù)雜結(jié)構(gòu)。存儲(chǔ)器的分類(lèi)存儲(chǔ)器分為易失性存儲(chǔ)器和非易失性存儲(chǔ)器;所謂易失性存儲(chǔ)器是指設(shè)備掉電,存儲(chǔ)的信息自動(dòng)清除,而非易失性存儲(chǔ)器具有存儲(chǔ)時(shí)間長(zhǎng)的功能。易失性存儲(chǔ)器主要指RAM,而RAM分為動(dòng)態(tài)RAM(
2021-11-26 19:36:0437 什么是FRAM? FRAM(鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)是一種非易失性存儲(chǔ)器,它使用鐵電薄膜作為電容器來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。FRAM兼具ROM(只讀存儲(chǔ)器)和RAM(隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)的特性,具有寫(xiě)入速度更快
2022-03-02 17:18:36766 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《MCU片內(nèi)非易失性存儲(chǔ)器操作應(yīng)用筆記.zip》資料免費(fèi)下載
2022-09-22 10:00:540 DRAM屬于易失性存儲(chǔ)器,也就是大家常說(shuō)的內(nèi)存。今天,我們?cè)賮?lái)看看半導(dǎo)體存儲(chǔ)的另一個(gè)重要領(lǐng)域,也就是非易失性存儲(chǔ)器(也就是大家熟悉的閃存卡、U盤(pán)、SSD硬盤(pán)等)。
2022-10-13 09:24:131346 在筆者看來(lái),市場(chǎng)對(duì)新興存儲(chǔ)器并不友善,盡管人們?nèi)匀幌M鎯?nèi)計(jì)算(copute in memory)能夠重振基于電阻、相變和其他特性的新型存儲(chǔ)器。
2023-02-14 11:33:401484 的哈佛機(jī)器。MAXQ器件包含實(shí)現(xiàn)偽馮諾依曼架構(gòu)的硬件,允許方便地訪問(wèn)代碼空間作為數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器。這種額外的多功能性,結(jié)合MAXQ提供存儲(chǔ)器寫(xiě)和擦除服務(wù)的實(shí)用功能,為完整的讀寫(xiě)、非易失性存儲(chǔ)器子系統(tǒng)提供了背景。
2023-03-03 14:48:48454 存儲(chǔ)器按存儲(chǔ)介質(zhì)特性來(lái)說(shuō),可以分為兩類(lèi),一類(lèi)就是易失性存儲(chǔ)器,一類(lèi)是非易失性存儲(chǔ)器。從計(jì)算機(jī)角度上看,易失性存儲(chǔ)器可以理解為內(nèi)存,而非易性存儲(chǔ)器可以理解為硬盤(pán)。
2023-03-30 14:22:431551 MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory)是一種新型的非揮發(fā)性的磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器。它擁有靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(SRAM)的高速讀取寫(xiě)入能力,以及動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器
2023-04-19 17:45:462548 不斷推出和優(yōu)化新型存儲(chǔ)設(shè)備,例如開(kāi)放通道固態(tài)盤(pán)、可字節(jié)尋址的非易失性存儲(chǔ)器以及存算一體化設(shè)備。此外,陸續(xù)推出模擬器、仿真器和軟件定義設(shè)備開(kāi)發(fā)平臺(tái),促進(jìn)了新型存儲(chǔ)設(shè)備的設(shè)計(jì)和優(yōu)化。
2023-06-05 15:47:55408 FRAM是一種非易失性存儲(chǔ)器,因?yàn)樗Y(jié)合了ram和非易失性存儲(chǔ)器的優(yōu)點(diǎn)。相對(duì)于閃存/EEPROM的寫(xiě)入優(yōu)勢(shì)和非易失性使其非常適合在斷電情況下存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。具有高讀寫(xiě)耐久性和快速寫(xiě)入速度。
2021-07-15 16:46:56696 易失性存儲(chǔ)器的發(fā)展歷程 繼續(xù)關(guān)于存儲(chǔ)器的發(fā)展回顧,上期我們回顧了非易失性存儲(chǔ)器的發(fā)展史,本期內(nèi)容我們將回顧易失性存儲(chǔ)器的發(fā)展歷程。易失性存儲(chǔ)器在計(jì)算機(jī)開(kāi)機(jī)時(shí)存儲(chǔ)數(shù)據(jù),但在關(guān)閉時(shí)將其擦除,但是
2023-06-28 09:05:28877 Flash存儲(chǔ)器是一種非易失性存儲(chǔ)器,即使在供電電源關(guān)閉后仍能保持片內(nèi)信息。
2023-09-09 16:22:282619 如何充分利用單片機(jī)(MCU)的非易失性存儲(chǔ)器 單片機(jī)(MCU)的非易失性存儲(chǔ)器(NVM)是存儲(chǔ)數(shù)據(jù)和程序的重要組成部分。它可以保留數(shù)據(jù),即使在斷電或復(fù)位后也不會(huì)丟失。為了充分利用MCU的NVM,我們
2023-12-15 10:10:49507
評(píng)論
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