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美國(guó)半導(dǎo)體器件型號(hào)命名方法
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- 命名(9916)
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18872015第四十五屆美國(guó)半導(dǎo)體展
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半導(dǎo)體器件相關(guān)超級(jí)群94046358，歡迎加入！
半導(dǎo)體器件相關(guān)超級(jí)群94046358，歡迎加入！涉及半導(dǎo)體器件及其制造工藝及原料，有興趣的兄弟姐妹們加入了，500人的大家庭等著你...
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當(dāng)靜電與設(shè)備導(dǎo)線的主體接觸時(shí)，設(shè)備由于放電而發(fā)生充電，設(shè)備接地，放電電流將立即流過電路，導(dǎo)致靜電擊穿。外部物體
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安森美半導(dǎo)體宣布收購(gòu)Fairchild半導(dǎo)體
去年九月，安森美半導(dǎo)體宣布收購(gòu)Fairchild半導(dǎo)體。上周，我們完成了前Fairchild半導(dǎo)體產(chǎn)品信息向安森美半導(dǎo)體網(wǎng)站的轉(zhuǎn)移。這使訪客能瀏覽低、中、高壓電源模塊、集成電路和分立器件合并的、擴(kuò)展
2018-10-31 09:17:40
射頻集成電路半導(dǎo)體和CAD技術(shù)討論
因特網(wǎng)接入業(yè)務(wù)的興起使人們對(duì)無線通信技術(shù)提出了更高的要求。體積小、重量輕、低功耗和低成本是無線通信終端發(fā)展的方向，射頻集成電路技術(shù)(RFIC)在其中扮演著關(guān)鍵角色。RFIC的出現(xiàn)和發(fā)展對(duì)半導(dǎo)體器件、射頻電路分析方法，乃至接收機(jī)系統(tǒng)結(jié)構(gòu)都提出了新的要求。
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常用半導(dǎo)體器件型號(hào)命名法
；第五部分表示規(guī)格。具體規(guī)定見表 3.1 所示。2.日本常用半導(dǎo)體器件的型號(hào)命名標(biāo)準(zhǔn) 3.美國(guó)常用半導(dǎo)體器件的型號(hào)命名標(biāo)準(zhǔn) 4.常用的整流二極管型號(hào)及性能 5.硅高頻小功率三極管參數(shù) 6.部分國(guó)外硅高頻
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常用半導(dǎo)體手冊(cè)
半導(dǎo)體元器件是用半導(dǎo)體材料制成的電子元器件，隨著電子技術(shù)的飛速發(fā)展，各種新型半導(dǎo)體元器件層出不窮。半導(dǎo)體元器件是組成各種電子電路的核心元件，學(xué)習(xí)電子技術(shù)必須首先了解半導(dǎo)體元器件的基本結(jié)構(gòu)和工作原理
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常用電子元器件簡(jiǎn)明手冊(cè)
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淺析化合物半導(dǎo)體技術(shù)
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2019-06-13 04:20:24
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`復(fù)雜的電子系統(tǒng)及儀器都是由大鼉的電阻器、電容器、電 感器、繼電器、連接器、分立半導(dǎo)體器件及集成電路等電子元 器件組成的。電子元器件（以下簡(jiǎn)稱元器件）是測(cè)量?jī)x器設(shè)備 的基礎(chǔ)，本篇介紹了電容
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詳解：半導(dǎo)體的定義及分類
半導(dǎo)體制作的器件。半導(dǎo)體是指一種導(dǎo)電性可受控制，范圍可從絕緣體至導(dǎo)體之間的材料。無論從科技或是經(jīng)濟(jì)發(fā)展的角度來看，半導(dǎo)體的重要性都是非常巨大的。今日大部分的電子產(chǎn)品，如計(jì)算機(jī)、移動(dòng)電話或是數(shù)字錄音機(jī)當(dāng)中
2016-11-27 22:34:51
適合用于射頻、微波等高頻電路的半導(dǎo)體材料及工藝情況介紹
半導(dǎo)體材料是一類具有半導(dǎo)體性能（導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體與絕緣體之間，電阻率約在1mΩ·cm～1GΩ·cm范圍內(nèi)）、可用來制作半導(dǎo)體器件和集成電路的電子材料。按種類可以分為元素半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體兩大類
2019-06-27 06:18:41
長(zhǎng)期高級(jí)群：94046358半導(dǎo)體器件，歡迎加入！
本人半導(dǎo)體行業(yè)多年，因長(zhǎng)期開會(huì)員，故建一高級(jí)群：94046358半導(dǎo)體器件，歡迎各位加入！
2009-11-18 15:43:56
半導(dǎo)體器件型號(hào)的命名方法
半導(dǎo)體器件型號(hào)的命名方法一．國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體器件型號(hào)命名1． 型號(hào)由五個(gè)部分組成第一部分；用阿拉伯?dāng)?shù)字表示器件的電極數(shù)目第二部分；用漢語(yǔ)拼音字母表示器件的材
2008-09-30 19:16:50
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0美國(guó)軍用半導(dǎo)體器件型號(hào)和標(biāo)志
美國(guó)軍用半導(dǎo)體器件型號(hào)和標(biāo)志:1．美國(guó)軍用半導(dǎo)體器件型號(hào)和標(biāo)志在美國(guó)軍用標(biāo)準(zhǔn)中，半導(dǎo)體器件包括二極管，三極管，光藕等分立器件。其軍用產(chǎn)品型號(hào)和標(biāo)志，按美軍標(biāo)
2009-10-27 17:44:3925
25半導(dǎo)體器件的熱阻和散熱器設(shè)計(jì)
半導(dǎo)體器件的熱阻和散熱器設(shè)計(jì)
半導(dǎo)體器件的熱阻：功率半導(dǎo)體器件在工作時(shí)要產(chǎn)生熱量，器件要正常工作就需要把這些熱量散發(fā)掉，使器件的工作溫度低于其
2010-03-12 15:07:5263
63半導(dǎo)體器件物理
• 《半導(dǎo)體器件物理基礎(chǔ)》曾樹榮北京大學(xué)出版社• 《半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)》[美]Robert F. Pierret 黃如、王漪等譯電子工業(yè)出版社• 《半導(dǎo)體器件物理與工藝》第二版[美
2010-10-03 14:05:030
0半導(dǎo)體器件
一、 中國(guó)半導(dǎo)體器件型號(hào)命名方法 半導(dǎo)體器件型號(hào)由五部分（場(chǎng)效應(yīng)器件、半導(dǎo)體特殊器件、復(fù)合管、PIN型管、激光器件的型號(hào)命名只有第三、四、五部分
2006-06-30 13:01:221256
1256半導(dǎo)體集成電路型號(hào)命名法
半導(dǎo)體集成電路型號(hào)命名法
半導(dǎo)體集成電路的型號(hào)由5部分組成，各部分的符號(hào)及意義見附表1-16?！?
附表1-16 半導(dǎo)體集成電路型號(hào)
2007-12-19 15:45:089087
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國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體器件命名
國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體器件命名
1． 國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體器件型號(hào)由五個(gè)部分組成第一部分；用阿拉伯?dāng)?shù)字表示器件的電極數(shù)目
2008-09-30 19:19:501718
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我國(guó)半導(dǎo)體分立器件的命名方法
我國(guó)半導(dǎo)體分立器件的命名法
表9 國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體分立器件型號(hào)命名法
2008-12-19 01:18:211410
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國(guó)際電子聯(lián)合會(huì)半導(dǎo)體器件命名方法
國(guó)際電子聯(lián)合會(huì)半導(dǎo)體器件命名法
表10 國(guó)際電子聯(lián)合會(huì)半導(dǎo)體器件型號(hào)命名法
2008-12-19 01:19:04986
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電子元器件基礎(chǔ)知識(shí)（1）——半導(dǎo)體器件
電子元器件基礎(chǔ)知識(shí)（1）——半導(dǎo)體器件
一、 中國(guó)半導(dǎo)體器件型號(hào)命名方法 半導(dǎo)體器件型號(hào)由五部分（場(chǎng)效應(yīng)器件、半導(dǎo)體特殊器件、復(fù)合管、PIN型管
2009-11-12 17:21:552171
2171各國(guó)半導(dǎo)體器件型號(hào)命名方法介紹
各國(guó)半導(dǎo)體器件型號(hào)命名方法介紹
一、 中國(guó)半導(dǎo)體器件型號(hào)命名方法半導(dǎo)體器件型號(hào)由五部分（場(chǎng)效應(yīng)器件、半導(dǎo)體特殊器件、
2009-11-28 09:42:37683
683歐洲早期半導(dǎo)體分立器件型號(hào)命名法
歐洲早期半導(dǎo)體分立器件型號(hào)命名法
歐洲有些國(guó)家，如德國(guó)、荷蘭采用如下命名方法。第一部分：O-表示半導(dǎo)體器件
2009-12-03 13:47:29802
802中國(guó)半導(dǎo)體器件型號(hào)命名方法
中國(guó)半導(dǎo)體器件型號(hào)命名方法
半導(dǎo)體器件型號(hào)由五部分（場(chǎng)效應(yīng)器件、半導(dǎo)體特殊器件、復(fù)合管、PIN型管、激光器件的型號(hào)命名只有第三、四、五
2010-01-15 14:52:172289
2289美國(guó)半導(dǎo)體分立器件型號(hào)命名方法
美國(guó)半導(dǎo)體分立器件型號(hào)命名方法
美國(guó)晶體管或其他半導(dǎo)體器件的命名法較混亂。美國(guó)電子工業(yè)協(xié)會(huì)半導(dǎo)體分立器件命名方法如下：
&nbs
2010-01-16 10:11:141137
1137中國(guó)半導(dǎo)體分立器件型號(hào)的命名方法
中國(guó)半導(dǎo)體分立器件型號(hào)的命名方法
中國(guó)晶體管和其他半導(dǎo)體器件的型號(hào),通常由以下五部分組成:第一部分:用阿拉伯?dāng)?shù)字表示器件的有效電極數(shù)
2010-02-05 09:54:261848
1848日本半導(dǎo)體分立器件型號(hào)命名方法
日本半導(dǎo)體分立器件型號(hào)命名方法
日本生產(chǎn)的半導(dǎo)體分立器件，由五至七部分組成。通常只用到前五個(gè)部分，其各部分的符號(hào)意義如下：
&nbs
2010-02-06 14:36:461462
1462半導(dǎo)體器件,半導(dǎo)體器件的種類
半導(dǎo)體器件,半導(dǎo)體器件的種類
半導(dǎo)體器件從肯有2個(gè)管腳的二極管到最新的系統(tǒng)LSI、超大功率器件均有廣泛的研究，且被廣泛地運(yùn)用于手機(jī)、數(shù)碼家電產(chǎn)品
2010-03-01 17:25:025985
5985半導(dǎo)體三極管的型號(hào)和命名方法
半導(dǎo)體三極管的型號(hào)和命名方法
國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)對(duì)半導(dǎo)體三極管的命名如下
2010-03-06 10:11:4711118
11118世界晶體管型號(hào)命名方法
一、中國(guó)半導(dǎo)體器件型號(hào)命名方法 半導(dǎo)體器件型號(hào)由五部分(場(chǎng)效應(yīng)器件、半導(dǎo)體特殊器件、復(fù)合管、PIN型管、激光器件的型號(hào)命名只有第三、四、五部分)組成。五個(gè)部 分意義如下： 第一部分：用數(shù)字表示半導(dǎo)體器件有效電極數(shù)目。2-二極管、3-三極管 第二部分：用
2011-03-08 18:12:060
0半導(dǎo)體的簡(jiǎn)單知識(shí)點(diǎn)總結(jié)
一.中國(guó)半導(dǎo)體器件型號(hào)命名方法 半導(dǎo)體器件型號(hào)由五部分(場(chǎng)效應(yīng)器件.半導(dǎo)體特殊器件.復(fù)合管.PIN型管.激光器件的型號(hào)命名只有第三.四.五部分)組成。五個(gè)部分意義如下: 第一部分:用數(shù)
2011-10-31 16:19:3931
31常用半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)知識(shí)
常用半導(dǎo)體器件常用半導(dǎo)體器件常用半導(dǎo)體器件常用半導(dǎo)體器件常用半導(dǎo)體器件
2015-11-13 15:47:240
0如何辨別軍用半導(dǎo)體器件型號(hào)和標(biāo)志
本文首先介紹了美國(guó)半導(dǎo)體分立器件型號(hào)命名方法，其次介紹了如何辨別軍用半導(dǎo)體器件型號(hào)和標(biāo)志，具體的跟隨小編一起來了解一下。
2018-05-31 13:03:2511754
11754各國(guó)電子元器件型號(hào)是如何命名的
這一器件是原型號(hào)產(chǎn)品的改進(jìn)產(chǎn)品?！ ∪?b class="flag-6" style="color: red">美國(guó)半導(dǎo)體分立器件型號(hào)命名方法 美國(guó)晶體管或其他半導(dǎo)體器件的命名法較混亂。 美國(guó)電子工業(yè)協(xié)會(huì)半導(dǎo)體分立器件命名方法如下： 第一部分：用符號(hào)表示器件用途的類型
2018-09-10 10:50:585628
5628半導(dǎo)體光電器件有哪些
半導(dǎo)體光電器件是指把光和電這兩種物理量聯(lián)系起來，使光和電互相轉(zhuǎn)化的新型半導(dǎo)體器件。即利用半導(dǎo)體的光電效應(yīng)（或熱電效應(yīng)）制成的器件。光電器件主要有，利用半導(dǎo)體光敏特性工作的光電導(dǎo)器件，利用半導(dǎo)體光伏打效應(yīng)工作的光電池和半導(dǎo)體發(fā)光器件等。
2019-01-09 15:06:1624699
24699半導(dǎo)體器件型號(hào)的命名方法和半導(dǎo)體二極管參數(shù)符號(hào)及其意義說明
一、 中國(guó)半導(dǎo)體器件型號(hào)命名方法
半導(dǎo)體器件型號(hào)由五部分（場(chǎng)效應(yīng)器件、半導(dǎo)體特殊器件、復(fù)合管、PIN型管、激光器件的型號(hào)命名只有第三、四、五部分）組成。五個(gè)部分意義如下：
第一部分：用數(shù)字
2019-10-04 09:25:0015806
15806電子元器件基礎(chǔ)知識(shí)——半導(dǎo)體器件，揭示各國(guó)半導(dǎo)體器件命名方法
第二部分：用漢語(yǔ)拼音字母表示半導(dǎo)體器件的材料和極性。表示二極管時(shí)：A-N型鍺材料、B-P型鍺材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。表示三極管時(shí)：A-PNP型鍺材料、B-NPN型鍺材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。
2023-08-11 17:21:50871
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淺談功率半導(dǎo)體器件與普通半導(dǎo)體器件的區(qū)別
功率半導(dǎo)體器件與普通半導(dǎo)體器件的區(qū)別在于，其在設(shè)計(jì)的時(shí)候，需要多一塊區(qū)域，來承擔(dān)外加的電壓，如圖5所示，300V器件[1]的“N-drift”區(qū)域就是額外承擔(dān)高壓的部分。與沒有“N-drift”區(qū)的普通半導(dǎo)體器件[2]相比，明顯尺寸更大，這也是功率半導(dǎo)體器件的有點(diǎn)之一。
2023-10-18 11:16:21882
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半導(dǎo)體熱阻測(cè)試原理和測(cè)試方法詳解
對(duì)于半導(dǎo)體器件而言熱阻是一個(gè)非常重要的參數(shù)和指標(biāo)，是影響半導(dǎo)體性能和穩(wěn)定性的重要因素。如果熱阻過大，那么半導(dǎo)體器件的熱量就無法及時(shí)散出，導(dǎo)致半導(dǎo)體器件溫度過高，造成器件性能下降，甚至損壞器件。因此，半導(dǎo)體熱阻測(cè)試是必不可少的，納米軟件將帶你了解熱阻測(cè)試的方法。
2023-11-08 16:15:28689
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