半導體二極管參數(shù)符號及其意義

半導體二極管參數(shù)符號及其意義
CT---勢壘電容
Cj---結(jié)（ 極間） 電容， 表示在二極管兩端加規(guī)定偏壓下， 鍺檢波二極管的總電
容
Cjv---偏壓結(jié)電容
Co---零偏壓電容
Cjo---零偏壓結(jié)電容
Cjo/Cjn---結(jié)電容變化
Cs---管殼電容或封裝電容
Ct---總電容
CTV---電壓溫度系數(shù)。在測試電流下， 穩(wěn)定電壓的相對變化與環(huán)境溫度的絕對變
化之比
CTC---電容溫度系數(shù)
Cvn---標稱電容
IF---正向直流電流（ 正向測試電流） 。鍺檢波二極管在規(guī)定的正向電壓VF 下，
通過極間的電流； 硅整流管、硅堆在規(guī)定的使用條件下， 在正弦半波中允許連續(xù)
通過的最大工作電流（ 平均值） ， 硅開關(guān)二極管在額定功率下允許通過的最大正
向直流電流； 測穩(wěn)壓二極管正向電參數(shù)時給定的電流
IF（ AV） ---正向平均電流
IFM（ IM） ---正向峰值電流（ 正向最大電流） 。在額定功率下， 允許通過二極管
的最大正向脈沖電流。發(fā)光二極管極限電流。
IH---恒定電流、維持電流。
Ii--- 發(fā)光二極管起輝電流
IFRM---正向重復峰值電流
IFSM---正向不重復峰值電流（ 浪涌電流）
Io---整流電流。在特定線路中規(guī)定頻率和規(guī)定電壓條件下所通過的工作電流
IF(ov)---正向過載電流
IL---光電流或穩(wěn)流二極管極限電流
ID---暗電流
IB2---單結(jié)晶體管中的基極調(diào)制電流
IEM---發(fā)射極峰值電流
IEB10---雙基極單結(jié)晶體管中發(fā)射極與第一基極間反向電流

IEB20---雙基極單結(jié)晶體管中發(fā)射極向電流
ICM---最大輸出平均電流
IFMP---正向脈沖電流
IP---峰點電流
IV---谷點電流
IGT---晶閘管控制極觸發(fā)電流
IGD---晶閘管控制極不觸發(fā)電流
IGFM---控制極正向峰值電流
IR（ AV） ---反向平均電流
IR（ In） ---反向直流電流（ 反向漏電流） 。在測反向特性時， 給定的反向電流；
硅堆在正弦半波電阻性負載電路中， 加反向電壓規(guī)定值時， 所通過的電流； 硅開
關(guān)二極管兩端加反向工作電壓VR 時所通過的電流； 穩(wěn)壓二極管在反向電壓下，
產(chǎn)生的漏電流； 整流管在正弦半波最高反向工作電壓下的漏電流。
IRM---反向峰值電流
IRR---晶閘管反向重復平均電流
IDR---晶閘管斷態(tài)平均重復電流
IRRM---反向重復峰值電流
IRSM---反向不重復峰值電流（ 反向浪涌電流）
Irp---反向恢復電流
Iz---穩(wěn)定電壓電流（ 反向測試電流） 。測試反向電參數(shù)時， 給定的反向電流
Izk---穩(wěn)壓管膝點電流
IOM---最大正向（ 整流） 電流。在規(guī)定條件下， 能承受的正向最大瞬時電流； 在
電阻性負荷的正弦半波整流電路中允許連續(xù)通過鍺檢波二極管的最大工作電流
IZSM---穩(wěn)壓二極管浪涌電流
IZM---最大穩(wěn)壓電流。在最大耗散功率下穩(wěn)壓二極管允許通過的電流
iF---正向總瞬時電流
iR---反向總瞬時電流
ir---反向恢復電流
Iop---工作電流
Is---穩(wěn)流二極管穩(wěn)定電流
f---頻率
n---電容變化指數(shù)； 電容比
Q---優(yōu)值（ 品質(zhì)因素）
δ vz---穩(wěn)壓管電壓漂移
di/dt---通態(tài)電流臨界上升率
dv/dt---通態(tài)電壓臨界上升率
PB---承受脈沖燒毀功率
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