高速電路信號(hào)傳輸線(xiàn)路的問(wèn)題分析

前言

類(lèi)似CPU等超高速、高頻電子組件相繼問(wèn)世，過(guò)去經(jīng)常被忽視的整合問(wèn)題，例如信號(hào)傳輸波形的優(yōu)化，最近成為非常重要的課題之一。電子組件動(dòng)作高速化使得封裝上必需面對(duì)更多短期內(nèi)不易獲得解答的挑戰(zhàn)，因此利用模擬分析作事前的檢討與對(duì)策，成為設(shè)計(jì)上不可欠缺的手法。所謂超高速、高頻化具體而言例如PC、PDA、因特網(wǎng)、光通信、無(wú)線(xiàn)LAN等電子產(chǎn)品，事實(shí)上已經(jīng)成為日常生活中的一部份。

傳輸線(xiàn)路的電荷與電位分布

線(xiàn)路傳輸高頻信號(hào)時(shí)，線(xiàn)路長(zhǎng)度與信號(hào)頻率波長(zhǎng)兩者的微妙關(guān)系已經(jīng)成為無(wú)法忽視的課題，例如傳輸線(xiàn)路會(huì)會(huì)因頻率會(huì)呈現(xiàn)天線(xiàn)效應(yīng)產(chǎn)生噪訊放射現(xiàn)象，進(jìn)而影響電子機(jī)器正常動(dòng)作等等。圖1是每單位波長(zhǎng)的傳輸線(xiàn)路特性，由圖可知負(fù)載端出現(xiàn)的信號(hào)振幅與信號(hào)源的振幅相同時(shí)，信號(hào)的位相則呈現(xiàn) 延遲，假設(shè)該信號(hào)是高頻波時(shí)，圖1的振幅與位相會(huì)因傳輸線(xiàn)路的位置產(chǎn)生差異。雖然理想狀態(tài)希望信號(hào)源的振幅、位相與負(fù)載端完全相同，不過(guò)高頻波一旦產(chǎn)生上述差異時(shí)，就無(wú)法忽視兩者的關(guān)系。

圖1 傳輸線(xiàn)路的電荷與電位分布

當(dāng)傳輸線(xiàn)路長(zhǎng)度增加時(shí)，即使是低頻波同樣會(huì)因信號(hào)波長(zhǎng)產(chǎn)生與上述相同且無(wú)法忽視的問(wèn)題，例如頻率為1KHz時(shí)是300Km，依此推算祇要超過(guò)300Km，低頻波也會(huì)產(chǎn)生相同的天線(xiàn)效應(yīng)與噪訊干預(yù)現(xiàn)象。這正是影響導(dǎo)體長(zhǎng)度的波長(zhǎng)越來(lái)越高頻化之后，傳輸線(xiàn)路的設(shè)計(jì)也越來(lái)越困難的主要原因。一般認(rèn)為傳輸線(xiàn)路長(zhǎng)度與波長(zhǎng)的關(guān)系大約是1/100以上 的 ，也就是說(shuō)傳輸線(xiàn)路的長(zhǎng)度低于波長(zhǎng)的1/100以下，理論上就不會(huì)產(chǎn)生上述困擾，然而實(shí)際上不可能有如此長(zhǎng)度的傳輸線(xiàn)路。

如圖1所示如果兩線(xiàn)路之間產(chǎn)生電位差，兩線(xiàn)路之間就會(huì)發(fā)生電界，隨著電荷的變化就會(huì)出現(xiàn)高頻波的流動(dòng)（亦即電流），它可視為磁界的變化，因此隨著電界與磁界，行進(jìn)波會(huì)流入負(fù)載端，如果傳輸線(xiàn)路的阻抗為不整合狀態(tài)時(shí)，負(fù)載端就會(huì)產(chǎn)生反射波（亦即反射電力），造成行進(jìn)波與反射波相互干擾，進(jìn)而在傳輸線(xiàn)路上形成類(lèi)似靜止?fàn)畹牟ㄐ紊焦龋ㄒ嗉炊ǔ２ǎ?，使得傳輸線(xiàn)路具有頻率特性。當(dāng)傳輸線(xiàn)路為 時(shí)，干涉所產(chǎn)生的波長(zhǎng)成為共振狀態(tài)，傳輸線(xiàn)路就成為發(fā)射噪訊的天線(xiàn)，進(jìn)而嚴(yán)重影響電子機(jī)器的正常動(dòng)作，也就是說(shuō)具有電界、磁界的高頻波電流的流動(dòng)所產(chǎn)生的電磁界，經(jīng)常超越預(yù)料將強(qiáng)烈的電波放射至周?chē)臻g。

傳輸線(xiàn)路與反射系數(shù)

如果將傳輸線(xiàn)路、信號(hào)源與負(fù)載端加以整合，就不會(huì)發(fā)生反射與信號(hào)劣化等問(wèn)題。在高頻波領(lǐng)域不能用低頻波的思維將傳輸線(xiàn)路當(dāng)作0奧姆阻抗，而是必需將它視為一種電子組件（特性阻抗ZoΩ），也就是說(shuō)傳輸高頻信號(hào)整合時(shí)驅(qū)動(dòng)側(cè)的IC祇能見(jiàn)到傳輸線(xiàn)路的負(fù)載，為了高速驅(qū)動(dòng)特性阻抗Zo具有50～100Ω的負(fù)載，因此設(shè)計(jì)上必需考慮驅(qū)動(dòng)能力所造成的負(fù)擔(dān)。

【計(jì)算例1】

試算25pF的負(fù)載，1ns的時(shí)間內(nèi)提升至5V時(shí)，驅(qū)動(dòng)側(cè)的需求電流 。

電流 可由下式求得：

亦即的變化越快所需的電流I也越多，相對(duì)的噪訊也越大。事實(shí)上電路要完全取得整合相當(dāng)困難，反射所產(chǎn)生的阻抗不整合，會(huì)因信號(hào)源的電力未被負(fù)載消耗，變成反射波折返至信號(hào)源。由于反射波是朝著信號(hào)源的傳輸線(xiàn)路方向傳播，隨著傳輸線(xiàn)路的長(zhǎng)度改變，信號(hào)源側(cè)與負(fù)載側(cè)的位相差異也越明顯。

一般而言該反射系數(shù)并非電力的反射系數(shù)，因此它是使用表示負(fù)載端入射波與反射波兩者的比，亦即使用電壓反射系數(shù)表示，電壓反射系數(shù)可由下式求得：

實(shí)際上電路的負(fù)載 幾乎不會(huì)是純阻抗而是復(fù)素?cái)?shù)，因此反射系數(shù)也成為復(fù)素?cái)?shù)。

【計(jì)算例2】

由上述計(jì)算結(jié)果獲得以下結(jié)論：

1.如果將負(fù)載的阻抗視為一定值時(shí)，反射系數(shù)會(huì)隨著位置變化。

2.傳輸線(xiàn)路上距離負(fù)載端 位置的位相差會(huì)有 的差異。

3.反射系數(shù)會(huì)變成 的位相差。

換言之從信號(hào)源觀之反射波比入射波延遲 ，因此反射系數(shù)是反復(fù)波長(zhǎng)λ的1/2周期，而負(fù)載阻抗則呈現(xiàn)不斷變化狀態(tài)。

圖2 傳輸線(xiàn)路與反射系數(shù)的互動(dòng)關(guān)系

Strip line的信號(hào)延遲

圖3是印刷電路板Strip line的特性阻抗Zo關(guān)系式與傳播延遲時(shí)間 的關(guān)系式。假設(shè)電路板的條件分別是：

1.特性阻抗 的計(jì)算如下示：

2.傳播延遲時(shí)間：

圖3 印刷電路板Strip line的特性阻抗Zo ，與傳播延遲時(shí)間 的計(jì)算公式

【計(jì)算例3】

試算長(zhǎng)度為200mm strip line所構(gòu)成的印刷電路板，從信號(hào)源到達(dá)負(fù)載所產(chǎn)生的信號(hào)延遲。

假設(shè)因傳播造成的信號(hào)延遲時(shí)間為tpd，則tpd 的計(jì)算如下：

圖4 信號(hào)的延遲時(shí)間

如果傳輸線(xiàn)路發(fā)生信號(hào)延遲時(shí)，其關(guān)系式可由傳輸線(xiàn)路的長(zhǎng)度與數(shù)字信號(hào)站立時(shí)間，兩者概括性關(guān)系求得：

2Td》tr------------------------------（1）

也就是說(shuō)2Td是信號(hào)在傳輸線(xiàn)路往返的時(shí)間，如果2Td比數(shù)位信號(hào)站立時(shí)間tr更大時(shí)就會(huì)產(chǎn)生問(wèn)題，此時(shí)會(huì)因反射出現(xiàn)over shoot與跳動(dòng)（bouncing）現(xiàn)象，成為電路誤動(dòng)作的因素之一。假設(shè)傳輸線(xiàn)路的長(zhǎng)度為l時(shí)，信號(hào)延遲時(shí)間Td的關(guān)系可用下式表示：

Td=x l--------------------------（2）

假設(shè)高速I(mǎi)C的傳播延遲時(shí)間為1ns，往復(fù)線(xiàn)路的長(zhǎng)度為200mm，從上述式（1）與式（2）與計(jì)算例3可知，線(xiàn)路的長(zhǎng)度是造成傳播延遲主要原因，因此必需進(jìn)行阻抗整合，設(shè)法對(duì)策避免產(chǎn)生反射波。

防止傳輸線(xiàn)路反射的方法

如上所述防止反射最佳方法是將信號(hào)源輸入與輸出端的阻抗，與傳輸線(xiàn)路的特性阻抗整合，也就是說(shuō)在傳輸線(xiàn)路上形成相同的特性阻抗。主要考慮是因?yàn)閺妮敵龅捷斎胫g，一連串的傳輸線(xiàn)路上若有阻抗非連續(xù)點(diǎn)時(shí)，該位置便會(huì)產(chǎn)生反射，因此即使頻率有變動(dòng)，穩(wěn)定無(wú)變動(dòng)的阻抗與輸出入阻抗成為理想的驅(qū)動(dòng)條件。常用的特性阻抗 計(jì)算公式如下：

----------------------------（3）

由式（3）可知該計(jì)算式毫無(wú)頻率概念，亦未包含消耗電力的阻抗與電導(dǎo)（conductance）等項(xiàng)次，因此傳輸線(xiàn)路沒(méi)有任何損耗，可說(shuō)是與頻率無(wú)關(guān)的理想電路，亦即利用整合的分布定數(shù)線(xiàn)路傳輸?shù)男盘?hào)，在任何位置任何切口的信號(hào)源的波形、位相、振幅完全相同。

如圖5所示設(shè)計(jì)上一直未受到重視的pattern導(dǎo)線(xiàn)，通常會(huì)與傳輸線(xiàn)路上的IC連接，此時(shí)比較有效抑制反射的方法如下示：

1.利用傳輸線(xiàn)路的長(zhǎng)度進(jìn)行導(dǎo)線(xiàn)layout。

2.利用終端方式抑制反射強(qiáng)度。

3.利用導(dǎo)線(xiàn)layout技巧抑制反射強(qiáng)度。

如果考慮IC/LSI的輸出入阻抗時(shí)，CMOS type的輸出阻抗一般為數(shù)十Ω，輸入阻抗則高達(dá)數(shù)百Ω，輸出阻抗值與傳輸線(xiàn)路的特性阻抗值非常近似（大約為50～100Ω），相較之下輸入阻抗值就非常大，為了有效抑制反射必需在收信端進(jìn)行與終端相等的特性阻抗，不過(guò)基于耗電性等考慮上述方式并非上策，最好的方法是將傳輸線(xiàn)路當(dāng)作集中定數(shù)線(xiàn)路處理，也就是說(shuō)在無(wú)終端的前提下，利用傳輸線(xiàn)路的長(zhǎng)度進(jìn)行導(dǎo)線(xiàn)layout使信號(hào)能被順利傳送。傳輸線(xiàn)路使用集中定數(shù)線(xiàn)路或是分布定數(shù)線(xiàn)路，取決于數(shù)字信號(hào)的站立時(shí)間，圖6是信號(hào)的站立時(shí)間與輸線(xiàn)路長(zhǎng)度的依存關(guān)系。

圖5 分歧導(dǎo)線(xiàn)的特性

圖6 分布定數(shù)線(xiàn)路的特性

設(shè)計(jì)時(shí)祇需讀取圖6的IC信號(hào)站立時(shí)間與傳輸線(xiàn)路的長(zhǎng)度，就可在既定的傳輸線(xiàn)路長(zhǎng)度范圍內(nèi)，與無(wú)終端處理前提下有效抑制反射強(qiáng)度。需注意的是上述是不需考慮分布定數(shù)線(xiàn)路的設(shè)計(jì)，如果傳輸線(xiàn)路需作分布定數(shù)線(xiàn)路考慮時(shí)，就需在收信端擷取終端并設(shè)法抑制反射強(qiáng)度。雖然反射起因于linking與over shoot以及under shoot，不過(guò)抑制放射反射時(shí)必需降低產(chǎn)生噪訊的高頻波成份，例如降低linking電流可以有效減緩噪訊的level。

大部分的情況要設(shè)計(jì)理想狀態(tài)的傳輸線(xiàn)路幾乎是不可能，不過(guò)以理想狀態(tài)的概念設(shè)計(jì)電路卻非常重要。雖然實(shí)際誤差可透過(guò)檢討與調(diào)整補(bǔ)正，如果該誤差是因?yàn)樵O(shè)計(jì)不慎就存在的潛伏因子，最后則會(huì)面臨無(wú)法挽救的窘境。如圖5（a）分歧導(dǎo)線(xiàn)layout，信號(hào)波形很容易因反射波造成雜亂波，這意味著pattern導(dǎo)線(xiàn)長(zhǎng)度的差異造成不整合進(jìn)而引發(fā)雜亂波，會(huì)隨著分歧數(shù)量的變動(dòng)與噪訊相互干擾更加速波形潰散。圖5（b）的導(dǎo)線(xiàn)雖然仍有反射波的問(wèn)題，但不論是IC輸入端或是信號(hào)源的波形都很均勻，加上無(wú)位相差異因此反射波干涉造成的波形雜亂相對(duì)的大幅降低，這種情況就可利用dumping阻抗改善波形。

基板層的結(jié)構(gòu)對(duì)高頻電路的性能具有決定性的影響，基于成本考慮雙面電路基板成為設(shè)計(jì)者最?lèi)?ài)，但是值的注意的是雙面電路基板并無(wú)法確保電源與grand穩(wěn)定性，一旦發(fā)生問(wèn)題幾乎沒(méi)有充分的裕度可作改善，尤其是10MHz以上高頻電路最好能改用多層板。此外高密度封裝電路基板經(jīng)常使用BGA/CSP等方式，雖然電源與接地層看似均勻，實(shí)際上有關(guān)低阻抗的對(duì)策卻經(jīng)常被忽略，其結(jié)果極易造成特性阻抗?jié)⑸ⅲ虼耸虑暗臋z討變得格外重要。

隨著電路高速化，數(shù)字電路經(jīng)常發(fā)生誤動(dòng)作與精度誤差等問(wèn)題，因此設(shè)計(jì)時(shí)必需特別注意data sheet記載的細(xì)項(xiàng)tinning規(guī)定，因?yàn)閠inning error往往是誤動(dòng)作的主要原因。此外高速化后clock的周期會(huì)變短，加上輸出入之間信號(hào)的延遲傳輸，造成metastable與tinning偏差等現(xiàn)象。使用高速I(mǎi)C組件時(shí)則需注意switching噪訊與ground bounce的出現(xiàn)，同時(shí)在pattern導(dǎo)線(xiàn)layout時(shí)透過(guò)精密檢討，設(shè)法避免發(fā)生上述機(jī)能性的障礙。

信號(hào)傳輸延遲

（1）流動(dòng)于導(dǎo)體內(nèi)的電流傳播速度

頻率f與該信號(hào)變化1周期T所需要的時(shí)間由下式表示：

T ＝1/f（s）--------------------------（4）

流動(dòng)于導(dǎo)體內(nèi)的電流一秒鐘的傳播速度v可由下式表示：

---------------------（5）

印刷電路板的比誘電率為4.7 時(shí)，傳輸延遲時(shí)間 ：

傳輸線(xiàn)路上有容量性負(fù)載時(shí)會(huì)影響傳輸延遲時(shí)間 “，它的傳輸延遲時(shí)間 是用下式表示：

【計(jì)算例4】

如圖7所示由micro strip line所構(gòu)成的傳輸線(xiàn)路，從該線(xiàn)路（特性阻抗為）距離信號(hào)端100mm的位置具有10pF輸入負(fù)載容量時(shí)，試算它的傳輸延遲時(shí)間 ”。

如以上介紹利用micro strip line傳輸延遲時(shí)間 “時(shí)：

由于連接10pF的負(fù)載，會(huì)增加7.79-5.68（ns/m） 的傳輸延遲。傳輸線(xiàn)路的長(zhǎng)度對(duì)電路阻抗與位相具有重大影響，以計(jì)算例4而言傳輸線(xiàn)路究竟要使用分布定數(shù)線(xiàn)路，或是集中定數(shù)線(xiàn)路，傳輸線(xiàn)路的長(zhǎng)度成為判斷上重要的指標(biāo)。如果將波形動(dòng)亂列入考慮時(shí)，無(wú)終端整合可傳輸信號(hào)的界限傳輸線(xiàn)路長(zhǎng)度Lmax 關(guān)系示如下所示：

tr ：信號(hào)的站立或下降時(shí)間（ns）

由式（10）獲得以下結(jié)論：

※※信號(hào)的站立時(shí)間越緩慢且傳輸延遲時(shí)間增大時(shí)，無(wú)終端整合可傳輸信號(hào)的傳輸線(xiàn)路長(zhǎng)度可延長(zhǎng)。

圖7 micro strip line所構(gòu)成的傳輸線(xiàn)路的傳輸延遲時(shí)間

IC的動(dòng)作速度與誤動(dòng)作

為了要使電路的動(dòng)作特性能符合預(yù)期目標(biāo)，不單是組合封裝技術(shù)的問(wèn)題，包含電路設(shè)計(jì)上若有任何疏失或是欠缺周詳考慮，經(jīng)常事后需耗費(fèi)龐大資源解決問(wèn)題，其中又以IC的動(dòng)作tinning error造成電路誤動(dòng)作的比例最多。

（1）Metastable

如圖8所示flip flop IC內(nèi)具備set up time tsetup 與hold time thold 兩種規(guī)格，如果沒(méi)有充分的tinning裕度維持tsetup 與thold 時(shí)間，data一旦發(fā)生變化就無(wú)法確定是輸出的H或是L，形成不穩(wěn)定狀態(tài)進(jìn)而產(chǎn)生如圖8所示的須狀脈沖波形，往往還會(huì)有發(fā)振現(xiàn)象，這種狀態(tài)稱(chēng)為「Metastable」。

圖8 Metastable現(xiàn)象

比較有效的對(duì)策共可分為三種，具體方法如下所述：

1.flip flop分成兩段使用

如圖9所示即使因Metastable發(fā)生須狀脈沖波形，利用兩段flip flop方式（以下簡(jiǎn)稱(chēng)為FF）亦能去除下個(gè)tinning，具體方法是用第一段flip flop讀入數(shù)據(jù)并將數(shù)據(jù)latch，接著再用第二段flip flop輸出數(shù)據(jù)，如此便可去除須狀脈沖波形。

2.圖9（b）的對(duì)策是用第一個(gè)clock（1st）將數(shù)據(jù)latch，再輸出時(shí)間稍為延緩的數(shù)據(jù)（利用共通clock將數(shù)據(jù)latch時(shí)，會(huì)選則具備所有數(shù)據(jù)的tinning）。

3.圖9（c）的對(duì)策是在發(fā)生須狀脈沖波形期間使用mask方式，由于發(fā)生須狀脈沖波形的時(shí)間隨著IC高速化會(huì)變得很短，因此clock的周期很快的場(chǎng)合，使用高速I(mǎi)C反而變成非常smart。

事實(shí)上即使因Metastable造成誤動(dòng)作，不過(guò)它的發(fā)生機(jī)率卻比預(yù)期低（例如一周或二周發(fā)生一次左右），因此大多數(shù)的情況都無(wú)法追究真正的發(fā)生原因。由于高速clock電路會(huì)有信號(hào)延遲傳輸?shù)睦_，因此設(shè)計(jì)上必需設(shè)法滿(mǎn)足set up time與hold time規(guī)格。此外Meta stable經(jīng)常因電源與溫度發(fā)生變動(dòng)也是必需加以防范。

圖9 Metastable的對(duì)策

（2）tinning偏差

如果未預(yù)留考慮tinning偏差裕度時(shí)，經(jīng)常會(huì)成為電路誤動(dòng)作的原因。如圖10（a）的電路所謂tinning偏差（skew）是指FF1的clock CK1的延遲時(shí)間tpd1 ，與FF2的clock CK2的延遲時(shí)間tpd2 兩者的差亦即tpd2-tpd1 。

圖10（b）表示可忽略tinning偏差亦即tpd2-tpd1≈0，換言之從輸出端子祇輸出IC規(guī)格書(shū)標(biāo)示的信號(hào)傳輸延遲時(shí)間內(nèi)的延遲信號(hào)，實(shí)際上由于IC的延遲與pattern長(zhǎng)度所造成的影響有大小區(qū)分，因而產(chǎn)生clock之間產(chǎn)生延遲時(shí)間差異，如果延遲時(shí)間差異過(guò)多時(shí)，會(huì)發(fā)生數(shù)據(jù)異?，F(xiàn)象，此時(shí)FF2的clock無(wú)法維持讀入的FF1輸出數(shù)據(jù)set up時(shí)間與hold時(shí)間，最后導(dǎo)致FF2的輸出變得非常不穩(wěn)定。

圖10 可忽略tinning skew 時(shí)shift resistor的輸出特性

【計(jì)算例5】

如圖11（a）所示shift resistor電路上的復(fù)數(shù)個(gè)FF1，連接于相同的clock line，而clock line基于驅(qū)動(dòng)能力的考慮，因此被連接于buffer上。請(qǐng)檢討該電路的問(wèn)題點(diǎn)與改善對(duì)策。

※問(wèn)題點(diǎn)

圖11（a）的電路clock line上，a、b、c的延遲時(shí)間依序加算配置導(dǎo)線(xiàn)，因此tinning skew會(huì)變得非長(zhǎng)大，該導(dǎo)線(xiàn)與電路不易維持set up time與hold time，而且有可能發(fā)生誤動(dòng)作甚至不會(huì)動(dòng)作的窘境。

※改善對(duì)策

如圖11（b）所示為了抑制clock之間的信號(hào)傳輸延遲時(shí)間，因此縮短導(dǎo)線(xiàn)的長(zhǎng)度以維持set up time與hold time。

圖11 tinning skew的問(wèn)題點(diǎn)與改善對(duì)策

（3）cross talk

如圖12所示由于數(shù)據(jù)線(xiàn)（data line）產(chǎn)生的cross talk，使得噪訊滲入其它信號(hào)線(xiàn)，往往是造成電路誤動(dòng)作的原因之一。數(shù)據(jù)線(xiàn)有復(fù)數(shù)個(gè)數(shù)據(jù)同步變化，所以電流變化相當(dāng)大，如果噪訊滲入信號(hào)線(xiàn)就會(huì)造成重大影響。如果該信號(hào)線(xiàn)是同步化邏輯電路時(shí)，即使受到cross talk噪訊干擾，祇要同步化tinning的噪訊未滲入，也不會(huì)造成電路誤動(dòng)作。相隔很近的信號(hào)線(xiàn)同步化對(duì)抑制噪訊也具有很好的效應(yīng)。

圖12 同步化的動(dòng)作機(jī)制

圖13是將one shot multi vibrate同步化，提高對(duì)外部噪訊的noise margin方法。

基于組立作業(yè)等考慮因此必需盡量縮短電路板pattern的導(dǎo)線(xiàn)長(zhǎng)度，也就是說(shuō)高密度導(dǎo)線(xiàn)layout技術(shù)，對(duì)pattern的導(dǎo)線(xiàn)最短化具有實(shí)質(zhì)的含意，除此之外回路（loop）面積的最小化也很重要，如果信號(hào)線(xiàn)是由micro strip line所構(gòu)成時(shí)，便可大幅降低cross talk，而四層板對(duì)構(gòu)成電源與接地（ground）面具有很大的幫助。

圖13 同步化的動(dòng)作機(jī)制

（4）ground bounce

數(shù)字電路的電源與接地流有CMOS貫穿電流與充放電電流等高頻過(guò)渡電流，在ground

的組件ground一般是用下列式子表示：

圖14是IC switching時(shí)表示等價(jià)電路的誘起電力、形成inductance、負(fù)載容量。假設(shè)流動(dòng)于負(fù)載容量 的電流，施加于容量的電壓為 時(shí)：

利用式（11）、（12）計(jì)算誘起電力 時(shí)：

由式（13）可知為了降低grand bounce

＊抑制電壓的振幅與時(shí)間變化振幅，增加dV/dt。

＊降低負(fù)載容量。

結(jié)語(yǔ)

（以上介紹有關(guān)tinning error與電路誤動(dòng)作的互動(dòng)關(guān)系，由于調(diào)查tinning error造成電路誤動(dòng)作的原因必需耗費(fèi)龐大資源，因此設(shè)計(jì)高速電路時(shí)除了慎選IC組件之外，事前密致的檢討與模擬分析，成為無(wú)法忽視怠慢的過(guò)程。