CAN總線設計規(guī)范對于CAN節(jié)點的輸入電壓閾值有著嚴格的規(guī)定，如果節(jié)點的輸入電壓閾值不符合規(guī)范，則在現(xiàn)場組網(wǎng)后容易出現(xiàn)不正常的工作狀態(tài)，各節(jié)點間出現(xiàn)通信故障。具體要求如表 1所示，為測試標準“ISO 11898-2輸出電壓標準”。
2015-07-09 10:54:09
6517 
74HC14是施密特觸發(fā)器。正向閾值指輸入端電壓由低變高達到輸出翻轉(zhuǎn)時的值。反向閾值指輸入電壓由高到低變化輸出翻轉(zhuǎn)時的輸入電壓值。正向輸入閾值電壓是輸入大于這個電壓時，輸出為低電平。反向輸入閾值電壓是輸入低于這個電壓時，輸出為高電平。
2018-10-24 09:30:3616608 
由閾值電壓的公式可看出，閾值電壓與制造工藝和所加體偏電壓VSB有關，所以在設計中把它當成一個常數(shù)。 當器件尺寸不斷縮小時，此模型不再精確，閾值電壓與L、W和VDS有關。
2023-02-13 10:35:291269 
，表示了三個端子：柵(G)、源(S)和漏(D)。 因為這種器件是對稱的，因而可以源漏互換。 大家都知道，在數(shù)字電路中，MOS管作為開關的作用時，柵極電壓VG是高電平，晶體管把源極和漏極連接在一起; 如果VG是低電平，則源漏斷開。
2023-04-25 14:20:393018 
碳化硅SiC MOSFET的閾值電壓穩(wěn)定性相對Si材料來講，是比較差的，對應用端的影響也很大。
2023-05-30 16:06:181175 
大家好，今天聊一下IGBT驅(qū)動中的**參考電位**問題。我們都知道IGBT的驅(qū)動參考電平都是基于 **器件自身的發(fā)射極** ，當柵極相對于發(fā)射極電位 **超過閾值電壓時，器件就會開通** ， **小于閾值電壓后，器件就會關斷** 。
2023-11-09 15:19:15666 
MOS之所以能夠以電壓控制，并起到開關的作用，正是由于上述反型層的機制
2023-11-29 14:19:08785 
分析完閾值電壓的機制后，下面我們重點分析一下MOS器件的電壓、電流與閾值電壓之間的關系。
2023-11-29 14:42:33999 
假設mismatch引起的M4/M5之間的閾值電壓差值為3mV，則等效到運放輸入端的VOS量級為uV，保證M4/M5之間的版圖匹配，能有效的減小該值。
2024-02-18 17:32:43274 
施密特觸發(fā)器（Schmitt Trigger）是一種特殊的門電路，也被稱為遲滯比較器或滯回比較器。它具有兩個閾值電壓，分別對應于輸入信號的正向遞增和負向遞減變化方向。這兩個閾值電壓稱為正向閾值電壓和負向閾值電壓，它們之間的差值被稱為回差電壓。
2024-02-23 17:14:21786 
本帖最后由 xiaoxiao981212 于 2012-9-12 18:06 編輯
EDA技術主要是指面向?qū)Ｓ眉呻娐吩O計的計算機技術，與傳統(tǒng)的專用集成電路設計技術相比，其特點有
2012-09-12 17:58:00
，就可在硬件不變的情況下修改程序以更新和擴展功能，使其靈活性顯著提高?；诖丝紤]，用EDA方法設計了一個簡易數(shù)字電壓表控制電路，旨在研究提高數(shù)字電子系統(tǒng)靈活性的設計方法。1．2 數(shù)字電壓表的工作原理
2012-10-26 15:43:24
繼上一篇MOSFET的開關特性之后，本篇介紹MOSFET的重要特性–柵極閾值電壓、ID-VGS特性、以及各自的溫度特性。MOSFET的VGS(th)：柵極閾值電壓MOSFET的VGS(th)：柵極
2018-11-28 14:28:20
MOSFET的VGS(th)：柵極
閾值電壓MOSFET的VGS(th)：柵極
閾值電壓是為使MOSFET導通，柵極與源極間必需的
電壓。也就是說，VGS如果是
閾值以上的
電壓，則MOSFET導通?？赡苡?/div>
2019-05-02 09:41:04
為什么PMOS的閾值電壓要高于NMOS呢？下面是我用HSPICE仿真的代碼.opt scale=0.1u * Set lambdamp drainp gatep Vdd Vdd pch l=2 w
2018-11-15 14:00:50
應用； 高精度電壓檢測功能：(針對單節(jié)電芯)- 過充電保護閾值電壓：3.3V～4.5V(50mV一檔)；閾值電壓精度：±25mV； - 過充電保護解除電壓1 ：3.2V～4.5V；閾值電壓精度
2016-03-09 23:09:10
SMLZ13EDA - High brightness - Rohm
2022-11-04 17:22:44
STM32是3.3V供電的芯片，在用AD的時候，閾值電壓能否接到0-5V上？
2013-02-28 18:18:59
的EDA人艱難探索。多少年了，中國還沒有EDA 產(chǎn)業(yè)。20年了,風雨路,少年步入中年。我們努力著，我們奮斗著，我們承受著。但請相信----再一個四年，我們將站立在領獎臺上。我們大家的EDA &
2008-08-26 16:38:24
`大家上午好！這是張飛電子90天硬件工程師講解之mos管視頻教程， 每日一課，20天的打卡學習計劃，機會難得，希望壇友們積極參與，學習過程中遇到的問題，可以留言交流，老師都會一一解答！為了提升壇友們
2021-06-08 21:43:47
，進而使SCR導通。
實驗中：穩(wěn)壓管閾值電壓較大時SCR可正常導通；但是穩(wěn)壓管閾值小的時候，SCR始終不通，后端電路一直有漏電流。（如圖所示穩(wěn)壓管閾值電壓為42V）
2023-10-10 08:57:00
閾值電壓做比較，輸出一個或高或低的電壓，進而控制MOS管的通斷。而實現(xiàn)此閾值的智能可配置也就實現(xiàn)了過流保護裝置的可配置。問題轉(zhuǎn)變成了可調(diào)直流電壓的輸出。此電壓不需大的輸出電流對驅(qū)動能力沒有要求，只做為比較器
2018-09-26 09:44:57
:0] 中的值如何映射到電壓。我假設設置 ADC_HTR 中的所有 12 位將等于可能的最高閾值電壓，但我們?nèi)绾沃涝?b class="flag-6" style="color: red">電壓是多少？設置 ADC_LTR 中的所有位是否意味著低閾值盡可能低？還是清除所有 12 位將其設置為最小值？
2023-01-13 08:05:01
源之間導通的工作原理，完成開關的閉合。但是由于電路中使用的是恒流源，當MOS管的柵源電壓小于閾值電壓時，漏源之間仍然有電流流過，并不能實現(xiàn)開關的關斷。 有什么其他的設計方法能實現(xiàn)可控開關，來控制對電容
2017-05-19 11:44:05
電壓，低溫）作為最快的一種情況，而把（slow n,slow p,低電壓，高溫）作為最慢的一種情況。但是管子的閾值電壓與溫度成反比，也就是低溫時管子的閾值電壓會變高，而使得管子變慢，這就與上面的結(jié)論矛盾
2021-06-24 08:01:38
比較器是電路設計中常用的一個模塊，一般設計人員將其用在電源輸入過欠壓保護或者設置閾值電壓。比如，當監(jiān)控到電池的電壓低于某一個值時，比較器的輸出端會產(chǎn)生一個復位信號給后面的控制系統(tǒng)，提示系統(tǒng)馬上要
2023-03-22 15:17:08
如果想改變反相滯回比較器的閾值電壓應改變哪些參數(shù)呢？
2023-03-24 15:31:42
看到的POR比較常見的結(jié)構(gòu)，第一級通常是電壓檢測，比如如下圖結(jié)構(gòu)，當左邊由二極管連接的PMOS對電源電壓進行分壓，當電源電壓上電到一定值時，V1達到右邊反相器的翻轉(zhuǎn)閾值電壓?，F(xiàn)在的問題是，當在
2021-06-25 07:26:16
和正向遞增兩種不同變化方向的輸入信號，施密特觸發(fā)器有不同的閥值電壓。門電路有一個閾值電壓，當輸入電壓從低電平上升到閾值電壓或從高電平下降到閾值電壓時電路的狀態(tài)將發(fā)生變化。施密特觸發(fā)器是一種特殊的門電路
2011-11-14 14:30:44
： ① 施密特觸發(fā)器屬于電平觸發(fā)器件，當輸入信號達到某一定電壓值時，輸出電壓會發(fā)生突變。 ② 電路有兩個閾值電壓。 輸入信號增加和減少時，電路的閾值電壓分別是正向閾值電壓
2009-09-24 15:38:23
搜到的施密特觸發(fā)器IC遲滯電壓都是固定的，現(xiàn)在需要設定具體的閾值電壓值，是否有這樣的IC呢?還是只能用運放搭建？
2024-03-13 02:40:35
LM311供電為+-12V，VDD為5V，高低閾值電壓怎么計算呢？
2018-05-30 22:27:26
運放同相輸入端為1V，R4電阻電壓也跟隨為1V，電流恒定在1A輸出，那么存在如下疑問：1.運放為使R4電壓均衡在1V那么運放輸出端提供的電壓是否只達到MOS管導通閾值電壓(假設4V)?2.如果MOS
2020-02-14 14:45:47
遲滯比較器的閾值電壓除了由我的電阻參數(shù)設定 還要其他因素嗎？我做的實驗中顯示我的設定值與實際值在某些情況下相差挺大的，我采用的是LM339這款比較器芯片。比如 我設定的值為VTL=1.5V、VTH=2.5V時，通過示波器觀察的到的VTL=2.48V、VTH=3.64V。
2019-04-01 16:51:27
組件文檔中有關于I2C總線上可靠邏輯轉(zhuǎn)換的注釋。I2CYV3O50.PDF狀態(tài)：“注意，引腳組件的默認閾值電壓是CMOS。當I2C線被拉高到3.3 V并且PSoC在5 V上運行時，CMOS閾值電平
2019-10-10 06:33:44
北京革新創(chuàng)展科技有限公司研制的B-ICE-EDA/SOPC FPGA平臺集多功能于一體，充分滿足EDA、SOPC、ARM、DSP、單片機相互結(jié)合的實驗教學，是電子系統(tǒng)設計創(chuàng)新實驗室、嵌入式系統(tǒng)實驗室
2022-03-09 11:18:52
施密特觸發(fā)器是一種特殊的門電路，與普通的門電路不同，施密特觸發(fā)器有兩個閾值電壓，分別稱為正向閾值電壓和負向閾值電壓。
2006-07-03 14:22:183706 
電壓比較器、方波三角波發(fā)生器與壓控振蕩器一、目的：1、 對電壓比較器的理解，學習閾值電壓的測量方法。2、 握集成運放在波形發(fā)生器值的應用，學習
2009-03-09 11:06:086986 
施密特觸發(fā)器原理及應用
我們知道，門電路有一個閾值電壓，當輸入電壓從低電平上升到閾值電壓或從高電平下降到閾值電壓時電路的狀
2010-05-27 09:29:323838 
所謂探索性數(shù)據(jù)分析(EDA)，是指對已有的數(shù)據(jù)(特別是調(diào)查或觀察得來的原始數(shù)據(jù))在盡量少的先驗假定下進行探索，通過作圖、制表、方程擬合、計算特征量等手段探索數(shù)據(jù)的結(jié)構(gòu)和規(guī)律的一種數(shù)據(jù)分析方法。
2011-01-24 10:02:071330 
把 555 電路的 6 、 2 端作為兩個控制輸入端， 7 端不用，就成為一個 R － S 觸發(fā)器。要注意的是兩個輸入端的電平要求和閾值電壓都不同，見圖 5 （ a ）。有時可能只有一個控制端，這時
2012-05-15 16:11:394684 
在數(shù)／?；旌霞呻娐吩O計中電壓基準是重要的模塊之一。針對傳統(tǒng)電路產(chǎn)生的基準電壓易受電源電壓和溫度影響的缺點，提出一種新的設計方案，電路中不使用雙極晶體管，利用PMOS和
2012-10-10 16:38:054693 
基于搶占閾值調(diào)度的動態(tài)電壓分配算法_郝嘉磊
2017-01-07 18:39:17
0 面向BTI特征分析的在運行中閾值電壓測量
2017-01-22 13:38:087 電壓比較器的輸出電壓與輸入電壓的函數(shù)關系 U0＝f（uI），一般用曲線來描述，稱為電壓傳輸特性。電壓傳輸特性的三個要素：輸出電平、閾值電壓、躍變方向
2017-11-07 10:47:3153915 
工作時的固有特性。當輸入信號越過這兩個閾值時，電路可以抑制輸入信號中包含的噪聲，并產(chǎn)生頻率與輸入信號相同的矩形輸出信號。 不管你用晶體管、運放還是比較器實現(xiàn)施密特觸發(fā)器，你都需要確定要求的回差和兩個閾值電壓是多少。如果你知
2017-11-14 11:10:257 閾值電壓 （Threshold voltage）：通常將傳輸特性曲線中輸出電壓隨輸入電壓改變而急劇變化轉(zhuǎn)折區(qū)的中點對應的輸入電壓稱為閾值電壓。在描述不同的器件時具有不同的參數(shù)。如描述場發(fā)射的特性時，電流達到10mA時的電壓被稱為閾值電壓。
2017-11-27 17:18:4367572 
本文主要介紹了小波去噪閾值如何選取_小波閾值分析。小波去噪過程就是利用小波分解將圖像信號分解到各尺度中，然后把每一尺度中屬于噪聲的小波系數(shù)去掉，保留并增強屬于信號的小波系數(shù)，最后利用小波逆變換將處理
2018-01-10 09:08:4757528 
本文主要介紹了小波閾值去噪的基本原理以及小波去噪閾值如何選??？閾值的確定在去噪過程中至關重要，目前使用的閾值可以分為全局閾值和局部適應閾值兩類。其中，全局閾值是對各層所有的小波系數(shù)或同一層內(nèi)不同方向
2018-01-10 09:46:5067422 
本文主要介紹了一種基于新閾值函數(shù)的小波閾值去噪算法。在小波閾值去噪法中的兩個重要的因素—閾值選取方式和閾值函數(shù)，直接決定圖像去噪的效果，所以要針對噪聲和圖像選取合適的閾值函數(shù)和最佳閾值，才能最大程度去除圖像噪聲。本文提出了新的閾值函數(shù)，這一函數(shù)既滿足函數(shù)的連續(xù)性，又解決了閾值函數(shù)恒定偏差問題。
2018-01-10 10:12:569059 
介紹了小波閾值去噪的三種應用：小波閾值去噪技術在ECG信號處理中的應用、小波閾值去噪技術在電能質(zhì)量檢測中的應用和小波閾值技術在生物醫(yī)學信號處理中的應用。利用小波閾值去噪是新發(fā)展起來的去除噪聲的方法，利用小波閾值去噪具有良好的效果，可以有效提高信噪比。
2018-01-10 14:25:085533 
本文主要介紹了小波軟閾值的推導_軟閾值的計算。由于噪聲信號強度的隨機性，以及小波分解過程中信號與噪聲的傳播特性不同，每一層小波分解系數(shù)所采用的閾值應該是隨小波系數(shù)的變化而變化的。能實現(xiàn)這種變動閾值的方法就是軟閾值去噪方法。小波軟閾值的具體計算原理和計算步驟如下。
2018-01-10 14:46:194809 
，有兩個不同的閾值電壓（正向閾值電壓和負向閾值電壓）；狀態(tài)翻轉(zhuǎn)時有正反饋過程，從而輸出邊沿陡峭的矩形脈沖。下面我們來具體看看吧。
2018-01-16 16:02:3747805 
本文開始介紹了單限比較器的電路和單限比較器的理論分析及計算，其次介紹了單限電壓比較器的工作原理，最后介紹了單限比較器閾值的電壓計算。
2018-02-26 15:58:0264104 
由于寬禁帶半導體SiC的固有特征，以及不同于Si材料的半導體氧化層界面特性，會引起閾值電壓變化以及漂移現(xiàn)象。為了理解這些差異，解釋這些差異與材料本身特性的關系，評估其對應用、系統(tǒng)的影響，需要更多的研究及探索。
2018-11-08 16:48:268362 圖3-4是閃存芯片里面存儲單元的閾值電壓分布函數(shù)，橫軸是閾值電壓，縱軸是存儲單元數(shù)量。其實在0或1的時候，并非所有的存儲單元都是同樣的閾值電壓，而是以這個電壓為中心的一個分布。讀的時候采樣電壓值，落在1范圍里面，就認為是1；落在0范圍里面，就認為是是0。
2018-11-13 15:44:2911001 
關于 MOSFET 的 W 和 L 對其閾值電壓 Vth 的影響，實際在考慮工藝相關因素后都是比較復雜，但是也可以有一些簡化的分析，這里主要還是分析當晶體管處在窄溝道和短溝道情況下，MOSFET 耗盡區(qū)的電荷的變化，從而分析其對晶體管的閾值電壓的作用。
2019-06-18 17:19:4635146 
為什么廠家在產(chǎn)品投入使用前，都必須要進行CAN節(jié)點DUT的輸入電壓閾值測試呢？
2019-07-02 15:10:103215 
本文報道了一個深入研究的負閾值電壓不穩(wěn)定性的gan-on-si金屬絕緣體半導體高電子遷移率晶體管部分凹陷algan。基于一組在不同溫度下進行的應力/恢復實驗，我們證明：1）在高溫和負柵偏壓（-10v
2019-10-09 08:00:002 利用一個簡單的示波器裝置，研究了由正向柵偏壓引起的gan基金屬絕緣體半導體hemts閾值電壓漂移（vth）的快速動力學。我們發(fā)現(xiàn)，vth的對數(shù)恢復時間依賴性，以前發(fā)現(xiàn)的恢復時間從10 ms到1 ms
2019-10-09 08:00:000 本文報道了algan/gan高電子遷移率晶體管（hemt）在反向柵偏壓作用下閾值電壓的負漂移。該器件在強pinch-off和低漏源電壓條件下偏置一定時間（反向柵極偏置應力），然后測量傳輸特性。施加
2019-10-09 08:00:0010 施密特觸發(fā)器也有兩個穩(wěn)定狀態(tài)， 但與一般觸發(fā)器不同的是， 施密特觸發(fā)器采用電位觸發(fā)方式， 其狀態(tài)由輸入信號電位維持； 對于負向遞減和正向遞增兩種不同變化方向的輸入信號，施密特觸發(fā)器有不同的閥值電壓。門電路有一個閾值電壓， 當輸入電壓從低電平上升到閾值電壓或從高電平下降到閾值電壓時電路的狀態(tài)將發(fā)生變化。
2019-12-17 08:00:006 為什么廠家在產(chǎn)品投入使用前，都必須要進行CAN節(jié)點DUT的輸入電壓閾值測試呢？因為CAN總線設計規(guī)范對于CAN節(jié)點的輸入電壓閾值有著嚴格的規(guī)定，若不符合規(guī)范，則組網(wǎng)后容易出現(xiàn)各節(jié)點間出現(xiàn)通信故障。
2020-12-26 02:33:311380 AN-680: ADG451/ADG452/ADG453閾值電壓與數(shù)字電壓 VL
2021-03-18 20:33:082 而現(xiàn)代集成電路一般使用MOS管，其本質(zhì)是一個壓控開關。壓指的就是柵極的電壓，而它控的就是源極和漏極之前的電流。既然叫做開關，那就需要有一個區(qū)別開態(tài)與關態(tài)的狀態(tài)。
2022-12-15 11:33:371143 Vt roll-off核心是（同一個工藝節(jié)點下面）閾值電壓與柵長之間的關系。當溝道長度比較長的時候，Vt值是比較穩(wěn)定的。隨著溝道長度的減小，閾值電壓會下降（對于PMOS而言是絕對值的下降）。
2022-12-30 15:14:411332 DIBL不僅只發(fā)生在亞閾值區(qū)，引起閾值電壓的下降。在飽和區(qū)晶體管導通后，由于勢壘的降低，同樣會引入更多的載流子注入，從而降低晶體管的導通電阻。
2023-01-07 11:46:322684 TPS382x 系列監(jiān)控器主要為 DSP 以及基于處理器的系統(tǒng)提供電路初始化和計時監(jiān)控等功能。上電期間，RESET 會在電源電壓 VDD 超出 1.1V 時置為有效。因此VDD 保持在閾值電壓
2023-01-12 09:18:351147 繼上一篇MOSFET的開關特性之后，本篇介紹MOSFET的重要特性--柵極閾值電壓、ID-VGS特性、以及各自的溫度特性。
2023-02-09 10:19:255046 
此外，襯底偏壓也能影響閾值電壓。當在襯底和源極之間施加反向偏壓時，耗盡區(qū)被加寬，實現(xiàn)反轉(zhuǎn)所需的閾值電壓也必須增加，以適應更大的Qsc。
2023-02-09 14:26:381661 nmos晶體管的閾值電壓公式為Vt=Vt0-γ（2φF/Cox），其中Vt0為晶體管的基礎閾值電壓，γ為晶體管的偏置系數(shù)，φF為晶體管的反向偏置電勢，Cox為晶體管的歐姆容量。
2023-02-11 16:30:149783 
Vt指的是MOS管的閾值電壓（threshold voltage）。具體定義（以下圖NMOS為例）：當柵源電壓（Vgs）由0逐漸增大，直到MOS管溝道形成反型層（圖中的三角形）所需要的電壓為閾值電壓。
2023-03-10 17:43:114541 摩爾定律提出的時候，還處于Happy Scaling Era（EDA探索丨第11期：MOSFET收縮，Happy Scaling Era）。所以除了器件密度的翻倍，大家通常所認識的摩爾定律還隱含著其它的一些含義。
2023-03-29 14:25:28229 由于SiC MOSFET與Si MOSFET特性的不同，SiC MOSFET的閾值電壓具有不穩(wěn)定性，在器件測試過程中閾值電壓會有明顯漂移，導致其電性能測試以及高溫柵偏試驗后的電測試結(jié)果嚴重依賴于測試
2023-05-09 14:59:06853 
如圖，電流分擴散電流和漂移電流，工作時的mosfet電流很大，主要是漂移電流，因此忽略掉擴散電流的成分。
2023-05-30 16:02:396185 
8.2.9閾值電壓控制8.2金屬-氧化物-半導體場效應晶體管(MOSFET)第８章單極型功率開關器件《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內(nèi)容：8.2.8UMOS的先進設計∈《碳化硅
2022-03-02 09:27:23531 
如果你能看到下面的方程式-我相信你可以很容易地弄清楚閾值電壓對電池延遲的影響。(注：以下電阻公式是關于NMOS的。您也可以為PMOS導出類似的公式(只需將下標“n”替換為“p”)。
2023-09-07 10:03:59649 
影響MOSFET閾值電壓的因素? MOSFET（金屬氧化物半導體場效應管）是一種常用的半導體器件，具有高輸入阻抗、低輸出阻抗、高增益等特點。MOSFET的閾值電壓是決定其工作狀態(tài)的重要參數(shù)，影響著
2023-09-17 10:39:446679 為什么亞閾值區(qū)還有電流？為什么亞閾值區(qū)電流飽和條件是Vds是Vt的三四倍以上？ 亞閾值區(qū)是指晶體管工作狀態(tài)下，柵極電壓小于閾值電壓的區(qū)域。在這個區(qū)域內(nèi)，晶體管會出現(xiàn)漏電流，造成能量浪費和損耗。因此
2023-09-21 16:09:15917 選取9個重要的參數(shù)，包括閾值電壓、工作電壓、工作電流、開啟關閉速度等。
2023-10-08 16:56:08494 
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