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經(jīng)久耐用的電氣隔離技術(shù)以及柵極驅(qū)動器 IC 輸出級和封裝的多項創(chuàng)新
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像許多電子領(lǐng)域一樣，進步持續(xù)發(fā)生。目前，在 3.3 kW 開關(guān)電源 (SMPS) 中，產(chǎn)品效率高達 98%，1U結(jié)構(gòu)尺寸，其功率密度可達 100 W/in3。這之所以可以實現(xiàn)是因為我們在 圖騰柱 PFC 級 中明智地選擇了超結(jié) (SJ) 功率 MOSFET（例如 CoolMOS?），碳化硅 (SiC) MOSFET（例如 CoolSiC?），而且還采用了氮化鎵 (GaN) 功率開關(guān)（例如 CoolGaN?）用于400V LLC 應用。PFC 和 LLC 數(shù)字控制器是必不可少，正如采用平面磁性器件和先進的柵極驅(qū)動器 IC（如 EiceDRIVER?）在實現(xiàn)高性能方面發(fā)揮著重要作用。
主要市場趨勢
經(jīng)久耐用的電氣隔離
在系統(tǒng)的兩個（或多個）部分之間必須進行接地環(huán)路隔離時，就要采用電氣隔離。采用電氣隔離的主要原因有：
避免接地偏移（由電源開關(guān)的正常操作導致）影響系統(tǒng)的正常運行。
防止浪涌或脈沖損害系統(tǒng)的完整性。
保護人們免受有害電擊。
目前，德國 VDE 規(guī)范 DIN VDE V 0884-11:2017-01 (“VDE 0884-11”) 是電氣隔離柵極驅(qū)動器 IC 器件級標準的“黃金標準”。
VDE 0884-11 是任何電氣隔離半導體產(chǎn)品（即，不管是光學隔離、磁性隔離還是電容隔離）的第一個行業(yè)標準，不僅考慮了零時（即制造商測試產(chǎn)品時）的隔離柵特性。VDE 0884-11 還要求產(chǎn)品使用壽命為 20 年。為此，柵極驅(qū)動器 IC 要接受與時間相關(guān)的電介質(zhì)擊穿（TDDB）壽命測試 tBD（擊穿時間），該測試的上限為 37.5 年（見表 1）。
而眾所周知的器件級隔離標準中（如 UL 1577、IEC 60747-5-5 或同時到期的 VDE 0884-10）沒有產(chǎn)品使用壽命的要求。
由于 VDE 0884-11 是德國標準，因此該標準已與在很大程度上類似的國際 IEC 60747-17 標準合并，IEC 60747-17 標準于 2020 年 9 月 20 日發(fā)布。
VDE 0884-11 標準中含有一個不容忽視且非常重要的聲明：
“只有在安全等級范圍內(nèi)才能保證安全的電氣隔離。應通過適當?shù)?a href="http://www.ttokpm.com/tags/保護電路/" target="_blank">保護電路確保符合安全等級?！?br />
在人們需要防止觸電時，這句話尤為重要。
| 器件標準 | 光隔離器 | 磁容隔離器 | |||
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輸入端到輸出端 隔離測試 |
UL1577 | IEC 60747-5-5 |
VDE 0884-10 ?（已過期） |
VDE 0884-11 IEC 60747-17 |
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| 類型 |
VISO；VIOTM HV-50 Hz 交流測試 |
有；VISO | 有；VIOTM | 有；VIOTM | 有；VIOTM |
| 隔離局部放電測試 | 不適用 | 有 | 有 | 有 | |
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VIOSM = 10kV 浪涌脈沖測試 |
不適用 | 有 | 有 | 有 | |
| TDDB 壽命測試 tBD | 不適用 | 不適用 | 不適用 |
有 20 年應用使用壽命的 37.5 年 TDDB 上限 |
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| 確定測試電壓的安全系數(shù) | 不適用 | 不適用 | 有 |
電壓安全系數(shù)：1.2 加強使用壽命安全系數(shù)為 1.875/基本使用壽命安全系數(shù)為 1.3 |
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| 描述樣品測試(60 秒)和生產(chǎn)測試方法/等級(1 秒) | 有 | 有 | 有 | 有 | |
| 強制性季度監(jiān)測 | 不適用 | 有 | 有 | 有 | |
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表 1.器件級隔離標準概述
設(shè)想一下半橋中最壞的情況：高邊 MOSFET 柵極-漏極短路，而低邊 MOSFET 導通。在這種電氣過載（“EOS”）情況下，我們可以觀察到有超過 600 A 的電流流向柵極驅(qū)動器 IC 輸出端。因此，為了保護柵極驅(qū)動器 IC 輸出端，我們?yōu)闁艠O電阻 (R1) 補充了抑制二極管 (D1)（見圖1）。抑制二極管為柵極驅(qū)動器輸出端提供了旁路，將電流引導至半橋中點。因此，我們只要選擇了合適的應用設(shè)計，那么柵極驅(qū)動器 IC 從輸出端到輸入端的隔離功能就能保持不變。
圖1.EOS 測試裝置
除了要保持這種隔離功能外，采用模塑化合物覆蓋的裸露金屬通常不可見，即，必須保持封裝的完整性。
EOS 測試表明，柵極驅(qū)動器 IC 在 IC 輸入端嵌入隔離柵后（如英飛凌科技股份有限公司的 EiceDRIVER? 2EDR 系列），即使沒有抑制二極管 D1，也能滿足這兩項要求。
多個進步領(lǐng)域
UVLO 輸出級啟動時間較短
由于 高邊柵極驅(qū)動器 IC 的自舉電源是一種非常經(jīng)濟高效的解決方案，因此該解決方案很常見。因此，高壓 LLC 中的 半橋 和全橋（典型值 400 V 直流總線電壓），或低壓 DCDC 轉(zhuǎn)換器（例如，48 V 至 12 V）初級側(cè)的硬開關(guān)全橋通常都帶有自舉電路。
柵極驅(qū)動器 IC UVLO 啟動時間較短，從多方面為自舉式設(shè)計提供了優(yōu)勢：
快速正常系統(tǒng)啟動。
欠壓保護后的 LLC 啟動時間較短，例如超過 200 ms，這通常等同于 10 個電源周期。
系統(tǒng)級保護激活后，重啟釋放時的 LLC 啟動時間較短。
在自舉電路升壓期間，由于高邊與低邊 PWM 操作不對稱，主電源變壓器不會出現(xiàn)飽和狀態(tài)。
當在自舉高邊使用典型 UVLO 啟動時間為 2 μs 的雙通道 電氣隔離柵極驅(qū)動器 IC 時，在半橋可以開始工作之前，只會跳過四個高邊脈沖(前提是高邊 VDD 上升被視為典型值)。而類似的柵極驅(qū)動器 IC，其 UVLO 啟動時間為 10 μs 或更長，通常會跳過 10 個或更多高邊脈沖。這就大大延長了半橋工作的開始時間（圖 2）。
圖2.最先進的雙通道隔離柵極驅(qū)動器 IC 的 UVLO 啟動時間比較
合適的 UVLO 關(guān)斷時間
在達到 UVLO 觸發(fā)的輸出級關(guān)斷時，其主要目標是能足夠快地保護開關(guān)器件免受熱過載。
同時，如果只是間歇降至 UVLOoff 閾值以下，則不應關(guān)斷開關(guān)級。
實際經(jīng)驗表明，500 ns 的關(guān)斷延遲是不錯的選擇，這可以避免 VDD 上的噪聲或振鈴（例如由負載跳躍引起）引發(fā)意外的輸出級關(guān)斷。
有源輸出鉗位
輸出鉗位的目的是在柵極驅(qū)動器電源仍低于 UVLOon 閾值的同時確保輸出級安全關(guān)斷。這降低了半橋自舉啟動過程中的直通風險。
在電源電壓高于 UVLOon 閾值時，柵極驅(qū)動器 IC 預計會將控制輸入傳遞到輸出級，即輸出端不再鉗位，而是跟隨輸入端信號。
在自舉半橋級中，當?shù)瓦吳袚Q為升壓電容充電時，由高邊開關(guān)的 CGD 和 CGS組成的容性分壓器會導致 VGS 超過其導通閾值。柵極驅(qū)動器 IC 輸出鉗位的目的在于避免 VGS 超過此導通閾值，并有效地使其短路。而如果輸出鉗位沒有發(fā)生，此時高邊開關(guān)與低邊開關(guān)同時導通，就會形成半橋直通。
先進的柵極驅(qū)動器 IC 帶有輸出鉗位電路，電路會在低至 1.2 V 的 VDD 電平下激活，非常適合高邊開關(guān)的“教科書式”啟動（見圖 3）。
圖3.有源輸出鉗位比內(nèi)置 RC 鉗位的輸出級響應更快
與此相反，如果柵極驅(qū)動器 IC 帶有內(nèi)置慢速RC 鉗位電路，則在半橋的啟動期間會出現(xiàn)一定程度的直通，直到最終 VDD 值高到足以激活輸出鉗位電路為止。這并非理想情況，因為這會導致開關(guān)器件的電氣過載。
具有可配置死區(qū)時間的直通保護
在半橋中引入死區(qū)時間的目的在于，在開關(guān)關(guān)斷后、半橋另一側(cè)導通前，使開關(guān)尾電流衰減。否則，就可能發(fā)生直通事件。超結(jié)功率 MOSFET （例如英飛凌科技股份有限公司的 CoolMOS? ）的典型衰減時間在 300 ns 內(nèi)。
在正常工作的系統(tǒng)中，在控制器 IC 中運行的軟件滿足這一死時間。這樣一來，控制器 IC 就可以管理該開關(guān)級的有效占空比。在確定軟件控制的死區(qū)時間時，控制器 IC 硬件、操作系統(tǒng)和應用軟件的實時性能都起到了作用。因此，基于軟件的有效死區(qū)時間通常不會小于 300 ns。但在大多數(shù)情況下，這一死區(qū)時間要長得多。
為了防止基于軟件的死區(qū)時間控制出現(xiàn)故障，柵極驅(qū)動器 IC 內(nèi)置的直通控制和死區(qū)時間控制可作為第二級安全機制來防止直通事件。
現(xiàn)代雙通道隔離柵極驅(qū)動器 IC 通過外部電阻實現(xiàn)了可配置的死區(qū)時間設(shè)置。死區(qū)時間從 10 ns 到 1000 ns 不等，選擇空間大。因此，這種柵極驅(qū)動器 IC 非常適用于各種功率開關(guān)技術(shù)，包括 氮化鎵 (GaN) 功率開關(guān)。死區(qū)時間精度可達 +/-15%。實際上，這通常比基于 IC 的死區(qū)時間控制的實際控制要精確得多。
封裝創(chuàng)新
雙通道電氣隔離柵極驅(qū)動器 IC，采用 150 mil 和 300 mil DSO 封裝，通常采用 14 引腳配置。在柵極驅(qū)動器 IC 級，傳統(tǒng)的 16 引腳配置與越來越流行的 14 引腳配置之間的區(qū)別在于，先前輸出端的“空”腳實際上已不存在（圖 4）。
這樣就能實現(xiàn)額外的 PCB 頂級布線?；蛘?，由于由此產(chǎn)生的通道間爬電距離增加到了 3.4 mm（參考 IEC 60664-1，I 級污染），因此可以實現(xiàn)高達 1025 VRMS的通道間功能隔離電壓。
電氣隔離柵極驅(qū)動器 IC 的封裝尺寸非常重要，設(shè)計人員現(xiàn)已可選用無引腳 4x4 mm2 封裝。相對于默認的 5x5 mm2 封裝尺寸，4x4 mm2 柵極驅(qū)動器 IC 節(jié)省了 36% 的 PCB 面積。輸入輸出隔離額定值相當于 VISO=2250 VRMS (UL 1577)。
大多數(shù)現(xiàn)代雙通道低邊柵極驅(qū)動器 IC 雖然帶有兩個輸入端，但這些輸入端通常與固定電位相連，這意味著輸入端實際上并未使用。那么，這種輸入端存在的原因是什么，尤其是當想要實現(xiàn)高功率密度時？
圖4.14 引腳與 16 引腳 DSO 封裝比較
雙通道 低邊柵極驅(qū)動器 IC 采用 6 引腳封裝（如有引腳 SOT-23，甚至像 TSNP 等無引腳超小型 1.1x1.5 mm2 6 引腳封裝），是非常實用且經(jīng)濟高效的解決方案（圖 5）。這樣一來，柵極驅(qū)動器 IC 的所有優(yōu)勢都將得以體現(xiàn)，例如數(shù)字導通/關(guān)斷特性、界定的 UVLO、5 A 強輸出級、個位數(shù) ns 傳播延遲精度。同時，最大限度地降低了 PCB 面積占用，提高了 PCB 布局的靈活性。
圖5.采用小尺寸封裝的雙通道低邊柵極驅(qū)動器 IC 示例
結(jié)論
柵極驅(qū)動器 IC 集成了電氣隔離，該功能已經(jīng)從認證為僅在零時狀態(tài)下有效的產(chǎn)品特征發(fā)展成為規(guī)定產(chǎn)品工作壽命為 20 年的產(chǎn)品特性。借助適當?shù)膽迷O(shè)計，隔離功能和封裝完整性即使在嚴重的電氣過載情況下，也絲毫不會受到影響。
縮短 UVLO 啟動時間加快了系統(tǒng)啟動速度，也避免了主電源變壓器出現(xiàn)飽和狀態(tài)。合適的 UVLO 關(guān)斷時間可防止開關(guān)器件出現(xiàn)熱過載，還有助于在 VDD 噪聲或振鈴情況下保證工作穩(wěn)健性。
雖然柵極驅(qū)動器電源仍低于 UVLOon 閾值，但有源輸出鉗位為柵極驅(qū)動器 IC 輸出端提供了一條低阻抗接地路徑。這種最通用的方法可以避免在自舉啟動過程中出現(xiàn)半橋級擊穿事件。
柵極驅(qū)動器 IC 硬件內(nèi)置可配置擊穿保護和死區(qū)時間控制，這些功能是重要的二級安全機制。封裝創(chuàng)新移除了未使用的引腳（以前稱為“空”腳），而且封裝尺寸也越來越小。
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下載建議：應用說明——隔離柵極驅(qū)動解決方案
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參考文獻
[1] Hubert Baierl，“EiceDRIVERTM解決電源中的接地偏移問題”，Elektronicnet.com，2018 年。
[2] Hubert Baierl，“開關(guān)電源設(shè)計不再面臨接地偏移挑戰(zhàn)”，Power Electronic News，2018 年 5 月
[3] Hubert Baierl，“智能診斷優(yōu)化工廠車間正常運行時間”，EE Times Europe，2013 年 5 月
[4] Hubert Baierl，“提供智能化保護”，Bodo Power Systems，2011 年 5 月
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工商網(wǎng)監(jiān)
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