芯片設(shè)計(jì)晶圓代工的3D IC架構(gòu)挑戰(zhàn)

世界不是平的，晶圓代工行業(yè)也是如此。對(duì)性能的需求不斷變化，競(jìng)爭(zhēng)格局也在持續(xù)改變，這是一個(gè)因創(chuàng)新而繁榮的多維市場(chǎng)。盡管晶圓代工行業(yè)經(jīng)歷了天翻地覆的變化，芯片設(shè)計(jì)基本上仍然拘泥于傳統(tǒng)的平面架構(gòu)。

不過(guò)，平面架構(gòu)是否真能釋放理想的性能？

Samsung Foundry 卻并不認(rèn)為這就是終點(diǎn)，因此打造出了 3D IC，這種立方體式的解決方案提供更高水平的性能，超越了傳統(tǒng)的性能尺度。3D IC 這種多層基礎(chǔ)架構(gòu)是我們從二維芯片轉(zhuǎn)向三維立體芯片轉(zhuǎn)型的關(guān)鍵，它實(shí)現(xiàn)了存儲(chǔ)和性能的結(jié)合，讓“延續(xù)摩爾定律”的未來(lái)成為現(xiàn)實(shí)。

改變形態(tài)，改變未來(lái)

在圣何塞舉行的 2022 年三星SAFE論壇上，當(dāng)Samsung Foundry設(shè)計(jì)技術(shù)團(tuán)隊(duì)負(fù)責(zé)人Sangyun Kim邁上講臺(tái)發(fā)表主題演講時(shí)，他向半導(dǎo)體行業(yè)傳遞了一條熟悉的訊息。

他說(shuō)：“計(jì)算需求在快速增加。”并且工藝升級(jí)本身不足以趕上需求的增長(zhǎng)步伐。他的團(tuán)隊(duì)需要確?？蛻襞苴A這些快速的變化，這也是Cube（立體）技術(shù)誕生背后的主要推手。

3D IC Cube技術(shù)將芯片堆疊為一個(gè)立體的結(jié)構(gòu)，將多種解決方案的性能集成到一個(gè)統(tǒng)一的單元中。堆疊后芯片之間的通信速度更快，因?yàn)榕c一維平面芯片設(shè)計(jì)相比，交換信息時(shí)信息的傳遞距離更短。節(jié)省空間和成本也是這種方案的優(yōu)點(diǎn)之一。

不過(guò)也許更重要的是，它改進(jìn)了對(duì)所謂“異構(gòu)集成”的應(yīng)用，即在單個(gè)堆棧中綜合多個(gè)互補(bǔ)的芯片，從而綜合利用各自的優(yōu)點(diǎn)。

“例如，頂部裸片可能是用于實(shí)現(xiàn)高性能的3GAA。底部裸片可能是SF4，甚至傳統(tǒng)節(jié)點(diǎn)的芯片，用于節(jié)省成本或進(jìn)行 IP 復(fù)用”，Kim介紹說(shuō)。

通過(guò)在小空間容納更多的功能，3D IC解決方案擴(kuò)展了摩爾定律的翻倍能力，這在平面芯片時(shí)代是不可想象的。

而正如預(yù)期的那樣，在平面芯片中創(chuàng)建立體設(shè)計(jì)帶來(lái)了新的晶圓代工挑戰(zhàn)。

3D設(shè)計(jì)的挑戰(zhàn)

3D IC解決方案只能利用先進(jìn)的晶圓代工工藝來(lái)實(shí)現(xiàn)，沒(méi)有硅通孔(TSV)技術(shù)，立體解決方案根本無(wú)法實(shí)現(xiàn)。

這種技術(shù)讓晶圓之間的連接更快速、更高效。在立體結(jié)構(gòu)中，TSV用于為頂部裸片構(gòu)建PDN，同時(shí)對(duì)于頂部和底部裸片之間的信號(hào)傳輸也至關(guān)重要，從而提供客戶需要的超快連接。使用TSV技術(shù)需要克服多方面的挑戰(zhàn)。除此之外，我們需要提供一個(gè)電量傳輸網(wǎng)絡(luò)，以通過(guò)這些TSV和Ubump來(lái)支持3D IC堆棧，同時(shí)還必須滿足IR和電磁輻射（EM）要求。

在同一裸片中支持中間層TSV和最后一層TSV，是我們找到的低電阻電量傳輸解決方案。我們還支持多種類型的TSV捆綁，以進(jìn)一步減少高性能應(yīng)用的IR/EM風(fēng)險(xiǎn)。此外，我們通過(guò)應(yīng)力模擬和硅驗(yàn)證減少了TSV及其排除區(qū)城浪費(fèi)，從而可以將某些器件放置到排除區(qū)城中，減少面積浪費(fèi)。最后，我們開發(fā)了一種更傾向宏觀整體的平面擺放指南，以讓我們的設(shè)計(jì)流程具有TSV意識(shí)。

基于Ubump鍵合技術(shù)是3D IC工藝的另一關(guān)鍵技術(shù)。Samsung Foundry的Ubump鍵合技術(shù)經(jīng)過(guò)了各種解決方案的測(cè)試，并已獲準(zhǔn)量產(chǎn)，讓3D IC能夠以低成本在各種設(shè)備中實(shí)現(xiàn)。這讓客戶可以利用這些基本的技術(shù)以及 PDK、DK、IP、DM設(shè)計(jì)基礎(chǔ)設(shè)施，輕松開始設(shè)計(jì)3D IC。

一個(gè)設(shè)計(jì)問(wèn)題

不過(guò)在實(shí)施3D IC解決方案時(shí)，存在另一個(gè)平面芯片不會(huì)出現(xiàn)的問(wèn)題：功能模組是該放在頂部還是底部？

為幫助客戶解答這一問(wèn)題，我們與 EDA 合作伙伴聯(lián)合開發(fā)了一種分區(qū)方法論，以在早期設(shè)計(jì)階段使用。借助這些方法論，每個(gè)DOE都可以進(jìn)行電壓降（IR）分析，并讓設(shè)計(jì)師可以選擇適合其用途的候選方案。其優(yōu)勢(shì)是多方面的：通過(guò)從適合的候選分區(qū)方案開始3D IC設(shè)計(jì)，相較傳統(tǒng)方法，可縮短交付周期。

盡管立體設(shè)計(jì)存在多方面的挑戰(zhàn)，我們只需在傳統(tǒng)2D設(shè)計(jì)工作流程的基礎(chǔ)上增加幾個(gè)額外的步驟，即可創(chuàng)建 3D 設(shè)計(jì)。其中大部分額外的步驟都在于TSV的放置，此外頂部和底部裸片之間的 Ubump對(duì)齊也需要單獨(dú)的步驟。

為確保性能達(dá)到并超越標(biāo)準(zhǔn)，我們高度重視測(cè)試。我們首先對(duì)頂部和底部裸片進(jìn)行單獨(dú)測(cè)試，然后對(duì)整個(gè)3D結(jié)構(gòu)進(jìn)行IEEE標(biāo)準(zhǔn)1838測(cè)試，以確保理想的裸片堆疊。

“由于這種解決方案為鍵合前和鍵合后測(cè)試提供了基本的3D測(cè)試架構(gòu)，它不僅讓我們有機(jī)會(huì)提高堆疊裸片模式的效率，同時(shí)也有利于保證質(zhì)量”，Kim向參加三星SAFE論壇的觀眾解釋道。如果測(cè)試結(jié)果顯示存在預(yù)料之外的缺陷，三星的智能通道修復(fù)解決方案可進(jìn)行必要的修改來(lái)提高良率。

減少關(guān)口以改進(jìn)簽收時(shí)序

簽收挑戰(zhàn)是3D IC架構(gòu)的天然結(jié)果——這是指不同的簽收關(guān)口可能缺乏控制。這是在每個(gè)芯片上使用不同的技術(shù)進(jìn)行制造的副作用。為解決這一問(wèn)題，三星開發(fā)了一種稱為減少關(guān)口的新方法學(xué)，這種方法在時(shí)序簽收中使用主導(dǎo)關(guān)口，而不是全部的組合。

而對(duì)于IR/EM簽收，三星面臨了一種完全不同的挑戰(zhàn)。由于裸片通過(guò)TSV供電，后者在現(xiàn)有的 2D 設(shè)計(jì)中是不存在的，每個(gè)裸片的電壓降（IR）/ 電遷移（EM）可能會(huì)相互影響。為解決這一問(wèn)題，我們同時(shí)分析了多芯片的 IR/EM。

攜手重塑性能

緊密合作是半導(dǎo)體創(chuàng)新的重要推動(dòng)力量，許多解決方案都是我們與EDA生態(tài)系統(tǒng)合作伙伴共同努力的直接結(jié)晶。

“當(dāng)然，克服新的技術(shù)挑戰(zhàn)只是我們與EDA合作的內(nèi)容之一”，Kim提醒觀眾。Samsung Foundry與四家主要的EDA攜手，成功開發(fā)了從合成到簽核的3D IC設(shè)計(jì)工作流程，這一成功的實(shí)現(xiàn)與專注于創(chuàng)造更優(yōu)工作流程的SAFE EDA合作伙伴的幫助不可分割。

無(wú)論是哪種技術(shù)，變革都來(lái)自于客戶的需求。對(duì)多芯片堆疊技術(shù)的需求與日俱增，催生出2.5D和3D解決方案，打開了新的性能和能效維度。而要滿足這些需求，并沒(méi)有一招鮮吃遍天的方法。這需要我們走出平面思維的局限，在全新的維度中探索。就如人類擺脫地球是平的這一認(rèn)識(shí)，Samsung Foundry不斷突破自我，以重塑其產(chǎn)品和行業(yè)，努力為客戶提供更高層次的創(chuàng)新。

編輯：黃飛

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