外延工藝是指在襯底上生長完全排列有序的單晶體層的工藝。一般來講，外延工藝是在單晶襯底上生長一層與原襯底相同晶格取向的晶體層。外延工藝廣泛用于半導體制造，如集成電路工業(yè)的外延硅片。MOS 晶體管
2023-02-13 14:35:47
10448 和高質量的晶體管，它們都需要用到外延晶片。在本文中，我們將介紹這種在晶圓之上由超純硅構成的超高純層(也被稱為“外延層)的形成過程、用途和特征。
2023-06-26 10:05:29417 
近日有國外媒體報道，TCL集團將考慮收購半導體器材制造商ASMInternationalNV(以下簡稱“ASM國際”)旗下ASMPacificTechnologyLimited(以下簡稱“ASM
2018-10-10 10:55:154789 在microLED顯示器和功率器件的驅動下，外延設備的出貨量在未來五年將增長三倍以上。 外延在半導體產(chǎn)業(yè)鏈中的位置 化合物半導體外延片正大舉進軍超越摩爾領域 據(jù)麥姆斯咨詢介紹，目前，外延生長用于
2020-01-30 09:58:584545 Asterion DC ASM系列電源可通過直觀易用的觸摸屏或數(shù)字通信接口進行控制，其標配LXI LAN，USB和RS232接口且可選配GPIB接口。
2021-11-23 09:57:363179 
就像我之前的線程一樣，我不得不暫時離開圖片編程，所以我的大腦對于我在項目中停止的地方有點模糊。在XC8中，我在以下標記的行中得到一個語法錯誤：void PICRTCC_unlockRTC(){asm
2020-04-24 13:46:50
本書主要內容包括：電源技術概述及通信電源系統(tǒng)組成、相位控制型電源、基準電源與程控電源、開關型穩(wěn)壓電源、物理電源與化學電源、不間斷電源、通信電源集中監(jiān)控系統(tǒng)以及開關電源的設計等。
2013-02-19 15:14:35
電源常用技術與算法是什么？
2021-09-27 06:40:27
擾動的來源是多個負載連接到同一網(wǎng)絡，引起擾動穿越鄰近設施和建筑物。為了克服電源質量挑戰(zhàn)，有必要監(jiān)控輸入以及負載產(chǎn)生的擾動。電源質量監(jiān)控可為設備提供適當?shù)谋Ｗo，并且?guī)椭_定合適的管控技術來提高電源質量。如果利益相關方充分利用這些技術，其昂貴的基礎設施將受益于干凈的電源并獲得更長的使用壽命。
2019-07-16 08:24:22
您好，在CCS6.0的開發(fā)環(huán)境中，想生成.asm文件，看看編譯器的反饋信息。問題是：在工程屬性中，設置了-mw，即把generate verbose software pipeline
2019-02-22 09:11:54
大家好，我正在研究PIC16F68上的一個舊的ASM軟件。在某些情況下，會發(fā)生設備復位，我試圖找出原因。我不能把ICD3作為調試器，因為程序內存已滿（2個單詞空閑）。我試過：-禁用配置位=>中
2020-03-31 09:55:07
嗨，我繞了一圈想弄清楚RN4871上如何啟用不同的電源模式，以及它們對于設備行為的意義，所以我在下面列出了電源模式的參考資料。特別是，我試圖進入最低功率模式，根據(jù)數(shù)據(jù)表繪制1至1.7uA。注意，在
2020-04-17 07:48:38
Verilog設計內外延時
2012-08-15 16:31:14
ch9328的USB端可以外延帶屏蔽的標準USB線嗎，有線長要求嗎？
2022-07-07 06:08:49
我想了解關于LED關于外延片生長的結構，謝謝
2013-12-11 12:50:27
lrwxrwxrwx1 root root8 May1 03:01 asm -> asm-i386 問一下怎么修改asm的鏈接？？？？？asm -> asm-arm
2020-06-05 14:34:21
嗨，在研究谷歌之后，在XC32指南上，我放棄并問：ASM（“…”）和ASM易失性（“…”）之間的區(qū)別是什么？而且，ASM和γ-ASMY之間有什么區(qū)別嗎？謝謝你，M.R. 以上來自于百度翻譯 以下
2018-09-26 16:32:30
我正在 Linux 中開發(fā) ASM330LH。在內核中啟用 ASM 驅動程序、IIO 驅動程序并在設備樹中添加 asm 節(jié)點條目后，設備就會被檢測到。目標：/sys/bus/iio/devices
2023-01-13 08:14:53
在電子技術飛速發(fā)展的今天，電力電子技術越來越受到人們的重視，而其中電源技術的更新?lián)Q代更加推動了相關電子設備及元器件的發(fā)展。不論是人們的日常生活還是現(xiàn)代電子戰(zhàn)爭，電源系統(tǒng)作為其動力源，其地位
2019-07-24 06:06:07
` 有誰用過SEMILAB的SRP-2000外延片厚度測試儀，關于測試儀的機構和控制部分，尤其是精度部分希望交流，資料可發(fā)g-optics@163.com，多謝！`
2018-11-20 20:25:37
說到電子設備通用技術，網(wǎng)上關于這方便的介紹少之又少，有的甚至聯(lián)系到高中的通用技術這一門課，其實不然。首先來說一下通用技術，通用技術是指在運行過程中起到基本作用的，區(qū)分于專用技術的技術手段。其次來說
2021-01-19 07:30:02
線性可編程電源工作原理是什么？程控電源技術和應用指南是什么？
2021-05-08 06:55:32
組件可以通過創(chuàng)建和獲取電源管理鎖來控制功耗編譯時可使用CONFIG_PM_ENABLE選項啟用電源管理功能電源管理配置（摘自官網(wǎng)）啟用電源管理功能將會增加中斷延遲。額外延遲與多個因素有關，例如CPU頻率
2021-12-27 06:11:35
通信電源設備的防雷技術要求和測試方法通信電源設備的防雷是個系統(tǒng)工程，必須從市電交流電力網(wǎng)超高壓開始逐級采取措施.在對電力線入局前電力變壓器的低壓側,電力網(wǎng)的配電系統(tǒng),引入通信局(站)的電力電纜及其
2009-12-02 10:51:21
各位大神，目前國內賣銦鎵砷紅外探測器的有不少，知道銦鎵砷等III-V族化合物外延片都是哪些公司生產(chǎn)的嗎，坐等答案
2013-06-04 17:22:07
通信電源新技術與新設備:本書為郵電部通信電源專業(yè)情報網(wǎng)組織編寫的“通信電源新技術與新設備叢書”中的一種。全書共分七章：第一章論述了蓄電池的類型、基本性能、行業(yè)標
2009-03-19 17:23:10
46 和渦輪分子泵, 檢漏儀 ASM 392 內置2臺渦輪分子泵, 可以加速檢漏流程, 降低生產(chǎn)設備的停機時間, ASM 390, ASM 392 對氦氣的快速抽空能力
2022-07-28 09:19:53
如何導入ASM文件到工程(視頻教程)
2009-07-25 09:54:1539 NPN 硅外延三極管型號
2009-11-12 14:28:4121 VDMOS功率器件用硅外延片:1973 年美國IR 公司推出VDMOS 結構，將器件耐壓、導通電阻和電流處理能力提高到一個新水平。功率VDMOS 管是在外延片上制作的，由于一個管芯包括幾千個元胞
2009-12-21 10:52:2440 Marki Microwave 的 MEQ3-14ASM 是一款增益均衡器，頻率為 DC 至 14 GHz，增益均衡為 3 dB。標簽：表面貼裝，正
2023-05-12 13:42:37
Marki Microwave 的 MEQ6-20ASM 是一款增益均衡器，頻率為 DC 至 20 GHz，增益均衡為 6 dB。標簽
2023-05-12 13:51:17
Marki Microwave 的 MEQ7-20ASM 是一款增益均衡器，頻率為 DC 至 20 GHz，增益均衡為 7.5
2023-05-12 13:52:59
電氣設備-電源設備技術和市場優(yōu)勢成就軌道交通電源行業(yè)強者
2010-11-10 23:55:4018 LED 外延片--襯底材料襯底材料是半導體照明產(chǎn)業(yè)技術發(fā)展的基石。不同的襯底材料，需要不同的外延生長技術、芯片加工技術和器件封裝技術，襯底材料決定了半導體照明技
2010-12-21 16:39:290 硅單晶外延層的質量檢測與分析
表征外延層片質量的主要參數(shù)是外延層電阻率、厚度、層錯及位錯密度、少數(shù)載流子壽命
2009-03-09 13:55:402682 
IR收購ATMI硅外延服務部
電源管理技術領先供應商國際整流器公司(International Rectifier，簡稱IR)宣布收購ATMIInc.(納斯達克：ATMI)的特殊硅外延服務部。目
2009-07-06 08:45:27934 ASM-51宏匯編使用手冊
ASM-51 宏匯編主要用來開發(fā)Inter8051系列單片機，它具有宏處理，數(shù)據(jù)處理，列表處理和條件處理等多種功能。源程
2009-09-06 09:04:491460
外延型二極管 用外延面長的過程制造PN結而形成的二極管。制造時需要非常高超的技術。因能隨意地控制雜質的不同濃度的分布，故適宜于制造高靈敏度
2009-11-07 08:43:34686 啟用PowerFill外延硅工藝的電源設備
ASM International推出了其PowerFill的外延硅（Epi Si）溝槽填充工藝。新工藝可使帶有摻雜物的外延硅深溝無縫隙填充。 PoweRFill是一個精
2010-01-23 08:35:54539 ASM啟用功新的PowerFill外延技術的電源設備
ASM今天推出了其PowerFill(TM)的外延硅(Epi Si)溝槽填充工藝。新工藝可使帶有摻雜物的外延硅深溝無縫隙填充。 PowerFill是一個精
2010-01-23 09:32:32796 采用PowerFill外延硅工藝的電源器件
ASM International推出了其PowerFill的外延硅（Epi Si）溝槽填充工藝。新工藝可使帶有摻雜物的外延硅深溝無縫隙填充。 PoweRFill是一個精
2010-01-25 09:17:05525 利用外延片焊接技術,把Si(111)襯底上生長的GaN藍光LED外延材料壓焊到新的Si襯底上.在去除原Si襯底和外延材料中緩沖層后,制備了垂直結構GaN藍光LED.與外延材料未轉移的同側結構相比,轉移
2011-04-14 13:29:3429 外延片的生產(chǎn)制作過程是非常復雜，展完外延片，接下來就在每張 外延片 隨意抽取九點做測試，符合要求的就是良品，其它為不良品(電壓偏差很大，波長偏短或偏長等)。 半導體制造
2011-09-22 16:38:321188 本內容介紹了LED外延片基礎知識，LED外延片--襯底材料，評價襯底材料必須綜合考慮的因素
2012-01-06 15:29:542743 ASM固晶培訓資料.關于固晶和焊線的相關知識介紹
2015-11-10 15:07:430 tms320f2x ASM GUIDE。
2016-01-19 11:27:4010 如何啟用USB主機到主機設備的API支持Android_英版。
2016-10-12 16:05:100 AT&T_ASM資料，匯編語言。
2016-11-23 11:52:461 對于禁用和啟用網(wǎng)卡，找到控制面板的網(wǎng)絡設置里面就可以搞定的，但他們偏偏不，就要用批處理實現(xiàn)，好吧，微軟的 DevCon 工具就可以命令行禁用或啟用網(wǎng)卡，下面是兩個批處理的例子。
2017-09-20 14:37:355 ARM Bootloader 的實現(xiàn)C 和 ASM 混合編程
2017-10-30 09:28:1615 人臉跟蹤和特征提取是人臉識別和機器視覺的關鍵技術。主動形狀模型（Active Shape Model，ASM）是由Cootes等人于1995年提出的一種基于點分布模型算法，已經(jīng)被廣泛應用于單幅人臉
2017-12-19 13:47:560 ASM絕對半導體后段工序設備同時也是蘋果華為小米背后的隱形大佬，近年來，ASMPT的后段工序設備和SMT業(yè)務市占率均已位居全球第一，身家400億，行業(yè)內大名鼎鼎卻像個謎。近一年多來，ASMPT回購和大股東減持，ASMI卻仍舊選擇高位減持。
2018-02-07 11:08:2130313 
80386asm匯編集合
2018-03-02 11:47:202 這個應用筆記提供的例子展示了幾個可以在DSP/BIOS啟用的應用程序中使用的電源管理技術。正如大多數(shù)軟件技術一樣，沒有一個適合所有人。你應該決定哪些技術對你的應用程序是有意義的。
2018-05-03 15:04:244 KEILC中.ASM文的導入和硬件仿真 第一大部分，如何把ASM格式文件導入KEIL中： 第1步,啟動KEIL,新建工程 第2步,給新建工程起一個名字然后選擇保存 第3步,選擇要仿真的芯片種類
2018-09-21 14:38:011557 據(jù)媒體報道，TCL正考慮競購ASMI公司所持有的半導體設備企業(yè)ASM Pacific Technology Ltd. （ASM太平洋科技有限公司，以下簡稱ASMPT）的25%的股權。
2018-09-30 17:20:004169 近日，據(jù)報道，中國電子巨頭 TCL集團（ 000100）考慮收購半導體器材制造商ASM International NV(ASM國際00522，HK)旗下ASM Pacific Technology Limited(以下簡稱“ASM太平洋”)的25%股權。
2018-10-10 10:22:573182 LED的波長、亮度、正向電壓等主要光電參數(shù)基本上取決于外延片材料，因此，外延片材料作為LED工作原理中的核心部分，了解LED外延片技術的發(fā)展及工藝非常重要。
2018-11-01 16:41:124525 ，且在采用國際業(yè)界嚴苛判據(jù)標準的情況下，聚能晶源研制的外延晶圓在材料、機械、電學、耐壓、耐高溫、壽命等方面具有性能優(yōu)勢，能夠保障相關材料與技術在 5G 通訊、云計算、快充電源、無線充電等領域得到安全可靠的應用。
2018-12-20 15:21:175525 重慶市大足區(qū)人民政府官網(wǎng)信息顯示，近日，聚力成半導體（重慶）有限公司（以下簡稱“聚力成半導體”）一期廠房正式啟用，計劃10月開始外延片的量產(chǎn)，生產(chǎn)線達21條，年產(chǎn)能達12萬片。
2019-06-10 16:43:314390 近幾年，“LED”一詞熱得燙手，國內LED技術與市場發(fā)展迅速，取得了外延片、芯片核心技術的突破性進展。那么，關于LED外延片、芯片，你了解多少呢？
2019-11-25 14:06:4918633 ASM公司的引線框架事業(yè)部在全球引線框架領域排名前三，該事業(yè)部具有先進的制造技術與長遠的產(chǎn)品路線規(guī)劃。
2020-07-29 16:09:01840 本文檔的主要內容詳細介紹的是ASM源文件編譯器軟件免費下載。適用于32位計算機，asm編譯器，將ASM51.exe放在同一目錄，在dos狀態(tài)編譯 如； d:asm51.exe ***.ASM{注意要空格}直接生成hex燒錄文件
2020-08-07 08:00:005 （ASM，architectedsoftmachine）。這個ASM將利用3D打印技術制造出真正的軟體機器人。
2020-08-14 10:16:15969 在半導體科學技術的發(fā)展中，氣相外延發(fā)揮了重要作用，該技術已廣泛用于Si半導體器件和集成電路的工業(yè)化生產(chǎn)。
2020-08-28 14:24:314759 
據(jù)外媒1月30日報道，加拿大Micro LED技術開發(fā)商VueReal宣布與ASM太平洋（ASMPT）達成合作關系，雙方將整合VueReal的墨盒Micro LED轉移技術與ASMPT的Micro LED巨量轉移接合技術。
2021-02-02 11:48:173304 ADP5135：三個1800 mA降壓穩(wěn)壓器，帶精確啟用和電源良好輸出數(shù)據(jù)表
2021-04-19 20:00:288 EE-32：語言擴展：內存存儲類型、ASM和內聯(lián)構造
2021-04-25 09:32:227 最近做芯片和外延的研究，發(fā)現(xiàn)同樣的外延工藝和芯片工藝做出來的芯片性能差別很大，大到改變試驗設計的“世界觀”?；逡r底的質量好壞很關鍵。
2021-08-12 10:55:584302 
組件可以通過創(chuàng)建和獲取電源管理鎖來控制功耗編譯時可使用CONFIG_PM_ENABLE選項啟用電源管理功能電源管理配置（摘自官網(wǎng)）啟用電源管理功能將會增加中斷延遲。額外延遲與多個因素有關，例如CPU頻率、單/雙核模式、是否需要進行頻率切換等（CPU 頻率為 240 MHz 且未啟用頻率調節(jié)時，最小額外延遲
2022-01-05 14:38:443 完成接線并數(shù)據(jù)閃存之后，便可在特定軟件環(huán)境中對溫度信號進行調。通過環(huán)境界面中的標定變量 “ASM_Temp_facTGain_C” 和 “ASM_Temp_tOfst_C” 增大或減小ECU讀到的溫度值，達到終端客戶要求。
2022-07-14 16:07:45792 重組ASM存儲空間，從底層解析ASM磁盤，導出數(shù)據(jù)庫文件。從底層解析這些數(shù)據(jù)庫文件，按用戶將數(shù)據(jù)導入到新的數(shù)據(jù)庫中。
2022-09-26 11:15:231928 
固相外延，是指固體源在襯底上生長一層單晶層，如離子注入后的熱退火實際上就是一種固相外延過程。離于注入加工時，硅片的硅原子受到高能注入離子的轟擊
2022-11-09 09:33:5210252 該外延片專為新能源汽車電驅系統(tǒng)開發(fā)，以適用目前更高效的800V電壓架構。并且該外延片基于國產(chǎn)設備開發(fā)，完全自主可控。
2022-11-18 10:08:54901 氮化鎵外延片生長工藝較為復雜，多采用兩步生長法，需經(jīng)過高溫烘烤、緩沖層生長、重結晶、退火處理等流程。兩步生長法通過控制溫度，以防止氮化鎵外延片因晶格失配或應力而產(chǎn)生翹曲，為目前全球氮化鎵外延片主流制備方法。
2023-02-05 14:50:004345 氮化鎵外延片指采用外延方法，使單晶襯底上生長一層或多層氮化鎵薄膜而制成的產(chǎn)品。近年來，在國家政策支持下，我國氮化鎵外延片行業(yè)規(guī)模不斷擴大。
2023-02-06 17:14:353012 通常是指的在藍寶石襯底上用外延的方法（MOCVD）生長的GaN。外延片上面一般都已經(jīng)做有u-GaN，n-GaN，量子阱，p-GaN。
2023-02-12 14:31:252103 碳化硅(SiC)是制作高溫、高頻、大功率電子器件的理想電子材料,近20 年來隨著外延設備和工藝技術水平不斷 提升,外延膜生長速率和品質逐步提高,碳化硅在新能源汽車、光伏產(chǎn)業(yè)、高壓輸配線和智能電站
2023-02-16 10:50:096936 晶體管 ( HEMT) 的性能，不同材料特征的表征需要不同的測量工具和 技術，進而呈現(xiàn)器件性能的優(yōu)劣。綜述了 GaN HEMT 外延材料的表征技術，詳細介紹了幾種表 征技術的應用場景和近年來國內外的相關
2023-02-20 11:47:22876 氮化鎵外延片工藝是一種用于制備氮化鎵外延片的工藝，主要包括表面清洗、氮化處理、清洗處理、干燥處理和檢測處理等步驟。
2023-02-20 15:50:3210570 數(shù)據(jù)庫故障：
Oracle數(shù)據(jù)庫的ASM磁盤組掉線，ASM實例不能掛載。管理員嘗試修復數(shù)據(jù)庫但是沒有成功。
數(shù)據(jù)庫數(shù)據(jù)恢復方案：
數(shù)據(jù)庫數(shù)據(jù)恢復工程師通過分析組成ASM磁盤組的磁盤
2023-03-03 13:42:50571 
在半導體科學技術的發(fā)展中，氣相外延發(fā)揮了重要作用，該技術已廣泛用于Si半導體器件和集成電路的工業(yè)化生產(chǎn)。
2023-05-19 09:06:462467 
外延層是在晶圓的基礎上，經(jīng)過外延工藝生長出特定單晶薄膜，襯底晶圓和外延薄膜合稱外延片。其中在導電型碳化硅襯底上生長碳化硅外延層制得碳化硅同質外延片，可進一步制成肖特基二極管、MOSFET、 IGBT 等功率器件，其中應用最多的是4H-SiC 型襯底。
2023-05-31 09:27:092828 
如何計算啟用4個內核的T4241的功率？ 要計算T4241啟用4個內核的功率，需要知道以下信息： 1. T4241的額定電源電壓和電流 2. T4241啟用一個內核的功耗 3. T4241啟用四個
2023-06-01 15:12:47278 對于摻雜的SiC外延片，紅外光譜測量膜厚為通用的行業(yè)標準。碳化硅襯底與外延層因摻雜濃度的不同導致兩者具有不同的折射率，因此試樣的反射光譜會出現(xiàn)反映外延層厚度信息的連續(xù)干涉條紋。
2023-08-05 10:31:47914 
數(shù)據(jù)庫數(shù)據(jù)恢復環(huán)境：
Oracle數(shù)據(jù)庫ASM磁盤組有4塊成員盤。
數(shù)據(jù)庫故障&分析：
Oracle數(shù)據(jù)庫ASM磁盤組掉線 ，ASM實例無法掛載，用戶聯(lián)系我們要求恢復oracle數(shù)據(jù)庫。
2023-08-11 15:27:24851 碳化硅功率器件與傳統(tǒng)硅功率器件制作工藝不同，不能直接制作在碳化硅單晶材料上，必須在導通型單晶襯底上額外生長高質量的外延材料，并在外延層上制造各類器件。
2023-08-15 14:43:341002 
asm預計兩年內銷售額將從28億至34億歐元增加到30億至36億歐元。asm還重申了2023至2025年的總利潤率為46%至50%，營業(yè)利潤率為26至31%的目標。他還表示，將2026年至2027年設定了同樣的目標，此后營業(yè)利潤率將呈現(xiàn)上升趨勢。
2023-09-27 09:45:53450 此外，研磨技術的缺點還有統(tǒng)一性不高，多片加工時對外延片的厚度的組合比較苛刻，并且加工效率較低。如果將研磨后的外延片再進行CMP處理，則需要較長的時間才能去除掉損傷層。并且由于襯底的厚度不同，外延的厚度也不同，因此每一片外延片的減薄要求也不同，整體加工效率較低。
2023-09-27 16:35:43433 
外延工藝的介紹，單晶和多晶以及外延生長的方法介紹。
2023-11-30 18:18:16878 
分子束外延(Molecular beam epitaxy，MBE)是一種在超高真空狀態(tài)下，進行材料外延技術，下圖為分子束外延的核心組成，包括受熱的襯底和釋放到襯底上的多種元素的分子束。
2024-01-15 18:12:10967 
只有體單晶材料難以滿足日益發(fā)展的各種半導體器件制作的需要。因此，1959年末開發(fā)了薄層單晶材料生長技外延生長。那外延技術到底對材料的進步有了什么具體的幫助呢？
2024-02-23 11:43:59304 
證監(jiān)會近日公告顯示，深圳市納設智能裝備股份有限公司（簡稱“納設智能”）已正式開啟首次公開發(fā)行股票并上市的輔導備案程序。該公司專注于第三代半導體碳化硅（SiC）外延設備以及石墨烯等先進材料的研發(fā)、生產(chǎn)、銷售和應用推廣，是國產(chǎn)碳化硅外延設備的領軍企業(yè)。
2024-02-26 17:28:02487 預計該項目投資總額3.5億元人民幣，將引進碳化硅外延設備及輔助設備共計116套。其中包括一條具備24萬片年產(chǎn)量的6英寸低密度缺陷碳化硅外延材料產(chǎn)線。
2024-02-29 16:24:01218 聚焦碳化硅襯底片和碳化硅外延設備兩大業(yè)務。公司已掌握行業(yè)領先的8英寸碳化硅襯底技術和工藝，量產(chǎn)晶片的核心位錯達到行業(yè)領先水平。
2024-03-22 09:39:2973
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