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飛兆半導(dǎo)體推出MOSFET器件FDMC7570S

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第三代半導(dǎo)體材料盛行,GaN與SiC如何撬動新型功率器件

的一種最具有優(yōu)勢的半導(dǎo)體材料.并且具有遠(yuǎn)大于Si材料的功率器件品質(zhì)因子。SiC功率器件的研發(fā)始于20世紀(jì)90年代.目前已成為新型功率半導(dǎo)體器件研究開發(fā)的主流。2004年SiC功率MOSFET不僅在高
2017-06-16 10:37:22

鄭州電子IC收購 鄭州電子IC回收公司

Fairchild功率MOSFET、回收電力半導(dǎo)體收購功率晶體管 收購功率模塊 、收購IGBT模塊、收購IGBT單管收購兆二極管 收購快恢復(fù)二極管 收購 超快二極管、收購
2020-10-16 16:18:12

半導(dǎo)體器件測試-IGBT器件全參數(shù)測試-電子元件

服務(wù)范圍MOSFET、IGBT、DIODE、BJT,第三代半導(dǎo)體器件等分立器件,以及上述元件構(gòu)成的功率模塊。檢測標(biāo)準(zhǔn)l  AEC-Q101分立器件認(rèn)證l  MIL-STD-750
2024-01-29 22:00:42

#硬聲創(chuàng)作季 #半導(dǎo)體器件 功率半導(dǎo)體器件-26-功率MOSFET1-1

MOSFETFET功率MOSFET功率半導(dǎo)體
水管工發(fā)布于 2022-10-13 17:41:32

#硬聲創(chuàng)作季 #半導(dǎo)體器件 功率半導(dǎo)體器件-26-功率MOSFET1-2

MOSFETFET功率MOSFET功率半導(dǎo)體
水管工發(fā)布于 2022-10-13 17:41:55

#硬聲創(chuàng)作季 #半導(dǎo)體器件 功率半導(dǎo)體器件-26-功率MOSFET1-3

MOSFETFET功率MOSFET功率半導(dǎo)體
水管工發(fā)布于 2022-10-13 17:42:15

#硬聲創(chuàng)作季 #半導(dǎo)體器件 功率半導(dǎo)體器件-27-功率MOSFET2-1

MOSFETFET功率MOSFET功率半導(dǎo)體
水管工發(fā)布于 2022-10-13 17:42:36

#硬聲創(chuàng)作季 #半導(dǎo)體器件 功率半導(dǎo)體器件-27-功率MOSFET2-2

MOSFETFET功率MOSFET功率半導(dǎo)體
水管工發(fā)布于 2022-10-13 17:42:57

#硬聲創(chuàng)作季 #半導(dǎo)體器件 功率半導(dǎo)體器件-28-功率MOSFET3-1

MOSFETFET功率MOSFET功率半導(dǎo)體
水管工發(fā)布于 2022-10-13 17:43:17

功率半導(dǎo)體器件鳥瞰

功率半導(dǎo)體器件鳥瞰 當(dāng)代功率半導(dǎo)體器件大致可以分成三類:一是傳統(tǒng)的各類晶閘管;二是近二十年來發(fā)展起來的功率MOSFET
2009-07-09 11:37:211672

FDZ197PZ 飛兆半導(dǎo)體推出單一P溝道MOSFET器件

FDZ197PZ 飛兆半導(dǎo)體推出單一P溝道MOSFET器件 飛兆半導(dǎo)體公司 (Farichild Semiconductor)為智能電話、手機(jī)、上網(wǎng)本、醫(yī)療和其它便攜式應(yīng)用的設(shè)計人員帶來
2009-08-04 08:15:47604

安森美半導(dǎo)體推出12款新N溝道功率MOSFET系列

安森美半導(dǎo)體推出12款新N溝道功率MOSFET系列 經(jīng)過100%雪崩測試的MOSFET提供業(yè)界領(lǐng)先的雪崩額定值,能承受電源和電機(jī)控制應(yīng)用中的大電壓尖峰 2010年2月2日 – 應(yīng)用
2010-02-03 10:13:151095

安森美半導(dǎo)體推出高壓MOSFET系列

安森美半導(dǎo)體推出高壓MOSFET系列   應(yīng)用于綠色電子產(chǎn)品的首要高性能、高能
2010-02-23 10:06:56831

半導(dǎo)體器件,半導(dǎo)體器件的種類

半導(dǎo)體器件,半導(dǎo)體器件的種類 半導(dǎo)體器件從肯有2個管腳的二極管到最新的系統(tǒng)LSI、超大功率器件均有廣泛的研究,且被廣泛地運(yùn)用于手機(jī)、數(shù)碼家電產(chǎn)品
2010-03-01 17:25:025985

飛兆半導(dǎo)體高效率緊湊電源解決方案MOSFET器件

飛兆半導(dǎo)體高效率緊湊電源解決方案MOSFET器件    飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)推出具高效率和出色熱性能,并有助實現(xiàn)更薄、更輕和更緊湊的電源解決方
2010-03-03 10:50:39633

飛兆半導(dǎo)體推出N溝道MOSFET器件可延長電池壽命

飛兆半導(dǎo)體推出N溝道MOSFET器件可延長電池壽命 飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)因應(yīng)手機(jī)、便攜醫(yī)療設(shè)備和媒體播放器等便攜應(yīng)用設(shè)備的設(shè)計和元件工
2010-03-20 08:51:551143

茂鈿半導(dǎo)體新一代MOSFET介紹

茂鈿半導(dǎo)體新一代MOSFET介紹 茂鈿半導(dǎo)體新一代MOSFET應(yīng)用于直接式和邊緣式 LED背光驅(qū)動模塊,已被多家大型LED TV背光模塊企業(yè)采用,推出這些瞄準(zhǔn) LED 背光電視市場的新產(chǎn)
2010-04-09 09:18:411263

飛兆半導(dǎo)體推出低導(dǎo)通電阻MOSFET

  飛兆半導(dǎo)體推出了導(dǎo)通電阻RDS(ON)小于1mΩ的30V MOSFET,這款全新飛兆半導(dǎo)體器件FDMS7650是最大RDS(ON)值為0.99mΩ (VGS = 10 V, ID = 36A)的N溝道器件,它是業(yè)界采用5×6mm POWER56封裝且RDS(ON)
2010-12-29 09:09:391534

半導(dǎo)體物理與器件MOSFET基本工作原理#半導(dǎo)體

半導(dǎo)體MOSFET驅(qū)動器
學(xué)習(xí)電子發(fā)布于 2022-11-10 14:28:52

半導(dǎo)體器件原理與仿真設(shè)計: MOSFET的增量電導(dǎo)#半導(dǎo)體

仿真MOSFET驅(qū)動器半導(dǎo)體器件
學(xué)習(xí)電子發(fā)布于 2022-11-10 19:40:12

半導(dǎo)體器件原理與仿真設(shè)計: MOSFET的特性曲線(1)#半導(dǎo)體

仿真MOSFET驅(qū)動器半導(dǎo)體器件
學(xué)習(xí)電子發(fā)布于 2022-11-10 19:41:26

半導(dǎo)體器件原理與仿真設(shè)計: MOSFET的特性曲線(2)#半導(dǎo)體

仿真MOSFET驅(qū)動器半導(dǎo)體器件
學(xué)習(xí)電子發(fā)布于 2022-11-10 19:42:50

半導(dǎo)體器件原理與仿真設(shè)計: MOSFET的跨導(dǎo)#半導(dǎo)體

仿真MOSFET驅(qū)動器半導(dǎo)體器件
學(xué)習(xí)電子發(fā)布于 2022-11-10 19:48:11

飛兆半導(dǎo)體開發(fā)出PowerTrench MOSFET器件FDMS86500L

飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)開發(fā)出N溝道PowerTrench MOSFET器件FDMS86500L,該器件經(jīng)專門設(shè)計以最大限度地減小傳導(dǎo)損耗和開關(guān)節(jié)點振鈴,并提升DC-DC轉(zhuǎn)換器的整體效率
2011-05-18 09:09:07704

拓鋒半導(dǎo)體:不斷拓展MOSFET產(chǎn)品線

  深圳市拓鋒半導(dǎo)體科技有限公司專業(yè)研發(fā)、生產(chǎn)、銷售半導(dǎo)體分立器件,產(chǎn)品包括BJT、MOSFET、LDO、二極管、三端穩(wěn)壓器等。拓鋒半導(dǎo)體沒有自己的生產(chǎn)設(shè)備,依靠自己的技術(shù)和產(chǎn)業(yè)
2012-04-13 11:26:05882

安森美半導(dǎo)體推出能降低損耗的低壓功率MOSFET新系列

推動高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)推出新系列的6款N溝道金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET),它們經(jīng)過設(shè)計及優(yōu)化,提供領(lǐng)先業(yè)界能效,優(yōu)于市場現(xiàn)有器件。
2014-05-21 11:36:44909

什么是IGBT?功率半導(dǎo)體器件的特點

 除了IGBT外,功率半導(dǎo)體器件(晶體管領(lǐng)域)的代表產(chǎn)品還有MOSFET、BIPOLAR等,它們主要被用作半導(dǎo)體開關(guān)。
2021-05-24 06:07:0013964

銳駿半導(dǎo)體MOSFET封裝新工藝

著名的電源半導(dǎo)體技術(shù)公司深圳市銳駿半導(dǎo)體有限公司最新推出一款MOS封裝新工藝。這款TO220-S封裝廣泛的適用于MOSFET、高壓整流器及肖特基等功率器件。
2022-03-12 17:57:131195

Nexperia為MOSFET器件推出全新增強(qiáng)型電熱模型

基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia(安世半導(dǎo)體)今日宣布MOSFET器件推出全新增強(qiáng)型電熱模型。半導(dǎo)體制造商通常會為MOSFET提供仿真模型,但一般僅限于在典型工作溫度下建模的少量器件參數(shù)。Nexperia的全新先進(jìn)模型可捕獲-55℃至175℃的整個工作溫度范圍的一系列完整器件參數(shù)。
2022-09-21 00:08:34704

意法半導(dǎo)體SiC MOSFET的路線圖

顯然特斯拉用的是意法半導(dǎo)體2018年的第二代SiC MOSFET產(chǎn)品,第四代產(chǎn)品目前還沒有推出。溝槽型是發(fā)展方向,但意法半導(dǎo)體要到2025年才開始推出。
2023-03-14 11:22:391450

功率半導(dǎo)體的知識總結(jié)(MOSFET/IGBT/功率電子器件/半導(dǎo)體分立器件

功率半導(dǎo)體包括功率半導(dǎo)體分立器件(含模塊)以及功率 IC 等。其中,功率半導(dǎo)體分立器件,按照器件結(jié)構(gòu)劃分,可分為二極管、晶閘管和晶體管等。
2023-07-26 09:31:035068

第三代寬禁帶半導(dǎo)體碳化硅功率器件的應(yīng)用

SiC器件是一種新型的硅基MOSFET,特別是SiC功率器件具有更高的開關(guān)速度和更寬的輸出頻率。SiC功率芯片主要由MOSFET和PN結(jié)組成。 在眾多的半導(dǎo)體器件中,碳化硅材料具有低熱導(dǎo)率、高擊穿
2023-09-26 16:42:29342

安世半導(dǎo)體推出其首款碳化硅(SiC)MOSFET

基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家 Nexperia(安世半導(dǎo)體)近日宣布推出其首款碳化硅(SiC) MOSFET,并發(fā)布兩款采用 3 引腳 TO-247 封裝的 1200 V 分立器件,RDS(on) 分別為 40 mΩ 和 80 mΩ。
2023-12-04 10:39:50413

安世半導(dǎo)體推出首款SiC MOSFET,聚焦電動汽車充電樁等市場

,NSF040120L3A0和NSF080120L3A0是安世半導(dǎo)體SiC MOSFET產(chǎn)品組合中首批發(fā)布的產(chǎn)品,隨后安世半導(dǎo)體將持續(xù)擴(kuò)大產(chǎn)品陣容,推出多款具有不同RDS(on)的器件,并提供通孔封裝和表面貼裝封裝供選擇。
2023-12-05 10:33:32177

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