可以通過降低接觸面粗糙度、提高平整度、減小傳熱路徑的厚度等、增加導(dǎo)熱墊片的壓力、選擇熱阻小的導(dǎo)熱材料等。在不考慮加工成本的情況下,簡單看下模塊外殼材料對芯片溫度的影響:光模塊熱源主要在PCB芯片
2019-04-03 16:38:56
來來來~~~~~~~~~~~~~~~~來瞧一瞧!看一看咯!下載不用錢!下載真的不用錢!誰下誰知道,用過的都說很好用!耶~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~圖片添加文字.rar (26.58 KB )熱阻計(jì)算器.rar (197.27 KB )
2019-08-16 04:35:45
技術(shù),同時(shí)介紹一些典型的案例?! ? 熱分析技術(shù) 1.1 差示掃描量熱儀 (DSC) 差示掃描量熱法(Differential Scanning Calorimetry)是在程序控溫下,測量輸入到
2012-07-27 21:05:38
工程師都離不開的熱回路問題,到底是什么?
2021-03-16 12:18:07
許多半導(dǎo)體器件在脈沖功率條件下工作,器件的溫升與脈沖寬度及占空比有關(guān),因此在許多場合下需要了解器件與施加功率時(shí)間相關(guān)的熱特性;除了與功率持續(xù)時(shí)間外,半導(dǎo)體器件的瞬態(tài)熱阻與器件材料的幾何尺寸、比熱容、熱擴(kuò)散系數(shù)有關(guān),因此半導(dǎo)體器件的熱瞬態(tài)特性可以反映出器件內(nèi)部的很多特性
2019-05-31 07:36:41
熱繼電器工作原理熱繼電器選型
2021-01-21 07:02:48
本人有7年世界五百強(qiáng)熱設(shè)計(jì)工作經(jīng)驗(yàn),熟悉熱設(shè)計(jì)產(chǎn)品的設(shè)計(jì)標(biāo)準(zhǔn)。從事過大功率UPS、通訊電源、光伏產(chǎn)品、熱交換器產(chǎn)品及汽車控制器產(chǎn)品的熱設(shè)計(jì)。精通熱設(shè)計(jì),熱仿真和熱測試,熟練使用flotherm
2016-07-28 09:46:50
芯片熱設(shè)計(jì)有什么注意事項(xiàng)?
2021-04-23 06:25:11
AD713作為AD7924的前級驅(qū)動(dòng)并加入濾波,AD713發(fā)熱,并產(chǎn)生較大溫漂,請問是什么原因呢?
2023-12-18 07:41:52
我在進(jìn)行AD8138ARM的熱仿真,datasheet中只有結(jié)到環(huán)境的熱阻JA的數(shù)據(jù),我需要結(jié)到外殼的熱阻Jc的數(shù)據(jù),還有AD8138ARM放大器集成的晶體管數(shù)目是多少?
2023-11-21 06:54:43
IGBT作為電力電子領(lǐng)域的核心元件之一,其結(jié)溫Tj高低,不僅影響IGBT選型與設(shè)計(jì),還會(huì)影響IGBT可靠性和壽命。因此,如何計(jì)算IGBT的結(jié)溫Tj,已成為大家普遍關(guān)注的焦點(diǎn)。由最基本的計(jì)算公式Tj=Ta+Rth(j-a)*Ploss可知,損耗Ploss和熱阻Rth(j-a)是Tj計(jì)算的關(guān)鍵。
2019-08-13 08:04:18
·PAV Tjm為器件的最大允許最高工資結(jié)溫,普通整流管為150℃,普通晶閘管為125℃,快速晶閘管為115℃ Rjc為器件的結(jié)殼熱阻。 PAV為器件的耗散功率。其計(jì)算公式為: PAV
2012-06-20 14:33:52
進(jìn)行了研究,并得到了不同狀態(tài)下模塊的退化特性?! D1 IGBT的傳熱結(jié)構(gòu) 研究人員在不同工作條件下的IGBT模塊進(jìn)行老化實(shí)驗(yàn)時(shí),在相同的老化時(shí)間下觀察模塊的熱阻變化情況,通過對熱網(wǎng)絡(luò)模型
2020-12-10 15:06:03
普通的高亮度 (HB) LED 僅將約 45% 的應(yīng)用能量轉(zhuǎn)換給可見光子,其余的則產(chǎn)生熱量。 如果產(chǎn)生的這些熱量不能從 LED 充分散去,將會(huì)導(dǎo)致過熱,并可能造成災(zāi)難性故障。 即使不出現(xiàn)災(zāi)難性故障,LED 結(jié)溫升高也會(huì)造成光輸出下降、顏色發(fā)生變化和/或預(yù)期壽命顯著縮短。
2019-08-12 07:57:16
%的電能轉(zhuǎn)換成光,其余的全部變成了熱能,熱能的存在促使我們金鑒必須要關(guān)注LED封裝器件的熱阻。一般,LED的功率越高,LED熱效應(yīng)越明顯,因熱效應(yīng)而導(dǎo)致的問題也突顯出來,例如,芯片高溫的紅移現(xiàn)象;結(jié)溫
2015-07-29 16:05:13
20MHz 下讀取 32Kbit EEPROM 的全部內(nèi)容大約需要 2ms 左右,之后通常會(huì)以最大 5μA = 27.5μW 進(jìn)入待機(jī)狀態(tài),然后產(chǎn)生的溫度升高可以忽略不計(jì)。您是否有充分的理由證明有人提供了此類 EEPROM 的準(zhǔn)確熱阻?
2023-02-06 07:50:00
MMIC熱阻Thermal resistance (qJC) values are supplied with eachMMIC in the Microwave
2009-06-13 00:04:49
MOS管瞬態(tài)熱阻測試(DVDS)失效品分析如何判斷是封裝原因還是芯片原因,有什么好的建議和思路
2024-03-12 11:46:57
PADS 提供的獨(dú)特功能可以實(shí)現(xiàn)在早期對印刷電路板進(jìn)行熱分析。完成元件布局后,您就可以立即對完成布局、部分完成布線或全部完成布線的 PCB 設(shè)計(jì)進(jìn)行板級別熱問題分析。利用溫度分布圖、梯度圖和過溫圖,您可以在設(shè)計(jì)流程的早期解決板和元器件過熱問題。
2019-09-16 08:58:39
”的概念類似于電阻的概念,在許多關(guān)于熱管理的文獻(xiàn)中都有描述。 數(shù)據(jù)表中最常見的兩個(gè)MOSFET熱阻值為: Rth(j-a):從器件結(jié)(晶元)到環(huán)境的熱阻。這是一個(gè)單一的熱阻值,是所有可能的級數(shù)和從結(jié)到
2023-04-20 16:49:55
PCB熱設(shè)計(jì)要求
2021-01-25 07:43:44
因素引起: 1、器件選型不合理電,氣功耗過大 2、未安裝散熱片,導(dǎo)致熱傳導(dǎo)異常3、PCB局部不合理,造成局部或全局溫升4、布線散熱設(shè)計(jì)不合理,造成熱集中?! ?2 熱設(shè)計(jì)規(guī)劃 針對上節(jié)我們提到的常見散熱因素
2023-04-17 17:41:16
Thermal Shutdown Spec1)使用熱電偶或紅外測溫儀測量恰好發(fā)生一次thermal shutdown時(shí)的殼溫(Tcase),利用結(jié)溫到殼溫之間的特征熱阻較小的特性,近似認(rèn)為
2022-11-03 06:34:11
在哪里可以找到S70GL02GS(S70GL02GS11FHI010)的熱阻值和最大結(jié)溫?這些值不在數(shù)據(jù)表中。需要抗結(jié)到外殼(RJC),對板電阻結(jié)(RJB)、環(huán)境性結(jié)(RJA),和馬克斯結(jié)溫
2018-08-28 15:09:57
請教各位大蝦一個(gè)問題,SMA,SMAJ與SMB封裝除了尺寸不同之外,它們的熱阻有沒有什么區(qū)別?(例如SS14 SMAJ,SS14 SMA,SS14 SMB熱阻的區(qū)別)
2013-08-25 22:47:42
T3Ster,按照J(rèn)ESD51-14測試其MOSFET器件的結(jié)殼熱阻 (返回頂部↑)產(chǎn)品型號:SPP80N06S2L-11 TO封裝 測試結(jié)果: 器件在兩種不同的散熱環(huán)境下結(jié)溫隨著時(shí)間的變化曲線
2013-01-08 15:29:44
可以測試下產(chǎn)品的熱分布。測試條件和上次的負(fù)載情況一樣。首先還是先給產(chǎn)品上電,看看靜態(tài)下的溫度情況??梢钥闯?b class="flag-6" style="color: red">芯片殼溫最大約42.1攝氏度,相比周邊空氣溫度,溫升約8攝氏度。這個(gè)是在室溫下測量的,4個(gè)通道
2020-07-03 19:07:35
,這個(gè)在規(guī)格書里面有標(biāo)注最大功率就是這樣計(jì)算出來的。下面我們來看降額曲線圖我們看降額曲線圖,外殼溫度在25℃以上功率就開始降額了,這個(gè)降額曲線圖是根據(jù)最大結(jié)溫150℃與Rjc與外殼表面溫度Tc的關(guān)系
2021-09-08 08:42:59
大家上午好!該系列視頻為開關(guān)電源免費(fèi)教程,今天講解MOS管的熱阻。持續(xù)關(guān)注,我們會(huì)持續(xù)更新!大家有關(guān)于開關(guān)電源以及工作中遇到的關(guān)于電源相關(guān)的難題,都可以在帖子下面與我們交流討論。
2021-09-22 09:57:47
【金鑒出品】深度解析LED燈具發(fā)展的巨大瓶頸——熱阻發(fā)布時(shí)間:2015-07-13熱阻即熱量在熱流路徑上遇到的阻力,反映介質(zhì)或介質(zhì)間的傳熱能力的大小,表明了1W熱量所引起的溫升大小,單位為℃/W或K
2015-07-27 16:40:37
=(L+y)(W+y)表2計(jì)算了本項(xiàng)目熱源器件的布局熱距離及布局面積。器件的熱工作可靠性分析任何一個(gè)熱源器件能承受的最高結(jié)溫是有限的,這個(gè)最高結(jié)溫在廠家給出的datasheet內(nèi)都能查到,如果熱源器件
2011-09-06 09:58:12
的結(jié)溫可靠性,硅管一般是150℃,只要結(jié)溫不超過該值,三極管一般來說是正常使用的,而器件資料里面的PD其實(shí)也是根據(jù)結(jié)溫計(jì)算出來的PD=(TJ-TA)/RJATJ即結(jié)溫,TA即環(huán)境溫度,RJA即結(jié)到環(huán)境
2013-05-27 23:00:26
迅速增加,導(dǎo)致集電極電流增加,又使結(jié)溫進(jìn)一步升高,最終導(dǎo)致元件失效。 [hide]產(chǎn)品的熱設(shè)計(jì)方法.rar[/hide][此貼子已經(jīng)被作者于2009-12-5 16:46:34編輯過]
2009-12-05 16:45:53
與管殼到環(huán)境的熱阻Rth(c-a)之間的重要關(guān)系。得到Rth(c-a)后,可以根據(jù)功耗計(jì)算出溫度增量ΔTc。隨后,再由圖8中相應(yīng)的轉(zhuǎn)換因子就能計(jì)算出結(jié)溫。假設(shè)在TO247封裝中,給定的功耗為PD = 50
2018-12-05 09:45:16
,ILED是通過LED的電流。等式2是結(jié)溫的通式: 其中:TJ 是結(jié)溫,TA 是環(huán)境溫度,θJAP是以攝氏度每瓦測量的LED結(jié)環(huán)熱阻。將電功率等式代入結(jié)溫方程可得到等式3: LED正向電壓和熱阻都是LED
2019-03-01 09:52:39
現(xiàn)在需要測IGBT的熱阻,我的方案是直接讓它導(dǎo)通然后用大電流加熱到一定的程度后,突然切斷大的電流源,看他在100ma下的vce變化(已知100ma工況下vce和節(jié)溫的關(guān)系),然后將測試到的vce
2017-09-29 10:40:46
如一LDO熱損耗為165℃/W,結(jié)溫為150℃,最大輸出電流為300mA。設(shè)輸入為5V,輸出為3.3V,請問如何計(jì)算最大輸出電流。我是這么計(jì)算的:PD=(165-25)/165=0.76W電流I=0.76/(5-3.3)=445mA???請問正確在計(jì)算是,在線等高手解答。
2018-07-30 23:59:13
大佬們,電容在直流中和在交流中熱耗存在哪些差異?最好有公式計(jì)算~謝謝
2019-04-03 20:21:30
等式1表示每個(gè)LED消耗的電功率: 其中:Vf 是LED的正向電壓,ILED是通過LED的電流。等式2是結(jié)溫的通式: 其中:TJ 是結(jié)溫,TA 是環(huán)境溫度,θJAP是以攝氏度每瓦測量的LED結(jié)環(huán)熱阻
2022-11-14 07:31:53
功率型LED熱阻測量的新方法摘 要: LED照明成為21世紀(jì)最引人注目的新技術(shù)領(lǐng)域之一,而功率型LED優(yōu)異的散熱特性和光學(xué)特性更能適應(yīng)普通照明領(lǐng)域的需要。提出了一種電學(xué)法測量功率LED熱阻的新方法
2009-10-19 15:16:09
嗨,我嘗試使用XPE工具計(jì)算FPGA器件的功耗。我把結(jié)果提到的'Total On-Chip Power'。我注意到該值隨著電路板熱阻的變化而變化。功耗與電路板的熱阻有什么關(guān)系?相反,它應(yīng)該只影響IC
2019-03-21 16:18:59
請問怎么確定可控硅的結(jié)溫???超過結(jié)溫時(shí)會(huì)有哪些危害?
2014-05-24 11:35:10
直接測得的,只能再通過△T = Rj * Q計(jì)算得出。其中,△T是硅片上的PN結(jié)到殼體表面的溫度差(Tj-Ts),Ts即是測得的殼體溫度,單位℃Rj是從PN結(jié)到殼體表面的熱阻,從器件
2012-02-12 12:14:27
基于Cotherm的自動(dòng)化熱流耦合計(jì)算及熱設(shè)計(jì)優(yōu)化
2021-01-07 06:06:32
計(jì)算大多數(shù)半導(dǎo)體器件結(jié)溫的過程廣為人知。通常情況下,外殼或引腳溫度已知。測量裸片的功率耗散,并乘以裸片至封裝的熱阻(用theta或θ表示),以計(jì)算外殼至結(jié)點(diǎn)的溫升。這種方法適用于所有單裸片封裝,包括
2018-09-30 16:05:03
本帖最后由 偏偏要落腳 于 2015-5-5 12:49 編輯
求助,怎么做,非常急。 基于LabVIEW的兩臺污垢熱阻上位機(jī)軟件實(shí)現(xiàn)利用labview編程,設(shè)計(jì)計(jì)算機(jī)界面,在電腦屏幕上能夠
2015-05-05 12:46:29
算例?多組仿真算例的數(shù)據(jù)對比和優(yōu)化分析表明,兼顧仿真精度與計(jì)算效率的板級熱仿真技術(shù)可以較精確地預(yù)測芯片的結(jié)溫和殼溫,為系統(tǒng)級熱仿真提供更為準(zhǔn)確的局部環(huán)境? 引言 由于電子設(shè)備產(chǎn)品的小型化?輕量化
2018-09-26 16:22:17
我如何計(jì)算VIPER37HD / LD的結(jié)溫 以及頻率(60k,115k hz)如何影響結(jié)溫?
2019-08-05 10:50:11
,ILED是通過LED的電流。等式2是結(jié)溫的通式: 其中:TJ 是結(jié)溫,TA 是環(huán)境溫度,θJAP是以攝氏度每瓦測量的LED結(jié)環(huán)熱阻。將電功率等式代入結(jié)溫方程可得到等式3: LED正向電壓和熱阻都是LED
2017-04-01 15:14:54
測量和校核開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)以及一些電力電子變換器的功率器件結(jié)溫,如 MOSFET 或 IGBT 的結(jié)溫,是一個(gè)不可或缺的過程,功率器件的結(jié)溫與其安全性、可靠性直接相關(guān)。測量功率器件的結(jié)溫常用二種方法:
2021-03-11 07:53:26
求大佬分享一種針對射頻設(shè)計(jì)熱問題的處理方法
2021-04-13 06:48:37
微波熱療就是利用電磁能量在人體組織中所產(chǎn)生的熱效應(yīng),使組織細(xì)胞溫度升至41℃到45℃的有效治療高溫區(qū),并且維持一定的時(shí)間,加速病變細(xì)胞的死亡,但不損傷正常細(xì)胞組織。因此合理設(shè)計(jì)輻射器天線的結(jié)構(gòu),精確計(jì)算輻射電場分布,是正確判斷微波熱療過程溫度熱場分布的前提。那么,我們具體該怎么做呢?
2019-08-13 07:28:15
大家好, 我對M95256-WMN3TP /ABE2PROM的最高結(jié)溫感興趣。 3級器件的最高環(huán)境工作溫度為125°C,因此結(jié)溫必須更高。數(shù)據(jù)手冊中沒有提到最大結(jié)溫。 我還在尋找SO-8封裝中M95256-W的結(jié)至環(huán)境熱阻。 最好的祝福, 托馬斯
2019-08-13 11:08:08
的余量(保證最壞情況下的電壓峰值不超過此值),電流耐量則得按器件的結(jié)溫降額要求決定、它與外部散熱條件和器件的通態(tài)電阻、通態(tài)壓降、結(jié)電容、反向恢復(fù)、結(jié)到殼的熱阻等密切相關(guān),是功率器件熱設(shè)計(jì)的內(nèi)容,將在以后
2024-03-21 09:44:15
開關(guān)電源的熱分析與計(jì)算,需要完整版的朋友可以下載附件保存~原價(jià)299元的張飛電子PFC開關(guān)電源視頻課程,31小時(shí)精細(xì)講解,全62集視頻 ?,F(xiàn)在可以免費(fèi)領(lǐng)取!注意!??!課程只送給真正有學(xué)習(xí)欲望的人
2022-01-08 10:16:53
探頭式熱繼電器在控溫及電機(jī)中的保護(hù)應(yīng)用資料下載內(nèi)容主要介紹了:恒溫控制器電機(jī)熱保護(hù)
2021-04-02 06:52:36
。在此工況下,熱平衡條件是由所安裝的散熱器及晶閘管的瞬態(tài)熱阻之和決定的。計(jì)算公式見圖1。 【圖1】幾種常見的負(fù)載條件下等效結(jié)溫的計(jì)算公式 (一)舉例說明。 例一:某焊機(jī)采用六相半波帶平衡電抗整流
2014-04-01 10:46:41
有什么方法可以降低IC封裝的熱阻嗎?求解
2021-06-23 07:24:48
測量功率器件的結(jié)溫常用二種方法
2021-03-17 07:00:20
的是結(jié)溫;因此單靠摸的手感來判斷器件值得做熱測試是錯(cuò)誤的。那到底該如何做呢?對MCU、驅(qū)動(dòng)器件、電源轉(zhuǎn)換器件、功率電阻、大功率的半導(dǎo)體分立元件、開關(guān)器件類的能量消耗和轉(zhuǎn)換器件,熱測試都是必須的。不論
2012-02-09 10:51:37
功率MOSFET來說,通常連續(xù)漏極電流是一個(gè)計(jì)算值。當(dāng)器件的封裝和芯片的大小一定時(shí),如對于底部有裸露銅皮的封裝TO220,D2PAK,DFN5*6,DPAK等,那么器件的結(jié)到裸露銅皮的熱阻RqJC是一
2016-08-15 14:31:59
向溫度較低的被加熱體系傳熱。電伴熱帶的功率主要受控于傳熱過程,隨被加熱體系的溫度自動(dòng)調(diào)節(jié)輸出功率。②電伴熱的組成及安裝A、組成一個(gè)項(xiàng)目的電伴熱主要由以下四部分組成:a、自控溫保溫箱(對變送器進(jìn)行保溫
2018-11-17 16:48:26
T0-220封裝的結(jié)-環(huán)境熱阻是50°C/W。因此,假定45°C/W的差值是殼至環(huán)境的熱阻值。在示例的電路中,這個(gè)值被指定為散熱器熱阻值。如果使用實(shí)際的散熱器,則采用發(fā)布的熱阻值。 如果提供了散熱器的熱容值
2018-10-17 11:43:12
,芯片功耗20W,芯片表面不能超過85℃,最高環(huán)境溫度55℃,計(jì)算所需散熱器的熱阻R。計(jì)算:實(shí)際散熱器與芯片之間的熱阻近似為0.1℃/W,則(R+0.1)=(85-55) ℃/20W,則R=1.4℃/W
2018-01-13 19:44:10
電機(jī)熱功率應(yīng)該如何計(jì)算呢?
強(qiáng)制風(fēng)冷的選型如何選擇呢?和電機(jī)的熱功率又有什么樣的聯(lián)系呢?
2023-11-24 06:54:24
前言這篇詳細(xì)的介紹了電機(jī)中的熱阻網(wǎng)絡(luò)模型該怎么建立,雖然是以某一個(gè)特定的永磁同步電機(jī)為例子,但是把它的思路給領(lǐng)會(huì)到了,在刻畫其他模型的時(shí)候就是舉一反三的事。再次感謝《基于熱阻網(wǎng)絡(luò)法的電機(jī)溫度場分析
2021-08-30 07:42:36
電機(jī)的冷態(tài)、熱態(tài)是怎樣定義的?兩者如何判斷?滿負(fù)載時(shí)是熱態(tài)否則就是冷態(tài)是這樣嗎?
2023-12-13 08:16:41
紅外熱成像的原理是什么?紅外熱成像技術(shù)有什么作用?
2021-06-26 07:26:34
我想找BISS0001熱釋電處理芯片的PROTEUS仿真元件,但是在網(wǎng)上找了很久都沒找到。希望高手們能幫幫忙。
2014-09-12 11:31:37
紅紅外熱釋電處理芯片BISS0001及配套的熱釋電元件RE200B
2012-08-20 22:11:03
對熱管理中結(jié)到管殼的熱阻Rth(j-c)卻沒有影響。這樣就可以為TO220和TO247指定相同的結(jié)到管殼的熱阻Rth(j-c)。(2)封裝類型和芯片面積與結(jié)溫增量、管殼溫度增量間的函數(shù)關(guān)系圖6-(1-3
2018-12-03 13:46:13
芯片和封裝、周圍環(huán)境之間的溫度差按以下公式進(jìn)行計(jì)算。其中項(xiàng)目解說θja結(jié)溫(Tj)和周圍溫度(Ta)之間的熱阻ψjt結(jié)溫(Tj)和封裝外殼表面溫度(Tc 1)之間的熱阻θjc結(jié)溫(Tj)和封裝外殼背面
2019-09-20 09:05:08
Altera公司對芯片熱設(shè)計(jì)有哪些資料和工具?
2019-09-04 05:55:12
PCB熱設(shè)計(jì)的要點(diǎn)是什么,需要注意哪些內(nèi)容???很多東西感覺都不知道如何下手
2019-05-30 05:35:31
=111.83℃/W ;計(jì)算方式2: θJA=42℃/wTJ=Ta+θJA*PD=26℃+0.826w*42℃/w=60.7℃。兩者相差太大,方式2中結(jié)溫60.7℃小于方式1中表面溫度73℃,這個(gè)就很難理解
2019-03-25 10:54:06
稱為冷結(jié)。為了得出測量結(jié)的溫度(TMJ),用戶必須知道熱電偶所產(chǎn)生的差分電壓。用戶還必須知道基準(zhǔn)結(jié)溫(TRJ)所產(chǎn)生的誤差電壓。補(bǔ)償基準(zhǔn)結(jié)溫誤差電壓一般稱為冷結(jié)補(bǔ)償。為使輸出電壓精確地代表熱結(jié)電子裝置
2018-10-15 14:39:30
我使用 i.MX8QM。我檢查了數(shù)據(jù)表,因?yàn)槲业漠a(chǎn)品變熱了。但是,數(shù)據(jù)表沒有提到熱關(guān)斷。
芯片本身沒有熱關(guān)斷功能,還是 i.MX8QM 只期望 Linux 熱關(guān)斷?
2023-05-17 07:46:52
在20世紀(jì)70年代就頒發(fā)了可靠性熱設(shè)計(jì)手冊;日本電器公司1985年推出的巨型計(jì)算機(jī)已采用水冷技術(shù);國外多公司致力于各種電子設(shè)備冷卻方法的計(jì)算機(jī)輔助熱分析軟件的開發(fā),力求快速準(zhǔn)確地計(jì)算出電子設(shè)備的溫度
2020-07-07 17:14:14
大多數(shù)半導(dǎo)體組件結(jié)溫的計(jì)算過程很多人都知道。通常情況下,外殼或接腳溫度已知。量測裸片的功率耗散,并乘以裸片至封裝的熱阻(用theta或θ表示),以計(jì)算外殼至結(jié)點(diǎn)的溫升。這種方法適用于所有單裸片封裝
2018-10-08 14:45:41
`計(jì)算大多數(shù)半導(dǎo)體器件結(jié)溫的過程廣為人知。通常情況下,外殼或引腳溫度已知。測量裸片的功率耗散,并乘以裸片至封裝的熱阻(用theta或θ表示),以計(jì)算外殼至結(jié)點(diǎn)的溫升。這種方法適用于所有單裸片封裝
2014-08-19 15:40:52
,LED 結(jié)溫升高也會(huì)造成光輸出下降、顏色發(fā)生變化和/或預(yù)期壽命顯著縮短。本文介紹了如何計(jì)算結(jié)溫,并說明熱阻的重要性。 文中探討了較低熱阻 LED 封裝替代方法,如芯片級和板載 (COB) 設(shè)計(jì),并介紹
2017-04-10 14:03:41
、科研、在線生產(chǎn)中的試驗(yàn)儀器。技術(shù)參數(shù)熱封溫度 室溫+8℃~300℃熱封壓力 50~700Kpa(取決于熱封面積)熱封時(shí)間 0.1~999.9s控溫精度 ±0.2℃溫
2023-11-30 15:16:48
評論
查看更多