日前，科技部高新技術(shù)發(fā)展及產(chǎn)業(yè)化司司長(zhǎng)趙玉海在第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟成立大會(huì)上強(qiáng)調(diào)，應(yīng)加強(qiáng)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的戰(zhàn)略研究，打造第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)生態(tài)。欲知更多科技資訊，請(qǐng)關(guān)注每天的電子芯聞早報(bào)。
2015-09-15 10:38:28
1354 寬禁帶半導(dǎo)體（WBS）是自第一代元素半導(dǎo)體材料（Si）和第二代化合物半導(dǎo)體材料（GaAs、GaP、InP等）之后發(fā)展起來(lái)的第三代半導(dǎo)體材料，禁帶寬度大于2eV，這類(lèi)材料主要包括SiC（碳化硅）、C-BN（立方氮化硼）、GaN（氮化鎵、）AlN（氮化鋁）、ZnSe（硒化鋅）以及金剛石等。
2016-12-05 09:18:344564 
第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟秘書(shū)長(zhǎng)于坤山曾對(duì)媒體表示，2019年，第三代半導(dǎo)體進(jìn)入發(fā)展的快車(chē)道，2020年是中國(guó)第三代半導(dǎo)體發(fā)展一個(gè)關(guān)鍵的窗口期。汽車(chē)、5G、消費(fèi)電子加速市場(chǎng)增長(zhǎng)，各大巨頭在碳化硅領(lǐng)域做布局。筆者梳理了最近華為哈勃科技的三筆投資，顯然也有這個(gè)意味。
2020-12-03 08:36:369162 3月15日，在深圳福田會(huì)展中心的論壇上，中國(guó)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新聯(lián)盟秘書(shū)長(zhǎng)趙靜分享2022年全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展趨勢(shì)和中國(guó)第三代半導(dǎo)體的最新市場(chǎng)規(guī)模和應(yīng)用進(jìn)展。
2023-03-17 08:33:275343 
隨著科技的不斷進(jìn)步，新的半導(dǎo)體材料正在為整個(gè)電子行業(yè)帶來(lái)深刻的變革。在這場(chǎng)技術(shù)革命的前沿，第三代半導(dǎo)體材料嶄露頭角。與前兩代半導(dǎo)體材料相比，第三代半導(dǎo)體在高溫、高壓、高頻等應(yīng)用環(huán)境中展現(xiàn)出了更為出色的性能。從材料分類(lèi)的角度來(lái)看，第三代半導(dǎo)體材料主要可以分為以下四類(lèi)。
2023-08-21 09:33:072242 
5月10日消息 南韓近期啟動(dòng)「X-band GaN國(guó)家計(jì)劃」沖刺第三代半導(dǎo)體，三星積極參與。由于市場(chǎng)高度看好第三代半導(dǎo)體發(fā)展，臺(tái)積電、世界等臺(tái)廠均已卡位，三星加入南韓官方計(jì)劃沖刺第三代半導(dǎo)體布局，也
2021-05-10 16:00:572633 2010第86屆美國(guó)大紐約牙科年會(huì)暨牙科展覽會(huì)/咨詢熱線021-33197556上海金博展覽2010第86屆美國(guó)大紐約牙科年會(huì)暨牙科展覽會(huì)
2010-03-31 20:07:01
2010第86屆美國(guó)大紐約牙科年會(huì)暨牙科展覽會(huì)/咨詢熱線021-33197556上海金博展覽2010第86屆美國(guó)大紐約牙科年會(huì)暨牙科展覽會(huì)
2010-04-01 10:10:59
世界天然氣大會(huì)暨第7屆阿根廷國(guó)際石油、天然氣展會(huì) ★2009年10月6日-8日第18屆科威特國(guó)際石油化工及能源展覽會(huì)★2009年10月27日-29日第16屆阿聯(lián)酋（迪拜）國(guó)際石油、天然氣及石化技術(shù)展覽會(huì)
2009-08-11 10:22:55
2010年第21屆世界能源大會(huì)(展覽會(huì))一、地點(diǎn)：加拿大 二、時(shí)間：2010年9月12日-16日三、大會(huì)(展覽會(huì))主題“在相互依存世界中的未來(lái)能源”四、主辦方介紹:世界能源理事會(huì)是世界上最重
2009-08-10 16:14:10
2024年俄羅斯電子元器件及生產(chǎn)設(shè)備展覽會(huì)（Expo Electronica）
展會(huì)時(shí)間：2024年04月16日~04月18日，
展會(huì)地點(diǎn)：俄羅斯-莫斯科-Mezhdunarodnaya
2023-12-25 17:01:45
出來(lái)之后，材料質(zhì)量逐步完善，器件性能和可靠性也在逐步改善。到目前為止，碳化硅的二極管以其優(yōu)異的性能和使用過(guò)程中展現(xiàn)的可靠性，已經(jīng)廣泛應(yīng)用在很多場(chǎng)合。氮化鎵GaN和碳化硅同屬于第三代半導(dǎo)體材料。為了區(qū)別于
2017-05-15 17:09:48
３Ｇ定義 ３Ｇ是英文３rd Generation的縮寫(xiě)，至第三代移動(dòng)通信技術(shù)。相對(duì)于第一代模擬制式手機(jī)（１Ｇ）和第二代GSM、TDMA等數(shù)字手機(jī)（２Ｇ）來(lái)說(shuō)，第三代手機(jī)是指將無(wú)線通信與國(guó)際互聯(lián)網(wǎng)等
2019-07-01 07:19:52
第三代移動(dòng)通信過(guò)渡技術(shù)——EDGE作者：項(xiàng)子GSM和TDMA/136現(xiàn)在是全球通用的第二代蜂窩移動(dòng)通信標(biāo)準(zhǔn)。當(dāng)前有100多個(gè)國(guó)家的1億多人采用GSM，有近100個(gè)國(guó)家的約9500萬(wàn)用戶采用 TDMA
2009-11-13 21:32:08
。帕特羅（PATRO）第三代紅外攝像機(jī)技術(shù)與陣列式區(qū)別： 亮度：第三代陣列式將發(fā)光二極管按照陣列式排在一起，通過(guò)一個(gè)透鏡來(lái)進(jìn)行光傳遞，是通過(guò)將幾十個(gè)高效率和高功率的晶元通過(guò)高科技封裝在一個(gè)平面上，由多顆
2011-02-19 09:35:33
。成本的差異主要是由于產(chǎn)品的生產(chǎn)量來(lái)決定，帕特羅（PATRO）第三代紅外技術(shù)由于封裝簡(jiǎn)單，應(yīng)用量巨大，所以可以大規(guī)模的生產(chǎn)，從而大大降低了產(chǎn)品成本；帕特羅（PATRO）第三代紅外攝像機(jī)生產(chǎn)成本已接近可以
2011-02-19 09:38:46
LED:節(jié)能環(huán)保的第三代照明技術(shù)1、半導(dǎo)體照明 LED：變革照明的第三代革命1.1LED 代替白熾燈—任重而道遠(yuǎn)自 20 世紀(jì) 60 年代世界第一個(gè)半導(dǎo)體發(fā)光二極管誕生以來(lái)，LED 照明因具 有
2011-09-28 00:12:44
保溫杯一個(gè)。之前有參加第一輪的，也可以繼續(xù)參加第二輪喲。（獎(jiǎng)品有限，快快參與吧..）參與時(shí)間：2014-3-31 至 2014-4-30 日截止 參與下載有獎(jiǎng)的技術(shù)資源：IQ2010 無(wú)線連接測(cè)試系統(tǒng)
2014-03-03 17:10:32
`第一代沒(méi)有留下痕跡。第二代之前在論壇展示過(guò)：https://bbs.elecfans.com/jishu_282495_1_1.html現(xiàn)在第三代誕生：`
2013-08-10 15:35:19
據(jù)業(yè)內(nèi)權(quán)威人士透露，我國(guó)計(jì)劃把大力支持發(fā)展第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，寫(xiě)入“十四五”規(guī)劃，計(jì)劃在2021-2025年期間，在教育、科研、開(kāi)發(fā)、融資、應(yīng)用等等各個(gè)方面，大力支持發(fā)展第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，...
2021-07-27 07:58:41
什么是第三代移動(dòng)通信答復(fù)：第三代移動(dòng)通信系統(tǒng)IMT2000，是國(guó)際電信聯(lián)盟（ITU）在1985年提出的，當(dāng)時(shí)稱為陸地移動(dòng)系統(tǒng)（FPLMTS）。1996年正式更名為IMT2000。與現(xiàn)有的第二代移動(dòng)
2009-06-13 22:49:39
）第三代紅外攝像機(jī)IR-III技術(shù)演變(IR-III Technology Develop) IR-III技術(shù)是在主動(dòng)紅外技術(shù)中對(duì)第一代、第二代技術(shù)的基礎(chǔ)上演變的。第一代普通LED紅外技術(shù)，盡管不能
2011-02-19 09:34:33
基于第三代移動(dòng)通信系統(tǒng)標(biāo)準(zhǔn)的ALC控制方案的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)
2021-01-13 06:07:38
導(dǎo) 讀 追求更低損耗、更高可靠性、更高性價(jià)比是碳化硅功率器件行業(yè)的共同目標(biāo)。為不斷提升產(chǎn)品核心競(jìng)爭(zhēng)力，基本半導(dǎo)體成功研發(fā)第三代碳化硅肖特基二極管，這是基本半導(dǎo)體系列標(biāo)準(zhǔn)封裝碳化硅肖特基二
2023-02-28 17:13:35
淺析第三代移動(dòng)通信功率控制技術(shù)
2021-06-07 07:07:17
“第三屆中國(guó)國(guó)際物聯(lián)網(wǎng)大會(huì)暨展覽會(huì)”將于2012年6月28日-29日以展會(huì)并舉的形式移師上海世博展覽館(原上海世博會(huì)主題館)舉行。
2011-12-12 18:31:17557 為更好推動(dòng)第三代半導(dǎo)體落地，連接創(chuàng)新、技術(shù)、供應(yīng)鏈與市場(chǎng)，加速創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)者夢(mèng)想實(shí)現(xiàn)，第六屆中國(guó)創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)大賽之第二屆國(guó)際第三代半導(dǎo)體創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)大賽即日啟動(dòng)，通過(guò)“政府引導(dǎo)、公益支持、市場(chǎng)運(yùn)作”的模式助力大眾創(chuàng)業(yè)。
2017-08-11 10:12:41873 搶占第三代半導(dǎo)體材料戰(zhàn)略制高點(diǎn)，緊密配合國(guó)家產(chǎn)業(yè)發(fā)展戰(zhàn)略，布局一體化產(chǎn)業(yè)生態(tài)，由科技部、財(cái)政部、教育部三部委聯(lián)合指導(dǎo)的第六屆創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)大賽之第二屆國(guó)際第三代半導(dǎo)體創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)大賽（以下簡(jiǎn)稱“大賽”）即將于11月在北京舉辦總決賽。
2017-10-09 14:32:05654 第三代半導(dǎo)體是下一代綠色新型材料之一，擁有巨大的應(yīng)用市場(chǎng)，以碳化硅器件為例，其市場(chǎng)容量正以每年25~39%的速度增長(zhǎng)，預(yù)計(jì)到2020年整個(gè)碳化硅器件的市場(chǎng)容量將超過(guò)10億美元。中國(guó)在第一代、第二代半導(dǎo)體領(lǐng)域嚴(yán)重落后國(guó)外先進(jìn)水平，每年進(jìn)口2000億美元的電子器件，難以實(shí)現(xiàn)突破趕超。
2017-11-24 13:20:26940 12月16日，第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟理事長(zhǎng)吳玲在半導(dǎo)體發(fā)展戰(zhàn)略研討會(huì)上表示，2018年是第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)化準(zhǔn)備的關(guān)鍵期。到2025年，第三代半導(dǎo)體器件將在移動(dòng)通信、高效電能管理中國(guó)產(chǎn)化率占
2017-12-18 15:02:525124 里程碑意義，將對(duì)中國(guó)乃至全球第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展產(chǎn)生深遠(yuǎn)影響。 科技部原副部長(zhǎng)、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟決策委員會(huì)主任、深圳第三代半導(dǎo)體研究院理事長(zhǎng)曹健林，廣東省委常委、深圳市委書(shū)記王偉中，深圳市委副書(shū)記
2018-04-02 16:25:003809 本文首先介紹了第三代半導(dǎo)體的材料特性，其次介紹了第三代半導(dǎo)體材料性能應(yīng)用及優(yōu)勢(shì)，最后分析了了我國(guó)第三代半導(dǎo)體材料發(fā)展面臨著的機(jī)遇挑戰(zhàn)。
2018-05-30 12:37:3334973 
本文首先分別對(duì)第一代半導(dǎo)體材料、第二代半導(dǎo)體材料和第三代半導(dǎo)體材料進(jìn)行了概述，其次介紹了第三代半導(dǎo)體材料應(yīng)用領(lǐng)域及我國(guó)第三代半導(dǎo)體材料的前景展望。
2018-05-30 14:27:17147447 繼5G、新基建后，第三代半導(dǎo)體概念近日在市場(chǎng)上的熱度高居不下。除了與5G密切相關(guān)外，更重要是有證券研報(bào)指出，第三代半導(dǎo)體有望納入重要規(guī)劃，消息傳出后多只概念股受到炒作。證券業(yè)人士提醒，有個(gè)人投資者
2020-09-21 11:57:553918 協(xié)同創(chuàng)新 融通發(fā)展 推動(dòng)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)快速發(fā)展 2018年9月7日，2018中國(guó)創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)大賽國(guó)際第三代半導(dǎo)體專(zhuān)業(yè)賽東部賽區(qū)(以下簡(jiǎn)稱為大賽)頒獎(jiǎng)典禮暨開(kāi)放創(chuàng)新論壇在張家港高新區(qū)成功舉辦。 活動(dòng)
2018-09-10 10:37:19789 近日科技部高新司在北京組織召開(kāi)“十二五”期間863計(jì)劃重點(diǎn)支持的“第三代半導(dǎo)體器件制備及評(píng)價(jià)技術(shù)”項(xiàng)目驗(yàn)收會(huì)。通過(guò)項(xiàng)目的實(shí)施，我國(guó)在第三代半導(dǎo)體關(guān)鍵的碳化硅和氮化鎵材料、功率器件、高性能封裝以及可見(jiàn)光通信等領(lǐng)域取得突破。
2018-09-14 10:51:1620307 
日前，科技部高新司在北京組織召開(kāi)十二五期間863計(jì)劃重點(diǎn)支持的第三代半導(dǎo)體器件制備及評(píng)價(jià)技術(shù)項(xiàng)目驗(yàn)收會(huì)。通過(guò)項(xiàng)目的實(shí)施，中國(guó)在第三代半導(dǎo)體關(guān)鍵的碳化硅和氮化鎵材料、功率器件、高性能封裝以及可見(jiàn)光
2018-10-24 22:38:02512 眾所周知，我國(guó)現(xiàn)在正在大力發(fā)展集成電路產(chǎn)業(yè)，第三代半導(dǎo)體作為下一代電子產(chǎn)品的重要材料和元件，自然也受到了重點(diǎn)關(guān)注。
2019-02-19 14:44:2918340 3 月 26 日，美的集團(tuán)宣布與三安光電全資子公司三安集成電路戰(zhàn)略合作，雙方將共同成立“第三代半導(dǎo)體聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室”，共同推動(dòng)第三代半導(dǎo)體功率器件的創(chuàng)新發(fā)展，加快國(guó)產(chǎn)芯片導(dǎo)入白色家電行業(yè)。
2019-03-29 11:08:164399 當(dāng)前第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的應(yīng)用市場(chǎng)呈現(xiàn)高速增長(zhǎng)的態(tài)勢(shì)，國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)也十分激烈，美國(guó)、歐洲、日本等發(fā)達(dá)國(guó)家都在積極進(jìn)行戰(zhàn)略部署，通過(guò)建立創(chuàng)新中心、聯(lián)合研發(fā)等方式，將產(chǎn)學(xué)研及政府部門(mén)聯(lián)合起來(lái)協(xié)同組織和投入，加快
2019-08-01 17:44:213736 第三屆“中歐第三代半導(dǎo)體高峰論壇”將于9月19日上午在深圳五洲賓館舉行。來(lái)自中國(guó)和歐洲的專(zhuān)家學(xué)者、企業(yè)高管、投資精英將圍繞第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新、產(chǎn)業(yè)發(fā)展、國(guó)際合作進(jìn)行深入探討和交流。
2019-09-11 14:23:184731 第三屆“中歐第三代半導(dǎo)體高峰論壇”在深圳五洲賓館成功舉辦。
2019-09-23 10:32:171068 近幾年，國(guó)內(nèi)不少地區(qū)都紛紛建設(shè)第三代半導(dǎo)體生產(chǎn)線，種種跡象表明，第三代半導(dǎo)體投資熱的戲碼正在悄然上演。這輪投資熱將對(duì)整個(gè)產(chǎn)業(yè)帶來(lái)哪些影響？國(guó)內(nèi)發(fā)展第三代半導(dǎo)體應(yīng)注意什么問(wèn)題？需要采取什么措施？
2019-12-16 11:35:328853 碳化硅，作為發(fā)展的最成熟的第三代半導(dǎo)體材料，其寬禁帶，高臨界擊穿電場(chǎng)等優(yōu)勢(shì)，是制造高壓高溫功率半導(dǎo)體器件的優(yōu)質(zhì)半導(dǎo)體材料。
2020-09-02 11:56:351572 第一代材料是硅（Si），大家通俗理解的硅谷，就是第一代半導(dǎo)體的產(chǎn)業(yè)園。
第二代材料是砷化鎵（GaAs），為4G時(shí)代而生，目前的大部分通信設(shè)備的材料。
第三代材料主要以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）為代表的寬禁帶的半導(dǎo)體材料，是未來(lái)5G時(shí)代的標(biāo)配
2020-09-04 19:07:147371 
7月20日，長(zhǎng)沙三安第三代半導(dǎo)體項(xiàng)目開(kāi)工活動(dòng)在長(zhǎng)沙高新區(qū)舉行。 當(dāng)前，第三代半導(dǎo)體材料及器件已成為全球半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)的前沿和制高點(diǎn)之一。以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代半導(dǎo)體成熟商用材料，在新能源汽車(chē)
2020-09-12 09:28:092946 周二盤(pán)中，第三代半導(dǎo)體板塊沖高，截至發(fā)稿，聚燦光電拉升封板，派瑞股份大漲近15%，乾照光電、易事特、臺(tái)基股份等個(gè)股紛紛走高。 粵開(kāi)證券研報(bào)指出，第三代半導(dǎo)體是十四五重要發(fā)展方向，據(jù)國(guó)家新材料產(chǎn)業(yè)發(fā)展
2020-11-03 15:58:30804 9月4日，第二屆第三代半導(dǎo)體材料及裝備發(fā)展研討會(huì)在北京召開(kāi)，作為第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟會(huì)員單位，湖南天玥科技有限公司（長(zhǎng)沙新一代半導(dǎo)體研究院）參加會(huì)議。 公司副總裁袁堅(jiān)出席會(huì)議。 本次會(huì)議
2020-09-26 10:55:022451 、基金，但多數(shù)人連半導(dǎo)體是什么都沒(méi)搞清楚，而第三代半導(dǎo)體又是何方神圣？ 在我國(guó)發(fā)力新基建的背景下，第三代半導(dǎo)體材料成了非常重要的技術(shù)支撐。今年4月，國(guó)家發(fā)改委首次官宣新基建的范圍，正式定調(diào)了5G基建、人工智能、工
2020-09-26 11:04:023953 什么是第三代半導(dǎo)體？ 第三代半導(dǎo)體是以碳化硅SiC、氮化鎵GaN為主的寬禁帶半導(dǎo)體材料，具有高擊穿電場(chǎng)、高飽和電子速度、高熱導(dǎo)率、高電子密度、高遷移率、可承受大功率等特點(diǎn)。 一、二、三代半導(dǎo)體
2020-09-28 09:52:203407 
從上面的數(shù)據(jù)可以看出，在第一代半導(dǎo)體面前，第三代半導(dǎo)體的產(chǎn)值非常的小。國(guó)外發(fā)展第三代半導(dǎo)體不是因?yàn)樯庥卸嗝吹拇?，是因?yàn)閲?guó)防和科技信息技術(shù)的發(fā)展需要用到第三代半導(dǎo)體。同時(shí)，這是一個(gè)增量市場(chǎng)，也是企業(yè)可以尋求的增長(zhǎng)空間。
2020-09-29 14:16:004995 在日前于南京舉辦的世界半導(dǎo)體大會(huì)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展高峰論壇上，與會(huì)專(zhuān)家紛紛表示，近年來(lái)我國(guó)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展進(jìn)程較快，基本形成了從晶體生長(zhǎng)到器件研發(fā)制造的完整產(chǎn)業(yè)鏈。同時(shí)，我國(guó)在高速軌道交通
2020-10-09 16:44:513493 日前，有媒體報(bào)道稱，據(jù)權(quán)威人士透露，十四五規(guī)劃之中，我國(guó)計(jì)劃在2021-2025年期間，在教育、科研、開(kāi)發(fā)、融資、應(yīng)用等各個(gè)方面，大力支持發(fā)展第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，以期實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)獨(dú)立自主。一時(shí)間，資本市場(chǎng)
2020-10-13 15:47:503451 由中共如皋市委員會(huì)、如皋市人民政府、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟主辦、江蘇省如皋高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開(kāi)發(fā)區(qū)管委會(huì)、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟投融資委員會(huì)承辦、北京星啟創(chuàng)新科技有限公司協(xié)辦的第五屆
2020-10-21 10:17:031390 ，舉全國(guó)之力，在教育、科研、開(kāi)發(fā)、融資、應(yīng)用等各個(gè)方面對(duì)第三代半導(dǎo)體發(fā)展提供廣泛支持，以期實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)獨(dú)立自主。 該消息得到業(yè)內(nèi)人士的證實(shí)，日前，在南京世界半導(dǎo)體大會(huì)暨第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展高峰論壇上，國(guó)家新材料產(chǎn)業(yè)發(fā)展專(zhuān)家咨詢委員會(huì)
2020-10-27 10:36:302980 目前，國(guó)家2030計(jì)劃和十四五國(guó)家研發(fā)計(jì)劃已明確第三代半導(dǎo)體是重要發(fā)展方向。在10月16日，國(guó)星光電舉辦了2020第一屆國(guó)星之光論壇，而論壇的主角之一，就是第三代半導(dǎo)體。那么到底什么是第三代半導(dǎo)體呢
2020-10-29 18:26:405031 
。 什么是第三代半導(dǎo)體？ 第三代半導(dǎo)體是以碳化硅SiC、氮化鎵GaN為主的寬禁帶半導(dǎo)體材料，具有高擊穿電場(chǎng)、高飽和電子速度、高熱導(dǎo)率、高電子密度、高遷移率、可承受大功率等特點(diǎn)。 一、二、三代半導(dǎo)體什么區(qū)別？ 一、材料 第一代半導(dǎo)體材料，發(fā)
2020-11-04 15:12:374455 在5G和新能源汽車(chē)等新市場(chǎng)需求的驅(qū)動(dòng)下，第三代半導(dǎo)體材料有望迎來(lái)加速發(fā)展。硅基半導(dǎo)體的性能已無(wú)法完全滿足5G和新能源汽車(chē)的需求，碳化硅和氮化鎵等第三代半導(dǎo)體的優(yōu)勢(shì)被放大。
2020-11-29 10:48:1288670 第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)化之路已經(jīng)走了好多年，受困于技術(shù)和成本等因素，市場(chǎng)一直不溫不火。 但今年的市場(chǎng)形勢(shì)明顯不同，各大半導(dǎo)體元器件企業(yè)紛紛加大了新產(chǎn)品的推廣力度，第三代半導(dǎo)體也開(kāi)始頻繁出現(xiàn)在各地園區(qū)
2020-12-08 17:28:0313032 最近，“我國(guó)將把發(fā)展第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)寫(xiě)入‘十四五’規(guī)劃”引爆全網(wǎng)。什么是第三代半導(dǎo)體？發(fā)展第三代半導(dǎo)體的意義在哪兒？它憑什么一夜爆火
2020-12-14 11:02:443496 ，什么材料會(huì)再領(lǐng)風(fēng)騷？記者采訪了專(zhuān)家。? 禁帶寬度，是用來(lái)區(qū)分不同代際半導(dǎo)體的關(guān)鍵參數(shù)。? 作為第三代半導(dǎo)體，氮化鎵和碳化硅的禁帶寬度分別為3.39電子伏特和3.26電子伏特，較高的禁帶寬度非常適合高壓器件應(yīng)用。氮化鎵電子飽和速度
2021-01-07 14:19:483542 近期，阿里巴巴達(dá)摩院發(fā)布2021年十大科技趨勢(shì)，“第三代半導(dǎo)體迎來(lái)應(yīng)用大爆發(fā)”位列第一。達(dá)摩院指出，第三代半導(dǎo)體的性價(jià)比優(yōu)勢(shì)逐漸顯現(xiàn)并正在打開(kāi)應(yīng)用市場(chǎng)。未來(lái)5年，基于第三代半導(dǎo)體材料的電子器件將廣泛應(yīng)用于5G基站、新能源汽車(chē)、特高壓、數(shù)據(jù)中心等場(chǎng)景。
2021-01-13 10:16:082477 深圳、蘇州，相隔千里。然而，我國(guó)布局的半導(dǎo)體技術(shù)“國(guó)字號(hào)”重器——國(guó)家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心，就偏偏選擇了這兩座城市。 01 科技部已正式批復(fù)，支持！ 國(guó)之重器，自立之根本?！皣?guó)家第三代半導(dǎo)體
2021-06-27 10:03:215408 看到第三代半導(dǎo)體，你肯定會(huì)想第一代、第二代是什么。這里的 “代際”，是根據(jù)半導(dǎo)體制造材料來(lái)劃分的 第一代半導(dǎo)體材料主要有鍺Ge，硅Si等，應(yīng)用范圍主要是：低壓、低頻，中功率晶體管、光電探測(cè)器等取代了
2021-07-09 15:40:5119007 第三代半導(dǎo)體材料的禁帶寬度是第一代和第二代半導(dǎo)體禁帶寬度的近3倍，在高溫、高壓、高功率和高頻領(lǐng)域?qū)⑻娲皟?b class="flag-6" style="color: red">代半導(dǎo)體材料。
2021-10-11 14:35:321610 
來(lái)源：天風(fēng)證券，如需下載，進(jìn)入“華秋商城”公眾號(hào)發(fā)送“2021第三代半導(dǎo)體”即可下載。 責(zé)任編輯：haq
2021-11-03 10:33:408340 
11月30日，第七屆廣東院士聯(lián)合會(huì)學(xué)術(shù)年會(huì)專(zhuān)題活動(dòng)——“大灣區(qū)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展座談會(huì)”在廣東東莞舉辦。
2021-12-02 11:19:14507 第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟秘書(shū)長(zhǎng)于坤山與安世半導(dǎo)體全球研發(fā)副總裁、I&M事業(yè)部總經(jīng)理姜克共同主持了研討會(huì)，并與參會(huì)嘉賓現(xiàn)場(chǎng)交流答疑。
2021-12-17 09:33:501028 
由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟標(biāo)準(zhǔn)化委員會(huì)（CASAS）主辦、泰克科技（中國(guó)）有限公司和北京博電新力電氣股份有限公司協(xié)辦的“2021 第三代半導(dǎo)體標(biāo)準(zhǔn)與檢測(cè)研討會(huì)”在深圳召開(kāi)。
2021-12-29 14:04:041768 
第三代半導(dǎo)體器件毫不夸張的講為電源行業(yè)帶來(lái)了革新，基于其高速，小體積，低功耗的特點(diǎn)，越來(lái)越廣泛應(yīng)用在消費(fèi)電子及電力電子行業(yè)。下圖顯示了不同技術(shù)的功率器件的性能區(qū)別?？梢钥吹?，傳統(tǒng)的Si基IGBT或者
2021-12-29 17:11:061153 
如何化解第三代半導(dǎo)體的應(yīng)用痛點(diǎn) 在集成電路和分立器件領(lǐng)域，硅始終是應(yīng)用最廣泛、技術(shù)最成熟的半導(dǎo)體材料，但硅材料技術(shù)的成熟恰恰意味著難以突破瓶頸。為了打破固有屏障，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)進(jìn)一步深入對(duì)新材料、新工藝
2022-08-02 15:12:291590 
第三代半導(dǎo)體優(yōu)勢(shì)明顯，市場(chǎng)需求加大，先進(jìn)封裝工藝及封測(cè)設(shè)備升級(jí)是降低成本、確保良率‘搶跑’封測(cè)市場(chǎng)的兩大關(guān)鍵。
2022-08-25 14:32:402136 指導(dǎo)，北京市順義區(qū)科學(xué)技術(shù)委員會(huì)、北京市順義區(qū)經(jīng)濟(jì)和信息化局、中關(guān)村科技園區(qū)順義園管委會(huì)、北京順義科技創(chuàng)新集團(tuán)有限公司、北京第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）主辦的《2022中關(guān)村國(guó)際前沿科技創(chuàng)新大賽-國(guó)際
2022-10-10 11:27:06444 
第三代半導(dǎo)體材料有哪些 第三代半導(dǎo)體材料: 氨化家、碳化硅、氧化鋅、氧化鋁和金剛石。 從半導(dǎo)體材料的三項(xiàng)重要參數(shù)看，第三代半導(dǎo)體材料在電子遷移率、飽和漂移速率、禁帶寬度三項(xiàng)指標(biāo)上均有著優(yōu)異的表現(xiàn)
2023-02-07 14:06:164844 、射頻應(yīng)用中的顯著
性能優(yōu)勢(shì)，第三代半導(dǎo)體逐漸顯露出廣闊的應(yīng)用前景和市場(chǎng)發(fā)展?jié)摿Α?
所謂第三代半導(dǎo)體，即禁帶寬度大于或等于2.3eV的半導(dǎo)體材料，又稱寬禁帶半導(dǎo)體。常見(jiàn)的第三代半導(dǎo)體材料主要包括碳化
硅（SiC）、氮化鎵
2023-02-27 15:23:54
2 。 但是，很多人容易被“第三代”半導(dǎo)體這個(gè)名字誤導(dǎo)。 賽道不同 第一代、第二代、第三代半導(dǎo)體之間應(yīng)用場(chǎng)景是有差異的。以硅（Si）、鍺（Ge）為代表的第一代半導(dǎo)體應(yīng)用場(chǎng)景十分廣泛，從尖端的CPU、GPU、存儲(chǔ)芯
2023-02-27 15:19:2912 第一代、第二代、第三代半導(dǎo)體之間應(yīng)用場(chǎng)景是有差異的。以硅（Si）、鍺（Ge）為代表的第一代半導(dǎo)體應(yīng)用場(chǎng)景十分廣泛，
從尖端的CPU、GPU、存儲(chǔ)芯片，再到各種充電器中的功率器件都可以做。雖然在某些
2023-02-27 15:20:113 第三代半導(dǎo)體列入國(guó)家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃“戰(zhàn)略性先進(jìn)電子材料”重點(diǎn)專(zhuān)項(xiàng)；與此同時(shí)，在地方政策方面，北京、深圳、江蘇、成都、廈門(mén)、泉州、蕪湖等均已發(fā)布或正在研究推動(dòng)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的扶持政策。毋庸置疑，隨著國(guó)家
2023-02-27 15:21:454 日前，在南京世界半導(dǎo)體大會(huì)暨第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展高峰論壇上，國(guó)家新材料產(chǎn)業(yè)發(fā)展專(zhuān)家咨詢委員會(huì)委員、第三代半
導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟理事長(zhǎng)吳玲透露：國(guó)家2030計(jì)劃和“十四五”國(guó)家研發(fā)計(jì)劃都已經(jīng)明確，第三代半導(dǎo)體是重要發(fā)展方
向，現(xiàn)在到了動(dòng)議討論實(shí)施方案的階段。
2023-02-27 15:23:005 、射頻應(yīng)用中的顯著
性能優(yōu)勢(shì)，第三代半導(dǎo)體逐漸顯露出廣闊的應(yīng)用前景和市場(chǎng)發(fā)展?jié)摿Α?
所謂第三代半導(dǎo)體，即禁帶寬度大于或等于2.3eV的半導(dǎo)體材料，又稱寬禁帶半導(dǎo)體。常見(jiàn)的第三代半導(dǎo)體材料主要包括碳化
硅（SiC）、氮化鎵
2023-02-27 14:37:561 又以碳化硅和氮化鎵材料技術(shù)的發(fā)展最為成熟。與第一代、第二代半導(dǎo)體材料相比，第三代半導(dǎo)體材料通常具備更寬的禁帶寬度、更高的擊穿場(chǎng)強(qiáng)、更高的熱導(dǎo)率，電子飽和速率和抗輻射能力也更勝一籌，在高溫、高壓、高頻、高功率等嚴(yán)苛環(huán)境下，依然能夠保證性能穩(wěn)定。
2023-05-18 10:57:361181 為期四天的2023廣州國(guó)際照明展覽會(huì)（簡(jiǎn)稱：光亞展）在火熱的氣氛中圓滿落幕。此次展會(huì)，國(guó)星光電設(shè)置了高品質(zhì)白光LED及第三代半導(dǎo)體兩大展區(qū)，鮮明的主題，引來(lái)了行業(yè)的高度關(guān)注。 其中，在第三代半導(dǎo)體
2023-06-14 10:02:14507 
國(guó)家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心（以下簡(jiǎn)稱“國(guó)創(chuàng)中心”）獲批建設(shè)兩年以來(lái)，瞄準(zhǔn)國(guó)家和產(chǎn)業(yè)發(fā)展全局的創(chuàng)新需求，以關(guān)鍵技術(shù)研發(fā)為核心使命，進(jìn)一步推動(dòng)我國(guó)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展，形成立足長(zhǎng)三角、輻射全國(guó)的技術(shù)融合點(diǎn)和產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新的輻射源。
2023-06-19 14:55:451993 第三代半導(dǎo)體具有廣泛的應(yīng)用，已成為戰(zhàn)略物資，被美國(guó)列入301管制清單。檢測(cè)是提高半導(dǎo)體器件質(zhì)量與可靠性的重要保障，廣電計(jì)量作為國(guó)有檢測(cè)機(jī)構(gòu)，在我國(guó)第三代半導(dǎo)體發(fā)展過(guò)程中，秉承國(guó)企擔(dān)當(dāng)，為光電子、電力電子、微波射頻等第三代半導(dǎo)體三大應(yīng)用領(lǐng)域構(gòu)筑了較為全面的能力。
2022-06-20 15:33:033029 
文：第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟、馬云飛圖：第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟2022年8月6日，由保定市人民政府、河北省科學(xué)技術(shù)協(xié)會(huì)、河北省發(fā)展和改革委員會(huì)、河北省工業(yè)和信息化廳、河北省
2022-08-11 15:57:02858 
2024第六屆SEMI-e 深圳國(guó)際半導(dǎo)體技術(shù)暨應(yīng)用展覽會(huì)定檔于2024年6月26日-6月28日在深圳國(guó)際會(huì)展中心（寶安新館）舉行！為產(chǎn)業(yè)鏈的升階發(fā)展搭建供需精準(zhǔn)對(duì)接、雙向奔赴的平臺(tái)，探索半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展新路徑，共掘半導(dǎo)體行業(yè)新風(fēng)口！
2023-07-14 11:27:44631 第三代半導(dǎo)體以碳化硅、氮化鎵為代表的寬禁帶半導(dǎo)體材料，用于高壓、高溫、高頻場(chǎng)景。廣泛應(yīng)用于新能源汽車(chē)、光伏、工控等領(lǐng)域。因此第三代半導(dǎo)體研究主要是集中在材料特征研究，本文主要是研究碳化硅的產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)。
2023-08-11 10:17:541047 
材料領(lǐng)域中，第一
代、
第二代、
第三代沒(méi)有“一
代更比一
代好”的說(shuō)法。氮化鎵、碳化硅等材料在國(guó)外一般稱為寬禁帶
半導(dǎo)體。 將氮化鎵、氮化鋁、氮化銦及其混晶材料制成氮化物
半導(dǎo)體，或?qū)⒌?、砷化鎵、磷化銦制?/div>
2023-09-12 16:19:273060 
第三代寬禁帶半導(dǎo)體SiC和GaN在新能源和射頻領(lǐng)域已經(jīng)開(kāi)始大規(guī)模商用。與第一代和第二代半導(dǎo)體相比，第三代半導(dǎo)體具有許多優(yōu)勢(shì)，這些優(yōu)勢(shì)源于新材料和器件結(jié)構(gòu)的創(chuàng)新。
2023-10-10 16:34:28439 
2021年第三代半導(dǎo)體系列報(bào)告之二
2023-01-13 09:05:554 5G、快充、UVC，第三代半導(dǎo)體潮起
2023-01-13 09:06:003 第三代半導(dǎo)體之GaN研究框架
2023-01-13 09:07:4117 2023年11月29日，第九屆國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇(IFWS)和“第三代半導(dǎo)體標(biāo)準(zhǔn)與檢測(cè)研討會(huì)”成功召開(kāi)，是德科技參加第九屆國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇(IFWS)，并重磅展出第三代半導(dǎo)體動(dòng)靜態(tài)測(cè)試方案
2023-12-13 16:15:03514 
芯聯(lián)集成已全力挺進(jìn)第三代半導(dǎo)體市場(chǎng)，自2021年起投入碳化硅MOSFET芯片及模組封裝技術(shù)的研究開(kāi)發(fā)與產(chǎn)能建設(shè)。短短兩年間，芯聯(lián)集成便已成功實(shí)現(xiàn)技術(shù)創(chuàng)新的三次重大飛躍，器件性能與國(guó)際頂級(jí)企業(yè)齊肩，并且已穩(wěn)定實(shí)現(xiàn)6英寸5000片/月碳化硅MOSFET芯片的大規(guī)模生產(chǎn)。
2023-12-26 10:02:38601 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《2024第17屆越南國(guó)際電力技術(shù)及設(shè)備展覽會(huì)即將舉行.docx》資料免費(fèi)下載
2024-01-19 09:11:190 名單正式揭曉，其中，高通技術(shù)公司最新旗艦移動(dòng)平臺(tái)第三代驍龍8憑借其卓越的技術(shù)創(chuàng)新和領(lǐng)先的市場(chǎng)表現(xiàn)，榮獲了GTI Awards移動(dòng)技術(shù)創(chuàng)新突破獎(jiǎng)。
2024-03-01 09:31:57490 第三代半導(dǎo)體是全球半導(dǎo)體技術(shù)研究和新的產(chǎn)業(yè)競(jìng)爭(zhēng)焦點(diǎn)，具有戰(zhàn)略性和市場(chǎng)性雙重特征，是推動(dòng)移動(dòng)通信、新能源汽車(chē)、高速列車(chē)、智能電網(wǎng)、新型顯示、通信傳感等產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新發(fā)展和轉(zhuǎn)型升級(jí)的新引擎，有望成為重塑全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)格局的突破口。
2024-05-20 10:15:00514 
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