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電子發(fā)燒友網(wǎng)>存儲技術(shù)>東芝存儲XL-Flash技術(shù)2020年將量產(chǎn)

東芝存儲XL-Flash技術(shù)2020年將量產(chǎn)

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2017-09-18 11:51:2119

flash存儲器在線編程

Flash存儲技術(shù)趨于成熟,應(yīng)用廣泛,它結(jié)合了OTP存儲器的成本優(yōu)勢和EEPROM的可再編程性能,是目前比較理想的存儲器。Flash存儲器具有電可擦除、無需后備電源來保護數(shù)據(jù)、可在線編程、存儲密度
2017-10-11 18:57:413776

長江儲存量產(chǎn)NAND Flash芯片 打響中國在存儲芯片領(lǐng)域的第一槍

日前,長江存儲以“芯存長江,智儲未來”為主題,慶賀存儲器基地正式移入生產(chǎn)設(shè)備。目前,長江存儲新建的廠房已經(jīng)完成廠內(nèi)潔凈室裝修和空調(diào)、消防等系統(tǒng)的安裝。只要生產(chǎn)設(shè)備搬入并完成調(diào)試之后,就可以量產(chǎn)NAND Flash芯片,打響中國在存儲芯片領(lǐng)域的第一槍。
2018-05-30 02:28:007739

東芝鋰電池再推新品 2020年度計劃量產(chǎn)次世代SCiB

東芝2008年推出采用鈦酸鋰的鋰離子電池產(chǎn)品SCiB,之后在2017年成功試作出在負極材使用NTO的高容量下一代鋰離子電池(以下稱次世代SCiB),而和現(xiàn)行采用石墨的鋰離子電池負極材相比,NTO負極能發(fā)揮2倍的能源密度,東芝并計劃于2020年度量產(chǎn)次世代SCiB。
2018-07-10 11:05:002285

東芝存儲參展2018深圳制匯節(jié)(Maker Faire)

東芝存儲參展2018深圳制匯節(jié)(Maker Faire) 東芝存儲參與2018年深圳制匯節(jié)(Maker Faire Shenzhen)圓滿落幕,這也是東芝存儲第二次參與該展會。 在此次展會中,東芝
2018-10-15 17:10:01136

東芝宣布在存儲龍頭三星電子之前 研發(fā)出96層3D NAND flash存儲

東芝(Toshiba)和Western Digital(WD)領(lǐng)先業(yè)界,宣布搶在存儲龍頭三星電子之前,研發(fā)出96層3DNANDflash存儲。韓國方面質(zhì)疑此一新聞的真實性,指稱東芝可能為了出售存儲部門,蓄意放出消息、操弄媒體。
2018-11-05 16:47:201507

長江存儲預(yù)計在2019年全速量產(chǎn) 2020年會趕超國際領(lǐng)先的閃存公司

科技在武漢投資240億美元建設(shè)國家存儲芯片基地,該公司CEO楊士寧日前表態(tài)3D閃存晶圓廠的安裝設(shè)備將在2018年Q1季度完工,2019年全速量產(chǎn),預(yù)計2020年會在技術(shù)趕超國際領(lǐng)先的閃存公司。
2018-11-23 08:45:2812115

三星欲超車臺積電 稱2020年將量產(chǎn)3納米技術(shù)

%,而 DRAM 方面則會降價 30%,這樣的情況至少會持續(xù)到年中。 這雖然對消費者來說是件好事,但是對存儲器大廠,尤其是目前市占率排名第一的三星來說卻是個警示。因此,為降低存儲器景氣反轉(zhuǎn)所帶來的沖擊,三星持續(xù)強化在晶圓代工上的發(fā)展,日前更表示要超越臺積電,在 2020量產(chǎn) 3 納
2018-12-17 16:05:0192

東芝工廠停電事件損失出爐,對NAND Flash市場有何影響?

6月15日,東芝存儲器公司NAND Flash工廠于當?shù)貢r間下午6點25分發(fā)生斷電事故,大概花了13分鐘之后就恢復(fù)供電了,然而工廠在恢復(fù)供電后一直處于停產(chǎn)狀態(tài)。
2019-07-01 11:08:553257

東芝停電事件影響 NANDFlash價格將止跌走揚

NAND Flash受到東芝存儲器工廠停電事件,將帶動NAND Flash價格止跌走揚,威剛科技初估,NAND Flash價格將調(diào)漲10%至15%;另一存儲器模組廠十銓科技也認為不論DRAM或NAND Flash,下半年都將有很大的成長空間。
2019-07-09 16:02:202513

東芝帶動NAND Flash漲價 下半年行情有文章可做

東芝存儲器公司于四日市廠區(qū)于6月15日遭遇長約13分鐘的跳電狀況。研調(diào)機構(gòu)集邦TrendForce存儲器儲存研究(DRAMeXchange)評估,此事件將使得Wafer短期報價面臨漲價壓力,第三季2D NAND Flash產(chǎn)品價格可能上漲,3D NAND Flash產(chǎn)品價格跌幅則可能微幅收斂。
2019-07-11 11:07:042855

東芝存儲器撐不住了,改名鎧俠

7月18日,日本東芝電子(中國)有限公司通過企業(yè)官方網(wǎng)站發(fā)布公告稱,東芝電子旗下子公司東芝存儲器株式會社將于2019年10月1日起正式更名為“Kioxia”,中文名為“鎧俠株式會社”。而東芝電子(中國)有限公司也將在2020年春天同步更名,新名稱定為“鎧俠電子(上海)有限公司”。
2019-07-24 09:41:1619857

東芝新型XL-Flash技術(shù)下月送樣 預(yù)計將于2020年開始量產(chǎn)

XL-FLASH是基于該公司創(chuàng)新的BiCS FLASH 3D閃存技術(shù),每單元1比特SLC,將為數(shù)據(jù)中心和企業(yè)存儲帶來低延遲和高性能的解決方案。樣品將于9月開始出貨,預(yù)計將于2020年開始量產(chǎn)。
2019-08-06 15:21:363826

東芝推出內(nèi)存和硬盤合二為一的SCM存儲級內(nèi)存

,既能持久存儲數(shù)據(jù),又具備極高的速度,因而也被成為Persistent Memory持久內(nèi)存,它是近年來半導(dǎo)體存儲的發(fā)展新方向。東芝宣布了XL-Flash,它就屬于持久內(nèi)存類型。 為了讓NAND閃存的速度能夠達到內(nèi)存級的水平,東芝在BiCS 3D閃存結(jié)構(gòu)之上進
2020-09-16 14:37:473196

東芝產(chǎn)線徹底恢復(fù)生產(chǎn) 將為IPO計劃進行布局

根據(jù)韓國媒體《KoreaBusiness》報導(dǎo)指出,之前因停電事件而造成東芝日本四日市NAND Flash快閃存儲器產(chǎn)線生產(chǎn)暫停的狀況,如今東芝已經(jīng)排除,進一步加入量產(chǎn)的行列。不過,也因為東芝的重新恢復(fù)量產(chǎn),讓市場人士對NAND Flash的供過于求情況再次產(chǎn)生疑慮。
2019-08-09 16:56:202948

Memblaze基于東芝FLASH的NVMe SSD方案

超低延時閃存是當前非常熱門的技術(shù)趨勢,東芝推出的XL-FLASH是超低延時存儲介質(zhì)的代表,讀延時可以達到普通3D TLC NAND的十分之一。Memblaze聯(lián)手東芝XL-FLASH的低延時潛力
2019-08-18 09:03:00776

東芝宣布推出新的存儲器解決方案XL-Flash

東芝存儲器宣布正式更名為Kioxia公司,代表著公司以“記憶”提升世界的使命。有消息稱光寶(Lite-On)要將旗下的存儲業(yè)務(wù)部門出售給東芝,而今落定東芝以1.65億美元的價格正式收購光寶固態(tài)硬盤SSD業(yè)務(wù),交易預(yù)計于2020年上半年結(jié)束。
2019-09-01 09:58:201292

東芝存儲器最新發(fā)布XL-Flash技術(shù)

據(jù)外媒報道,東芝存儲器美國子公司宣布推出一種新的存儲器(Storage Class Memory)解決方案:XL-Flash,該技術(shù)是基于創(chuàng)新的Bics Flash 3D NAND技術(shù)和SLC。
2019-09-04 16:41:321234

東芝的大容量HDD可以讓你數(shù)據(jù)存儲無憂

作為存儲行業(yè)的實力代表,東芝HDD經(jīng)常會在科技展會上展示最新研發(fā)的存儲技術(shù)或者先進的存儲解決方案。
2019-09-08 10:17:08658

東芝存儲推出Twin BiCS技術(shù),或是PLC閃存最佳搭檔

作為NADN閃存技術(shù)的發(fā)明者,鎧俠(原來的東芝存儲)在新一代閃存研發(fā)上再次甩開對手,率先推出了Twin BiCS FLASH閃存技術(shù),有望成為PLC閃存的最佳搭檔。
2019-12-18 14:54:123344

Intel 3D XPoint與鎧俠XL-Flash哪個好

NAND閃存無疑是當下乃至未來最主流的存儲技術(shù),但也有不少新的存儲技術(shù)在探索和推進,Intel 3D XPoint(傲騰)就是典型代表(曾與美光合作研發(fā)如今已分手),產(chǎn)品也是多點開花,Intel對它頗為倚重。
2020-01-02 09:17:172766

東芝存儲對3D XPoint前景不看好,性價比比不上XL-Flash

至于原因,東芝認為3D XPoint成本太高,在容量/價格比上難以匹敵3D NAND 技術(shù),現(xiàn)在市面上96層堆疊的閃存已經(jīng)大量涌現(xiàn),可以在容量上輕松碾壓3D XPoint。
2020-01-02 09:27:342655

第五代BiCS Flash 3D存儲芯片可以將接口速度提高50%

存儲公司 Kioxia(原東芝存儲)近日宣布,將在今年 Q1 送樣 112 層 TLC Flash 芯片,這是第五代 BiCS Flash 3D 存儲芯片。
2020-02-03 15:44:222232

鎧俠/西數(shù)另類復(fù)活SLC XL-Flash目前為止還沒有量產(chǎn)

憑借領(lǐng)先一代的PCM相變存儲技術(shù)3D XPoint,Intel的傲騰系列內(nèi)存/SSD在企業(yè)級市場上占了上風(fēng),延遲超低,壽命也遠超閃存。
2020-03-05 08:35:44749

Kioxia和西部數(shù)據(jù)合作創(chuàng)造XL-FLASH來抗衡英特爾Optane

持久存儲市場中出現(xiàn)了一個新的參與者,這要歸功于Kioxia(以前是東芝)和西部數(shù)據(jù),并且可能會促使英特爾和三星改進其自己的解決方案。
2020-03-07 13:52:522646

NAND Flash存儲結(jié)構(gòu)以及NAND Flash的接口控制設(shè)計

Nand flashflash存儲器的其中一種,Nand flash其內(nèi)部采用非線性宏單元模式以及為固態(tài)大容量內(nèi)存的實現(xiàn)提供了廉價有效的解決方案。NAND FLASH存儲器具有容量較大和改寫速度快
2020-11-03 16:12:083855

DapuStor推出Nida5 PCIe Gen4 SSD系列,帶來企業(yè)級存儲新變革

Haishen3-XL 企業(yè)級SCM,是DapuStor基于業(yè)界最新XL-Flash推出Storage Class Memory (SCM)產(chǎn)品,具備20us極低讀延時,以及830K/350K超高IOPS性能,優(yōu)化數(shù)據(jù)緩存與加速、AI訓(xùn)練、大數(shù)據(jù)分析等業(yè)務(wù)場景體驗。
2021-06-30 15:16:222467

東芝電子開始量產(chǎn)M3H組21款新微控制器

東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)今日宣布,已開始量產(chǎn)M3H組的21款新微控制器,M3H組是TXZ+?族高級系列的新成員,采用40nm工藝制造。
2022-04-26 17:41:571069

鎧俠推出第二代高性能XL-FLASH?存儲存儲

存儲器解決方案的全球領(lǐng)導(dǎo)者鎧俠株式會社(Kioxia Corporation)今天宣布推出第二代XL-FLASH?。這是一種基于其BiCS FLASH? 3D閃存技術(shù)存儲存儲器(SCM)解決方案
2022-08-03 09:11:51439

東芝硬盤為數(shù)據(jù)存儲而生

時間如水,總是無言,曾以為半個世紀很遙遠,轉(zhuǎn)眼,東芝硬盤搭乘技術(shù)的快車,在數(shù)據(jù)存儲領(lǐng)域已深耕半世紀又五載。
2022-10-25 10:41:10773

如何為MCU靈活選擇NOR Flash量產(chǎn)?

大家好,我是痞子衡,是正經(jīng)搞技術(shù)的痞子。今天痞子衡給大家介紹的是一種靈活的i.MXRT下多串行NOR Flash型號選擇的量產(chǎn)方案。
2022-11-07 11:48:56771

stm32 flash寫數(shù)據(jù)怎么存儲

stm32 flash寫數(shù)據(jù)怎么存儲的? STM32是一款廣泛應(yīng)用于嵌入式系統(tǒng)開發(fā)的微控制器,它的Flash存儲器是其中一個重要的組成部分。在本文中,我將詳細介紹STM32 Flash存儲機制
2024-01-31 15:46:03421

什么是NAND 型 Flash 存儲器?

前言 NAND Flash 和 NOR Flash是現(xiàn)在市場上兩種主要的閃存技術(shù)。Intel于1988年首先開發(fā)出 NOR Flash 技術(shù),徹底改變了原先由 EPROM 和 EEPROM 一統(tǒng)天下
2024-03-01 17:08:45160

國產(chǎn)存儲芯片新格局:2020年真正實現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)!

存儲芯片在電子產(chǎn)業(yè)鏈中扮演著非常重要的角色,主要分為閃存和內(nèi)存,閃存包括 NAND Flash 和 NOR Flash ,內(nèi)存主要為 DRAM 。 2019 年,由于市場低迷及產(chǎn)能過剩,存儲
2020-01-06 08:30:0025409

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